光电二极管型号(光电二极管型号及参数)

2024-04-08 14:01:52 来源：阿帮个性网点击：

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光电二极管类型
光电二极管型号规格表
光电二极管型号大全
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光电二极管选型
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光电二极管参数
光电二极管型号及参数

光电二极管类型

光敏电阻vs光电二极管LXD5516vsLXD/GB5-A1ELB(C档)LXD5528vsLXD/GB5-A1ELB(B档)LXD5537vsLXD/GB5-A1ELB(A档)LXD5539vsLXD/GB5-A1ELALXD5549vsLXD/GB5-A1EL外形为5毫米。你到百度一下或者是找一下厂商就知道了。叫龙信达好像。你问一下他们。

光电二极管型号规格表

光电二极管工作原理

光电二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，PN结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。

光电二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时，反向电流很小（一般小于0.1微安），称为暗电流。当有光照时，携带能量的光子进入PN结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子---空穴对，称为光生载流子。

它们在反向电压作用下参加漂移运动，使反向电流明显变大，光的强度越大，反向电流也越大。这种特性称为“光电导”。光电二极管在一般照度的光线照射下，所产生的电流叫光电流。如果在外电路上接上负载，负载上就获得了电信号，而且这个电信号随着光的变化而相应变化。

光电二极管、光电三极管是电子电路中广泛采用的光敏器件。光电二极管和普通二极管一样具有一个PN结，不同之处是在光电二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射，实现光电转换，在电路图中文字符号一般为VD。光电三极管除具有光电转换的功能外，还具有放大功能，在电路图中文字符号一般为VT。光电三极管因输入信号为光信号，所以通常只有集电极和发射极两个引脚线。同光电二极管一样，光电三极管外壳也有一个透明窗口，以接收光线照射。

光电二极管主要特性

1、光电二极管的伏安特性。

光电二极管的伏安特性是指光电二极管上所产生的光电流与其两端所加电压之间的关系。

2、光电二极管的光照特性

当的灵敏度。

3、光电二极管的光谱特性

光电二极管的光电流与入射光的波长的关系叫光谱特性。光子能量的大小与光的波长有关：波长越长，光子具有的能量越小；相反，波长越短，光子具有的能量越大。

光电二极管的分类

光电二极管"英文通常称为Photo-Diode　　光电二极管和普通二极管一样，也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性。但是，在电路中不是用它作整流元件，而是通过它把光信号转换成电信号。那么，它是怎样把光信号转换成电信号的呢？大家知道，普通二极管在反向电压作用在处于截止状态，只能流过微弱的反向电流，光电二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积相对较大，以便接收进射光。光电二极管是在反向电压作用在工作的，没有光照时，反向电流极其微弱，叫暗电流；有光照时，反向电流迅速增大到几十微安，称为光电流。光的强度约大，反向电流也约大。光的变化引起光电二极管电流变化，这就可以把光信号转换成电信号，成为光电传感器件。

一、根据构造分类

　　半导体二极管主要是依*PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列进一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下：

1、点接触型二极管

　　点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流

2、键型二极管

　　键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。

3、合金型二极管

　　在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。

4、扩散型二极管

　在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。

5、台面型二极管

　　PN结的制作方法固然与扩散型相同，但是，只保存PN结及其必要的部分，把不必要的部分用*品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。

6、平面型二极管

　　在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的*品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。

7、合金扩散型二极管

　　它是合金型的一种。合金材料是轻易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质，就能与合金一起过扩散，以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。

8、外延型二极管

　　用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管。制造时需要非常高超的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。

9、肖特基二极管

　　基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间trr特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。

二、根据用途分类

1、检波用二极管

　　就原理而言，从输进信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。锗材料点接触型、工作频率可达400MHz，正向压降小，结电容小，检波效率高，频率特性好，为2AP型。类似点触型那样检波用的二极管，除用于检波外，还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。

2、整流用二极管

　　就原理而言，从输进交流中得到输出的直流是整流。以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流大于100mA的叫整流。面结型，工作频率小于KHz，最高反向电压从25伏至3000伏分A～X共22档。分类如下：①硅半导体整流二极管2CZ型、②硅桥式整流器QL型、③用于电视机高压硅堆工作频率近100KHz的2CLG型。

3、限幅用二极管

　　大多数二极管能作为限幅使用。也有象保护仪器|仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管。为了使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用，通常使用硅材料制造的二极管。也有这样的组件出售：依据限制电压需要，把若干个必要的整流二极管串联起来形成一个整体。

