二极管型号及参数(tvs二极管型号及参数)
二极管型号及参数表
稳压二极管型号参数对照表
1.什么是稳压二极管？
稳压二极管，也被称为Zener二极管，是一种用于电路稳定电压的半导体器件。当其正向电压超过其额定电压时，它会保持大致稳定的电压降。稳压二极管通常被用于电源、电压调节器、反向保护等电路中。
2.稳压二极管的参数
稳压二极管的参数通常包括：
额定反向工作电压（Vz）
最大稳压电流（Izmax）
最大功率（Pmax）
反向斜率（S）
最大反向电流（Irmax）
结温度（Tj）
这些参数决定了稳压二极管适用于何种电路，能够承受的最大电流和功率等。
3.常用的稳压二极管型号及参数
以下是一些常见的稳压二极管及其参数：
型号
Vz（V）
Izmax（mA）
Pmax（mW）
S（mV/℃）
Irmax（μA）
Tj（℃）
BZX55C4V7
4.7
225
1000
2.5
5
200
BZX55C5V1
5.1
210
1000
2.5
5
200
BZX55C6V2
6.2
180
1000
2.5
5
200
BZX55C7V5
7.5
165
1000
2.5
5
200
BZX55C9V1
9.1
140
500
2.5
5
200
BZX55C10V
10
135
500
2.5
5
200
4.如何选择稳压二极管
选择稳压二极管应注意：
额定反向电压应为所需保持稳定电压的略高值，以避免电流流过稳压二极管时稳定电压降低。
最大稳压电流应大于实际电路中所需的最大电流。
最大功率应大于所需稳定电压与最大电流相乘的结果。
根据电路的具体要求选择适当的型号。
5.使用稳压二极管时需要注意什么？
使用稳压二极管时应注意以下几点：
在正向电压超过最大反向电压时，稳压二极管会失效，应注意避免这种情况发生。
稳压二极管应正确极性连接。
受结温度限制，稳压二极管在工作过程中温度应不超过其允许的最高温度。
6.结语
稳压二极管作为一种常用的半导体器件，在电路中起着重要的作用。选择适当的型号并注意使用细节，可使电路具有更好的稳定性和可靠性。
恒流二极管型号及参数
GeneralPurposeRectifiersDiodes普通整流二极管GRD1N4001W,1N4002W,1N4003W,1N4004W,1N4005W,1N4006W,1N4007W,S1AF,S1BF,S1DF,S1GF,S1JF,S1KF,S1MF,S2AF,S2BF,S2DF,S2GF,S2JF,S2KF,S2MF,S3AF,S3BF,S3DF,S3GF,S3JF,S3KF,S3MF,S2ABF,S2BBF,S2DBF,S2GBF,S2JBF,S2KBF,S2MBF,S3ABF,S3BBF,S3DBF,S3GBF,S3JBF,S3KBF,S3MBF,S5ABF,S5BBF,S5DBF,S5GBF,S5JBF,S5KBF,S5MBF,S1A,S1B,S1D,S1G,S1J,S1K,S1M,S2A,S2B,S2D,S2G,S2J,S2K,S2M,S2AB,S2BB,S2DB,S2GB,S2JB,S2KB,S2MB,S3AB,S3BB,S3DB,S3GB,S3JB,S3KB,S3MB,S3AC,S3BC,S3DC,S3GC,S3JC,S3KC,S3MC,S5AC,S5BC,S5DC,S5GC,S5JC,S5KC,S5MCFastRecoveryRectifierDiodes快恢复二极管,FRFR101W,FR102W,FR103W,FR104W,FR105W,FR106W,FR107W,RS1AF,RS1BF,RS1DF,RS1GF,RS1JF,RS1KF,RS1MF,RS2AF,RS2BF,RS2DF,RS2GF,RS2JF,RS2KF,RS2MF,RS3AF,RS3BF,RS3DF,RS3GF,RS3JF,RS3KF,RS3MF,RS2ABF,RS2BBF,RS2DBF,RS2GBF,RS2JBF,RS2KBF,RS2MBF,RS3ABF,RS3BBF,RS3DBF,RS3GBF,RS3JBF,RS3KBF,RS3MBF,RS5ABF,RS5BBF,RS5DBF,RS5GBF,RS5JBF,RS5KBF,RS5MBF,RS1A,RS1B,RS1D,RS1G,RS1J,RS1K,RS1M,RS2A,RS2B,RS2D,RS2G,RS2J,RS2K,RS2M,RS2AB,RS2BB,RS2DB,RS2GB,RS2JB,RS2KB,RS2MB,RS3AB,RS3BB,RS3DB,RS3GB,RS3JB,RS3KB,RS3MB,RS3AC,RS3BC,RS3DC,RS3GC,RS3JC,RS3KC,RS3MC,RS5AC,RS5BC,RS5DC,RS5GC,RS5JC,RS5KC,RS5MC,HighEfficiencyRectifierDiodes