sram型号(sram型号大全)

sram产品

sram存储器是指静态随机存取存储器。英文staticram的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。对已完成的sram存储器主板进行操作。在msdos模式下启动，利用debug指令，从d0000h开始试着进行数据的读/写操作。如果确认了主板能够正常运行，则为各份电源孝让连接器(cn2)提供电源，去掉个人计算机的电源，损耗电流在40μa左右。重新启动ms-dos模式，读取刚才写入的地址，因为能够读出所写入的数据，因而可知各份电源是起到了相应的作用的。由于从d0000h开始的领域为pc/at的扩展bios领域。如果sram上事先写入了附加头信息等的数据，则在操作系统启动前将被调用。在sram上安装各种经过仔细研究的程序进行试验，你就会有非常有趣的发现。sram与闪速存储器改慎羡等不同，它的替核拍换操作是非常简单的，可以以1字节为单位进行替换，并且不需要替换时间。一旦拔掉电池数据将丢失，因而在实施rom化之前的阶段，可以进行各种各样的实验，这是其方便之处。

sram sdram

Merida（美利达）的顶级竞赛公路车赞助了世巡赛车队Bahrain-Merida，车队大多数时间会使用气动公路车Reacto，比起上一代宣称提高了5%的气动性，同时顺从性增加了10%。Reacto提供碟刹和圈刹版本，而且你能拥有Pro级别的CF4几何，或者轻微缓和的CF2几何。

竞赛硬币的另一面是Scultura，它像Reacto一样是纯竞赛自行车，能满足轻量爬坡手的需要。因此Scultura通常是Nibali的选择，并且赢得了环意赛段。今年它提高了顺从级别，当我们用Scultura碟刹版骑行在巴黎-鲁贝鹅卵石路时也发现这点。

MeridaReacto和ReactoDisc

气动车架的开发速度从来就没有放缓过，Merida在最新一代的Reacto上使用了更纤细的管形和更窄的头管，还有位置更低、锥形的后上叉。

集成操控部件现在很流行，假如你想使用VisionMetron5D来获得终极的气动设计，需要选择旗舰CF4规格车架。它提供pro的姿势，这得益于更短的头管。轮圈刹车版本车架的重量是1010克，碟刹版本是1030克，这也证明了旗舰碟刹车架和圈刹车架已经很接近。CF2车架重量分别增加了83克和120克，记住，它比CF4提供更放松的骑行姿势。

美利达说新的Reacto比以前型号有更好的气动性，在45km/h是能节省8W，相当于减少5%的空气阻力。同时宣称碟刹和圈刹型号的气动效率差别小于1W。

除了升级气动性设计，最新Reacto还宣称提高10%的舒适性，这通过碳纤叠层、更低的后下叉和新的S-Flex碳纤座管设计来实现。这根座管加入了硅橡胶，能减少剧烈的骑行震动。

更轻更快，美利达发布新款Reacto 

MeridaReacto2018

MeridaReactoTeam-E（ShimanoDura-AceDi2）–£8,000

MeridaReacto9000-E（ShimanoDura-AceDi2）–£7,750

MeridaReacto7000-E（ShimanoUltegraDi2）–£3,500

MeridaReacto5000（ShimanoUltegra）–£2,000

MeridaReacto4000（Shimano105）–£1,800

MeridaReacto400（Shimano105）–£1,250

MeridaReactoDiscTeam-E（ShimanoDura-AceDi2）–£9,500

MeridaReactoDisc7000-E（ShimanoUltegraDi2）–£3,850

MeridaReactoDisc6000（ShimanoUltegra）–£3,000

MeridaReactoDisc5000（ShimanoUltegra）–£2,450

MeridaScultura和SculturaDisc

Scultura最后一次升级是在2015环意之前，碟刹版本在2016巴黎-鲁贝之前引入。最新一代Scultura融合了微妙的气动性和轻量化车架设计，宣称顶级CF4车架重量只有740克，CF2车架增加到800克。碟刹车架可以选择CF4或CF2碳纤叠层，CF4增加到900克，CF2的几何更加缓和。

