电力二极管型号(电力二极管型号及参数)

电力二极管型号规格

1、1N4001硅整流二极管50V,1A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=50A)，2、1S1553硅开关二极管70V,100mA,300mW,3.5PF,300ma，3、2AN1二极管5A,f=100KHz，4、2CK100硅开关二极管40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma，5、2CN1A硅二极管400V,1A,f=100KHz，6、2CP1553硅二极管Ir≤0.5uA,Vf≤1.4V,≤3.5PF。

电力二极管型号规格表

10A10，知10A/1000V，大电流整流二极管

KBPC50-10，50A/1000V，大电流整流桥堆

RHR15120，15A/1200V，大电流整流二极管

利用二极管的单向导通性进行整流的最常用的电路，常用来将交流电转变为直流电。桥式整流器利用四个二极管，两两对接。输入正弦波的正半部分是两只管导通，得到正的输出；输入正弦波的负半部分时，另两只管导通，由于这两只管是反接的，所以输内出还是得到正弦波的正半部分。

扩展资料：

整流桥有多种方法可以用整流二极管将交流电转换为直流电，包括半波整流、全波整流以及桥式整流等。整流桥，就是将桥式整流的四个二极管封装在一起，只引出四个引脚。四个引脚中，两个直流输出端标有+或－，两个交流输入端有～标记。

整流桥通常是由两只或四只整流硅芯片作桥式连接，两只的为半桥，四只的则称全桥。外部采用绝缘塑料封装而成，大功率整流桥在绝缘层外添加锌金属壳包封，增强散热性能。

参考资料来源：百度百科-整流桥

电力二极管有()型和()型

p-n二极管

二极管的作用是在一定方向上阻止电流流动，允许它在相反方向上移动。这一原理的核心是经典的p-n结，它是在重掺杂的n+衬底上形成一个n型漂移层。然后，通过在n型层中植入p型掺杂剂（离子注入）来实现p+层。

p掺杂区域是阳极，n掺杂区域是阴极。移动电荷载流子通过结并复合，在此形成一个没有自由载流子、只有原子核的中性且非导电区域。这被称为耗尽区。因为漂移电流和扩散电流抵消，我们得到了零净电流。

现在，如果我们给阳极加正偏压，给阴极加负偏压，我们就会引入额外的电荷载流子[电子]，它们将向耗尽区移动，耗尽区将消失，当我们不再有剩余的耗尽区时，二极管变得导电。

由于需要一定的电压来使二极管导电，我们引入了一个重要的二极管参数：正向电压(VF)。同样，如果我们以反向偏压，将更多的电荷载流子推出系统，我们将扩大耗尽区。结果是没有电流流动，二极管进入截止状态。这导致了二极管的第二个相关参数，即截止电压。

在截止状态下，我们仍然有一些少数载流子，它们会产生一小部分电流流动，这就是另一个重要参数，称为漏电流[IR]，它是在反向方向流动的电流。

其他类型的二极管：肖特基、SiGe和SiC

另一个相关的整流器类型是肖特基二极管，它由金属与n型半导体接触组成。其主要优势包括较低的正向电压和快速开关时间(trr)。然而，肖特基二极管也表现出较高的反向漏电流。另一方面，击穿电压主要由外延层的厚度和掺杂选择确定，因此，随着规格中击穿电压的提高，肖特基整流器的效率变得较低。市场上很难找到超过200V的VBR。

硅锗(SiGe)和碳化硅（SiC）整流器

它消除了其他类型的很多权衡，将肖特基整流器的最佳特性与快恢复设备相结合。特别是，SiGe整流器具备高热稳定性，使其成为高温应用的良好选择。

宽禁带材料如碳化硅(SiC)具有优越的材料属性。SiC的能带间隙是硅的3倍，击穿场强是硅的10倍，电子速度是硅的2倍，热导率是硅的3倍。这使得二极管能够具有超过600V的截止电压。

已经看到，不同技术的分立功率二极管，每种都有其独特的原子结构和特性。因此，选择哪种技术取决于特定应用的要求。

二极管的I-V特性

该曲线的y轴是电流，x轴是电压。曲线的形状由耗尽区的电荷载流子运输决定。

如果施加一个正向电压，则最初几乎没有电流流通。但是，如果这个电压超过了某个阈值，二极管就会导电。同样，如果施加负电压，耗尽区仍然表现为绝缘体，直到某个电压，二极管变得不稳定并击穿。