高效整流二极管,HERDUS1AW,US1BW,US1DW,US1GW,US1JW,US1KW,US1MW,US1AF,US1BF,US1DF,US1GF,US1JF,US1KF,US1MF,US2AF,US2BF,US2DF,US2GF,US2JF,US2KF,US2MF,US3AF,US3BF,US3DF,US3GF,US3JF,US3KF,US3MF,US2ABF,US2BBF,US2DBF,US2GBF,US2JBF,US2KBF,US2MBF,US3ABF,US3BBF,US3DBF,US3GBF,US3JBF,US3KBF,US3MBF,US5ABF,US5BBF,US5DBF,US5GBF,US5JBF,US5KBF,US5MBF,US1A,US1B,US1D,US1G,US1J,US1K,US1M,US2A,US2B,US2D,US2G,US2J,US2K,US2M,US2AB,US2BB,US2DB,US2GB,US2JB,US2KB,US2MB,US3AB,US3BB,US3DB,US3GB,US3JB,US3KB,US3MB,US3AC,US3BC,US3DC,US3GC,US3JC,US3KC,US3MC,US5AC,US5BC,US5DC,US5GC,US5JC,US5KC,US5MC,UltraFastRecoveryRectifierDiodes超快恢复二极管UFRES1AW,ES1BW,ES1DW,ES1GW,ES1JW,ES1AF,ES1BF,ES1DF,ES1GF,ES1JF,ES2AF,ES2BF,ES2DF,ES2GF,ES2JF,ES3AF,ES3BF,ES3DF,ES3GF,ES3JF,ES2ABF,ES2BBF,ES2DBF,ES2GBF,ES2JBF,ES3ABF,ES3BBF,ES3DBF,ES3GBF,ES3JBF,ES1A,ES1B,ES1D,ES1G,ES1J,ES2A,ES2B,ES2D,ES2G,ES2J,ES2AB,ES2BB,ES2DB,ES2GB,ES2JB,ES3AB,ES3BB,ES3DB,ES3GB,ES3JB,ES3AC,ES3BC,ES3DC,ES3GC,ES3JC,ES5AC,ES5BC,ES5DC,ES5GC,ES5JC,
二极管型号参数手册表
二极管型号参数如下：1．反向饱和漏电流IR指在基答二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，该电流与半导体材料和温度有关。2．额定整流电流IF指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。目前大功率整流二极管的IF值可达1000A。3.最大平均整流电流IO在半波整流电路中，流过负载电阻的平均整流电流的最大值。这是设计时非常重要的值。4.最大浪涌电流IFSM允许流过的过量的正向电流。它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。5．最大反向峰值电压VRRM即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二极管损坏。这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。因给整流器加的是交流电压，它的最大值是规定的重要因子。最大反向峰值电压VRRM指为避免击穿所能加的最大反向电压。目前最高的VRRM值可达几千伏。6.最大直流反向电压VR上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，VR是连续加直流电压时的值。用于直流电路，最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的。7．最高工作频率fM由于PN结的结电容存在，当工作频率超过某一值时，它的单向导电性将变差。点接触式二极管的fM值较高，在100MHz以上；整流二极管的fM较低，一般不高于几千赫。8．反向恢复时间Trr当工作电压从正向电压变成反向电压时，二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。甲针似独把倍实际上，一般要延迟一点点时间。决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。虽然它直接影响二极管的开关速度，但不一定说这个值小就好。也即当二极管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近IR时所需要的时间橘仔。大功率开关管工作在高频开关状态时，此搏伍慧项指标至为重要。9.最大功率P二极管中有电流流过，就会吸热，而使自身温度升高。最大功率P为功率的最大值。具体讲就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流。这个极限参数对稳压二极管，可变电阻二极管显得特别重要。
