电容型号查询(电容型号查询网站)

电容编号怎么看

自Intel发布ATX3.0设计标准发布之后，国内外电源厂商打了鸡血一样，纷纷推出了自家ATX3.0标准电源产品。作为鑫谷高端品牌机电产品，昆仑先后推出了KL-1000G与KL-1250G符合ATX3.0标准的电源。而为满足不同玩家人群的需求，昆仑迎来了三大系列产品的更新：包括KH系列（KongurTagh)、KE系列（KongurTiube)，以及MU系列（MuztagAta)。

而本次我们PC评测室收到的是来自鑫谷昆仑MU系列的昆仑MU-1000G，昆仑MU系列电源有着目前旗舰级电源产品所具备的特点，包括：通过了英特尔ATX3.0测试标准、标配PCIe5.012VHPWR原生接口、80PLUS金牌认证、全日系固态电解电容、LLC+DC-DC高效架构、i-Stop风扇智能启停、定制的柔软压纹模组线材，以及10年质保等。那此款昆仑MU-1000G是否真的如此猛，我们接下来详细评测。

鑫谷昆仑MU-1000G电源，外包装

昆仑MU系列电源产品的外包装与以往传统的电源产品外包装都均不一样，黑色礼盒包装的形式并配上相当“潮”的不规划形状图案，彰显着昆仑系列产品的高端形象。

外包装背部同样相当的简洁，右下角的产品标签纸，包括产品型号MU-1000G，产品SN码，以及各类3C产品电子认证。

昆仑MU-1000G支持目前最新的IntelATX3.0标准，自带PCIe5.012VHPWR原生接口，80PLUS金牌认证产品，以及全日系电容。

礼盒的外包装设计的确会给我们带来更高档次的质感

昆仑MU-1000G自带收纳袋，去掉之后就能见到真容

IntelATX3.0标准是目前PC电源圈内最大的关注点之一，自带PCIe5.012VHPWR原生接口。对于这个松散的ATX3.0自认证标准来说，能够满足PCIe显卡设备瞬时1800W功耗的需求是相当关键的。

鑫谷昆仑MU-1000G电源，全模组线材

昆仑MU-1000G电源采用的是全模组的设计，配件较为丰富：1条AC电源线，12+4Pin12VHPWR显卡供电线，2条4+4PinEPS电源线，1条24PinATX电源线，2条6+2PinPCIe显卡线、2条（6+2Pin）*2PCIe显卡线、3条SATA*4线、1条大D*4线，电源测试接头，以及若干扎带。

所有模组线材均为蛇纹软胶线，具有抗拉伸能力强、耐高温、容易等优点，方便大家直接理线。

AC电源线与电源测试接头

24PinATX线

这次昆仑MU系列更为人性化，为4+4Pin材电源端采用了不同配色的处理，方便大家区分处理器辅助供电接口与显卡接口。

12+4Pin12VHPWR显卡供电线，带上600W功耗标识，说明此线材最大可以稳定支持600W功耗的供电需求。

显卡辅助供电线材，数量较多，可以满足更多显卡的供电需求

把所有的模组线材接上，满足绝大部分玩家的供电接口需求。但昆仑电源上提供了更多的接口，例如另外一个12+4Pin12VHPWR显卡接口，以及IDE/SATA接口。

日常中我们较常用的是24Pin+双8PinEPS+12+4Pin12VHPWR+单个IDE/SATA接口。

鑫谷昆仑MU-1000G电源，外观

接下来我们再来看看昆仑MU-1000G电源本体，和之前鑫谷昆仑KL-1250G电源来做对比，同样是ATX3.0标准设计的产品，但是昆仑MU-1000G电源尺寸更为小巧，长度实测为160mm，可以兼容更多大小的机箱。

与外包装设计相呼应的是，电源正面配上了同是不规则螺纹状设计的格栅装饰板，可以确保电源有足够的散热效能的同时，还能做到列强的视觉观感效果。

背部是昆仑MU-1000G电源铭牌，AC交流电100~240V宽幅输入，+12V大单路设计，而+5V与+3.3V则为DC2DC转换而来；其中+12V输出电流为额定83A，相当于996W功率；+5V输出为额定15A，+3.3V输出为额定16A，+5V与+3.3V联合输出功率为103W。