此曲线关联的典型参数包括正向电流(IF)、VF、IR、反向电压(VR)和IFSM额定值，这表示二极管在正向偏置模式下能够承受的最大峰值电流。

由于温度的升高导致电荷载流子浓度升高和VF降低，因此正向特性在温度变化下看起来略有不同，主要是因为y轴指示是以对数刻度而不是之前所示的线性刻度。按照经验，VF每升高1K大约下降2mV，这种温度依赖性适用于所有类型的二极管。

如何选择正确的二极管

选择正确的二极管技术的决策过程严格取决于特定应用的要求。电力整流器几乎出现在我们日常使用或接触的每一个电子应用中。

在静态应用中，我们有反向极性保护，这是我们生活中经常遇到的，因为它用于保护系统免受错误连接电源的影响，第二个应用是电源ORing二极管，用于连接多个电源以提高可靠性或总功率耗散。

考虑反向极性保护应用，假设我们想保护一个系统，以承受高达60V的反向极性。在这种情况下，我们发现我们可以使用肖特基二极管、SiGe二极管或p-n二极管。对于这个系统，我们必须在正向电压降和漏电流之间找到折中。肖特基二极管有最低的VF；SiGe二极管在25°C时有最低的IR；p-n二极管在125°C时有最低的IR。

肖特基技术具有最低的正向导通损耗(Pfwd)。因此，如果Pfwd是主要的选择标准，应选择平面低VF二极管。SiGe技术提供了最低的反向导通损耗(Prev)。在高温下，p-n技术的表现与SiGe相同。因此，如果Prev是主要的选择标准，应选择SiGe二极管，因为其Pfwd比p-n技术小。此外，还应该将对瞬态脉冲的鲁棒性（例如，在启动时的涌入电流）视为一个额外的选择标准。

二极管在整流器动态应用中都扮演着重要的角色，全桥整流器中，它用于将交流电转换为直流电，降压转换器中的续流二极管，反激转换器中的升压二极管和反向电容二极管，以及引导启动二极管。

电力二极管型号及参数大概多大

你好！2CP,2CZ型的二极管,导通电流都在1A以上,导通压降0.7V,用三个串联即可。打字不易，采纳哦！

电力二极管型号及参数

导读： 二极管（Diode）算是半导体家族中的分立元器件中最简单的一类，其最明显的性质就是它的单向导电特性，就是说电流只能从一边过去，却不能从另一边过来(从正极流向负极)。本文从二极管的分类、命名方法，到常用二极管的特点及选用。也是模拟电路基础的，第一课内容。

一、基础知识

1、二极管的分类

二极管的种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）；按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。

根据二极管的不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、肖特基二极管、发光二极管等。

（注：上图取自 采芯网）

2、二极管的型号命名方法

（1）按照国产半导体器件型号命名方法：二极管的型号命名由五个部分组成：主称、材料与极性、类别、序号和规格号（同一类产品的档次）。

（2）日本半导体器件命名型号由以下5部分组成：

第一部分：用数字表示半导体器件有效数目和类型；“1”表示二极管，“2”表示三极管。

第二部分：用“S”表示已在日本电子工业协会登记的半导体器件；

第三部分：用字母表示该器件使用材料、极性和类型；

第四部分：表示该器件在日本电子工业协会的登记号；

第五部分：表示同一型号的改进型产品。

3、几种常见二极管特点

（1）整流二极管

将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管，因结电容大，故工作频率低。

通常，IF在1安以上的二极管采用金属壳封装，以利于散热；IF在1安以下的采用全塑料封装。

（2）开关二极管

在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，其特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。

开关二极管有接触型，平面型和扩散台面型几种，一般IF＜500毫安的硅开关二极管，多采用全密封环氧树脂，陶瓷片状封装。

（3）稳压二极管

稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，因为它能在电路中起稳压作用，故称为稳压二极管。

它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的。

（4）变容二极管

变容二极管是利用PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被广泛地用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路中。

变容二极管主要是通过结构设计及工艺等一系列途径来突出电容与电压的非线性关系，并提高Q值以适合应用。

（5）TVS二极管

TVS二极管（TransientVoltageSuppresser瞬态电压抑制器）是和被保护电路并联的，当瞬态电压超过电路的正常工作电压时，二极管发生雪崩，为瞬态电流提供通路，使内部电路免遭超额电压的击穿或超额电流的过热烧毁。