tvs二极管型号及参数
二极管的参数主要有以下几点（知道特点就可以进行替换使用了）:
1．反向饱和漏电流IR指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，该电流与半导体材料和温度有关。
2．额定整流电流IF指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。目前大功率整流二极管的IF值可达1000A。
3.最大平均整流电流IO在半波整流电路中，流过负载电阻的平均整流电流的最大值。这是设计时非常重要的值。
4.最大浪涌电流IFSM允许流过的过量的正向电流。它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。
5．最大反向峰值电压VRRM即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二极管损坏。这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。因给整流器加的是交流电压，它的最大值是规定的重要因子。最大反向峰值电压VRRM指为避免击穿所能加的最大反向电压。目前最高的VRRM值可达几千伏。
6.最大直流反向电压VR上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，VR是连续加直流电压时的值。用于直流电路，最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的。
7．最高工作频率fM由于PN结的结电容存在，当工作频率超过某一值时，它的单向导电性将变差。点接触式二极管的fM值较高，在100MHz以上；整流二极管的fM较低，一般不高于几千赫。
8．反向恢复时间Trr当工作电压从正向电压变成反向电压时，二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。实际上，一般要延迟一点点时间。决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。虽然它直接影响二极管的开关速度，但不一定说这个值小就好。也即当二极管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近IR时所需要的时间。大功率开关管工作在高频开关状态时，此项指标至为重要。
9.最大功率P二极管中有电流流过，就会吸热，而使自身温度升高。最大功率P为功率的最大值。具体讲就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流。这个极限参数对稳压二极管，可变电阻二极管显得特别重要。
下面附上一张常用二极管型号的表格，大家看看自己用过哪些管子。
注：以下数据可能会有错误，详情请查阅数据手册。
1N4000系列普通二极管
开关二极管
1N47xx系列稳压二极管
1N52xx系列稳压二极管
1N539x系列二极管
1N54xx系列二极管
1N7xx系列二极管
1N9xxx系列二极管
BYxxx系列二极管
FR10x系列二极管
HERxxx系列快恢复二极管
MURxxx系列快恢复二极
问：普通二极管能和稳压二极管替换么？
虽然正向加电压时，都是导通。但反向加电压时，稳压二极管串一个电阻能获得一个比较恒定的电压。这是普通二极管无法做到的。也就是说，普通二极管主要工作于电压正反向时的导通或截止，而稳压二极管主要工作于反向电压时获得一个稳定电压。
双向二极管型号及参数
1N4000系列普通二极管
序号
型号
VRRM[V]
Io[A]
CJ[pF]
IFSM[A]
封装
说明
1
1N4001
50
1
-
30
DO-41
普通二极管
2
1N4002
100
1
-
30
DO-41
普通二极管
3
1N4003
200
1
-
30
DO-41
普通二极管
4
1N4004
400
1
-
30
DO-41
普通二极管
5
1N4005
600
1
-
30
DO-41
普通二极管
6
1N4006
800
1
-
30
DO-41
普通二极管
7
1N4007
1000
1
-
30
DO-41
普通二极管
开关二极管
序号
型号
VRRM[V]
Io[A]
CJ[pF]
IFSM[A]
封装
说明
1
1N4148
100
0.2
-
1
DO-35
开关二极管
2
1N4150
50
0.2
-
1
DO-35
开关二极管
3