电源尾部是AC接口与开关，小开关为风扇i-Stop智能启停开关（默认情况下为标准模式，Normal）

刚才我们做模组线介绍的就已经了解到昆仑MU-1000G电源模组是相当丰富的，这里我们更能直观地看到。分别有15个接口，6个IDE/SATA6Pin接口，2个CPUEPS8Pin接口，4个PCI-E8Pin接口，2个PCI-E5.012VHPWR12+4Pin接口，以及28Pin主板供电接口。

产品力不断提升

在电源拆解前，我们先来了解一下这些年来ATX电源的变化。

2004年电源，被动PFC架构为主

时间回到2004年，老旧的被动PFC架构电源占领了PC电源大部分的市场，更有一个笑话：“电源做工好不好，主要看重量”。看到那个硕大的PFC电感了没，那就是电源重量的主要来源，当时的被动PFC电源的价格可不便宜，而且转换率低。

不太靠谱的是，当时能做电源的厂商其实并不多，市售的产品基本来自那几大OEM/ODM厂商代工；而且由于技术不太成熟，往往都是利用的单层PCB与人工查焊点的方式制作，难度较大，一致性差强人意也存在产能较低的问题，所以被动PFC电源最终还是被市场所淘汰。

2015年的电源版本在好些年后，主动式PFC架构电源的出现，可以说是横扫中高端市场。从上两图你会发现主动式PFC架构电源的架构变动是较大的，包括使用上了电气性能更强的双层PCB，集成度较高的电子元件，包括主动式PFC+双管正激+同步整流+DC-DC+全模组线的设计，这套组合拳下来可以很好的解决用户对利用率高、转换率高，以及高额定功率的要求，吸引大批玩家升级电源。

但缺点仍然是制造成本高、零售报价高、功耗余量还低等问题，只是这在当时已经算是很先进的电源产品。

2022年的电源版本

时间为到2022年，PC电源架构同样有着不少的改变：主动式PFC+LLC谐振+同步整流+DC-DC架构，使得电源架构效率进一下提升，余量更大。各单元模块中用料与搭配不同也有着不一样的变化，尤其是用料更为豪华的产品在转换率和稳定性上更佳。尤其是旗舰款产品已经开始转为双层PCB+直插PCB模块+底部SMT贴片的设计，电源品质更为稳定，产能也更高，进而有更好的成本控制。

而来到ATX3.0标准设计时代，主动式PFC+LLC谐振+同步整流+DC-DC架构已经完成各大ATX3.0电源的标配。那好坏的区别就在于，用料是否足够猛，余量是否足够的大，以满足ATX3.0标准对瞬时200%的负载。

而这里就很依赖每个电源厂对其产品的设计、用料搭配，以及内功实力。双层PCB+顶部SMT+模组板直插的加入，让昆仑MU-1000G电源电源的效率更高，静态性能更为优秀，同时动态性能可以瞬时输出的功率也更高。

鑫谷昆仑MU-1000G电源，拆解

拆解电源有风险，内部带交流与高压电源模块，非专业&维修人员尽量别做拆解。毕竟现在的昆仑MU-1000G电源是提供10年保修的，若电源有问题先找厂商或者是经销商返厂检修。

BOKBDH13512S风扇，135mmFDB轴承风扇，官方标称此风扇具备32.7dB(A)超低噪音设计，且真实风压达到了2.3mm-H20，风量为67.7CFM。

昆仑MU-1000G电源采用了较为成熟的主动式PFC+LLC谐振+同步整流+DC-DC架构，但是电源内部布*经过重新的改良，采用了更强电气性能的双层PCB设计，PCB元件更是采用了顶部SMT贴片工艺，并且采用了模组板直插的形式大幅提升了空间利用率，内部散热效果也更佳。

