肖特基型号(肖特基型号对照表)

肖特基20150

肖特基二极管有共阳极昌御慎的有MMBD717L、MMBD355L。无论是共阴、共阳还是阴阳极相接的，外形都是一样的，只能查数据手册.例如在MMBD35X系列中，MMBD352L和MMBD353L是两支肖特基二极管阴阳拆中极相接的，MMBD354L是共阴极的，MMBD355L是共阳极的，外形是一样的（都是SOT-23封装）。耐敬

肖特基参数怎么看

SR260是肖特基二极管

肖特基二极管开关频率高，在电磁炉上极大可能用于开关电源次级的整流。因为开关电源的工作频率比较高，一般都有几十KHz，在次级需要用到工作频率比较高的肖特基二极管。

SR260是肖特基二极管用在开关电源哪个位置？

开关电源次级的整流就需要用到SR260是肖特基二极管，比如下图的D3位置。使用普通的整流二极管是不能满足要求的。

哪些型号二极管可以代换SR260？

可以选择其它性能一样的肖特基二极管就可以代换的。

SR260的工作电流最大为2A，反向耐压为60V，正向压降为0.7V

使用反两只耐压更高的SR280或者SR2100代换都可以，虽然正向压降高了一点，对功能也是没有影响的。

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肖特基是什么

肖特基二极管模块也叫肖特基模块，最大特点是正向压降VF比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。电压有45V、60V、100V、200V、250V，电流75A-800A，配套开关电镀电源和焊机使用，整机工作温度一般都只有40-50度。

现在制造的肖特基模块采用了德国IXYS结构件封装后，散热比原先的3mm铜底板模块更好。

由于肖特基芯片恢复时间非常小，所以封装后的模块工作频率很高(5KHZ-110KHZ)，同时开关损耗可以忽略不计。

肖特基芯片采用势垒工艺制造，它的通态压降非常低（0.4V--0.7V），这样就确定了模块整体损耗很小。

在整机上并联一定数量的肖特基模块，加上模块DBC底板出色的散热性能，整机可在低温下长期稳定工作，保证了整机的使用寿命，同时大大提高了电源的能效，电源效率一般可达88-93%。鉴于上述肖特基二极管模块的优异特性，海飞乐技术针对逆变焊机电源新开发了电压400V-500V，电流200A和400A的肖特基二极管模块，200A 400V模块，400A400V模块，底板绝缘。

目前国内企业生产的许多普通逆变焊机，在次级输出整流部分选择传统的硬恢复二极管模块，例如：型号MURP20040CT,?MURP20060CT,这类整流模块性能一般，耗能大，工作温度高，致使逆变焊机工作效率和频率上不去。

而新开发的200A-400V和400A-400V肖特基二极管模块解决了这一问题，逆变焊机次级输出整流部分安装纯肖特基二极管模块，该模块超低的正向压降和DBC底板出色的散热性能，可以忽略不计的开关损耗，大大降低了电源工作温度，电源整体损耗明显减小，输出频率可以提高到80KHZ，甚至更高，焊机效率也进一步提高，可达88%--93%，焊机体积、重量可以进一步缩小和减轻，除了这些优点外，此肖特基二极管模块还具有在任何温度下消除噪音的功能。

肖特基二极管型号

可以用SS315，SS320，SS510型号代替。

SS310属于肖特基二极管，肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。

SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

扩展资料

肖特基二极管的封装：

采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式。

肖特基对管又有共阴（两管的负极相连）、共阳（两管的正极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）三种管脚引出方式。

采用表面封装的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装形式，有A~19种管脚引出方式

肖特基二极管特点：

1、由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。

2、由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。

3、由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。

但是，由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。

参考资料来源：百度百科_肖特基二极管

肖特基20100

二极管型号，肖特基二极管，FairchildSemiconductor，快速恢复=200mA(Io)，DO-41，轴向。电流-平均整流(Io)3A。电压-(Vr)（最大）100v

肖特基1n5822

肖特基二极管常见型号1、肖特基它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。2、肖特基二极管的结构肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N外延层（砷材料）、N型硅基片、N阴极层及阴极金属等构成。在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式。常用的有引线式肖特基二极管，1N5817、1N5819、MBR1045、MBR20200等型号。也就是常说的插件封装。肖特基二极管型号_肖特基二极管常见型号_肖特基二极管型号大全肖特基二极管型号大全封装SMA:SS12、SS13、SS14、SS15、SS16、SS24、SS25、SS26、SS34、SS35、SS36封装SMB：SS24、SS25、SS26、SS34、SS35、SS36M7、SB240-SR260、SR2100、SR340-SR360、SR3100、SR540-SR560、SR5100、1N4007、1N5819

肖特基5822

肖特基二极管常见型号

1、肖特基它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

2、肖特基二极管的结构肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N外延层（砷材料）、N型硅基片、N阴极层及阴极金属等构成。

