场效应管型号大全(场效应管型号大全电路图)
场效应管型号含义
第一种与双极型三极管相同，第三位字母j代表结型场效应管，o代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，d是p型硅，反型层是n沟道；c是n型硅p沟道。例如,3dj6d是结型p沟道场效应三极管，3do6c是绝缘栅型n沟道场效应三极管。 第二种是cs××#，cs代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如cs14a、cs45g等。 场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型和金属-氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 场效应管是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。 由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。
mos场效应管型号参数大全
型号有两种命名方法。 第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型P沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。 第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。 使用时主要关注的参数有： 1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。 2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。 3、UT—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。 4、gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。 5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。 6、PDSM—最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。7、IDSM—最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM。
场效应管型号参数表
MOS管，即金属（Metal）—氧化物（Oxide）—半导体（Semiconductor）场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件。
和普通双极型晶体管相比，MOS管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势，在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越普遍的应用。
┃Mosfet管的种类及结构
MOS管是FET的一种（另一种为JFET结型场效应管），主要有两种结构形式：N沟道型和P沟道型；又根据场效应原理的不同，分为耗尽型（当栅压为零时有较大漏极电流）和增强型（当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流）两种。因此，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。
每一个MOS管都提供有三个电极：Gate栅极（表示为“G”）、Source源极（表示为“S”）、Drain漏极（表示为“D”）。接线时，对于N沟道的电源输入为D，输出为S；P沟道的电源输入为S，输出为D；且增强型、耗尽型的接法基本一样。
图表2 MOS管内部结构图
从结构图可发现，N沟道型场效应管的源极和漏极接在N型半导体上，而P沟道型场效应管的源极和漏极则接在P型半导体上。场效应管输出电流由输入的电压（或称场电压）控制，其输入的电流极小或没有电流输入，使得该器件有很高的输入阻抗，这也是MOS管被称为场效应管的重要原因。
N沟道增强型MOS管在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极（漏极D、源极S）；在源极和漏极之间的SiO2绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G；P型半导体称为衬底，用符号B表示。由于栅极与其它电极之间是相互绝缘的，所以NMOS又被称为绝缘栅型场效应管。
当栅极G和源极S之间不加任何电压，即VGS=0时，由于漏极和源极两个N+型区之间隔有P型衬底，相当于两个背靠背连接的PN结，它们之间的电阻高达1012Ω，即D、S之间不具备导电的沟道，所以无论在漏、源极之间加何种极性的电压，都不会产生漏极电流ID。
