英飞凌型号(英飞凌型号命名规则)
英飞凌型号解析
英飞凌tc233芯片，高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。
高能效、 移动性和 安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案
英飞凌型号尾缀E6327和H6327的区别
FF300R12kS4 和 FF300R12kt4 都是英飞凌（Infineon）公司的模块产品型号。以下是它们的区别：
1. 电流和电压等级：FF300R12kS4 和 FF300R12kt4 的电流和电压等级不同。一般来说，"k"表示千安培（kA）的电流等级，而"t"则表示非标准温度等级。
2. 温度范围：FF300R12kS4 和 FF300R12kt4 的最大工作温度不同。一般情况下，"t"表示一个非标准的温度等级，意味着它的工作范围可能会高于标准温度范围。
3. 其他规格：除了电流、电压和温度等级之外，FF300R12kS4 和 FF300R12kt4 在其他规格上可能会有一些微小的差异，如最大开关频率、重量、外形尺寸等。具体的差异需要查阅相关的产品规格书或手册来确认。
需要注意的是，对于特定的应用场景，选择正确的模块型号是很重要的。建议咨询官方销售渠道或参考相关资料来确保选型的准确性。
英飞凌ide
其芯片主要是：斯达有IR、ABB、英飞凌KT3的芯片，宏微主要是英飞凌KT3/KT4芯片。
南京银茂微电子的芯片不知道。
另外国内做IGBT的主要是风转测试，芯片都是买国外的。
三菱在合肥也投产了IPM封装工厂。
明年量产。
比亚迪还是谨慎一点。
虽说芯片也号称是英飞凌的KT4/KT4芯片，但是IGBT不光是芯片重要，封装测试也很重要，目前斯达的市场认可度最高，下来是宏微，另外IGBT做的最好的就是英飞凌。
高压的市场份额也很大。
英飞凌型号E和I的区别
近年来，由于对移动电源的需求不断增加，便携式移动储能解决方案大受欢迎。随着移动设备的激增和对持续连接的需求不断增长，用户正在寻求可靠、方便的方式来让他们的设备在远离传统电源插座时保持供电。
英飞凌针对移动储能应用，提供了一站式的解决方案。本篇我们方案提供相应的产品选型推荐。
上图是一个移动电源的总体方案图，本次我们主要分享移动电源方案的AC-DC/DC-AC、DC-DC、USBType-C接口几个部分的解决方案及相应的英飞凌推荐型号。
AC-DC/DC-AC应用方案及产品型号
便携式储能AC-DC/DC-AC部分的英飞凌应用方案和产品选型，下面是充电1.2KW/放电3.3KW的参考方案和推荐的功率器件的型号。
便携式储能AC-DC/DC-AC部分英飞凌应用方案
功率器件推荐型号
HVMOS的型号和100V的低压的MOS型号
650VCFD7系列产品组合
100VOptiMOS™andStrongIRFET™产品组合
对于效率要求高的产品，可以使用全碳化硅的高压CoolSiC解决方案，下面是英飞凌碳化硅MOS的产品。
650VCoolSiC™MOSFETdiscrete
DC-DC的解决方案及型号推荐
英飞凌针对便携式储能DC-DC部分也有针对性的选型参考（Buck-Boost/BuckConverter），从下图中的框图我们可能看到，该方案中太阳能MPPT、Carportplug和USB-C 三个部分都有用到DC-DC。
下面是DC-DC的Buck-Boost/BuckConverter推荐的英飞凌的低压MOSFET的产品系列：
英飞凌的低压MOSFET的产品系列
RecommendedLogicLevelMOSFETPortfolio
USBType-C接口解决方案
通常便携式储能都会有USBType-C接口，英飞凌也还可以提供USBType-C的解决方案。
USB-Type-C单口的解决方案-CCG3PA
USB-Type-C CCG7D（集成Buck/Boost双口的USBType–C）解决方案
英飞凌面向便携式移动储能市场的解决方案侧重于效率、性能和安全性。英飞凌的电源管理、电池管理、电源转换和安全解决方案组合提供了全面的产品以满足该市场中制造商和消费者不断变化的需求。英飞凌在半导体技术方面的专业知识使其成为实现先进可靠的便携式储能解决方案的关键参与者。
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英飞凌型号命名规则
之前我们曾发过解释英飞凌IGBT模块命名规则的文章（还没看过的同学戳这里?：英飞凌IGBT模块命名规则）我司作为IGBT大厂，除了种类繁多的模块型号，还有单管型号也是数不胜数。好在单管封装没有那么多复杂的拓扑，封装形式也有限。因此IGBT单管的命名规则相对简洁一些。
IGBT单管以时间为界，有两套体系
Infineon
对于2013年3月份之前release的器件，命名规则如下图。主要传达的信息有：芯片种类（是否有续流二极管）+封装形式+电流等级+电压等级+芯片类型+是否车规级芯片:
（点开图片可放大查看）
单管塑封壳上面都会有激光打标，这可以说是料号的“昵称“——用更少的字母，表达了丰富的特性。例如对于IHW20N120R3这颗器件，它的封装上的标志是H20R1203，各数位含义和料号的命名规则相同，如下图：
对于2013年3月之后release的器件，它的命名规则稍有不同。
1
首先，封装形式更加丰富了，从6种拓展到了11种，新增封装类型包括：TO247-4pin，TO247plus-3pin/4pin，高级绝缘的TO2473pin，以及使用烧结技术的TO2633pin。由于新型封装形式层出不穷，表示封装的第3数位还会继续拓展，不断更新。