1N4448
50
0.2
-
1
DO-35
开关二极管
4
1N4454
50
0.2
-
1
DO-35
开关二极管
5
1N457
70
0.2
-
1
DO-35
开关二极管
6
1N457
70
0.2
-
1
DO-35
开关二极管
7
1N914
50
0.2
-
1
DO-35
开关二极管
8
1N914A
50
0.2
-
1
DO-35
开关二极管
9
1N916
50
0.2
-
1
DO-35
开关二极管
10
1N916A
50
0.2
-
1
DO-35
开关二极管
1N47xx系列稳压二极管
序号
型号
Vz[V]
Zz[Ω]
Iz[mA]
IRZ[uA]
封装
说明
1
1N4728
3.3
10
76
100
DO-41
稳压二极管
2
1N4729
3.6
10
69
100
DO-41
稳压二极管
3
1N4730
3.9
9
64
50
DO-41
稳压二极管
4
1N4731
4.3
9
58
10
DO-41
稳压二极管
5
1N4732
4.7
8
53
10
DO-41
稳压二极管
6
1N4733
5.1
7
49
10
DO-41
稳压二极管
7
1N4734
5.6
5
45
10
DO-41
稳压二极管
8
1N4735
6.2
2
41
10
DO-41
稳压二极管
9
1N4736
6.8
3.5
37
10
DO-41
稳压二极管
10
1N4737
7.5
4
34
10
DO-41
稳压二极管
11
1N4738
8.2
4.5
31
10
DO-41
稳压二极管
12
1N4739
9.1
5
28
10
DO-41
稳压二极管
13
1N4740
10
7
25
10
DO-41
稳压二极管
14
1N4741
11
8
23
5
DO-41
稳压二极管
15
1N4742
12
9
21
5
DO-41
稳压二极管
16
1N4743
13
10
19
5
DO-41
稳压二极管
17
1N4744
15
14
17
5
DO-41
稳压二极管
18
1N4745
16
16
15.5
5
DO-41
稳压二极管
19
1N4746
18
20
14
5
DO-41
稳压二极管
20
1N4747
20
22
12.5
5
DO-41
稳压二极管
21
1N4748
22
23
11.5
5
DO-41
稳压二极管
22
1N4749
24
25
10.5
5
DO-41
稳压二极管
23
1N4750
27
35
9.5
5
DO-41
稳压二极管
24
1N4751
30
40
8.5
5
DO-41
稳压二极管
25
1N4752
33
45
7.5
5
DO-41
稳压二极管
1N52xx系列稳压二极管
序号
型号
VRRM[V]
Io[A]
CJ[pF]
IFSM[A]
封装
说明
1
1N5221B
-
-
-
-
DO-41
系列稳压二极管
-1N5257B
1N539x系列二极管
序号
型号
VRRM[V]
Io[A]
CJ[pF]
IFSM[A]
封装
说明
1
1N5391
50
1.5
-
50
DO-15
普通二极管
2
1N5391
50
1.5
-
50
DO-15
普通二极管
3
1N5392
100
1.5
-
50
DO-15
普通二极管
4
1N5393
200
1.5
-
50
DO-15
普通二极管
5
1N5394
300
1.5
-
50
DO-15
普通二极管
6
1N5395
400
1.5
-
50
DO-15
普通二极管
7
1N5396
500
1.5
-
50
DO-15
普通二极管
8
1N5397
600
1.5
-
50
DO-15
普通二极管
9
1N5398
800
1.5
-
50
DO-15
普通二极管
10
1N5399
1000
1.5
-
50
DO-15
普通二极管
1N54xx系列二极管
序号
型号
VRRM[V]
Io[A]
CJ[pF]
IFSM[A]
封装
说明
1
1N5401
50
3
-
200
DO-201AD
普通二极管
2
1N5402
100
3
-
200
DO-201AD
普通二极管
3
1N5403
200
3
-
200
DO-201AD
普通二极管
4
1N5404
400
3
-
200
DO-201AD
普通二极管
5
1N5405
500
3
-
200
DO-201AD
普通二极管
6
1N5406
600
3
-
200
DO-201AD
普通二极管
7
1N5407
800
3
-
200
DO-201AD
普通二极管
8
1N5408
1000
3
-
200
DO-201AD
普通二极管
1N7xx系列二极管
序号
型号
Vz[V]
Zz[Ω]
Iz[mA]
IRZ[uA]
封装
说明
1
1N746A
3.3