在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。

当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。

肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。

采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式。

常用的有引线式肖特基二极管，1N5817、1N5819、MBR1045、MBR20200等型号。也就是常说的插件封装。

肖特基二极管型号_肖特基二极管常见型号_肖特基二极管型号大全

肖特基二极管型号大全

封装SMA:SS12、SS13、SS14、SS15、SS16、SS24、SS25、SS26、SS34、SS35、SS36

封装SMB：SS24、SS25、SS26、SS34、SS35、SS36M7、SB240-SR260、SR2100、SR340-SR360、SR3100、SR540-SR560、SR5100、1N4007、1N5819

肖特基3045

导读： 二极管（Diode）算是半导体家族中的分立元器件中最简单的一类，其最明显的性质就是它的单向导电特性，就是说电流只能从一边过去，却不能从另一边过来(从正极流向负极)。本文从二极管的分类、命名方法，到常用二极管的特点及选用。也是模拟电路基础的，第一课内容。

一、基础知识

1、二极管的分类

二极管的种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）；按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。

根据二极管的不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、肖特基二极管、发光二极管等。

（注：上图取自 采芯网）

2、二极管的型号命名方法

（1）按照国产半导体器件型号命名方法：二极管的型号命名由五个部分组成：主称、材料与极性、类别、序号和规格号（同一类产品的档次）。

（2）日本半导体器件命名型号由以下5部分组成：

第一部分：用数字表示半导体器件有效数目和类型；“1”表示二极管，“2”表示三极管。

第二部分：用“S”表示已在日本电子工业协会登记的半导体器件；

第三部分：用字母表示该器件使用材料、极性和类型；

第四部分：表示该器件在日本电子工业协会的登记号；

第五部分：表示同一型号的改进型产品。

3、几种常见二极管特点

（1）整流二极管

将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管，因结电容大，故工作频率低。

通常，IF在1安以上的二极管采用金属壳封装，以利于散热；IF在1安以下的采用全塑料封装。

（2）开关二极管

在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，其特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。

开关二极管有接触型，平面型和扩散台面型几种，一般IF＜500毫安的硅开关二极管，多采用全密封环氧树脂，陶瓷片状封装。

（3）稳压二极管

稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，因为它能在电路中起稳压作用，故称为稳压二极管。

它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的。

（4）变容二极管

变容二极管是利用PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被广泛地用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路中。

变容二极管主要是通过结构设计及工艺等一系列途径来突出电容与电压的非线性关系，并提高Q值以适合应用。

（5）TVS二极管

TVS二极管（TransientVoltageSuppresser瞬态电压抑制器）是和被保护电路并联的，当瞬态电压超过电路的正常工作电压时，二极管发生雪崩，为瞬态电流提供通路，使内部电路免遭超额电压的击穿或超额电流的过热烧毁。

由于TVS二极管的结面积较大，使得它具有泄放瞬态大电流的优点，具有理想的保护作用。

二、二极管的参数选择

（1）额定正向工作电流

额定正向工作电流指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。

（2）最大浪涌电流

最大浪涌电流，是允许流过的过量正向电流，它不是正常电流，而是瞬间电流。其值通常是额定正向工作电流的20倍左右。

（3）最高反向工作电压

加在二极管两端的反向工作电压高到一定值时，管子将会击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电值。例如，lN4001二极管反向耐压为50V，lN4007的反向耐压为1000V。

（4）反向电流

反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。

反向电流与温度密切相关，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。

硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。

（5）反向恢复时间

从正向电压变成反向电压时，电流一般不能瞬时截止，要延迟一点点时间，这个时间就是反向恢复时间。它直接影响二极管的开关速度。

（6）最大功率

最大功率就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流。这个极限参数对稳压二极管等显得特别。

（7）频率特性

由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。

2、不同二极管的选用

（1）检波二极管

检波二极管一般可选用点接触型锗二极管，选用时，应根据电路的具体要求来选择工作频率高、反向电流小、正向电流足够大的检波二极管。

（2）整流二极管

整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中。选用整流二极管时，主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。

（3）稳压二极管

稳压二极管一般用在稳压电源中作为基准电压源或用在过电压保护电路中作为保护二极管。选用的稳压二极管，应满足应用电路中主要参数的要求。稳压二极管的稳定电压值应与应用电路的基准电压值相同，稳压二极管的最大稳定电流应高于应用电路的最大负载电流50％左右。