图表3 N沟道增强型MOS管结构示意图
当将衬底B与源极S短接，在栅极G和源极S之间加正电压，即VGS＞0时，如图表3（a）所示，则在栅极与衬底之间产生一个由栅极指向衬底的电场。在这个电场的作用下，P衬底表面附近的空穴受到排斥将向下方运动，电子受电场的吸引向衬底表面运动，与衬底表面的空穴复合，形成了一层耗尽层。
如果进一步提高VGS电压，使VGS达到某一电压VT时，P衬底表面层中空穴全部被排斥和耗尽，而自由电子大量地被吸引到表面层，由量变到质变，使表面层变成了自由电子为多子的N型层，称为“反型层”，如图表3（b）所示。
反型层将漏极D和源极S两个N+型区相连通，构成了漏、源极之间的N型导电沟道。把开始形成导电沟道所需的VGS值称为阈值电压或开启电压，用VGS（th）表示。显然，只有VGS＞VGS（th）时才有沟道，而且VGS越大，沟道越厚，沟道的导通电阻越小，导电能力越强；“增强型”一词也由此得来。
图表4 耗尽层与反型层产生的结构示意图
在VGS＞VGS（th）的条件下，如果在漏极D和源极S之间加上正电压VDS，导电沟道就会有电流流通。漏极电流由漏区流向源区，因为沟道有一定的电阻，所以沿着沟道产生电压降，使沟道各点的电位沿沟道由漏区到源区逐渐减小，靠近漏区一端的电压VGD最小，其值为VGD=VGS－VDS，相应的沟道最薄；靠近源区一端的电压最大，等于VGS，相应的沟道最厚。
这样就使得沟道厚度不再是均匀的，整个沟道呈倾斜状。随着VDS的增大，靠近漏区一端的沟道越来越薄。
当VDS增大到某一临界值，使VGD≤VGS（th）时，漏端的沟道消失，只剩下耗尽层，把这种情况称为沟道“预夹断”，如图表4（a）所示。继续增大VDS[即VDS＞VGS－VGS（th）]，夹断点向源极方向移动，如图表4（b）所示。
尽管夹断点在移动，但沟道区（源极S到夹断点）的电压降保持不变，仍等于VGS－VGS（th）。因此，VDS多余部分电压[VDS－（VGS－VGS（th））]全部降到夹断区上，在夹断区内形成较强的电场。这时电子沿沟道从源极流向夹断区，当电子到达夹断区边缘时，受夹断区强电场的作用，会很快的漂移到漏极。
图表5 预夹断及夹断区形成示意图
2、P沟道增强型场效应管原理
P沟道增强型MOS管因在N型衬底中生成P型反型层而得名，其通过光刻、扩散的方法或其他手段，在N型衬底（基片）上制作出两个掺杂的P区，分别引出电极（源极S和漏极D），同时在漏极与源极之间的SiO2绝缘层上制作金属栅极G。其结构和工作原理与N沟道MOS管类似；只是使用的栅-源和漏-源电压极性与N沟道MOS管相反。
在正常工作时，P沟道增强型MOS管的衬底必须与源极相连，而漏极对源极的电压VDS应为负值，以保证两个P区与衬底之间的PN结均为反偏，同时为了在衬底顶表面附近形成导电沟道，栅极对源极的电压也应为负。
图表6 P沟道增强型MOS管的结构示意图
当VDS=0时。在栅源之间加负电压比，由于绝缘层的存在，故没有电流，但是金属栅极被补充电而聚集负电荷，N型半导体中的多子电子被负电荷排斥向体内运动，表面留下带正电的离子，形成耗尽层。
随着G、S间负电压的增加，耗尽层加宽，当VDS增大到一定值时，衬底中的空穴（少子）被栅极中的负电荷吸引到表面，在耗尽层和绝缘层之间形成一个P型薄层，称反型层，如图表6（2）所示。
这个反型层就构成漏源之间的导电沟道，这时的VGS称为开启电压VGS（th），达到VGS（th）后再增加，衬底表面感应的空穴越多，反型层加宽，而耗尽层的宽度却不再变化，这样我们可以用VGS的大小控制导电沟道的宽度。
图表7 P沟道增强型MOS管耗尽层及反型层形成示意图
当VDS≠0时。导电沟道形成以后，D、S间加负向电压时，那么在源极与漏极之间将有漏极电流ID流通，而且ID随VDS而增，ID沿沟道产生的压降使沟道上各点与栅极间的电压不再相等，该电压削弱了栅极中负电荷电场的作用，使沟道从漏极到源极逐渐变窄，如图表7（1）所示。
当VDS增大到使VGD=VGS（即VDS=VGS-VGS（TH）），沟道在漏极附近出现预夹断，如图表7（2）所示。再继续增大VDS，夹断区只是稍有加长，而沟道电流基本上保持预夹断时的数值，其原因是当出现预夹断时再继续增大VDS，VDS的多余部分就全部加在漏极附近的夹断区上，故形成的漏极电流ID近似与VDS无关。
图表8 P沟道增强型MOS管预夹断及夹断区形成示意图
3、N沟道耗尽型场效应管原理
N沟道耗尽型MOS管的结构与增强型MOS管结构类似，只有一点不同，就是N沟道耗尽型MOS管在栅极电压VGS=0时，沟道已经存在。这是因为N沟道是在制造过程中采用离子注入法预先在D、S之间衬底的表面、栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子，该沟道亦称为初始沟道。
当VGS＝0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道，所以只要有漏源电压，就有漏极电流存在；当VGS＞0时，将使ID进一步增加；VGS＜0时，随着VGS的减小，漏极电流逐渐减小，直至ID＝0。对应ID＝0的VGS称为夹断电压或阈值电压，用符号VGS（off）或Up表示。