由于TVS二极管的结面积较大，使得它具有泄放瞬态大电流的优点，具有理想的保护作用。

二、二极管的参数选择

（1）额定正向工作电流

额定正向工作电流指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。

（2）最大浪涌电流

最大浪涌电流，是允许流过的过量正向电流，它不是正常电流，而是瞬间电流。其值通常是额定正向工作电流的20倍左右。

（3）最高反向工作电压

加在二极管两端的反向工作电压高到一定值时，管子将会击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电值。例如，lN4001二极管反向耐压为50V，lN4007的反向耐压为1000V。

（4）反向电流

反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。

反向电流与温度密切相关，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。

硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。

（5）反向恢复时间

从正向电压变成反向电压时，电流一般不能瞬时截止，要延迟一点点时间，这个时间就是反向恢复时间。它直接影响二极管的开关速度。

（6）最大功率

最大功率就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流。这个极限参数对稳压二极管等显得特别。

（7）频率特性

由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。

2、不同二极管的选用

（1）检波二极管

检波二极管一般可选用点接触型锗二极管，选用时，应根据电路的具体要求来选择工作频率高、反向电流小、正向电流足够大的检波二极管。

（2）整流二极管

整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中。选用整流二极管时，主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。

（3）稳压二极管

稳压二极管一般用在稳压电源中作为基准电压源或用在过电压保护电路中作为保护二极管。选用的稳压二极管，应满足应用电路中主要参数的要求。稳压二极管的稳定电压值应与应用电路的基准电压值相同，稳压二极管的最大稳定电流应高于应用电路的最大负载电流50％左右。

（4）开关二极管

开关二极管主要应用于收录机、电视机、影碟机等家用电器及电子设备有开关电路、检波电路、高频脉冲整流电路等。

中速开关电路和检波电路，可以选用2AK系列普通开关二极管。高速开关电路可以选用RLS系列、1SS系列、1N系列、2CK系列的高速开关二极管。

要根据应用电路的主要参数（如正向电流、最高反向电压、反向恢复时间等）来选择开关二极管的具体型号。

（5）变容二极管

选用变容二极管时，应着重考虑其工作频率、最高反向工作电压、最大正向电流和零偏压结电容等参数是否符合应用电路的要求，应选用结电容变化大、高Q值、反向漏电流小的变容二极管。

3、TVS二极管选型

（1）最小击穿电压VBR和击穿电流IR。VBR是TVS最小的击穿电压，在25℃时，低于这个电压TVS是不会产生雪崩的。当TVS流过规定的1mA电流（IR）时，加于TVS两极的电压为其最小击穿电压VBR。按TVS的VBR与标准值的离散程度，可把VBR分为5％和10％两种。对于5％的VBR来说，VWM=0.85VBR；对于10％的VBR来说，VWM=0.81VBR。为了满足IEC61000-4-2国际标准，TVS二极管必须达到可以处理最小8kV（接触）和15kV（空气）的ESD冲击，部份半导体厂商在自己的产品上使用了更高的抗冲击标准。对于某些有特殊要求的可携设备应用，设计者可以依需要挑选元件。

（2）最大反向漏电流ID和额定反向切断电压VWM。VWM是二极管在正常状态时可承受的电压，此电压应大于或等于被保护电路的正常工作电压，否则二极管会不断截止回路电压；但它又需要尽量与被保护回路的正常工作电压接近，这样才不会在TVS工作以前使整个回路面对过压威胁。当这个额定反向切断电压VWM加于TVS的两极间时它处于反向切断状态，流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流ID。

（3）最大钳位电压VC和最大峰值脉冲电流IPP。当持续时间为20ms的脉冲峰值电流IPP流过TVS时，在其两端出现的最大峰值电压为VC。VC、IPP反映了TVS的突波抑制能力。VC与VBR之比称为钳位因子，一般在1.2~1.4之间。VC是二极管在截止状态提供的电压，也就是在ESD冲击状态时通过TVS的电压，它不能大于被保护回路的可承受极限电压，否则元件面临被损伤的危险。

