英飞凌igbt型号(英飞凌igbt模块怎么样)
英飞凌igbt手册
FF450R12KT4是一款晶体管-IGBT-模块，沟槽型场截止，底座安装。
典型应用：大功率转换器、电机驱动器、UPS系统、风力发电机。
规格参数：
英飞凌igbt哪国的
英飞凌已经推出RT4系列IGBT模块，FF75R12RT4，FF100R12RT4，FF150R12RT4
专业应对电镀电源，逆变焊机等等应用领域
工作开关频率最高可以达到20KHz
英飞凌第四代芯片技术，沟槽栅场终止技术，第四代芯片技术有哪些优点：
1.芯片最高结温可以达到175度，
2.低饱和压降，工作条件下，通态损耗有降低
3.开关损耗有明显降低
富士IGBT模块，型号有2MBI75S-120，2MBI100SC-120,2MBI150SC-120，
据了解，富士IGBT在高频应用，频率高些，就发热比较高，相对英飞凌第四代，明显差了很多。富士U,V系列IGBT模块工作频率也比较低，使用也不合适。
使用效果与富士IGBT模块比较，英飞凌IGBT发热很低，尤其在高频条件下，英飞凌性能很出色。
英飞凌igbt引脚图
英飞凌IGBT模块型号的后缀有多种，后缀主要代表封装、开关特性、芯片代数。KS4:以FF200R12KS4为例，后缀KS4中的K是62mm封装，S是高频，硬开关频率最高30kHz;4是第2-3代芯片（KS4比例特殊，4不是第4代芯片，是2代向3代过渡产品），多用于高频感应加热及高频镀膜电源等领域；KT4:以FF200R12KT4为例，后缀KT4中的K是62mm封装，T是快速型，硬开关频率最高20kHz;4是第4代芯片；主要应用于变频器、变频电源、电磁电源等领域,（代理商：北京富凌联合电子有优势）。MT4，以FF200R12MT4为例，后缀MT4中的M是EconoDAUL2(扁平)封装，T是快速型，硬开关频率最高是20kHz，由于成本偏高的原因，市场使用的客户较少，多使用ME4系列，如：FF450R12ME4、FF600R12ME4,ME4是EconoDAUL3封装，多用于电动汽车、光伏逆变器、变频器等领域（ME4系列也是北京富凌联合电子的优势产品线，可以提供整体解决方案）。
英飞凌igbt教程
对于一个具体的电力电子设备应用来说，在选择IGBT功率模块时，需要考虑其在任何静态、动态、过载（如短路）的运行情况下：
器件耐压；
在实际的冷却条件下，电流的承受力；
最适合的开关频率；
安全工作区（SOA)限制；
最高运行限制；
封装尺寸；
内部拓扑结构；
1、IGBT耐压的选择
因为大多数IGBT模块工作在交流电网通过单相或三相整流后的直流母线电压下，所以，通常IGBT模块的工作电压（600V、1200V、1700V）均对应于常用电网的电压等级。考虑到过载，电网波动，开关过程引起的电压尖峰等因素，通常电力电子设备选择IGBT器件耐压都是直流母线电压的一倍。如果结构、布线、吸收等设计比较好，就可以使用较低耐压的IGBT模块承受较高的直流母线电压。
下面列出根据交流电网电压或直流母线电压来选择IGBT耐压的参考表：
2、IGBT电流的选择
半导体器件具有温度敏感性，因此，IGBT模块标称电流与温度的关系比较大。随着壳温的上升，IGBT模块可利用的电流就会下降，英飞凌IGBT模块是按壳温Tc=80℃或100℃来标称其最大允许通过的集电极电流（Ic).对于英飞凌NPT-IGBT芯片来说，当Tc＜25℃时，这个电流值通常是一个恒定值，但是，随着Tc的增加，这个可利用的电流值下降较快，有些IGBT品牌是按照Tc=25℃的电流值来标称型号，这个需要特别注意。
需要指出的是：IGBT参数表中标出Ic是集电极最大直流电流，但这个直流电流是有条件的，首先最大结温不能超过150℃，其次，还受的安全工作区（SOA)的限制，不同的工作电压、脉冲宽度，允许通过的最大电流不同。同时，各大IGBT品牌也给出了两倍于额定值的脉冲电流，这个脉冲电流通常指脉冲宽度为1ms的单脉冲能通过的最大通态电流值，即使可重复也需要足够长的时间。如果脉冲宽度限制在10us以内，英飞凌IGBT3短路电流承受能力可高达10倍的额定电流值。这种短路也不允许经常发生，器件寿命周期内总次数不能大于1000次，两次短路时间间隔需大于1s.