昆仑MU-1000G电源拥有较为完整的EMI，一级EMI部分直接焊接到AC电源接口背部，包括1对Y电容，1个X电容，以及一个安规电阻。

i-Stop智能风扇电路

二级EMI电路也是相当的豪华：保险丝，NTC热敏电阻，继电器，1对Y电容，1对共模线圈，一个X电容。

一体式大面积散热片

1对并联整流桥，型号GBU1006，600V,10A

主动PFC电感

主电容规格：尼吉康(450V,680uF,2,000h@105°C)，2个并联后整个电源的容量相当大，相当于1360μF的总容量。

2个PFC开关管

+5v**待机电路。中间的PCB直插模块为PFC控制电路，内部是一个CM6500UNX控制IC，这部分与昆仑KL系列电源一样，独立模块还单独包裹上热缩管作保护作用。

LLCPro谐振电感

PQ32-1250PG磁芯变压器

LLC开关管

得益于顶部SMT工艺，LLC谐振主控直接贴到主PCB上，控制器型号为CM6901X

顶部SMT另外一个好处就在于，6个MosFET同（安森美ntmfs5c430nl,40V,200A）样被放置到了PCB正面，用于+12V同步整流输出。

输出滤波电容电路由固态电容与电解电容组而成

电源的+5V与+3.3V输出采用DC-DC设计，两路均为独立PCB模块设计

均采用APW7073作为控制IC，每路输出配置2个MosFET

模组小板背部用透明塑料板作保护

模组小板正面焊接了多颗固态电容进行滤波处理

铜条进行均流

细节做工比较到位

因为采用了顶部SMT焊接工艺，所以大部分的电子元件都被安放到PCB正面，反而PCB背部看着有些许的“空”。但这样的空也证明了PCB布*与设计更为合理，更为规整，也突显出焊接工艺的提升。

同步整流区域大面积加锡处理，增大加载流量

鑫谷昆仑MU-1000G电源，装机测试

拆到也先到这里了，我们现在进行上机实测。

这次我们直接安装到测试平台上进行测试

压纹软胶线的确理线理为容易

处理器方面我们选用了Intel最新推出的14th酷睿i7-14700K处理器，主板是GIGABYTEZ790AORUSTACHYON主板

显卡则是NVIDIAIGeForceRTX4090FE显卡，整套测试平台烤机功耗就已经在于700W，拿来测试昆仑MU-1000G电源是很不错的选择。

先进行一下热身，PCMARK10跑分表明目前此款测试平台的性能相当高，无论是内容创作还是游戏都是所向无敌。处理器封装最高功耗为345W，显卡最高功耗为313W，当然两者最高功耗可能并非同时发生，此测试只表明测试平台性能相当猛，而且使用昆仑MU-1000G电源时相当稳定。

利用Prime95软件进行烤机测试，压榨处理器与内存，主板的稳定性，HWINFO64软件显示，处理器封装当前功耗为363W，最高功耗更是达到了406W。

热身完之后，我们直接来OCCT烤机测试，OCCT烤机测试比FPU与GPU双烤的负载来得更极端一些。所以大家可以看到，处理器封装当前功耗为369W，显卡当前功耗为446W，整机功耗已经来到815W

而我们从HWINFO64软件上看到，处理器封装最高功耗为402W，显卡最高功耗为447W，整机功耗已经来到849W，已经达到昆仑MU-1000G电源的85%额定功率水平了，平台仍是相当稳定。

最后当然是玩家喜爱的无限空格Furmark测试，当然我们先利用Prime95进行处理器与内存的烤机测试，而FurmarkV2对显卡烤机20分钟之后，再利用HWINFO64软件（20ms灵敏记录）无限空格Furmark下的最高功耗表现。处理器封装最高功耗为374W，显卡最高功耗为448W（实则上GPURailPowers最高功耗被监控到了548W），整机功耗最高已经来到922W，昆仑MU-1000G电源输出同样是相当的坚挺。

总结：

对于我们玩家来说，一个好的电源是我们电脑主机最为坚强的后盾。一味地省钱贪便宜其实最后吃亏的仍是咱们，尤其是ATX3.0标准时代，处理器与显卡对电源瞬时释放的要求高不少，若是电源做工、用料不足够得好，那蓝屏重启是事少，烧卡才是真麻烦。所以建议大家在往后的选购中优先考虑ATX3.0标准的产品，尤其是我们评测中测试的昆仑MU-1000G电源是真的不错。