（4）Pppm额定脉冲功率，这是基于最大截止电压和此时的峰值脉冲电流。对于手持设备，一般来说500W的TVS就足够了。最大峰值脉冲功耗PM是TVS能承受的最大峰值脉冲功耗值。在特定的最大钳位电压下，功耗PM越大，其突波电流的承受能力越大。在特定的功耗PM下，钳位电压VC越低，其突波电流的承受能力越大。另外，峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。而且，TVS所能承受的瞬态脉冲是不重覆的，元件规定的脉冲重覆频率（持续时间与间歇时间之比）为0.01％。如果电路内出现重覆性脉冲，应考虑脉冲功率的累积，有可能损坏TVS。

（5）电容器量C。电容器量C是由TVS雪崩结截面决定的，是在特定的1MHz频率下测得的。C的大小与TVS管的电流承受能力成正比，C太大将使讯号衰减。因此，C是数据介面电路选用TVS的重要参数。电容器对于数据/讯号频率越高的回路，二极管的电容器对电路的干扰越大，形成噪音或衰减讯号强度，因此需要根据回路的特性来决定所选元件的电容器范围。高频回路一般选择电容器应尽量小（如SAC（500W，50pF，±10%）、LCE（1.5KW，100pF）、低电容器TVS），而对电容器要求不高的回路电容器选择可高于40pF。

4、肖特基二极管与普通二极管的区别

硅管的初始导通压降是0.5V左右，正常导通压降是0.7V左右，在接近极限电流情况下导通压降是1V左右；锗管的初始导通压降是0.2V左右，正常导通压降是0.3V左右，在接近极限电流情况下导通压降是0.4V左右，肖特基二极管的初始导通压降是0.4V左右，正常导通压降是0.5V左右，在接近极限电流情况下导通压降是0.8V左右。

两种二极管都是单向导电，可用于整流场合。区别是普通硅二极管的耐压可以做得较高，但是它的恢复速度低，只能用在低频的整流上，如果是高频的就会因为无法快速恢复而发生反向漏电，最后导致管子严重发热烧毁;肖特基二极管的耐压能常较低，但是它的恢复速度快，可以用在高频场合，故开关电源采用此种二极管作为整流输出用，尽管如此，开关电源上的整流管温度还是很高的。

快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下)，工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V)，反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(SchottkyBarrierDiode)，具有正向压降低(0.4--0.5V)、反向恢复时间很短(10-40纳秒)，而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。这两种管子通常用于开关电源。肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~!前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~!电气特性当然都是二极管阿~!快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。

4、肖特基二极管与快恢复二极管的区别

肖特基二极管：

反向耐压值较低(一般小于150V)，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。

其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的

PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。

 

快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的

扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.

目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 

  

快恢复二极管FRD（FastRecoveryDiode）是近年来问世的新型半导体器件，具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快恢复二极管SRD（SuperfastRecovery Diode），则是在快恢复二极管基础上发展而成的，其反向恢复时间trr值已接近于肖特基二极管的指标。它们可广泛用于开关电源、脉宽调制器（PWM）、不间断电源（UPS）、交流电动机变频调速（VVVF）、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。

肖特基二极管：反向耐压值较低(一般小于150V)，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 

快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.快恢复二极管FRD（FastRecoveryDiode）是近年来问世的新型半导体器件，具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快恢复二极管SRD（SuperfastRecoveryDiode），则是在快恢复二极管基础上发展而成的，其反向恢复时间trr值已接近于肖特基二极管的指标。它们可广泛用于开关电源、脉宽调制器（PWM）、不间断电源（UPS）、交流电动机变频调速（VVVF）、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。

5、TVS二极管与ESD防护二极管的区别

TVS瞬态电压抑制

这里不论TV是如何产生的,比如直接或者间接的雷击,静电放电,大容量的负载投切等因素导致的浪涌.电压从几伏到几十千伏甚至更高. 

ESD静电放电保护 

其中主要应用是HBM 和 MM,简单说,就是人或者设备对器件放电(静电),但是器件不能损坏. 

典型的HBMCLASS1C模型规定一个充电1000V-2000V的100pF的电容通过一个1500欧姆的电阻对器件放电. 

MM模型要比人体模型能量大一些.电容是200pF,电压大概在200-400之间,不过没有串联电阻了. 

典型的人体模型放电,峰值电流小于0.75A,时间150ns 

典型的机器模型放电,峰值电流小于8A,时间5ns 

典型的雷击浪涌(电力线入线处使用的TVS)峰值电流3000A,时间20us

 

TVS二极管和ESD防护二极管原理是一样的,但根据功率和封装来分就不一样. 