在电力电子设备中，选择IGBT模块时，通常是先计算通过IGBT模块的电流值，然后根据电力电子设备的特点，考虑到过载、电网波动、开关尖峰等因素考虑一倍的安全余量来选择相应的IGBT模块。但严格的选择，应根据不同的应用情况，计算耗散功率，通过热阻核算具最高结温不超过规定值来选择器件。通过最高结温可选择较小的IGBT模块通过更大的电流，更加有效地利用IGBT模块。
3、根据开关频率选择不同的IGBT系列
IGBT的损耗主要由通态损耗和开关损耗组成，不同的开关频率，开关损耗和通态损耗所占的比例有所不同。而决定IGBT通态损耗的饱和压降Vce(sat)和决定IGBT开关损耗的开关时间（ton,toff)又是一对矛盾，因此，应根据不同的开关频率来选择不同特征的IGBT。
在低频如fk＜10kHz时，通态损耗是主要的损耗，这就需要选择低饱和压降型IGBT系列。对应英飞凌产品需先用后缀为DLC、KE3、KE4、ME4系列IGBT；
若开关频率在8-20kHz之间，请使用英飞凌后缀为DN2、RT4、KT4的IGBT模块.
当开关频率fk＞20kHz时，开关损耗是主要的损耗，通态损耗占的比例较小。最好选择英飞凌短拖尾电流KS4高频系列，KS4高频系列，硬开关工作频率可达40kHz；若是软开关，可工作在150kHz左右。
IGBT在高频下工作时，其总损耗与开关频率的关系比较大，因此，若希望IGBT工作在更高的频率，可选择更大电流的IGBT模块；另一方面，软开关主要是降低了开关损耗，可使IGBT模块工作频率大大提高。随着IGBT模块耐压的提高，IGBT的开关频率相应下降，下面列出英飞凌模块不同耐压，不同系列工作频率的参考值。
以上是英飞凌IGBT模块选择的主要参数，对于安全工作区及封装尺寸等相关知识点，后续将进一步更新。
英飞凌igbt技术模块应用
英飞凌IGBT命名规则一Simens/EUPECIGBT命名系统:Simens/EUPECIGBT各型号中所指电流都是在Tc=80°C时的标称，有些公司的IGBT是Tc＝25°C的标称，敬请广大用户注意！BSM100GB120DN2KBSM--------------带反并联续流二极管(F.W.D)的IGBT模块BYM--------------二极管模块100-----------Tc=80°C时的额定电流GA--------一单元模块GB----------两单元模块(半桥模块)GD----------六单元模块GT----------三单元模块GP----------七单元模块(功率集成模块)GAL----------斩波模块(斩波二极管靠近集电极)GAR----------斩波模块(斩波二极管靠近发射极)120-------额定电压×10DL------低饱和压降DN2----高频型DLC----带(EmCon)二极管的低饱和压降BSM系列是原西门子IGBT模块的命名系统。西门子IGBT模块归入EUPEC后，EUPEC标准系列IGBT模块仍沿用西门子型号编制系统。但EUPEC原侧重生产大功率或高压IGBT模块，即EUPECIHM&IHV系列IGBT模块有其自身的命名系统,EUPEC以FF、FZ、FS、FP来命名。凡是EUPEC成为Infineon（英飞凌）100％子公司后，所有IGBT模块均按EUPECIGBT命名系统来命名.FF400R12KE3FZ------------一单元模块FF--------------两单元模块(半桥模块)FP--------------七单元模块(功率集成模块)FD/DF------------斩波模块F4---------------四单元模块FS---------------六单元模块DD---------------二极管模块400-------------Tc=80°C时的额定电流R------------逆导型S-------------快速二极管12-----------额定电压×100KF---------高频型(主要在大模块上使用)KL--------低饱和压降(主要在大模块上使用)KS--------短拖尾高频型KE--------低饱和压降KT--------低饱和压降高频型二Simens/EUPECSCR命名系统:T930N18TMCT----------------------晶闸管D----------------------二极管930-----------------平均电流0-----------------标准陶瓷圆盘封装1-----------------大功率圆盘4-----------------厚19mm6-----------------厚35mm7-----------------厚08mm8-----------------厚14mm9-----------------厚26mm3-----------------光触发型N-----------------相控器件F---------------居中门极型快速晶闸管S---------------门极分布式快速晶闸管二极管18----------耐压×100B--------引线型C-----------------焊针型E-----------------平板式T-----------------圆盘式M-------------关断时间(A、B、C、D等表示关断时间)C----关断电压斜率（B、C、F等）TT430N22KOFTT----------------------双晶闸管结构DD----------------------双二极管结构TD/DT-------------------一个二极管＆一个晶闸管430-------------------平均电流N------------------相控器件F-------------------居中门极型快速晶闸管S-------------------阴极交错式快速晶闸管22--------------耐压×100K-----------模块O---------关断时间F-----断电压斜率