4、调制用二极管

　　通常指的是环形调制专用的二极管。就是正向特性一致性好的四个二极管的组合件。即使其它变容二极管也有调制用途，但它们通常是直接作为调频用。

5、混频用二极管

　　使用二极管混频方式时，在500～10,000Hz的频率范围内，多采用肖特基型和点接触型二极管。

6、放大用二极管

　　用二极管放大，大致有依*隧道二极管和体效应二极管那样的负阻性器件的放大，以及用变容二极管的参量放大。因此，放大用二极管通常是指隧道二极管、体效应二极管和变容二极管。

7、开关用二极管

　　有在小电流下（10mA程度）使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关二极管。小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管，也有在高温下还可能工作的硅扩散型、台面型和平面型二极管。开关二极管的特长是开关速度快。

8、变容二极管

　　用于自动频率控制（AFC）和调谐用的小功率二极管称变容二极管。

9、频率倍增用二极管

　　对二极管的频率倍增作用而言，有依*变容二极管的频率倍增和依*阶跃（即急变）二极管的频率倍增。频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器，可变电抗器固然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同，但电抗器的构造却能承受大功率。阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管，从导通切换到封闭时的反向恢复时间trr短，因此，其特长是急速地变成封闭的转移时间明显地短。

10、稳压二极管

　　是代替稳压电子二极管的产品。被制作成为硅的扩散型或合金型。是反向击穿特性曲线急骤变化的二极管。作为控制电压和标准电压使用而制作的。二极管工作时的端电压（又称齐纳电压）从3V左右到150V，按每隔10%，能划分成很多等级。在功率方面，也有从200mW至100W以上的产品。工作在反向击穿状态，硅材料制作，动态电阻RZ很小，一般为2CW型；将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2DW型。

11、PIN型二极管（PINDiode）

　　这是在P区和N区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体二极管。

12、雪崩二极管(AvalancheDiode)

　　它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是栾的：利用雪崩击穿对晶体注进载流子，因载流子渡越晶片需要一定的时间，所以其电流滞后于电压，出现延迟时间，若适当地控制渡越时间，那么，在电流和电压关系上就会出现负阻效应，从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。

13、江崎二极管（TunnelDiode）

　　它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。

14、快速关断（阶跃恢复）二极管(StepRecovaryDiode)

　　它也是一种具有PN结的二极管。其结构上的特点是：在PN结边界处具有陡峭的杂质分布区，从而形成“自助电场”。由于PN结在正向偏压下，以少数载流子导电，并在PN结四周具有电荷存贮效应，使其反向电流需要经历一个“存贮时间”后才能降至最小值（反向饱和电流值）。

15、肖特基二极管（SchottkyBarrierDiode）

　　它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。

16、阻尼二极管

　　具有较高的反向工作电压和峰值电流，正向压降小，高频高压整流二极管，用在电视机行扫描电路作阻尼和升压整流用。

17、瞬变电压抑制二极管

　　TVP管，对电路进行快速过压保护，分双极型和单极型两种，按峰值功率（500W－5000W）和电压（8.2V～200V）分类。

18、双基极二极管（单结晶体管）

　　两个基极，一个发射极的三端负阻器件，用于张驰振荡电路，定时电压读出电路中，它具有频率易调、温度稳定性好等优点。

19、发光二极管

　　用磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积小，正向驱动发光。工作电压低，工作电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。

三、根据特性分类

　　点接触型二极管，按正向和反向特性分类如下。

1、一般用点接触型二极管

　　这种二极管正如标题所说的那样，通常被使用于检波和整流电路中，是正向和反向特性既不特别好，也不特别坏的中间产品。如：SD34、SD46、1N34A等等属于这一类。

2、高反向耐压点接触型二极管

　　是最大峰值反向电压和最大直流反向电压很高的产品。使用于高压电路的检波和整流。这种型号的二极管一般正向特性不太好或一般。在点接触型锗二极管中，有SD38、1N38A、OA81等等。这种锗材料二极管，其耐压受到限制。要求更高时有硅合金和扩散型。

3、高反向电阻点接触型二极管

　　正向电压特性和一般用二极管相同。固然其反方向耐压也是特别地高，但反向电流小，因此其特长是反向电阻高。使用于高输进电阻的电路和高阻负荷电阻的电路中，就锗材料高反向电阻型二极管而言，SD54、1N54A等等属于这类二极管。