28
20
30
DO-35
稳压二极管
2
1N747A
3.6
24
20
30
DO-35
稳压二极管
3
1N748A
3.9
23
20
30
DO-35
稳压二极管
4
1N749A
4.3
22
20
30
DO-35
稳压二极管
5
1N750A
4.7
19
20
30
DO-35
稳压二极管
6
1N751A
5.1
17
20
20
DO-35
稳压二极管
7
1N752A
5.6
11
20
20
DO-35
稳压二极管
8
1N753A
7.3
7
20
20
DO-35
稳压二极管
9
1N754A
6.8
5
20
20
DO-35
稳压二极管
10
1N755A
7.5
6
20
20
DO-35
稳压二极管
11
1N756A
8.2
8
20
20
DO-35
稳压二极管
12
1N757A
9.1
10
20
20
DO-35
稳压二极管
13
1N758A
10
17
20
20
DO-35
稳压二极管
14
1N759A
12
30
20
20
DO-35
稳压二极管
1N9xxx系列二极管
序号
型号
Vz[V]
Zz[Ω]
Iz[mA]
IRZ[uA]
封装
说明
1
1N957B
6.8
4.5
18.5
150
DO-35
系列二极管
2
1N958B
7.5
5.5
16.5
75
DO-35
系列二极管
3
1N959B
8.2
6.5
15
50
DO-35
系列二极管
4
1N960B
9.1
7.5
14
25
DO-35
系列二极管
5
1N961B
10
8.5
12.5
10
DO-35
系列二极管
6
1N962B
11
9.5
11.5
5
DO-35
系列二极管
7
1N963B
12
11.5
10.5
5
DO-35
系列二极管
8
1N964B
13
13
9.5
5
DO-35
系列二极管
9
1N965B
15
16
8.5
5
DO-35
系列二极管
10
1N966B
16
17
7.8
5
DO-35
系列二极管
11
1N967B
18
21
7
5
DO-35
系列二极管
12
1N968B
20
25
6.2
5
DO-35
系列二极管
13
1N969B
22
29
5.6
5
DO-35
系列二极管
14
1N970B
24
33
5.2
5
DO-35
系列二极管
15
1N971B
27
41
4.6
5
DO-35
系列二极管
16
1N972B
30
49
4.2
5
DO-35
系列二极管
17
1N973B
33
58
3.8
5
DO-35
系列二极管
BYxxx系列二极管
序号
型号
VRRM[V]
Io[A]
CJ[pF]
IFSM[A]
封装
说明
1
BYQ28E
-
-
-
-
TO-220
-
2
BYP100
-
-
-
-
TO-220
-
3
BYP103
-
-
-
-
TO-220
-
4
BYP301
-
-
-
-
TO-220
-
5
BYP302
-
-
-
-
TO-220
-
6
BYP303
-
-
-
-
TO-220
-
7
BYV26A
200
1
-
30
SOD-57
-
8
BYV26B
400
1
-
30
SOD-57
-
9
BYV26C
600
1
-
30
SOD-57
-
10
BYV26D
800
1
-
30
SOD-57
-
11
BYV26E
1000
1
-
30
SOD-57
-
12
BYW29-50
50
8
-
100
TO-220
快恢复二极管
13
BYW29-100
100
8
-
100
TO-220
快恢复二极管
14
BYW29-150
150
8
-
100
TO-220
快恢复二极管
15
BYW29-200
200
8
-
100
TO-220
快恢复二极管
FR10x系列二极管
序号
型号
VRRM[V]
Io[A]
CJ[pF]
IFSM[A]
封装
说明
1
FR101
50
1
50
35
DO-41
快恢复二极管
2
FR102
100
1
50
35
DO-41
-
3
FR103
200
1
50
35
DO-41
快恢复二极管
4
FR104
400
1
50
35
DO-41
快恢复二极管
5
FR105
600
1
50
35
DO-41
快恢复二极管
6
FR106
800
1
50
35
DO-41
快恢复二极管
7
FR107
1000
1
50
35
DO-41
快恢复二极管
8
FR107-STR
1000
1
50
35
DO-41
-
HERxxx系列快恢复二极管
序号
型号
VRRM[V]
Io[A]
CJ[pF]
IFSM[A]
封装
说明
1
HER1601C
50
16
40
200
TO-220
快恢复
2
HER1602C
100
16
40
200