英飞凌igbt材料
英飞凌IGBT命名规则一Simens/EUPECIGBT命名系统:Simens/EUPECIGBT各型号中所指电流都是在Tc=80°C时的标称，有些公司的IGBT是Tc＝25°C的标称，敬请广大用户注意！BSM100GB120DN2KBSM--------------带反并联续流二极管(F.W.D)的IGBT模块BYM--------------二极管模块100-----------Tc=80°C时的额定电流GA--------一单元模块GB----------两单元模块(半桥模块)GD----------六单元模块GT----------三单元模块GP----------七单元模块(功率集成模块)GAL----------斩波模块(斩波二极管靠近集电极)GAR----------斩波模块(斩波二极管靠近发射极)120-------额定电压×10DL------低饱和压降DN2----高频型DLC----带(EmCon)二极管的低饱和压降BSM系列是原西门子IGBT模块的命名系统。西门子IGBT模块归入EUPEC后，EUPEC标准系列IGBT模块仍沿用西门子型号编制系统。但EUPEC原侧重生产大功率或高压IGBT模块，即EUPECIHM&IHV系列IGBT模块有其自身的命名系统,EUPEC以FF、FZ、FS、FP来命名。凡是EUPEC成为Infineon（英飞凌）100％子公司后，所有IGBT模块均按EUPECIGBT命名系统来命名.FF400R12KE3FZ------------一单元模块FF--------------两单元模块(半桥模块)FP--------------七单元模块(功率集成模块)FD/DF------------斩波模块F4---------------四单元模块FS---------------六单元模块DD---------------二极管模块400-------------Tc=80°C时的额定电流R------------逆导型S-------------快速二极管12-----------额定电压×100KF---------高频型(主要在大模块上使用)KL--------低饱和压降(主要在大模块上使用)KS--------短拖尾高频型KE--------低饱和压降KT--------低饱和压降高频型二Simens/EUPECSCR命名系统:T930N18TMCT----------------------晶闸管D----------------------二极管930-----------------平均电流0-----------------标准陶瓷圆盘封装1-----------------大功率圆盘4-----------------厚19mm6-----------------厚35mm7-----------------厚08mm8-----------------厚14mm9-----------------厚26mm3-----------------光触发型N-----------------相控器件F---------------居中门极型快速晶闸管S---------------门极分布式快速晶闸管二极管18----------耐压×100B--------引线型C-----------------焊针型E-----------------平板式T-----------------圆盘式M-------------关断时间(A、B、C、D等表示关断时间)C----关断电压斜率（B、C、F等）TT430N22KOFTT----------------------双晶闸管结构DD----------------------双二极管结构TD/DT-------------------一个二极管＆一个晶闸管430-------------------平均电流N------------------相控器件F-------------------居中门极型快速晶闸管S-------------------阴极交错式快速晶闸管22--------------耐压×100K-----------模块O---------关断时间F-----断电压斜率
英飞凌igbt芯片
你这2个不是说的一个型号吗？？如果你问的是FF600R12ME4和FF600R12ME4_B11，这2个电气参数都是一样的B11的插针是压式的，有个反扣，在印制板上按下去就能装了，不带B11的要装焊上去。建议还是用FF600R12ME4，便宜很多，自己手工焊一下也废不了什么事。