有两点值得一提，它在后下叉增加了碟片散热系统，使用四分之一转动（quarter-turn）的RAT筒轴，这个技术由Focus授权。SculturaDisc后下叉使用了被称为Disc-Cooler的铝组件，它设计的气流通道能明显降低碟刹产生的温度。美利达宣称在下坡路段进行4分钟刹车时，Disc-Cooler能减少35摄氏度的温度。

和Reacto一样，Scultura以7000型号为分界线，之下的是较低规格的CF2车架叠层和耐力几何，旗舰的CF4自行车装备了电子变速，包括7200英镑的SRAMRedeTap自行车。

下坡利器，美利达SculturaDisc6000

MeridaScultura2018

MeridaSculturaTeam-E（ShimanoDura-AceDi2）–£8,750

MeridaScultura9000-E（SRAMRedeTap）–£7,200

MeridaScultura8000-E（ShimanoUltegraDi2）–£5,250

MeridaScultura7000-E（ShimanoUltegraDi2）–£3,250

MeridaScultura6000（ShimanoUltegra）–£2,400

MeridaScultura5000（ShimanoUltegra）–£2,000

MeridaScultura4000（Shimano105）–£1,800

MeridaScultura4000Juliet（Shimano105）–£1,800

MeridaSculturaDiscTeam-E（ShimanoDura-AceDi2）–£9,500

MeridaSculturaDisc7000-E（ShimanoUltegraDi2）–£3,750

MeridaSculturaDisc6000（ShimanoUltegra）–£2,750

MeridaSculturaDisc5000（ShimanoUltegra）–£2,300

MeridaSculturaDisc4000（Shimano105）–£2,150

MeridaSculturaDisc4000Juliet（Shimano105）–£2,150

MeridaCycloCross

如果你进行CX竞赛，那么CycloCross会是你的选择，这个系列具有公路越野规格的几何，post-mount碟刹，如果你不玩竞赛，那么可以装上挡泥板。碳纤的6000型号装备了SRAMApex1x套件，配置11-42t飞轮，33c轮胎。600、400和300型号使用6066铝合金，同样的CX几何。

MeridaCycloCross2018

MeridaCycloCross6000（SRAMApex1）–£2,500

MeridaCycloCross600（SRAMApex1）–£1,550

MeridaCycloCross400（Shimano105/TektroSpyre）–£1,150

MeridaCycloCross300（ShimanoTiagra/TektroSpyre）–£925

MeridaSilex

这是2018款Merida中的“全能型”自行车，它于今年欧展发布，Silex的目标是舒适并且能适应多样化的地形：柏油路、gravel和小径，它能用于从传统的公路车到自行车公园的骑行。

有趣的事，它的车架几何设计灵感来自山地自行车，明显更长的轮距和长的前伸，配合短把立，声称这样能让Silex具有多样性。美利达认为长头管能鼓励你握下把骑行，并且在下坡更加安全，特别是非铺装路面，因为你需要更好的控制刹车。它能使用650b轮组配合50mm轮胎，或者700c标准公路轮组最大能使用42mm轮胎，它能安装挡泥板和货架。

有两种碳纤自行车，宣称车架重量是1050克，装备Force1和Rival混合组件。铝合金车架重量为1500克，有5种配置。

MeridaSilex2018

MeridaSilex9000（SRAMForce1/Rival）–£3,500

MeridaSilex6000（SRAMApex1）–£2,250

MeridaSilex700（ShimanoUltegra）–£2,100

MeridaSilex600（SRAMApex1）–£1,700

MeridaSilex400（Shimano105）–£1,500

MeridaWarp

Warp是Bahrain-Merida车队的TT自行车，车队版使用全套的Dura-AceDi2变速，也有一个5000型号提供给消费者，它混合了Ultegra和105变速，具有特色的VisionTrimaxProTT牙盘，气动车把及刹车手柄。