首先，昆仑MU-1000G电源是目前鑫谷旗舰级产品定位，其是最新ATX3.0标准的产品，原生PCI-E5.0模组线材可以支持600W大功率显卡；其次通过拆解，我们已经了解到昆仑MU-1000G电源采用了最为成熟的主动式PFC+LLC谐振+同步整流+DC-DC架构，且有着更为先进的双层PCB+顶部SMT贴片+直插模板的设计，无论是效率还是用料都是同档次电源中牌T1水平的。

最后当然是价格，1000W级别以上额定功率的用料，全模组压纹黑胶线材，以及10年质保等却只卖899元，那是真的很香！

电容型号查询方法

石英晶振谐振器（Xtal）作为一种用途广泛的频率元器件，厂家们都在规格书列出了标称频率、频率稳定性、工作温度、负载电容（Loadcapacitance）等基本参数，有的还提供了寄生电容（Shunt capacitance）和动态电容（Motional capacitance）指标。

例如，图1晶振的负载电容CL推荐值为9pF、12.5pF，动态电容C1为6.0fF，寄生电容Cs为1.2pF。那么，这三个电容代表了什么？动态电容单位fF又是一个什么样的量级？

图1. 厂商提供的32.768kHz晶振规格书

负载电容与寄生电容

负载电容（Loadcapacitance）是以晶振为核心的整个振荡回路的全部有效电容的总和。这个CL值的大小决定着振荡器的工作频率，通过调整负载电容，就可以将振荡器的工作频率调到标称值。

图2. 晶体的负载电容和频率的误差的关系图。

负载电容CL由厂家规格书给出，标准值有12.5pF、16pF、20pF、30pF。CL容值大小和谐振频率之间的关系不是线性的。从图2 看出，CL变小时，频率偏差量变大；提高时，频率偏差减小。 

图3. 晶振电路及负载电容定义 

负载电容CL由CG、CD、CS组成。除了振荡电路中的两个外置电容器外，还包括晶体两个管脚之间的寄生电容（shuntcapacitance），IC芯片两个引脚的寄生电容，以及来自PCB的杂散电容。 在图3中，CG是晶体振荡电路输入管脚到gnd的总电容（包括外置的CG电容、微乎其微的晶振引脚两部分）；CD是晶体振荡电路输出管脚到gnd的总电容（包括外置的CD电容、微乎其微的晶振引脚两部分）；CS是总的寄生电容（shuntcapacitance）。 这里，寄生电容（CS）有时也称作并联电容，规格书上可以找到具体值，大小一般为0.2~8pF不等，例如图1所示的规格书中的寄生电容（shuntcapacitance）为1.2pF。 至于来自IC芯片引脚的Ci 以及Co，一般可以在芯片手册上查询到。相比CS，芯片的Ci 以及Co 值要小得多，完全可以忽略。 接下来，我们计算外置电容CG和CD的取值大小。为了保持晶体的负载平衡，在实际应用中一般要求CG=CD，这样图3中的公式变为：CL=CG/2+CS=CD/2+CS。将图1中的CL、CS数据引入，可得出：CG/2=CD/2=CL-CS=12.5pF-1.2pF=11.3pFCG =CD =22.6pF 值得注意的是，目前很多IC芯片内部已经增加了补偿电容（internalcapacitance），用户只需要按照IC芯片datasheet推荐的负载电容值选择合适的石英晶体，不需要再额外增加电容了。但是因为寄生电路的不确定性，实际设计中最好还是为CG/CD预留位置。

动态电容及单位fF

除了负载电容与寄生电容，晶振的特征参数还有容性指标——动态电容（Motional capacitance），有些晶振厂家会提供这个指标，大小一般是几个fF。 这里，我们需要注意fF是一个很小的电容单位：1f=10-151F=103mF=106μF=109nF=1012pF=1015fF1fF=10-3pF=10-6nF=10-9μF=10-15F 可见，晶振的动态电容（Motional capacitance）是一个非常小的数值，对负载电容影响微乎其微，难怪大多数晶振厂家都不提供这个参数！

