大功率场效应管型号(大功率场效应管型号大全)
场效应功率管型号推荐
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上文我们讲述了1800W双通道功放MOS管应用方案，本文我们仍然继续展开舞台音响功放的应用讲述。除了1800W的音响功放是常用于舞台外，3000W舞台音响功放也经常用于大型会议室、多功能厅、会所KTV、家庭影院等等场所的。
对于3000W的舞台音响功放，尤其是双通道的。飞虹半导体的工程师建议可以使用8个FHK94N50A来代换IXFK94N50P2型号参数场效应管。
除此之外，还需要配套16个TO-247-2L封装的FHA60F60CA场效应管用于电路中，即可让产品效果稳定，更保真！
为何是选用FHK94N50A来代换IXFK94N50P2场效应管呢？除上文讲述的原因外，还因为这一款是之前使用在3000W舞台音响功放比较多的产品。在产品半导体国产化发展中，它的500V电压、94A电流参数也是更适合使用在3000W舞台音响功放中。
具体的产品参数我们再来复盘一下：
具有94A、500V的电流、电压，RDS(on)=65mΩ(MAX)@VGS=10V，RDS(on)=47mΩ(TYP)@VGS=10V，最高栅源电压@VGS=±30V。
FHK94N50A是一款N沟道增强型VDMOS-withfrd，TO-264封装大小适合电路。
这款产品还具体参数值为：Vgs（±V）：30；VGS（th）：3.0-5.0V；ID（A）：94A；BVdss（V）：500V。
最大脉冲漏极电流（IDM）：376（A）、反向传输电容：58pF。
2024年的演艺娱乐必然延续2023年的增长持续提升，在研发端如何获得产品性能的升级？建议了解飞虹国产型号：FHK94N50A型号参数来替换IXFK94N50P2型号来应用。
94A、500V的MOS管替换使用，选对的型号参数让企业产品力up。飞虹已获得实用专利及发明15项，并与中山大学、中科院合作研发GaN器件。飞虹产品已经在舞台音响功放、classD专业音频功率放大器，主要为1800W双通道机型、3000W双通道机型的机型中获得广泛应用，帮助合作伙伴解决符合国情、符合国际质量的国内优质产品。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹半导体”即可找到我们，免费试样热线：400-831-6077。
大功率场效应管参数
60W,24V,只不过不到3A而已，不算大功率，电路应该不可行，首先你要确定你的Q4是否是能够直接被IO驱动的，这样的MOSFET不容易找到，由于你的Q4是用来推Q3的，所以大可以选用一个普通三极管就够了，没必要使用MOSFET，Q3电流只有3A，一般MOSFET都可以，不知道你驱动的是什么负载，如果是感性负载，Q3的耐压值要高一些，一般在80-100V左右，如果是阻性负载，就可以选个50V耐压的就够了
大功率场效应管型号大全
1、高频大功率场效应管有：FET2SK2744、2SK1520、CF2N60S等。2、场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junctionFET-JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10~10Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。3、高频及感应加热技术目前对金属材料加热效率最高、速度最快，且低耗环保。它已经广泛应用于各行各业对金属材料的热加工、热处理、热装配及焊接、熔炼等工艺中。它不但可以对工件整体加热，还能对工件*部的针对性加热;可实现工件的深层透热，也可只对其表面、表层集中加热;不但可对金属材料直接加热，也可对非金属材料进行间接式加热。等等。因此，感应加热技术必将在各行各业中应用越来越广泛。高频是指频带由3MHz到30MHz的无线电波。HF多数是用作民用电台广播及短波广播。其对于电子仪器所发出的电波抵抗力较弱，因此经常受到干扰。
超大功率场效应管
电磁炉功率管25N120和20R1203虽然同属于大功率场效应管，但它们在极限电流和饱和压降等方面有所差异，具体如下：
1、25N120各参数值
极限电压：1200V
极限电流：25A
饱和压降：2.5V
2、20R1203各参数值
极限电压：1200V
极限电流：20A
饱和压降：1.48V
两种功率管理论上是可以互相替换的，但在实际应用中，20R1203代换25N120时，经常会出现电磁炉加热慢，功率管自身发热严重的情况。所以，在条件允许的情况下，尽量使用同型号的功率管进行替换。
大功率场效应管参数手册大全
场效应管参数是:N一M0SFET/耐压600V/电流9A/功率50W/。
可以替换的如下：
K2645:600V,1.2Ω,9A,50W
K2141:600V,1.1Ω,6A,35W
K3326:500V,0.85Ω,10A,40W
K1388:30V,0.022Ω,35A,60W
K1101:450V,0.5Ω,10A,50W
场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junctionFET-JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET)。