2
第7数位表示了反并联二极管的类型（EmCon,rapid1,rapid2），以及其电流等级是否和IGBT相同，如相同，则标为fullrated。第8数位代表了IGBT类型，可以看到这套命名规则里的IGBT芯片类型，可比上一代多多啦，从TRENCHSTOP™2到最新的TRENCHSTOP™7应有尽有。
3
在高级绝缘TO2473pin产品最后一位，可能还会有一个字母E，这个字母E代表最具性价比的高级绝缘方案。如果缺省，则默认为性能最优的高级绝缘方案。
（点开图片可放大查看）
激光打标规则和上一代也有很大变化，值得注意的是两点：
■ 电压等级（第三数位）不再给出数字，而以字母替代。字母和电压的对应规则如表1。你说看起来好像没什么规律呢？是的，考验记忆力的时候到了。。。
■ 激光打标第四数位上给出了二极管信息（是否是全电流二极管），其规则同上图中料号的命名规则group7。
IGBT单管的命名规则
就讲到这儿吧，
一时记不住也没关系，
记得收藏+在看，
有需要的时候能找到就可以啦！
Infineon
关于英飞凌
英飞凌设计、开发、制造并销售各种半导体和系统解决方案。其业务重点包括汽车电子、工业电子、射频应用、移动终端和基于硬件的安全解决方案等。
英飞凌将业务成功与社会责任结合在一起，致力于让人们的生活更加便利、安全和环保。半导体虽几乎看不到，但它已经成为了我们日常生活中不可或缺的一部分。不论在电力生产、传输还是利用等方面，英飞凌芯片始终发挥着至关重要的作用。此外，它们在保护数据通信，提高道路交通安全性，降低车辆的二氧化碳排放等领域同样功不可没。
你“在看”我吗？
英飞凌 foc
英飞凌IGBT命名规则一Simens/EUPECIGBT命名系统:Simens/EUPECIGBT各型号中所指电流都是在Tc=80°C时的标称，有些公司的IGBT是Tc＝25°C的标称，敬请广大用户注意！BSM100GB120DN2KBSM--------------带反并联续流二极管(F.W.D)的IGBT模块BYM--------------二极管模块100-----------Tc=80°C时的额定电流GA--------一单元模块GB----------两单元模块(半桥模块)GD----------六单元模块GT----------三单元模块GP----------七单元模块(功率集成模块)GAL----------斩波模块(斩波二极管靠近集电极)GAR----------斩波模块(斩波二极管靠近发射极)120-------额定电压×10DL------低饱和压降DN2----高频型DLC----带(EmCon)二极管的低饱和压降BSM系列是原西门子IGBT模块的命名系统。西门子IGBT模块归入EUPEC后，EUPEC标准系列IGBT模块仍沿用西门子型号编制系统。但EUPEC原侧重生产大功率或高压IGBT模块，即EUPECIHM&IHV系列IGBT模块有其自身的命名系统,EUPEC以FF、FZ、FS、FP来命名。凡是EUPEC成为Infineon（英飞凌）100％子公司后，所有IGBT模块均按EUPECIGBT命名系统来命名.FF400R12KE3FZ------------一单元模块FF--------------两单元模块(半桥模块)FP--------------七单元模块(功率集成模块)FD/DF------------斩波模块F4---------------四单元模块FS---------------六单元模块DD---------------二极管模块400-------------Tc=80°C时的额定电流R------------逆导型S-------------快速二极管12-----------额定电压×100KF---------高频型(主要在大模块上使用)KL--------低饱和压降(主要在大模块上使用)KS--------短拖尾高频型KE--------低饱和压降KT--------低饱和压降高频型二Simens/EUPECSCR命名系统:T930N18TMCT----------------------晶闸管D----------------------二极管930-----------------平均电流0-----------------标准陶瓷圆盘封装1-----------------大功率圆盘4-----------------厚19mm6-----------------厚35mm7-----------------厚08mm8-----------------厚14mm9-----------------厚26mm3-----------------光触发型N-----------------相控器件F---------------居中门极型快速晶闸管S---------------门极分布式快速晶闸管二极管18----------耐压×100B--------引线型C-----------------焊针型E-----------------平板式T-----------------圆盘式M-------------关断时间(A、B、C、D等表示关断时间)C----关断电压斜率（B、C、F等）TT430N22KOFTT----------------------双晶闸管结构DD----------------------双二极管结构TD/DT-------------------一个二极管＆一个晶闸管430-------------------平均电流N------------------相控器件F-------------------居中门极型快速晶闸管S-------------------阴极交错式快速晶闸管22--------------耐压×100K-----------模块O---------关断时间F-----断电压斜率