Warp车架结构来自Merida顶级CF4碳纤，使用很深的气动管形来获得最大的气动效率。车架具有低的后上叉和扁平立管，整合走线从上管顶部进入。

MeridaWarp5000（ShimanoUltegra/105）–£3,800

（出处：roadcyclinguk    编译：BX君）

sram种类

这个社是SSI公司的产品，还不错！可以参考参考！MemoryRAM串行接口PCA中断数据指针减低EMI工作电压5V3VUARTSPI中断源中断级SST89E52RD240MHz8KB+8KB1KB1ch+√5ch842√4.5-5.5VSST89V52RD233Mhz8KB+8KB1KB1ch+√5ch842√2.7-3.6VSST89E54RD240MHz16KB+8KB1KB1ch+√5ch842√4.5-5.5VSST89V54RD233Mhz16KB+8KB1KB1ch+√5ch842√2.7-3.6VSST89E58RD240MHz32KB+8KB1KB1ch+√5ch842√4.5-5.5VSST89V58RD233Mhz32KB+8KB1KB1ch+√5ch842√2.7-3.6VSST89E554RC40MHz32KB+8KB1KB1ch+√5ch842√4.5-5.5VSST89V554RC33Mhz32KB+8KB1KB1ch+√5ch842√2.7-3.6VSST89E564RD40MHz64KB+8KB1KB1ch+√5ch842√4.5-5.5VSST89V564RD33MHz64KB+8KB1KB1ch+√5ch842√2.7-3.6VSST89C5440MHz33MHz16KB+4KB256B1ch06212.7-5.5VSST89C5840MHz33MHz32KB+4KB256B1ch06212.7-5.5VSST89E516RD40MHz64KB+8KB1KB1ch+√5ch842√4.5-5.5VSST89V516RD233MHz64KB+8KB1KB1ch+√5ch842√4.5-5.5VSSTFlash闪存器件资料39系列MPFFLASH型号容量电压备注39SF51264Kx8bit4.5-5.5V字节编程，扇区擦除，个扇区是4KB39SF010A128Kx8bit4.5-5.5V字节编程，扇区擦除，个扇区是4KB39SF020A256Kx8bit4.5-5.5V字节编程，扇区擦除，个扇区是4KB39SF040512Kx8bit4.5-5.5V字节编程，扇区擦除，个扇区是4KB39VF51264Kx8bit2.7-3.6V字节编程，扇区擦除，个扇区是4KB39VF010128Kx8bit2.7-3.6V字节编程，扇区擦除，个扇区是4KB39VF020256Kx8bit2.7-3.6V字节编程，扇区擦除，个扇区是4KB39VF040512Kx8bit2.7-3.6V字节编程，扇区擦除，个扇区是4KB39VF0801Mx8bit2.7-3.6V字节编程，扇区擦除，个扇区是4KB39VF0881Mx8bit2.7-3.6V字节编程，扇区擦除，个扇区是4KB39VF16812Mx8bit2.7-3.6V字节编程，扇区擦除，个扇区是4KB39VF200A128Kx16bit2.7-3.6V字节编程，扇区擦除，个扇区是2KWORD39VF400A256Kx16bit2.7-3.6V字节编程，扇区擦除，个扇区是2KWORD39VF800A512Kx16bit2.7-3.6V字节编程，扇区擦除，个扇区是2KWORD39VF16011Mx16bit2.7-3.6V字节编程，扇区擦除，个扇区是2KWORD39VF16021Mx16bit2.7-3.6V字节编程，扇区擦除，个扇区是2KWORD39VF32012Mx16bit2.7-3.6V字节编程，扇区擦除，个扇区是2KWORD39VF32022Mx16bit2.7-3.6V字节编程，扇区擦除，个扇区是2KWORD39VF64014Mx16bit2.7-3.6V字节编程，扇区擦除，个扇区是2KWORD39VF64024Mx16bit2.7-3.6V字节编程，扇区擦除，个扇区是2KWORD39WF400A256Kx16bit2.7-3.6V字节编程，扇区擦除，个扇区是2KWORD28/29系列SSF-小扇区操作Flash型号容量电压备注29EE010128Kx8bit4.5-5.5V页操作模式，一页是128Byte29EE020256Kx8bit4.5-5.5V页操作模式，一页是128Byte29SF040512Kx8bit4.5-5.5V字节编程，扇区擦除，个扇区是128Byte29LE010128Kx8bit3.0-3.6V页操作模式，一页是128Byte29LE020256Kx8bit3.0-3.6V页操作模式，一页是128Byte29VE010128Kx8bit2.7-3.6V页操作模式，一页是128Byte29VE020256Kx8bit2.7-3.6V页操作模式，一页是128Byte29VF040512Kx8bit2.7-3.6V字节编程，扇区擦除，个扇区是128Byte28SF040A（停产）512Kx8bit4.5-5.5V字节编程，扇区擦除，个扇区是256Byte28VF040A512Kx8bit2.7-3.6V字节编程，扇区擦除，个扇区是256Byte27系列MTP-外接12V多次烧写Flash型号容量电压备注27SF51264Kx8bit4.5-5.5V5V工作，12V编程27SF010128Kx8bit4.5-5.5V5V工作，12V编程27SF020256Kx8bit4.5-5.5V5V工作，12V编程37VF51264Kx8bit3.0-3.6V3.3V工作，12V编程37VF010128Kx8bit3.0-3.6V3.3V工作，12V编程37VF020256Kx8bit3.0-3.6V3.3V工作，12V编程37VF040512Kx8bit3.0-3.6V3.3V工作，12V编程27VF010128Kx8bit3.0-3.6V3.3V工作，12V编程27VF020256Kx8bit3.0-3.6V3.3V工作，12V编程25/45/49系列-串行Flash型号容量电压备注25VF512512Kbit2.7-3.6VSPI接口，20MHz，字节编程，扇区擦除，个扇区是4KB25VF0101Mbit2.7-3.6VSPI接口，20MHz，字节编程，扇区擦除，个扇区是4KB25VF0202Mbit2.7-3.6VSPI接口，20MHz，字节编程，扇区擦除，个扇区是4KB25VF0404Mbit2.7-3.6VSPI接口，20MHz，字节编程，扇区擦除，个扇区是4KB25VF0808Mbit2.7-3.6VSPI接口，33MHz，字节编程，扇区擦除，个扇区是4KB25VF01616Mbit2.7-3.6VSPI接口，33MHz，字节编程，扇区擦除，个扇区是4KB45LF0101Mbit3.0-3.6V字节编程，扇区擦除，个扇区是4KB49LF002A2Mbit3.0-3.6VFirewareHub49LF004A4Mbit3.0-3.6VFirewareHub49LF008A2Mbit3.0-3.6VFirewareHub49LF002B4Mbit3.0-3.6VLPC/FirewareFlash49LF004B4Mbit3.0-3.6VLPC/FirewareFlash49LF0404Mbit3.0-3.6VLPC/FirewareFlash49LF080A8Mbit3.0-3.6VLPCFlash其它FLASH：CSF，COMBO型号容量电压备注36VF16011Mx16bit/2Mx8bit2.7-3.6V两个块区，12M+4M，支持写的同时读32HF32412Mx16bitFlash+256Kx16bitSRAM2.7-3.3V32MFLASH+4MSRAM