（4）开关二极管

开关二极管主要应用于收录机、电视机、影碟机等家用电器及电子设备有开关电路、检波电路、高频脉冲整流电路等。

中速开关电路和检波电路，可以选用2AK系列普通开关二极管。高速开关电路可以选用RLS系列、1SS系列、1N系列、2CK系列的高速开关二极管。

要根据应用电路的主要参数（如正向电流、最高反向电压、反向恢复时间等）来选择开关二极管的具体型号。

（5）变容二极管

选用变容二极管时，应着重考虑其工作频率、最高反向工作电压、最大正向电流和零偏压结电容等参数是否符合应用电路的要求，应选用结电容变化大、高Q值、反向漏电流小的变容二极管。

3、TVS二极管选型

（1）最小击穿电压VBR和击穿电流IR。VBR是TVS最小的击穿电压，在25℃时，低于这个电压TVS是不会产生雪崩的。当TVS流过规定的1mA电流（IR）时，加于TVS两极的电压为其最小击穿电压VBR。按TVS的VBR与标准值的离散程度，可把VBR分为5％和10％两种。对于5％的VBR来说，VWM=0.85VBR；对于10％的VBR来说，VWM=0.81VBR。为了满足IEC61000-4-2国际标准，TVS二极管必须达到可以处理最小8kV（接触）和15kV（空气）的ESD冲击，部份半导体厂商在自己的产品上使用了更高的抗冲击标准。对于某些有特殊要求的可携设备应用，设计者可以依需要挑选元件。

（2）最大反向漏电流ID和额定反向切断电压VWM。VWM是二极管在正常状态时可承受的电压，此电压应大于或等于被保护电路的正常工作电压，否则二极管会不断截止回路电压；但它又需要尽量与被保护回路的正常工作电压接近，这样才不会在TVS工作以前使整个回路面对过压威胁。当这个额定反向切断电压VWM加于TVS的两极间时它处于反向切断状态，流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流ID。

（3）最大钳位电压VC和最大峰值脉冲电流IPP。当持续时间为20ms的脉冲峰值电流IPP流过TVS时，在其两端出现的最大峰值电压为VC。VC、IPP反映了TVS的突波抑制能力。VC与VBR之比称为钳位因子，一般在1.2~1.4之间。VC是二极管在截止状态提供的电压，也就是在ESD冲击状态时通过TVS的电压，它不能大于被保护回路的可承受极限电压，否则元件面临被损伤的危险。

（4）Pppm额定脉冲功率，这是基于最大截止电压和此时的峰值脉冲电流。对于手持设备，一般来说500W的TVS就足够了。最大峰值脉冲功耗PM是TVS能承受的最大峰值脉冲功耗值。在特定的最大钳位电压下，功耗PM越大，其突波电流的承受能力越大。在特定的功耗PM下，钳位电压VC越低，其突波电流的承受能力越大。另外，峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。而且，TVS所能承受的瞬态脉冲是不重覆的，元件规定的脉冲重覆频率（持续时间与间歇时间之比）为0.01％。如果电路内出现重覆性脉冲，应考虑脉冲功率的累积，有可能损坏TVS。

（5）电容器量C。电容器量C是由TVS雪崩结截面决定的，是在特定的1MHz频率下测得的。C的大小与TVS管的电流承受能力成正比，C太大将使讯号衰减。因此，C是数据介面电路选用TVS的重要参数。电容器对于数据/讯号频率越高的回路，二极管的电容器对电路的干扰越大，形成噪音或衰减讯号强度，因此需要根据回路的特性来决定所选元件的电容器范围。高频回路一般选择电容器应尽量小（如SAC（500W，50pF，±10%）、LCE（1.5KW，100pF）、低电容器TVS），而对电容器要求不高的回路电容器选择可高于40pF。

4、肖特基二极管与普通二极管的区别

硅管的初始导通压降是0.5V左右，正常导通压降是0.7V左右，在接近极限电流情况下导通压降是1V左右；锗管的初始导通压降是0.2V左右，正常导通压降是0.3V左右，在接近极限电流情况下导通压降是0.4V左右，肖特基二极管的初始导通压降是0.4V左右，正常导通压降是0.5V左右，在接近极限电流情况下导通压降是0.8V左右。

两种二极管都是单向导电，可用于整流场合。区别是普通硅二极管的耐压可以做得较高，但是它的恢复速度低，只能用在低频的整流上，如果是高频的就会因为无法快速恢复而发生反向漏电，最后导致管子严重发热烧毁;肖特基二极管的耐压能常较低，但是它的恢复速度快，可以用在高频场合，故开关电源采用此种二极管作为整流输出用，尽管如此，开关电源上的整流管温度还是很高的。

快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下)，工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V)，反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(SchottkyBarrierDiode)，具有正向压降低(0.4--0.5V)、反向恢复时间很短(10-40纳秒)，而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。这两种管子通常用于开关电源。肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~!前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~!电气特性当然都是二极管阿~!快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。

4、肖特基二极管与快恢复二极管的区别

肖特基二极管：

反向耐压值较低(一般小于150V)，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。

其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的

PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。

 

快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的

扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.