由于耗尽型MOSFET在VGS=0时，漏源之间的沟道已经存在，所以只要加上VDS，就有ID流通。如果增加正向栅压VGS，栅极与衬底之间的电场将使沟道中感应更多的电子，沟道变厚，沟道的电导增大。
如果在栅极加负电压（即VGS＜0），就会在相对应的衬底表面感应出正电荷，这些正电荷抵消N沟道中的电子，从而在衬底表面产生一个耗尽层，使沟道变窄，沟道电导减小。当负栅压增大到某一电压VGS（off）时，耗尽区扩展到整个沟道，沟道完全被夹断（耗尽），这时即使VDS仍存在，也不会产生漏极电流，即ID=0。
图表9 N沟道耗尽型MOS管结构（左）及转移特性（右）示意图
4、P沟道耗尽型场效应管原理
P沟道耗尽型MOS管的工作原理与N沟道耗尽型MOS管完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性也不同。
5、耗尽型与增强型MOS管的区别
耗尽型与增强型的主要区别在于耗尽型MOS管在G端（Gate）不加电压时有导电沟道存在，而增强型MOS管只有在开启后，才会出现导电沟道；两者的控制方式也不一样，耗尽型MOS管的VGS（栅极电压）可以用正、零、负电压控制导通，而增强型MOS管必须使得VGS>VGS（th）（栅极阈值电压）才行。
┃ Mosfet管的重要特性
1、导通特性
导通的意义是作为开关，相当于开关闭合。NMOS的特性，VGS大于一定的值就会导通，适用于源极接地时的情况（低端驱动），只需栅极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的特性是，VGS小于一定的值就会导通，适用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。
2、损失特性
不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，电流就会被电阻消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧至几十毫欧左右，选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。
3、寄生电容驱动特性
跟双极性晶体管相比，MOS管需要GS电压高于一定的值才能导通，而且还要求较快的导通速度。在MOS管的结构中可以看到，在GS、GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，理论上就是对电容的充放电。
图表10 4种MOS管特性比较示意图
4、寄生二极管
漏极和源极之间有一个寄生二极管，即“体二极管”，在驱动感性负载（如马达、继电器）应用中，主要用于保护回路。不过体二极管只在单个MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。
图表11 寄生二极管位置示意图
5、不同耐压MOS管特点
不同耐压的MOS管，其导通电阻中各部分电阻比例分布不同。如耐压30V的MOS管，其外延层电阻仅为总导通电阻的29%，耐压600V的MOS管的外延层电阻则是总导通电阻的96.5%。
图表12 不同耐压MOS管特点一览表
┃Mosfet管热门型号汇总
END
*免责声明：本文素材版权归原作者所有。icspec仅作引用和参考，不代表icspec的立场。如有异议，请联系我们修改或删除。
芯片规格书搜索工具
○
icspec
○
规格书查询|企业查询|行业资讯
找规格书，就上icspec！
场效应管型号大全电路图
场效应三极管的型号命名方法。与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。 场效应管是通过改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件。它不仅具有双极型三极管的体积小,重量轻,耗电少,寿命长等优点,而且还具有输入电阻高,热稳定性好,抗辐射能力强,噪声低,制造工艺简单,便于集成等特点.因而,在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用.根据结构和工作原理不同,场效应管可分为两大类:结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(IGFET)。 在两个高掺杂的P区中间，夹着一层低掺杂的N区（N区一般做得很薄），形成了两个PN结。在N区的两端各做一个欧姆接触电极，在两个P区上也做上欧姆电极，并把这两个P区连起来，就构成了一个场效应管。从N型区引出的两个电极分别为源极S和漏极D，从两个P区引出的电极叫栅极G，很薄的N区称为导电沟道。
大功率场效应管型号大全
IRFU020、IRFPG42、IRFPF40、IRFP9240、IRFP9140、IRFP240。