sram选型

根据您提供的信息，这辆喜德盛山地车似乎是Sundance-Ext型号。SRAMX3是一个常见的山地车变速系统，通常与21速配置一起使用。车梁上的标识可以帮助您确认型号，但如果您需要更详细的车辆信息，您可以查看产品手册或联系喜德盛客服部门。

sram127

SRAMRival122速。

喜德盛RT280的变速器型号是SRAMRival122速。这款变速器搭配11-30T的飞轮，可以提供22段变速，轻松驾驭爬坡和平路。喜德盛RT280的牙盘是50-34T，飞轮是11-30T，车架是X6铝合金，内走线设计，油压碟刹，车重约11.5kg。

sram芯片型号

STM32控制器芯片内部有一定大小的SRAM及FLASH作为内存和程序存储空间，但当程序较大，内存和程序空间不足时，就需要在STM32芯片的外部扩展存储器了。

扩展内存时一般使用SRAM和SDRAM存储器，但STM32F407系列的芯片不支持扩展SDRAM（STM32F429系列支持），它仅支持使用FSMC外设扩展SRAM，我们以SRAM为例讲解如何为STM32扩展内存。

给STM32芯片扩展内存与给PC扩展内存的原理是一样的，只是PC上一般以内存条的形式扩展，内存条实质是由多个内存颗粒（即SRAM芯片）组成的通用标准模块，而STM32直接与SRAM芯片连接。