组成：由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10~10Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。
由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。
FET英文为FieldEffectTransistor，简写成FET。
历史：场效应晶体管于1925年由JuliusEdgarLilienfeld和于1934年由OskarHeil分别发明，但是实用的器件一直到1952年才被制造出来（结型场效应管）。
1960年DawanKahng发明了金属氧化物半导体场效应晶体管，从而大部分代替了JFET，对电子行业的发展有着深远的意义。
场效应管最大功率有多大
如果你想用几个管搭h桥输出5000w的话那几乎是不可能的即使有那么大功率的管子驱动也很困难并且管的成本很高现在大功率一般都是用多管并联的方式但是对管子的对称性要求高点都要同型号的管同批次的也更稳定（不同型号或者批次的话因为参数多少有些差异不太稳定容易烧鸡炸管）我这就有个3000w正弦波的机后级输出就用了24个irf640b希望能帮到你
ir大功率场效应管
1、高频大功率场效应管有：FET2SK2744、2SK1520、CF2N60S等。2、场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junctionFET-JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10~10Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。3、高频及感应加热技术目前对金属材料加热效率最高、速度最快，且低耗环保。它已经广泛应用于各行各业对金属材料的热加工、热处理、热装配及焊接、熔炼等工艺中。它不但可以对工件整体加热，还能对工件*部的针对性加热;可实现工件的深层透热，也可只对其表面、表层集中加热;不但可对金属材料直接加热，也可对非金属材料进行间接式加热。等等。因此，感应加热技术必将在各行各业中应用越来越广泛。高频是指频带由3MHz到30MHz的无线电波。HF多数是用作民用电台广播及短波广播。其对于电子仪器所发出的电波抵抗力较弱，因此经常受到干扰。
大功率场效应管测量方法
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2023年是演艺表演恢复增长的重要一年，仅上半年全球范围的演唱会数量同比增长30%。这意味着将带动上下游的产业，其中舞台音响功放就是一个核心的增长极。对于舞台音响功放厂家如何紧抓接下来恢复增长的市场份额呢？
除做好市场工作外，核心是需要做好自身舞台产品的升级迭代，本文将从1800W双通道机型的音响功放进行详细的搭配建议：
首先我们要了解一款FHK94N50A型号场效应管，它是在静态参数即可兼容原装进口的IXFK94N50P2型号参数，其温升与竞品相当，真正做到国产替代化。
正如上述所说的，FHK94N50A型号场效应管是因其参数完美在1800W双通道功放中使用从而获得市场认可的。除了最基本的94A、500V参数外，还因其具备优秀的产品特点：
1、低导通内阻和低Qg
2、高抗dv/dt能力
3、100%EAS测试，高雪崩耐量，抗冲击能力强
4、100%DVDS热阻测试，散热性能好
5、100%经过Rg测试
6、测试标准高，100%各项参数测试+VTH分档，参数一致性好
7、可靠性高
8、集成快恢复反向二极管
当然除了产品具备的优良特点外，FHK94N50A能替代IXFK94N50P2高压MOS管型号型号其还具备优良的参数：
1、N沟道增强型VDMOS-withfrd
2、TO-264封装大小适合电路
3、Vgs（±V）：30；VGS（th）：3.0-5.0V；
4、ID（A）：94A；BVdss（V）：500V
5、最大脉冲漏极电流（IDM）：376A
6、反向传输电容：58pF
7、静态导通电阻RDS(on)=65mΩ(MAX)@VGS=10V，RDS(on)=47mΩ(TYP)@VGS=10V
上述产品的参数都是经过市场应用检验的，除该款产品可直接替代IXFK94N50P2使用外。飞虹半导体的工程师建议整体电路需要4个可以FHK94N50A型号场效应管并搭配8个FHA60F60CA型号，TO-247-2L封装的场效应管来使用，效果更佳。
飞虹半导体在为电子厂商专业的产品，一站式配齐功率器件的服务，始终站在用户需求出发。
它良好的制作工艺与参数性能给1800W双通道功放做更好的适配，保障产品的可靠性。
市场快速迭代，技术提升因此选对型号很重要。飞虹半导体的MOS管已经广泛应用于电源电路、智能家居、新能源电子领域：如汽车电子、电瓶车、智能音响、家用电器、LED照明、充电器、电脑电源等行业，为国内的电子产品厂家提供了优质的产品以及配套服务。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹半导体”即可找到我们，免费试样热线：400-831-6077。