英飞凌型号大全
虽然我很聪明，但这么说真的难到我了
英飞凌产品
600V英飞凌IGBT芯片晶圆
IGC03R60DE 600V 2.5A
SIGC03T60E 600V 4.0A
SIGC03T60SE 600V 4.0A
SIGC03T60SNC 600V 2.0A
IGC04R60DE 600V 4.0A
SIGC04T60E 600V 6.0A
SIGC04T60GE 600V 6.0A
SIGC04T60GSE 600V 6.0A
IGC05R60DE 600V 6.0A
SIGC05T60SNC 600V 4.0A
IGC06R60DE 600V 8.0A
SIGC06T60E 600V 10.0A
SIGC06T60GE 600V 10.0A
IGC07R60DE 600V 10.0A
SIGC07T60NC 600V 6.0A
SIGC07T60SNC 600V 6.0A
SIGC07T60UN 600V 6.0A
SIGC08T60E 600V 15.0A
SIGC08T60SE 600V 15.0A
IGC10R60DE 600V 15.0A
SIGC10T60E 600V 20.0A
SIGC10T60SE 600V 20.0A
SIGC11T60NC 600V 10.0A
SIGC11T60SNC 600V 10.0A
SIGC12T60NC 600V 10.0A
SIGC12T60SNC 600V 10.0A
SIGC14T60NC 600V 15.0A
SIGC14T60SNC 600V 15.0A
SIGC15T60E 600V 30.0A
SIGC15T60SE 600V 30.0A
SIGC15T60UN 600V 15.0A
SIGC18T60NC 600V 20.0A
SIGC18T60SNC 600V 20.0A
SIGC18T60UN 600V 20.0A
SIGC19T60SE 600V 40.0A
SIGC25T60NC 600V 30.0A
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SIGC28T60E 600V 50.0A
SIGC39T60E 600V 75.0A
SIGC40T60R3E 600V 75.0A
SIGC42T60NC 600V 50.0A
SIGC42T60SNC 600V 50.0A
SIGC42T60UN 600V 50.0A
SIGC54T60R3E 600V 100.0A
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SIGC76T60R3E 600V 150.0A
SIGC81T60NC 600V 100.0A
SIGC81T60SNC 600V 100.0A
SIGC100T60R3E 600V 200.0A
SIGC121T60NR2C 600V 150.0A
SIGC156T60NR2C 600V 200.0A
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650V英飞凌IGBT芯片晶圆
SIGC04T65E 650V 6.0A
SIGC06T65E 650V 10.0A
SIGC06T65GE 650V 10.0A
SIGC08T65E 650V 15.0A
SIGC10T65E 650V 20.0A
IGC10T65QE 650V 20.0A
SIGC15T65E 650V 30.0A
IGC15T65QE 650V 30.0A
IGC19T65QE 650V 40.0A
SIGC28T65E 650V 50.0A
IGC28T65T8M 650V 50.0A
IGC28T65QE 650V 50.0A
IGC31T65QE 650V 60.0A
SIGC39T65E 650V 75.0A
IGC39T65QE 650V 75.0A
IGC39T65T8M 650V 75.0A
SIGC40T65R3E 650V 75.0A
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IGC54T65R3QE 650V 100.0A
IGC54T65T8RM 650V 100.0A
SIGC76T65R3E 650V 150.0A
IGC76T65T8RM 650V 150.0A
SIGC78T65R3E 650V 150.0A
SIGC100T65R3E 650V 200.0A
IGC100T65T8RM650V 200.0A
1200V英飞凌IGBT芯片晶圆
IGC99T120T8RQ 1200V 100.0A
IGC07T120T8L 1200V 4.0A
IGC11T120T8L 1200V 8.0A
SIGC12T120E 1200V 8.0A
SIGC12T120LE 1200V 8.0A
IGC13T120T8L 1200V 10.0A
IGC18T120T8L 1200V 15.0A
IGC18T120T8Q 1200V 15.0A
SIGC20T120E 1200V 15.0A