TO-220
快恢复
3
HER1603C
200
16
40
200
TO-220
快恢复
4
HER1604C
300
16
40
200
TO-220
快恢复
5
HER1605C
400
16
40
200
TO-220
快恢复
MURxxx系列快恢复二极管
序号
型号
VRRM[V]
Io[A]
CJ[pF]
IFSM[A]
封装
说明
1
MUR1620
-
-
-
-
-
-
2
MUR3020CT
-
-
-
-
-
-
3
MUR3040CT
-
-
-
-
-
-
4
MUR3060CT
-
-
-
-
-
-
5
MUR805
50
8
-
100
TO-220AC
快恢复二极管
6
MUR810
100
8
-
100
TO-220AC
快恢复二极管
7
MUR815
150
8
-
100
TO-220AC
快恢复二极管
8
MUR820
200
8
-
100
TO-220AC
快恢复二极管
9
MUR840
400
8
-
100
TO-220AC
快恢复二极管
10
MUR860
100
8
-
100
TO-220AC
快恢复二极管
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整流二极管型号及参数
二极管的参数解释
常规参数：正向压降、反向击穿电压、连续电流、反向漏电等；
交流参数：开关速度、反向恢复时间、截止频率、阻抗、结电容等；
极限参数：最大耗散功率、工作温度、存贮条件、最大整流电流等。
一、常规参数
正向导通压降
压降：二极管的电流流过负载以后相对于同一参考点的电势（电位）变化称为电压降，简称压降。
导通压降：二极管开始导通时对应的电压。
正向特性：在二极管外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零。当正向电压大到足以克服PN结电场时，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。
反向特性：外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。反向电压增大到一定程度后，二极管反向击穿。
正向导通压降与导通电流的关系
在二极管两端加正向偏置电压时，其内部电场区域变窄，可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V)以后，二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试，可得到如图2所示的曲线关系：正向导通压降与导通电流成正比，其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V，但对于功率二极管来说它不仅影响效率也影响二极管的温升，所以在价格条件允许下，尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的二极管。
图1 二极管导通压降测试电路
图2 导通压降与导通电流关系
正向导通压降与环境的温度的关系
在我们开发产品的过程中，高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的最大障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的，二极管当然也不例外，在高低温环境下通过对SM360A的实测数据表1与图3的关系曲线可知道：二极管的导通压降与环境温度成反比。在环境温度为-45℃时虽导通压降最大，却不影响二极管的稳定性，但在环境温度为75℃时，外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃，则该二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。
表 1 导通压降与导通电流测试数据
图3 导通压降与环境温度关系曲线
最大整流电流IF
是指二极管长期连续工作时，允许通过的最大正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为141左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下，二极管使用中不要超过二极管最大整流电流值。例如，常用的IN4001－4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。
最高反向工作电压Udrm
加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。
反向电流Idrm