4、高传导点接触型二极管

　　它与高反向电阻型相反。其反向特性尽管很差，但使正向电阻变得足够小。对高传导点接触型二极管而言，有SD56、1N56A等等。对高传导键型二极管而言，能够得到更优良的特性。　　

由於现代的开关电源工作频率都在20khz以上,比起一般的整流二极管,快速恢复二极管和超快速恢复二极管的反向恢复时间减小到了毫微秒极.因此,大大进步了电源的效率.据经验,在选择快速恢复二极管时,其反向恢复时间至少应该比开关晶体管的上升时间低三倍.这两种整流二极管还减少了开关电压尖峰.而这种尖峰直接影响输出直流电压的纹波.虽然某些称为软恢复型整流二极管的噪声较小,但是它们的反向恢复时间trr较长,反向电流Irm也较大.因此使得开关损耗较大.快速恢复整流二极管和超快恢复整流二极管在开关电源中作为整流器使用时,是否需要散热器,要根据电路的最大功率决定.一般情况下,这些二极管再制造时允许的结温在175度.生产厂家对其产品都有技术说明,提供给设计者往计算最大的输出工作电流,电压,及外壳温度等.

光电二极管型号大全

Vce=10VH=100lx时，光电流典型值IL=1.5mAVce=10V时，暗电流最大值ID=100nA这是我公司光二极管的特性参数，你可以参考。

光电二极管型号含义

普通光电二极管的型号参数如下：

结构：光电二极管与普通二极管在结构上很类似，都是由一个PN结组成的半导体器件，具有单方向导电特性。

材料：光电二极管所使用的管芯通常是一个具有光敏特征的PN结，这种PN结具有单向导电性。常见的材料有硅、锗、磷化铟镓和砷化铟镓等。

工作条件：光电二极管是在反向电压作用下工作的。在没有光照的时候，反向漏电流很小；当受到光照时，反向漏电流迅速增大。

响应时间：光电二极管的响应时间通常与其表面积成反比。当表面积增加时，响应时间会缩短。

输出信号：光电二极管在受到光照时，会产生电流，电流的强度会随入射光强度的变化而变化。因此，通过测量电流，可以得到入射光的强度信息。

应用领域：光电二极管广泛应用于光检测、光控制、光电开关、光电隔离、光耦合等领域。

以上是普通光电二极管的一些主要型号参数，具体数值会因制造商和型号而异。如需了解更多信息，建议咨询专业人士。

光电二极管选型

红外接收二极管制作遥控检测电路

元件选择：

T1~T3应采用9013型等硅NPN三极管，β≥100，BVceo≥25V。V1为红外光敏二极管，D、D2为IN4148型硅开关二极管，D;~D6为IN4001型等硅整流二极管，D，为1/2W、15V稳压二极管，如2CW20型等。LED可用普通红色发光二极管。

Rp可用WH7型微调电阻器，其余电阻均用RTX-1/8W型碳膜电阻器。C1、C2可采用CD11-25V型电解电容器，C3要用CBB-400V型聚苯电容器。K可用JRX-13F、CD12V小型电磁继电器，要求有两组转换接点。

发射器：LED1、LED2最好采用与V：相配套的红外发光二极管。R为RJ-1/2W金属膜电阻器。SB可用6X6小型轻触按键开关，也可用磷铜皮自制。;

3，安装与调试

自行设计印刷电路，选择合适元件安装在自己制作的印刷电路板上。

全部元器件安装好后，再进行调试。首先将微调电阻器RP的中心端旋到阻值中间位置，在插座X处先接一只40W白炽灯泡作为被控电器，将遥控发射器对准接收器VI，点按一下发射器的按键SB，看灯泡是否能被点亮;再长按一下发射器的按键SB，看灯泡是否立刻熄灭。如符合要求，再逐渐拉开距离试之，要求在8~10m内能可靠控制。如不合要求应检查线路是否有误，并可调整可变电阻Rp试之。调整Rp，可以改变遥控器的接收灵敏度，Rp阻值调得大，光控灵敏度相应要高些，但易受杂光干扰。调试合格后，将两机分别装入两只塑料小盒里，即可投入使用。

红外线遥控控制器：

这种红外线遥控器，只要点按一下红外光发射器，被控电器就通电工作;按动发射器的时间稍长，被控电器就断电停止工作。

遥控控制器的电路如图1所示。D3~D、C2、C3组成简单的电容降压桥式整流稳压电路，接通电源后，C2两端即输出15V左右的稳定直流电压供整个电子线路用电。平时三极管T~T;均处于截止状态，继电器K释放，其常开接点K-、K-2均打开，插在插座X里的被控家用电器无电不工作。