大家都知道，当电脑运行比较卡的时候，我们可以通过给电脑加装内存条来改善电脑的性能。那么号称微型计算机的单片机能不能像电脑一样加装内存条呢？装内存条倒是不行，但是我们可以给单片机外加和内存条效果一样的SRAM来提升单片机的性能。下面以STM32F407ZGT6单片机来讲解一下来扩展外部SRAM。

原理：给STM32芯片扩展内存与给PC扩展内存的原理是一样的，只是PC上一般以内存条的形式扩展，内存条实质是由多个内存颗粒（即SRAM芯片）组成的通用标准模块，而STM32直接与SRAM芯片连接。

SRAM，型号IS62WV51216，管脚图如下：

IS62WV51216的管脚总的来说大致分为：电源线、地线、地址线、数据线、片选线、写使能端、读使能端和数据掩码信号线。

什么是数据掩码信号呢UB#和LB#？

用UB#或LB#线控制数据宽度，例如，当要访问宽度为16位的数据时，使用行地址线指出地址，然后把UB#和LB#线都设置为低电平，那么I/O0-I/O15线都有效，它们一起输出该地址的16位数据（或者接收16位数据到该地址）；当要访问宽度为8位的数据时，使用行地址线指出地址，然后把UB#或LB#其中一个设置为低电平，I/O会对应输出该地址的高8位和低8位数据，因此它们被称为数据掩码信号。如果不太明白接着往下看。

因为IS62WV51216是有LB和UB引脚的，可以控制字节的有效性，所以编程操作的时候我们是可以进行任意字节位宽的数据操作的。如果换作其他不支持字节通道访问的芯片的话，那就需要对齐芯片的数据位宽进行数据操作了。在网上查资料时看到有人问“在操作不同的数据位宽时，FSMC_NBL1，FSMC_NBL0是受什么控制输出高低电平给UB，LB的？”，这个应该是属于硬件自动实现的，是FSMC的硬件机制。

从这个图中我们可以看出IS62WV51216有19根地址线和16根数据线，从这些数据中我们可以分析出IS62WV51216的存储大小为1M，那么这个1M是怎么分析出来的呢？我们得来说说IS62WV51216的存储原理。首先，我们来谈一谈一般的RAM的存储原理。

CPU编址以字节(8bit)为单位。存储器编址：以其位宽为单位，也就是说每个存储器地址下的数据位数为位宽。芯片有19根数据线，那么它的芯片的可寻址空间大小就是2^19=254288=512K，又因为它的数据位宽位16（16根数据线），所以这个芯片的容量位512KB*16bit=8192Kbit=1024KByte=1MByte。

RAM是“RandomAccessMemory”的缩写，被译为随机存储器。所谓随机存取，指的是当存储器中的消息被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置无关。根据RAM的存储机制，又分为动态随机存储器DRAM(DynamicRAM)以及静态随机存储器SRAM（StaticRAM）两种。不管是DRAM还是SRAM他们都是在RAM前面加了一个头而已。

静态随机存储器SRAM（StaticRAM）顾名思义电路结构不需要定时刷新充电，就能保持状态（当然，如果断电了，数据还是会丢失的），因为不需要定时刷心充电，所以SRAM的存储单元以锁存器来存储数据，这种存储器被称为“静态（Static）”RAM。

而动态随机存储器DRAM（DynamicRAM）顾名思义电路结构是需要定时刷新充电，因为需要定时刷心充电所以DRAM的存储单元以电容的电荷来表示数据，这种存储器被称为“动态（Dynamic）”RAM。

从他们的存储单元的结构图我们就知道DRAM的结构比SRAM的结构简单的多，所以所以生产相同容量的存储器，DRAM的成本要更低，且集成度更高。而DRAM中的电容结构则决定了它的存取速度不如SRAM。这种结论是不需要死记硬背的，看结构图就知道了。

但是我们可能还听说过SDRAM，我们把它叫做同步动态随机存储器SDRAM（SynchronousDRAM），同步顾名思义就是利用时钟进行同步的通讯时序，它在时钟的上升沿表示有效数据。