反向电流是指二极管在常温（25℃）和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250uA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流仅为5uA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。
外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。
一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。
二极管漏电流与反向电压的关系
在二极管两端加反向电压时，其内部电场区域变宽，有较少的漂移电流通过PN结，形成我们所说的漏电流。漏电流也是评估二极管性能的重要参数，二极管漏电流过大不仅使其自身温升高，对于功率电路来说也会影响其效率，不同反向电压下的漏电流是不同的，关系如图4所示：反向电压愈大，漏电流越大，在常温下肖特基管的漏电流可忽略。
图4 反向电压与漏电流关系曲线
二极管漏电流与环境温度的关系
其实对二极管漏电流影响最大的还是环境温度，下图5是在额定反压下测试的关系曲线，从中可以看出：温度越高，漏电流越大。在75℃后成直线上升，该点的漏电流是导致二极管外壳在额定电流下达到125℃的两大因素之一，只有通过降额反向电压和正向导通电流才能降低二极管的工作温度。
图5 漏电流与环境温度关系曲线
电压温度系数αuz
αuz指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。uz为6v左右的稳压二极管的温度稳定性较好
二、最大额定值 ——极限参数
最大反向峰值电压VRM
即使没有反向电流,只要不断地提高反向电压,迟早会使二极管损坏。这种能加上的反向电压,不是瞬时电压,而是反复加上的正反向电压。因给整流器加的是交流电压,它的最大值是规定的重要因子。
最大直流反向电压VR
上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压,VR是连续加直流电压时的值。用于直流电路,最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的。
最大浪涌电流Isurge
允许流过的过量的正向电流。它不是正常电流,而是瞬间电流,这个值相当大。
最大平均整流电流IO
在半波整流电路中,流过负载电阻的平均整流电流的最大值。这是设计时非常重要的值。
最大交流输入电压VI
在半波整流电路(电阻负荷)上加的正弦交流电压的有效值。这也是选择整流器时非常重要的参数。最大峰值正向电流IFM正向流过的最大电流值,这也是设计整流电路时的重要参数。
最大功率P
二极管中有电流流过,就会吸热,而使自身温度升高。最大功率P为功率的最大值。具体讲就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流。这个极限参数对稳压二极管,可变电阻二极管显得特别重要。
反向电流IR
一般说来,二极管中没有反向电流流过,实际上,加一定的反向电压,总会有电流流过,这就是反向电流。不用说,好的二极管,反向电流较小。
反向恢复时间tre
指在规定的负载、正向电流及最大反向瞬态电压下的反向恢复时间。从正向电压变成反向电压时,理想情况是电流能瞬时截止,实际上,一般要延迟一点点时间。决定电流截止延时的量,就是反向恢复时间。虽然它直接影响二极管的开关速度,但不一定说这个值小就好。
IF—最大平均整流电流。 指二极管工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。
VR—最大反向工作电压。 指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4007的VR为1OOOV.
IR—反向电流。 指二极管未击穿时反向电流值。温度对IR的影响很大。例如1N4000系列二极管在100°C条件IR应小于500uA;在25°C时IR应小于5uA。
VR—击穿电压。 指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。 三、交流参数
CO—零偏压电容。 指二极管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于1OuA，而在100°C时IR则变为小于500uA。
我们知道二极管具有容易从P型向N型半导体通过电流,而在相反方向不易通过的的特性。这两种特性合起来就产生了电容器的作用,即蓄积电荷的作用。蓄积有电荷,当然要放电。放电可以在任何方向进行。而二极管只在一个方向有电流流过这种说法,严格来说是不成立的。这种情况在高频时就明显表现出来。因此,二极管的极电容以小为好。