如按一下红外光发射器，红外光接收二极管VI，受红外光照射立刻呈低电阻状态，T，导通，电源一路经T1、D1、R2注人T3的基极，使T，迅速导通，继电器K通电吸合，其常开接点K-。、K-2闭合。K-：使继电器K自锁，K-2接通被控电器电源，电器就通电工作，同时发光二极管LED点亮发光表示遥控器对外送电。电源另-路经T1、R：向电容C1充电，由于红外光照射V1的时间极短，故T很快就恢复截止状态，所以C1两端电压不可能充到T2的开门电平，T2仍能保持截止状态，对线路无任何影响。需要关闭电器时，只要按动发射器的时间长-一些，使C;两端电压充到约0.65V左右，T2就由截止状态进人导通态，T2的集电极输出低电平，T2就由导通态进人截止态，继电器K失电释放，K-K-2打开，线路回复到原来的关机状态。

图2是红外光发射器电路，采用两只红外发光二极管LED，和LED2的目的是增强红外光线，能有效加大遥控距离。为防止可见光的干扰，可在接收器的红外光敏二极管V;前面加装滤色片。此遥控器也可采用普通手电筒取代红外光发射器，但V1前面的滤色片应去除，为防止杂光干扰，可在V1周围加装遮光筒，使只有手电筒发出的直射光线才能照射到V］。

简单的红外接收二极管遥控接收电路图

如图所示，图是红外线遥控接收装置实例。红外线传感器有多种，这里选用光电二极管TPS604。工作原理简介如下：光电二极管TPS604接收到被调制的红外线的微弱信号，先经场效应晶体管VT1的前级放大，再经晶体管VT2进行适当的放大，由UT2的集电极输出相应信号控制有关电路。

VDZ稳压管为 +5V、 VT1为3DJ6 VT2为 C8550。

光电二极管型号2

Multisim10的光电二极管、光电三极管在misc组-opt族中。

想找这些元件，只要用他们的英文名称，在软件的工具栏里的元件库里边搜索即可，比如光电二极管为phototransistor，光电三极管为optocoupler。搜到的会是一个系列的产品，具体选择哪个型号，还是要根据自己的需求来决定。

Multisim是美国国家仪器有限公司推出的以Windows为基础的仿真工具，适用于板级的模拟/数字电路板的设计工作。它包含了电路原理图的图形输入、电路硬件描述语言输入方式，具有丰富的仿真分析能力。工程师们可以使用Multisim交互式地搭建电路原理图，并对电路进行仿真。Multisim提炼了SPICE仿真的复杂内容，这样工程师无需懂得深入的SPICE技术就可以很快地进行捕获、仿真和分析新的设计，这也使其更适合电子学教育。通过Multisim和虚拟仪器技术，PCB设计工程师和电子学教育工作者可以完成从理论到原理图捕获与仿真再到原型设计和测试这样一个完整的综合设计流程。

光电二极管参数

Vce=10VH=100lx时，光电流典型值IL=1.5mAVce=10V时，暗电流最大值ID=100nA这是我公司光二极管的特性参数，你可以参考。

光电二极管型号及参数

【有利因素】

【不利因素】

十三五期间（2017至2021），2017年全球硅雪崩光电二极管(Si-APDs)市场规模为66.40百万美元，近两年由于疫情的影响，根据QYR最新调研显示，2021年全球硅雪崩光电二极管(Si-APDs)市场规模为77.66百万美元，2017-2021这五年期间年复合增长率CAGR为3.99%。

延伸报告：【2022-2028全球及中国硅雪崩光电二极管(Si-APDs)行业研究及十四五规划分析报告】

全球及中国主要厂商包括：

First-sensor(TE)

Hamamatsu

KyosemiCorporation

Excelitas

北京敏光科技

按照不同光接收直径，包括如下几个类别：

0.2mm

0.5mm

1mm

其他

按照不同应用，主要包括如下几个方面：

工业

医疗

汽车

其他

本文包含的主要地区和国家：

北美（美国、墨西哥和加拿大）

欧洲（德国、英国、法国、意大利和其他欧洲国家）

亚太（中国、日本、韩国、东南亚、印度等）

南美（巴西等）

**及非洲地区（**和非洲等）

本文正文共12章，各章节主要内容如下：