场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型（juncTIonFET—JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。
由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。
具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管规格
场效应管4102STP80NF70参数：TO-220，ST，DIP/MOS，N场，68V，98A，0.0098Ω，最大耐压68V。
场效1653应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。
按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
相关内容解释：
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
贴片场效应管型号大全
电视机电源管、行管参数
型号
反压V
电流A
功率W
频率
类型
型号
反压V
电流A
功率W
频率
类型
BU108
1500
5
12.5
BU2525DF
1500
12
125
BU208A
1500
5
12.5
BUW11AF
1000
5
100
BU208D
1500
5
12.5
BUW12AF
1000
8
125
BU209A
1500
5
12.5
BUW13AF
1000
15
175
BU308
1500
5
12.5
BUW14AF
1000
20
175
BU500
1500
6
75
BUW48AF
1000
60
150
BU508A
1500
7.5
75
BUT11A
1000
5
100
BUY71
2200
2
40
BUS12A
1000
8
125
BU2506AF
1500
3.5
50
BUS13A
1000
15
175
BU2506DF
1500
3.5
50
BUS14A
1000
30
250
BU2507AF
1500
6
45
BUX48A
1000
7
175
BU2507DF
1500
6
125
BUX48B
1100
10
175
BU2508AF
1500
8
45
BUX48C
1200
15
175
BU2508DF
1500
8
125
BUX84
800
2
40
BU2520AF
1500
10
45
BUX85
1000
3
40
BU2520DF
1500
10
125
BUX86
1200
4
40
BU2522AF
1500
10
80
BUX98
850
30
250
BU2522DF
1500
10
80
BUX98A
1000
30
250
BU2523AF
1500
10
80
BUX98C
1200
30
250
BU2523DF
1500
10
80
BUT12A
1000
10
100
BU2525AF
1500
12
80
BVW13AF
1000
15
150
NPN
表二：彩电C类电源、行管
型号
反压V
电流A
功率W
频率
类型
型号
反压V
电流A
功率W
频率
类型
2SC1942
1500
3
50
2SC4111
1500
10
150
电源
2SC2027
1500
5
50
2SC4123
1500
7
60
行阻尼
2SC2125
2200
5
50
2SC4199A
1500
10
100
2SC3460
1100
6
100
2SC4291
1500
5
100
2SC3480
1500
3.5
80
2SC4292
1500
6
100
2SC3481
1500
5
120
2SC4303A
1500
6
80
2SC3482
1500
6
120
2SC4589
1500/800
10
50
非阻尼
2SC3484
1500
3.5
80
2SC4706
900
14
130
电源
2SC3485
1500
5
120
2SC4745
1500
6
50
电源
2SC3486
1500
6
120
2SC4769
1500
7
60
行阻尼
2SC3685
1500
6
120
2SC4927
1500
8
50
行阻尼
2SC3686
1500
7
120
2SC5129
1700/700
10
50
非阻尼
2SC3687
1500
8
150
2SC5148
1500
8
50
2SC3688
1500
10
150
2SC5149
1700/700
10
50
行阻尼
2SC3729
1500
5
50
2sc5207
1500
10
50
非阻尼
2SC3883
1500
5
50
2SC5207A
1500
10
60
非阻尼
2SC3886
1400
8
50
5
22SC5297
1500
8
60
电源
2sc4004
900/800
1
30
SI-N电
2SC5339
1500
8
50
行阻尼
2SC5386
1500
8
50
行阻尼
表三：彩电D类电源、行管