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电容型号查询网站

型号命名国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。依次分别代表名称、材料、分类和序号。第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。第二部分：材料，用字母表示。第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。第四部分：序号，用数字表示。空调配电容器用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介容量标示1．直标法用数字和单位符号直接标出。如1uF表示1微法，有些电容用“R”表示小数点，如R56表示0.56微法。2．文字符号法用数字和文字符号有规律的组合来表示容量。如p10表示0.1pF、1p0表示1pF、6P8表示6.8pF、2u2表示2.2uF.3．色标法用色环或色点表示电容器的主要参数。电容器的色标法与电阻相同。电容器偏差标志符号：+100%-0--H、+100%-10%--R、+50%-10%--T、+30%-10%--Q、+50%-20%--S、+80%-20%--Z4．数学计数法：数学计数法一般是三位数字，第一位和第二位数字为有效数字，第三位数字为倍数。标值272，容量就是：27X10^2=2700pf。如果标值473，即为47X10^3=47000pf（后面的2、3，都表示10的多少次方）。又如：332=33X10^2=3300pf。电容器如何命名　各国电容器的型号命名都很不统一，国产电容器的型号一般有四部分组成（不适用于压敏电容器、可变电容器和真空电容器）依次分别代表名称、材料、分类和序号。第一部分为名称，用字母C表示第二部分为材料，用字母表示第三部分为分类，用数字表示，也有个别用字母表示的第四部分为符号，用数字表示，以区别电容器的外形尺寸及性能指标　　字母及含义数字或字母含义　　　瓷介电容云母电容有机电容电解电容　　A—钽电解1圆形非密封非密封箔式B—聚苯乙烯等非极性薄膜2管形非密封非密封箔式3叠片密封密封烧结粉固体　C—高频陶瓷4独石密封密封烧结粉固体D—铝电解5穿心?穿心?E—其他材料电解6支柱等???G—合金电解?????H—复合介质7???无极性I—玻璃釉8高压高压高压?J—金属化纸介9??特殊特殊L—涤纶等极性有机薄膜G高功率　　　T叠片式　　　　N—铌电解W微调　　　O—玻璃膜　　　　　Q—漆膜J金属化纸介　　　T—低频陶瓷　　　　　V—云母纸Y高压　　　Y—云母　　　　　Z—纸介

电容型号查询大全

1、打开Proteus软件，在左侧点击“P”键，进入器件库；

2、关键词（KAY）输入CAP，Category选择Capacitors，Sub-category项选择Generic通用项（也可以直接搜索元件型号）；

3、查询结果有四种，选择第二个就是电解电容了，双击添加到器件栏；

4、放置到原理图后，双击元器件，在编辑器件窗口可以根据需要对器件参数进行修改。

电容查询表

虽然我很聪明，但这么说真的难到我了

电容型号表

那要看你换的电容原来是不是固态的，如果不是那就不能换，固态电容全称为固态铝质电解电容。它与普通电容（即液态铝质电解电容）最大差别在于采用了不同的介电材料，液态铝电容介电材料为电解液，而它的介电材料则为导电性高分子。为何说他不用担心爆掉(应为爆浆更形象)。因为普通的液态电容在长时间使用中，过热会导致电解液受热膨胀，导致电容失去作用甚至由于超过沸点导致膨胀爆裂！另一方面是，如果主板在长期不通电的情形下，电解液容易与氧化铝形成化学反应，造成开机或通电时形成爆炸的现象。但是如果采用固态电容，就完全没有这样的隐患和危险了！由于它采用导电性高分子产品作为介电材料，该材料不会与氧化铝产生作用，通电后不致于发生爆炸的现象；同时它为固态产品，自然也就不存在由于受热膨胀导致爆裂的情况了。另外它具备环保、低阻抗、高低温稳定、耐高纹波及高信赖度等优越特性，是目前电解电容产品中最高阶的产品。由于固态电容特性远优于液态铝电容，其耐温达摄氏260度，且导电性、频率特性及寿命均佳，适用于低电压、高电流的环境应用