SIGC20T120LE 1200V 15.0A
IGC27T120T8L 1200V 25.0A
IGC27T120T8Q 1200V 25.0A
SIGC32T120R3E 1200V 25.0A
SIGC32T120R3LE 1200V 25.0A
IGC36T120T8L 1200V 35.0A
SIGC41T120R3E 1200V 35.0A
SIGC41T120R3LE 1200V 40.0A
IGC41T120T8Q 1200V 40.0A
IGC50T120T8RL 1200V 50.0A
IGC50T120T8RQ 1200V 50.0A
SIGC57T120R3E 1200V 50.0A
SIGC57T120R3LE 1200V 50.0A
IGC70T120T8RL 1200V 75.0A
IGC70T120T8RM 1200V 75.0A
IGC70T120T8RQ 1200V 75.0A
SIGC84T120R3E 1200V 75.0A
SIGC84T120R3LE 1200V 75.0A
IGC99T120T8RH 1200V 100.0A
IGC99T120T8RL 1200V 100.0A
IGC99T120T8RM1200V 100.0A
SIGC109T120R3E 1200V 100.0A
SIGC109T120R3LE 1200V 100.0A
IGC142T120T8RH 1200V 150.0A
IGC142T120T8RL 1200V 150.0A
IGC142T120T8RM1200V 150.0A
SIGC158T120R3E 1200V 150.0A
SIGC158T120R3LE 1200V 150.0A
IGC189T120T8RL 1200V 200.0A
IGC193T120T8RM1200V 200.0A
SIGC06T120CS 1200V 2.0A
SIGC16T120C 1200V 8.0A
SIGC16T120CL 1200V 8.0A
SIGC16T120CS 1200V 8.0A
SIGC25T120C 1200V 15.0A
SIGC25T120CL 1200V 15.0A
SIGC25T120CS 1200V 15.0A
SIGC25T120CS2 1200V 15.0A
SIGC42T120C 1200V 25.0A
SIGC42T120CL 1200V 25.0A
SIGC42T120CQ 1200V 25.0A
SIGC42T120CS 1200V 25.0A
SIGC42T120CS2 1200V 25.0A
SIGC81T120R2C 1200V 50.0A
SIGC81T120R2CL 1200V 50.0A
SIGC81T120R2CS 1200V 50.0A
SIGC121T120R2C 1200V 75.0A
SIGC121T120R2CL 1200V 75.0A
SIGC121T120R2CS 1200V 75.0A
SIGC156T120R2C 1200V 100.0A
SIGC156T120R2CL 1200V 100.0A
SIGC156T120R2CS 1200V 100.0A
SIGC223T120R2CL 1200V 150.0A
SIGC223T120R2CS 1200V 150.0A
1700V英飞凌IGBT芯片晶圆
SIGC42T170R3GE 1700V 29A
SIGC68T170R3E 1700V 50A
IGC89T170S8RM 1700V 75A
SIGC101T170R3E 1700V 75A
IGC114T170S8RH 1700V 100A
IGC114T170S8RM 1700V 100A
SIGC128T170R3E 1700V 100A
IGC136T170S8RH2 1700V 117.5A
SIGC158T170R3E 1700V 125A
IGC168T170S8RH 1700V 150A
IGC168T170S8RM 1700V 150A
SIGC186T170R3E 1700V 150A
英飞凌选型手册
I英飞凌(Infineon)
英飞凌 hsm
电磁灶IGBT管常见的型号及主要参数电磁灶IGBT管作为一种高电压、大电流的功率器件，一直被广泛用于工业控制领域，作为开关管或功率输出管。目前用于电磁灶的IGBT管主要由FAIRCHILD(美国仙童）、INFINEON(德国英飞凌）、TOSHIBA(日本东芝）等几家国外公司生产，各公司对电磁灶IGBT管的型号命名方式不尽相同，但大致有以下规律：(1)IGBT管型号前半部分数字表示该IGBT管的最大工作电流值，如G40…、20N...就分别表示其最大工作电流为40A、20A。(2)IGBT管型号后半部分数字则表示该IGBT管的最高耐压值，如G…150…、…N120…就分别表示最高耐压值为1.5kV、1.2kV。(3)IGBT管型号后缀字母含D则表示该IGBT管内含阻尼二极管。但未含字母D并不一定表示无阻尼二极管，所以在检修时一定要用万用表检测验证，避免出现差错。一个IGBT管的技术参数较多，包括反向击穿电压、集电极最大连续电流、输出功率、工作频率等参数，如电磁炉中常用的G40N150D型IGBT管，其技术参数见表1-3。但在实际维修中，一般只需了解其反向击穿电压、集电极最大连续电流、管内是否有阻尼二极管即可。表1-4列出了电磁灶中常用的25种IGBT管的主要参数。
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