型号
反压V
电流A
功率W
类型
型号
反压V
电流A
功率W
类型
2SD348
1500
7
50
2SD1175
1500
5
100
2SD820
1500
5
50
2SD1290
1500
3
50
2SD821
1500
6
50
2SD1291
1500
3
65
2SD822
1500
7
50
2SD1341
1500
5
50
2SD838
2500
3
50
2SD1342
1500
5
50
2SD869
1500
3.5
50
2SD1343
1500
6
50
2SD870
1500
5
50
2SD1344
1500
6
50
2SD871
1500
6
50
2SD1397
1500
3.5
50
2SD898
1500
3
50
2SD1398
1500/800
5
80
2SD899
1500
4
50
2SD1399
1500
6
60
2SD900
1500
5
50
2SD1402
1500
5
120
2SD903
1500
7
50
2SD1403
1500
6
120
电源
2SD904
1500
7
60
2SD1426
1500
3.5
80
2SD950
1500
3
42
2SD1427
1500
5
80
2SD952
1500
3
65
2SD1428
1500
6
80
2SD953
1500
5
70
2SD1431
1500
5
80
2SD954
1500
5
80
2SD1432
1500/800
6
80
2SD957A
1500
6
95
2SD1433
1500
7
80
2SD994
1500
8
50
2SD1434
1700
5
80
2SD995
2500
3
50
2SD1454
1500
4
50
2SD1016
1500
7
50
2SD1455
1500
5
50
2SD1142
1500
3.5
50
2SD1456
1500
6
50
2SD1143
1500
5
65
2SD1545
1500
5
50
电源
2SD1172
1500
5
65
2SD1546
1500
6
50
2SD1173
1500
5
70
2SD1547
1500/800
7
50
2SD1174
1500
5
85
2SD1548
1500
10
50
电源
2SD1554
1500
3.5
40
行阻尼
2SD1732
1500
7
120
2SD1555
1500
5
50
行阻尼
2SD1737
1500
3.5
60
2SD1556
1500
6
50
行阻尼
2SD1738
1500
5
100
2SD1577
1500
5
80
2SD1739
1500
6
100
2SD1632
1500
4
70
2SD1876
1500
3
50
2SD1635
1500
5
100
2SD1877
1500
4
50
2SD1650
1500
3.5
50
2SD1878
1500
5
60
2SD1651
1500
5
60
行阻尼
2SD1879
1500
6
60
2SD1652
1500
6
60
2SD1880
1500
8
70
2SD1653
1500
2.5
50
2SD1881
1500
10
70
行阻尼
2SD1654
1500
3.5
50
2SD1882
1500
3
50
2SD1655
1700
5
60
2SD1883
1500
4
50
2SD1656
1500
6
60
2SD1884
1500
5
60
2SD1710
1500
6
100
电源
2SD1885
1500
6
60
2SD1711
1500
7
100
2SD1886
1500
8
70
2SD1729
1500
3.5
60
2SD1887
1500
10
70
2SD1730
1500
5
100
2SD1911
1500
5
50
2SD1731
1500
6
100
2SD1941
1500
6
50
2SD2253
1700
6
50
彩显行阻
2SD2499
1500
6
50
2SD5148
1500
8
50
电源
表五：场效应管
型号
反压V
电流A
功率W
放大倍数
频率M
类型
型号
反压V
电流A
功率W
放大倍数
频率M
类型
2SK1120
1000
8
150
N
2SK1507
600
9
50
N
2SK2485
900
6
100
N
2SK2718
900
2.5/7.5
40
2SK2645
600
9
50
2SK798
100
40
150
IRF630
200
9
75
*
*
NMOS
2SK799
450
12
120
IRF730
400
5.5
75
*
*
NMOS
2SK850
100
40
125
IRFBC40
600
6.2
125
N
2SK1522
500
50
250
N
2SK1629
500
30
200
N
2SK2333
700
6
50
N
MTP5P25
250
5
75
PMOS
BUZ91A
600
8.5
150
N
2SK1170
500
20
120
N
