大电流场效应管型号(大电流场效应管型号大全)

大电流场效应管型号大全

FB38N20场效应管是一款高压、高频、大电流的功率MOSFET，它的主要参数包括最大耗散功率、最大漏极电流、漏极-源极电阻、栅极电容、导通电阻等。这款场效应管适用于汽车电子、电源、LED照明灯、电感电缆电阻焊接等应用场合。它具有高可靠性、低导通损耗、良好的瞬态响应特性、超低漏电流等特点，可提高系统效率，节约能源。

大电流场效应管500a

IRFP3006，195A60V.IRFP4468等

场效应管的电流放大系数

IRFP2907或IRFP3703单只电流可达210A比使用多个IRF3205或75N75稳定N倍！！！

场效应管各极电流关系

你是要MOS还是IGBT呢？MOS100KHZ随便一个都OK了IGBT就不一样了，目前100K的有IKW40N60H320K-100K30N6520K-150K高温30A常温90A650VTO-247以上型号我们都有货

场效应管电流流向

电磁炉功率管25N120和20R1203虽然同属于大功率场效应管，但它们在极限电流和饱和压降等方面有所差异，具体如下：

1、25N120各参数值

极限电压：1200V

极限电流：25A

饱和压降：2.5V

2、20R1203各参数值

极限电压：1200V

极限电流：20A

饱和压降：1.48V

两种功率管理论上是可以互相替换的，但在实际应用中，20R1203代换25N120时，经常会出现电磁炉加热慢，功率管自身发热严重的情况。所以，在条件允许的情况下，尽量使用同型号的功率管进行替换。

场效应管标称电流和实际工作电流怎么计算

型号有两种命名方法。　　第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型P沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。　　第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。　　使用时主要关注的参数有：　　1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。　　2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。　　3、UT—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。　　4、gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。　　5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。　　6、PDSM—最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。7、IDSM—最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM。

大电流场效应管参数

一、场效应管k3878参数如下：

1、2sk3878---N沟、D、S带保护二极管;G、S带保护双向二极管

2、工作电压----900v

3、连续最大电流---9a

4、最大脉冲电流---27a

5、最大输出功率---150w

6、栅极最大工作电压30v

二、基本简介

1、K3878是场效应管，型号命名，有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。

2、第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如，3DJ6D是结型P沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。

3、第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。

扩展资料：

注意事项

1、为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。

2、各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接入电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结，N沟道管栅极不能加正偏压；P沟道管栅极不能加负偏压，等等。

3、MOS场效应管由于输入阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意，不能将MOS场效应管放入塑料盒子内，保存时最好放在金属盒内，同时也要注意管的防潮。

参考资料来源：

百度百科-场效应管

超大电流场效应管功放

场效应三极管的型号命名方法。与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。　　场效应管是通过改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件。它不仅具有双极型三极管的体积小,重量轻,耗电少,寿命长等优点,而且还具有输入电阻高,热稳定性好,抗辐射能力强,噪声低,制造工艺简单,便于集成等特点.因而,在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用.根据结构和工作原理不同,场效应管可分为两大类:结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(IGFET)。　　在两个高掺杂的P区中间，夹着一层低掺杂的N区（N区一般做得很薄），形成了两个PN结。在N区的两端各做一个欧姆接触电极，在两个P区上也做上欧姆电极，并把这两个P区连起来，就构成了一个场效应管。从N型区引出的两个电极分别为源极S和漏极D，从两个P区引出的电极叫栅极G，很薄的N区称为导电沟道。