目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 

  

快恢复二极管FRD（FastRecoveryDiode）是近年来问世的新型半导体器件，具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快恢复二极管SRD（SuperfastRecovery Diode），则是在快恢复二极管基础上发展而成的，其反向恢复时间trr值已接近于肖特基二极管的指标。它们可广泛用于开关电源、脉宽调制器（PWM）、不间断电源（UPS）、交流电动机变频调速（VVVF）、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。

肖特基二极管：反向耐压值较低(一般小于150V)，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 

快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.快恢复二极管FRD（FastRecoveryDiode）是近年来问世的新型半导体器件，具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快恢复二极管SRD（SuperfastRecoveryDiode），则是在快恢复二极管基础上发展而成的，其反向恢复时间trr值已接近于肖特基二极管的指标。它们可广泛用于开关电源、脉宽调制器（PWM）、不间断电源（UPS）、交流电动机变频调速（VVVF）、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。

5、TVS二极管与ESD防护二极管的区别

TVS瞬态电压抑制

这里不论TV是如何产生的,比如直接或者间接的雷击,静电放电,大容量的负载投切等因素导致的浪涌.电压从几伏到几十千伏甚至更高. 

ESD静电放电保护 

其中主要应用是HBM 和 MM,简单说,就是人或者设备对器件放电(静电),但是器件不能损坏. 

典型的HBMCLASS1C模型规定一个充电1000V-2000V的100pF的电容通过一个1500欧姆的电阻对器件放电. 

MM模型要比人体模型能量大一些.电容是200pF,电压大概在200-400之间,不过没有串联电阻了. 

典型的人体模型放电,峰值电流小于0.75A,时间150ns 

典型的机器模型放电,峰值电流小于8A,时间5ns 

典型的雷击浪涌(电力线入线处使用的TVS)峰值电流3000A,时间20us

 

TVS二极管和ESD防护二极管原理是一样的,但根据功率和封装来分就不一样. 

ESD防护二极管和TVS比较的话,要看用在那些用途上,像ESD主要是用来防静电,防静电就要求电容值低,一般是1--3.5PF之间为最好.而TVS就做不到这一点,TVS的电容值比较高。

肖特基型号大全

今天我们来说下,肖特基二极管的常见型号与作用,包括具体的参数。肖特基二极管的压降要比普通的二极管低很多,所以自身功耗小,效率很高；反向恢复时间极短,所以适宜工作在高频率状态下；目前常见的肖特基最高结温为150℃-175℃(结温越高表示产品抗温特性越好) 。

肖特基二极管的压降要比普通的二极管低很多,所以自身功耗小,效率很高；反向恢复时间极短,所以适宜工作在高频率状态下；目前常见的肖特基最高结温为150℃-175℃(结温越高表示产品抗温特性越好)。

一、1安培,封装：DO-41

1N5819、电流；1A、压降；0.55V、电压；40V

SR160、电流；1A、压降；0.7V、电压；60V

SR1100、电流；1A、压降；0.85V、电压；100V

 

二、2安培,封装：DO-15

SR240、电流；2A、压降0.55V、电压；40v

SR260、电流；2A、压降0.7V、电压；60v

SR2100、电流；2A、压降0.85V、电压；100v

 

三、3安培,封装：DO-27

SR340电流；3A、压降0.55V、电压；40v

SR360、电流；3A、压降0.7V、电压；60v

SR3100、电流；3A、压降0.85V、电压；100v

 

四、5安培,封装：DO-27

SR540电流；5A、压降0.55V、电压；40v

SR560、电流；5A、压降0.7V、电压；60v

SR5100、电流；5A、压降0.85V、电压；100v

 

五、1安培,贴片封装：DO-214AC

SS14、电流；1A、压降；0.55V、电压；40V

SS16、电流；1A、压降；0.7V、电压；60V

SS18、电流；1A、压降；0.85V、电压；80V

ss110、电流；1A、压降；0.85V、电压；100V

 

六、2安培,贴片封装；DO-214AC

SS24、电流；2A、压降；0.55V、电压；40V

SS26、电流；2A、压降；0.7V、电压；60V

SS28、电流；2A、压降；0.85V、电压；80V

SS210、电流；2A、压降；0.85V、电压；100V

 

七、3安培,贴片封装：DO-214AC

SS34、电流；3A、压降；0.55V、电压；40V

SS36、电流；3A、压降；0.7V、电压；60V

SS38、电流；3A、压降；0.85V、电压；80V

SS310、电流；3A、压降；0.85V、电压；100V

 

八、5安培,贴片封装：DO-214AC

SS54、电流；5A、压降；0.55V、电压；40V

SS56、电流；5A、压降；0.7V、电压；60V

SS58、电流；5A、压降；0.85V、电压；80V

SS510、电流；5A、压降；0.85V、电压；100V

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