ESD防护二极管和TVS比较的话,要看用在那些用途上,像ESD主要是用来防静电,防静电就要求电容值低,一般是1--3.5PF之间为最好.而TVS就做不到这一点,TVS的电容值比较高。

电力二极管型号大全

二极管种类有很多，不同种类又有很多型号。二极管根据半导体材料，可分为锗二极管和硅二极管之分；根据管芯结构，可分为点接触型二极管、面接触型二极管和平面型二极管；根据用途，可分为TVS瞬态抑制二极管、ESD二极管、稳压二极管、整流二极管、肖特基二极管、快恢复二极管、超快恢复二极管等等。二极管

电力二极管的主要参数有哪些?

电路当中二极管有很多类型，也有很多型号，那么对于不同的二极管在不同的电路选择是不同的。下面介绍几种常用的二极管在电路当中如何选择

1、对于稳压二极管

顾名思义就是起到稳压的作用，它是一种利用到达临界时候反向击穿电压前具有很高电阻的的一种二极管，并且随着电流的增大电压会保持不变，那么对于选用二极管时候要考虑到流过稳压管的反向电流，一般会串联一个限流电阻，还要考虑另一个因素，那就是功率。例如对于输入最大为24V电压，要求输出5V/20mA，那么稳压管可选择5.1V的，功率大于0.1W的稳压管即可，可以用IN4733或者IN5231。

2、对于整流二极管

整流二极管作用是把交流变成直流电的过程，那么对于此类二极管选择参数有：击穿电压VB、最大平均整流电流IF、最高反向工作电压VR等，例如对于HER308，这是一种快恢复二极管，它的反向峰值电压以及最大直流电压都是1000V，特点是快速开关效率高，因此在开关电源当中最重要的是频率，如果对于工频领域则选用一般整流二极管既可以了，只要耐压要求一般都合适

3、对于普通发光二极管

发光二极管有一个反向耐压Vf以及一个正向电流If，接入电路当中电压不能过高，要不然会被击穿，电流也不能太大，太大会烧坏，需要串联限流电阻，电阻R=（U－Vf）/If。例如对于输入5V电压，发光二极管压降为0.7V，所需要的LED电流为5mA，那么限流电阻为860Ω，取整数为1K。

电力二极管的型号

12n60p 和 12n60 是两种不同的电力二极管型号。12n60p 是一种功率MOSFET (金属氧化物半导体场效应管)。它能够承受高压(Vdss=600V)，具有较低的导通电阻(Rds(on))和较高的功率处理能力。适用于高效能的开关电路和功率放大器等应用。而 12n60 是一种电力场效应管，能够承受较高的电流和电压。但具体型号的详细规格需要查看原厂规格书。总的来说，12n60p和12n60虽然有一些相似之处，但在具体的电气参数和应用特性上可能会有所差异。在选择使用时，需要根据具体电路设计和要求来选择适合的型号。

电力二极管型号符号作用

型号：BZX55C-18V。

雪崩击穿发生在耗尽层较宽电场强度较低时，温度增加使晶格原子振动幅度加大，阻碍了载流子的运动。这种情况下，只有增加反向电压，才能发生雪崩击穿，因此雪崩击穿的电压温度系数是正的。这就是为什么稳压值为15V的稳压管其稳压值随温度逐渐增大的。

而稳压值为5V的稳压管其稳压值随温度逐渐减小的原因。例如2CW58稳压管的温度系数是+0.07%/°C，即温度每升高1°C，其稳压值将升高0.07%。

扩展资料：

主要参数：

1、Uz—稳定电压：指稳压管通过额定电流时两端产生的稳定电压值。该值随工作电流和温度的不同而略有改变。由于制造工艺的差别，同一型号稳压管的稳压值也不完全一致。例如，2CW51型稳压管的Vzmin为3.0V,Vzmax则为3.6V。

2、Iz—额定电流：指稳压管产生稳定电压时通过该管的电流值。低于此值时，稳压管虽并非不能稳压，但稳压效果会变差;高于此值时，只要不超过额定功率损耗，也是允许的，而且稳压性能会好一些，但要多消耗电能。

参考资料来源：百度百科-稳压二极管

电力二极管型号及其意义

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