SRAM的存储模型我们可以用矩阵来说明：

SRAM内部包含的存储阵列，可以把它理解成一张表格，数据就填在这张表格上。和表格查找一样，指定一个行地址和列地址，就可以精确地找到目标单元格，这是SRAM芯片寻址的基本原理。这样的每个单元格被称为存储单元，而这样的表则被称为存储矩阵。地址译码器把N根地址线转换成2的N次方根信号线，每根信号线对应一行或一列存储单元，通过地址线找到具体的存储单元，实现寻址。如果存储阵列比较大，地址线会分成行和列地址，或者行、列分时复用同一地址总线，访问数据寻址时先用地址线传输行地址再传输列地址。

但是呢？你会发现，这个原理好像不太适用于IS62WV51216，为什么呢？

其实不然，因为我们使用的SRAM比较小(IS62WV51216容量是1MB)，IS62WV51216没有列地址线。它只有19根行地址线，那么，我们就可以这么来解释：IS62WV51216有16根数据线，也就是说它的数据宽度为16位，一个行地址也就对应16位，即一个行地址对应2字节空间。好，那现在来计算一下IS62WV51216有多少个行地址。2的19次方等于512K，在512K的基础之上在乘我们之前计算的2字节，不正好是1024K，也就是1M吗？1M后面的单位是B，即Byte，而不是Bit哦。这样的话你就会发现IS62WV51216这个名字中本身就包含了大量的信息：IS62WV51216共有512K个行地址，数据宽度为16位，再加以计算就可以得到它的存储大小为1M啦，有趣吧！另外，该芯片支持两种不同的高速访问时间，分别为45ns和55ns，该时间表示进行一次数据读写的最短时间要求，本文选择55ns的模式。

异步通讯，无须时钟，无须刷新，与STM32F407单片机通过FSMC接口相连。

读写时序的流程很类似，下面我们统一解说：

(1)主机使用地址信号线发出要访问的存储器目标地址；

(2)控制片选信号CS1#及CS2#使能存储器芯片；

(3)若是要进行读操作，则控制读使能信号OE#表示要读数据，若进行写操作则控制写使能信号WE#表示要写数据；

(4)使用掩码信号LB#与UB#指示要访问目标地址的高、低字节部分；

(5)若是读取过程，存储器会通过数据线向主机输出目标数据，若是写入过程，主要使用数据线向存储器传输目标数据。

在读写时序中，有几个比较重要的时间参数，在使用STM32控制的时候需要参考。

FSMC的本质就是内核想要访问存储器，但是内核不能生成硬件时序，FSMC外设就帮忙做了这个硬件时序这个事情。有了这个外设我们操作外部SRAM就不需要自己在那里写读写时序了，FSMC就帮我们解决了。怎么解决的？它有各种寄存器结构体啊，直接按照要求配置就可以了。

STM32F407或STM32F417系列芯片都带有FSMC接口，FSMC，即灵活的静态存储控制器，能够与同步或异步存储器和16位PC存储器卡连接，STM32F4的FSMC接口支持包括SRAM、NANDFLASH、NORFLASH和PSRAM等存储器。**注意：FSMC不能驱动如SDRAM这种动态的存储器，而在STM32F429系列的控制器中，它具有FMC外设，支持控制SDRAM存储器**。其他我们不用管，从上面我们可以总结的是，STM32雇佣FSMC这个管家来管理我们的IS62WV51216。来来来，我们来看看FSMC的庐山真面目：