动态电阻Rd
二极管特性曲线静态工作点Q附近电压的变化与相应电流的变化量之比。
最高工作频率Fm
Fm是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成。所以Fm的值主要取决于PN结结电容的大小。若是超过此值。则单向导电性将受影响。
二极管反向恢复时间
如图6所示，二极管的反向恢复时间为电流通过零点由正向转换成反向，再由反向转换到规定低值的时间间隔，实际上是释放二极管在正向导通期间向PN结的扩散电容中储存的电荷。反向恢复时间决定了二极管能在多高频率的连续脉冲下做开关使用，如果反向脉冲的持续时间比反向恢复时间短，则二极管在正向、反向均可导通就起不到开关的作用。PN结中储存的电荷量与反向电压共同决定了反向恢复时间，而在高频脉冲下不但会使其损耗加重，也会引起较大的电磁干扰。所以知道二极管的反向恢复时间正确选择二极管和合理设计电路是必要的，选择二极管时应尽量选择PN结电容小、反向恢复时间短的，但大多数厂家都不提供该参数数据。
图6 二极管恢复时间示意图
部分内容整理自
1、《二极管鲜为人知的特性》作者：ZLG致远电子 来源：电子产品世界
2、《什么是二极管的压降和导通压降》百度文库
3、《二极管参数大全》百度知道
二极管型号及参数图
变容二极管（VaractorDiodes）又称“可变电抗二极管”，是利用pN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大，变容二极管的电容量一般较小，其最大值为几十皮法到几百皮法，最大区容与最小电容之比约为5:1。
变容二极管的概念
变容二极管（VaractorDiodes）又称“可变电抗二极管”，是利用pN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大，变容二极管的电容量一般较小，其最大值为几十皮法到几百皮法，最大区容与最小电容之比约为5:1。它主要在高频电路中用作自动调谐、调频、调相等、例如在电视接收机的调谐回路中作可变电容。
变容二极管主要参量
主要参量是：零偏结电容、零偏压优值、反向击穿电压、中心反向偏压、标称电容、电容变化范围（以皮法为单位）以及截止频率等。
变容二极管工作原理
变容二极管（VaractorDiodes）为特殊二极管的一种。当外加顺向偏压时，有大量电流产生，PN（正负极）结的耗尽区变窄，电容变大，产生扩散电容效应；当外加反向偏压时，则会产生过渡电容效应。但因加顺向偏压时会有漏电流的产生，所以在应用上均供给反向偏压。
变容二极管也称为压控变容器，是根据所提供的电压变化而改变结电容的半导体。也就是说，作为可变电容器，可以被应用于FM调谐器及TV调谐器等谐振电路和FM调制电路中。
其实我们可以把它看成一个PN结，我们想，如果在PN结上加一个反向电压V（变容二极管是反向来用的），则N型半导体内的电子被引向正极，P型半导体内的空穴被引向负极，然后形成既没有电子也没有空穴的耗尽层，该耗尽层的宽度我们设为d，随着反向电压V的变化而变化。如此一来，反向电压V增大，则耗尽层d变宽，二极管的电容量C就减少（根据C=kS/d），而反向电压减小，则耗尽层宽d变窄，二极管的电容量变大。反向电压V的改变引起耗尽层的变化，从而改变了压控变容器的结容量C。达到了目的。
变容二极管是利用PN结之间电容可变的原理制成的半导体器件，在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用。
变容二极管有玻璃外壳封装（玻封）、塑料封装（塑封）、金属外壳封装（金封）和无引线表面封装等多种封装形式、如图4-18所示。通常，中小功率的变容二极管采用玻封、塑封或表面封装，而功率较大的变容二极管多采用金封。常用变容二极管参数。
变容二极管的应用
变容二极管是电子可变电容。换句话说，变容二极管表现出来的电容是反偏电势的函数。这种现象导致了变容二极管在一些需要考虑电容因素的场合的几种常见应用。图1为一个典型的变容二极管调谐的lc振荡电路。电路耦合电感l2，的作用是当振荡电路被当作射频放大器使用时，将射频信号输人到振荡电路。主要的lc振荡电路包括主电感l1，和电容c1与cr1的串联电容。除此之外，还要考虑广泛存在于电子线路的杂散电容cs。隔直电容和串联电阻的功能前面已经介绍过了。电容c2的作用是对调谐电压vin，进行滤波。
变容二极管的调谐电路
因为lc调谐的振荡电路的谐振频率是lc的函数，我们发现振荡电路的最大与最小谐振频率之比随着电容比的平方根变化。此处电容比是指反偏电压最小时的电容与反偏电压最大时的电容之比。因而，电路的调谐特征曲线（偏压一谐振频率）基本上是一条抛物线。
变容二极管型号参数大全