FSMC的框图如图所示：

蒙了吧！又是这么多信号线，不要怕，我们还是来总结归纳下。我们FSMC控制SRAM为例来说明：通过查看STM32F407xx参考手册。

上图打码的地方是PSRAM伪静态随机存储器的引脚，不需要理会，只需要看SRAM的部分即可。

你会发现居然和SRAM中的线居然高度统一（那是当然喏，我们就是讲的FSMC嘛！）

1、FSMC_NBL[1]、FSMC_NBL[0]分别对应于LBn、UBn，有什么用呢？提供数据掩码信号。貝体是怎么回事昵？还记得前面提到的行地址线吗？

一根行地址线对应16位的数据，我们可以把16位的数据分为高字节和低字节。当要访问宽度为16位的数据时，使用行地址线指出地址，然后把UBn(n表示低电平有效)和LBn线都设置为低电平(FSMC_NBL0和FSMC_NBL为低电平)，那么I/O0-I/O15线(FSMC_D0到FSMC_D15)都有效，它们一起输出该地址的16位数据(或者接收16位数据到该地址)；当要访问宽度为8位的数据时，使用行地址线指出地址，然后把UBn(FSMC_NBL0)设置为低电平，I/O0-I/O15(FSMC_D8到FSMC_D15)会对应输出该地址的高8位，l/O0-I/O7的信号无效(或者把LBn(FSMC_NBL1)设置为低电平，I/O0-/O7(FSMC_D0到SMCD7)会对应输出该地址的低8位，I/O8-/I/O15的信号无效。这样是不是有部分信号没有用呢？好像被掩盖了。因此它们被称为数据掩码信号。

要注意的是FSMC_NBL[1]、FSMC_NBL[0]分别对应于LBn、UBn，这两个引脚的电平不是我们用程序控制的，如果用程序控制就太麻烦了，这两个引脚应该是FSMC的内部硬件机制完成的，不需要我们人为操作。

2、FSMC_NE[1：4]是个很有趣的东西，它决定了FSMC可以控制多个存储器。这里就要提及FSMC的地址映射啦！

首先，有一点我们必须明白，对于32位的STM32单片机来说，它能够管理的地址大小为4GB，而STM32将4GB的地址空间中的0X60000到0X9FFFF共1GB的空间分给外部内存，所以这1GB的空间就成了我们的小天地，供我们自由玩耍。

然后强势的FSMC就接管了这1GB的空间，FSMC将图中的1GB大小的外部RAM存储区域分成了4个Bank区域，每个Bank对应于STM32内部寻址空间的不同地址范围。

那么为什么要分为不同的Bank区域呢？

因为不同的Bank可以来管理不同的外部存储设备，比如NOR_Flash及SRAM存储器只能使用Bank1的地址，NAND_Flash存储器只能使用Bank2和Bank3的地址等。

细心的你肯定还会发现，每个Bank中居然还有4x64MB这种文宇，这是什么意思呢？

Bank内部的256MB空间又被分成4个小块，每块64M，各自有相应的控制引脚用于连接片选信号。FSMC_NE[4:1]信号线就分别对应图中的FSMCbank1NOR/PSRAM4到FSMCbank1NOR/PSRAM1。当STM32访问0×6800000—0x6BFFF址空间时，会访问到Bank1的第3小块区域：FSMCbank1NOR/PSRAM3，相应的FSMC_NE3信号线会输出控制信号(即片选信号)，如果这个时候FSMC_NE3处刚好接上IS62WV51216的CS端，那么IS62WV51216就可以任由我们摆布啦。因此，对于你使IS62WV51216来说，一定要注意你的CS端是接的FSMC的哪个FSMC_NE端，这决定你在程序访问哪个地址范围。

STM32F4的FSMC存储块1（Bank1）被分为4个区，每个区管理64M字节空间，每个区都有独立的寄存器对所连接的存储器进行配置。Bank1的256M字节空间由28根地址线(HADDR[27:0])寻址。

为什么是28根地址线？因为2^28=268435456B=262144KB=256MB，正好管理这Bank1的256M字节空间。

当Bank1接的是16位宽度存储器的时候：HADDR[25:1]→FSMC_A[24:0]。当Bank1接的是8位宽度存储器的时候：HADDR[25:0]→FSMC_A[25:0]。不论外部接8位/16位宽设备，FSMC_A0永远接在外部设备地址A[0]。

这里感觉很不好理解，简单地分析如下：

对于16位SRAM，FSMC地址线要向右移一位（非常重要）。

以0x68000000这个地址为例，它分解成二进制是01101000000000000000000000000000，由于一个BANK是64M的地址空间，而2^25=64M，故0x68000000的位[25:0]是FSMC向外部SRAM传递的真实地址，对于0x68000000，FSMC向外部SRAM发的地址是位[25:0],即00000000000000000000000000，这很好理解。

同理，对于0x68000002，FSMC向外部SRAM发送的地址是00000000000000000000000010。若FSMC不自动右移一位，这个地址明显发错了，因为期望读取的SRAM地址为0x00000001中的数据。

为了解决这一问题，当在初始化FSMC时，若选择外部SRAM为16位，则FSMC在向外部SRAM发地址时，会自动右移一位，例如刚才的0x68000002，FSMC在向外部发SRAM地址时，00000000000000000000000010会自动右移一位，变成00000000000000000000000001，即0x00000001，该地址正好是期望的外部SRAM地址。接着，外部SRAM从地址为0x00000001中取出16位数据传送给FSMC，由FSMC将这个16位数据保存在以映射地址0x68000002起始的两个8位存储单元中。

地址映射如下：

这样的话，当16位数据宽度时，地址的问题解决了，还有一个问题，是往高字节写入还是低字节写入呢？

这也就是NBL0和NBL1的作用了，如果你要进行字节操作：如stm32发送地址0x0001读取一个字节。右移一位对应的是sram地址0x0000处的16位数据，FSMC会根据A0（最后一根地址线）来控制NBL0和NBL1。当A0=1时，读取高字节数据（仅NBL1有效）；A0=0时，读取低字节数据仅NBL0有效），当进行16位读写时，NBL0和NBL1都有效。

经过了上面的分析，再来重新观察数据的写入过程：

当地址为0x6800 0000，会访问到SRAM的第0个16位地址，而此时A0=0（低字节有效），实际会访问的是16位0地址的低字节；当地址为0x6800 0001时，A0=1，访问16位0地址的高字节。依次。

因此，想让地址线的最后一位产生0或1，应该在前一位做出改变（stm32会自动右移）：

参考内容：https://blog.csdn.net/dingyc_ee/article/details/100703685

我们的SRAM芯片使用的是Bank1的第三个区，即使用FSMC_NE3来连接外部设备的时候，即对应了HADDR[27:26]=10（这是内部硬件配置，不需要我们管），我们要做的就是配置对应第3区的寄存器组，来适应外部设备即可。

STM32F4的FSMC各Bank配置寄存器如下表

STM32的FSMC存储块1支持的异步突发访问模式包括：模式1、模式A~D等多种时序模型，驱动SRAM时一般使用模式1或者模式A，这里我们使用模式A来驱动SRAM用，其他模式说明详见：STM32中文参考手册-FSMC章节。

FSMC外设支持输出多种不同的时序以便于控制不同的存储器，它具有ABCD四种模式，下面我们仅针对控制SRAM使用的模式A进行讲解。

对于NORFLASH/PSRAM(包括SRAM)控制器（存储块1），通过FSMC_BCRX、FSMC_BTRX和FSMCBWTRx寄存器设置（其中x=1～4，对应4个区）。由于我们硬件是把blank的第三个区给外部SRAM使用，所以对于SRAM芯片的片选引脚为FSMC_NE3。所以就要配置FSMC_BCR3、FSMC_BTR3和FSMCBWTR3这3个寄存器。正点原子F407板子的SRAM的片选引脚是FSMC_NE3，LCD显存芯片的片选引脚是FSMC_NE4。

在MDK的寄存器定义里面，并没有定义FSMC_BCRx、FSMC_BTRx、FSMC_BWTRx等这个单独的寄存器，而是将他们进行了一些组合。

FSMC_BCRx和FSMC_BTRx，组合成BTCR[8]寄存器组，他们的对应关系如下：

BTCR[0]对应FSMC_BCR1，BTCR[1]对应FSMC_BTR1BTCR[2]对应FSMC_BCR2，BTCR[3]对应FSMC_BTR2BTCR[4]对应FSMC_BCR3，BTCR[5]对应FSMC_BTR3BTCR[6]对应FSMC_BCR4，BTCR[7]对应FSMC_BTR4

FSMC_BWTRx则组合成BWTR[7]，他们的对应关系如下：

BWTR[0]对应FSMC_BWTR1，BWTR[2]对应FSMC_BWTR2，BWTR[4]对应FSMC_BWTR3，BWTR[6]对应FSMC_BWTR4，BWTR[1]、BWTR[3]和BWTR[5]保留，没有用到。

本篇到此结束，下一篇将讲解FSMC的先关代码，并使用STM32CubeMX进行配置，敬请期待！

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来源：果果小师弟

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