jfet型号(jfet型号大功率)

jve型号

IRFU020、IRFPG42、IRFPF40、IRFP9240、IRFP9140、IRFP240。

场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型（juncTIonFET—JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。

由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。

具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

jfet型号大功率

我以前有用过2n5484jfet，淘宝上就有卖，TO-92封装的。jfet的常用型号有2n5457、2n5485、2n5486，2n5484等，这些都可以在市场上买到，均为TO-92封装

jfet mosfet

场效应管4102STP80NF70参数：TO-220，ST，DIP/MOS，N场，68V，98A，0.0098Ω，最大耐压68V。

场效1653应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。

按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。

场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。

相关内容解释：

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

jfet和mos

1、场效应管型号可以通过芯片上的标记或者外部封装的标签来查找。 2、其中芯片上的标记一般包括芯片制造商的标志、型号代码和批次号等信息。而外部封装的标签上会有更详细的信息，例如型号、批次、封装、温度范围等等。 3、此外，需要注意的是不同制造商对场效应管型号标记的方式可能略有区别，因此在寻找型号时需仔细查看和较验信息。同时，还可以通过网络等方式查询相关信息，以确保正确识别出场效应管型号。

jfet和fet

能谱仪可以分辨具体是什么元素产生的辐射。无论是科研实验室还是爱好者，Gamma能谱仪的分辨率巅峰就是高纯锗（HPGe）探测器。我在这里介绍一下我手上这台HPGe能谱仪的修理过程以及最终达到的性能。

这玩意儿长这个样子。。。左侧圆柱状为探测器晶体所在位置，右侧为ColdFinger，用处是塞进液氮杜瓦里，把晶体冷却到液氮温区。

这台HPGe购自某二手仪器回收商，由Ortec生产，型号是GEM-40210，说明是1.33MeV时3inch直径3inch高NaI:Tl的40%的探测效率，分辨率应该是2.10keV@1.33MeV，到手价格大约在800美元左右（包含一个双颈的30L原装Ortec液氮杜瓦）。HPGe到手时发现Preamp损坏。原装Preamp为Ortec自产的厚膜集成电路，目测就是个运算放大器。我初步测试时用一片高速运算放大器在面包板上搭了一个山寨版Preamp，就可以正常出信号。

初步测试

损坏的原装Preamp，上面有个HPA0306的厚膜集成电路，估计是Ortec自己封装的，网上并查不到数据手册。

DIY一个山寨Preamp先测试一下

可以得到脉冲信号，说明至少晶体正常。

这台HPGe的铭牌上要求高压为+3000V，在高压从0加到2000V的过程中，一切都正常，直到加到大约2500V的时候，信号突然消失。经过简单测量，发现内置冷冻JFET被击穿，估计是内部真空度下降，高压下打火，导致JFET被击穿。为了不让800刀就这样打水漂，接下来计划就是打开探测器外壳，更换JFET并重新抽真空。

如何打开阀门？？

这里没有使用徐版主的暴力方法直接锯开杜瓦，因为我的目标是恢复原样。先取下Preamp板和高压RC滤波器。

仔细观察结构，发现这里有两个阀门，三个电Feedthrough。三个电Feedthrough里，一个是JFET的驱动和信号输出，另外一个是高压输入（覆盖有白色绝缘硅胶），最后还有一个连接了PT500温度传感器，温度传感器直接固定在晶体支架上，可以非常方便地监控晶体降温的过程，也可以用于液氮蒸发完时高压电源的interlock，防止打火。经我测试，用标准PT500的曲线，完全降温后晶体大概是80K的样子。

其中第一张图中间的是泄压阀门。可能有人会感到困惑，明明内部是高真空，为什么需要泄压呢？其实这是一个低温杜瓦的标准设计。如果发生漏气（空气漏进杜瓦），降温以后，漏进去的空气会在内部液化，一旦升温，大量液化空气气化会造成气压陡升，可能发生爆炸，所以必须要这个泄压阀来保证安全。这里同时科普一下泄压阀的选择，使用弹簧的泄压阀有时候泄压了以后无法100%密封回去，如果要保证不漏气，必须检漏，或者一开始就用BurstDisk，一旦泄压直接膜片炸开，需要换新。

第二个图里稍小的就是我们这次主要使用的阀门了，打开它很简单，用一个4-40螺丝暴力拉出来就行了，如下图，拔出来以后当然真空就破坏了。

拔出来容易，但是要用它抽真空并且放回去（这种阀门是靠内部真空吸住密封的），就没这么简单了，正常做法是需要一个valveoperator。这个valveoperator不像Canberra的HPGe是那种标准大小，它是Ortec自己的一种规格。我向Ortec询问了价格，需要一个operator外加一个转接器，一套的总价大约是3000美元。鉴于这台HPGe到手价格也就1000刀不到，这里自然不可能购买原厂的工具了。

解决方案是。。。。

打开Solidworks一顿操作。使用O圈进行滑动密封，这也是很多商业的valveoperator的设计。

外加MachineShop一顿操作，成功获得道具。

测试一下，没有clearance问题。

正式打开外壳

先看到的是一块巨大的晶体（晶体在这个一个铝合金外壳内，就不拆开了）

然后看到的是晶体外壳之下有一系列四氟绝缘柱，上面固定了JFET和RC复位电路。

还可以看到内部有一张塑料薄膜在外壳和晶体外壳之间，塑料薄膜上有电弧灼烧痕迹。

看到这里，问题已经很明确了，就是之前判断的晶体外壳和杜瓦外壳打火导致JFET击穿。接下来就是更换JFET。这里用一个同型号的2N4393JFET替换。

注意一点，由于锗的能隙很小，在室温下因为热激发的原因，漏电流巨大，如果用万用表直接测试HPGe晶体，万用表会显示晶体短路。当降温到液氮温度以后漏电流大大降低，万用表就显示开路了（当然这个时候你也无法直接测试晶体两端了，因为晶体一端直接内部连接JFET的门级，为了降低噪声，不连到feedthrough上）。不要因为晶体短路就判断HPGe晶体损坏，HPGe晶体除非碎了，或者吃了太多中子剂量，否则寿命基本是无限的，坏的都是电子元件和真空杜瓦。

恢复真空

分子泵组抽回去。。。由于杜瓦里有分子筛，暴露在大气里以后吸收水蒸气，所以抽的时候水蒸气出气厉害，稍微加热烘烤了一下，抽到1E-5torr完事，反正接下来降温的时候分子筛还能帮忙Cryopumping。

降温，重新测试

这里还是使用Redpitaya14bit125Msps的ADC作为MCA，依然是那个垃圾山寨preamp，可以看到这个峰的宽度已经明显比NaI:Tl要窄得多了，但是离真实HPGe性能还差的老远，初步判断是Preamp问题。

重制Preamp

打开AltiumDesigner一顿操作，新的Preamp基本设计好了。

再测试一下

这下看上去给力多了。这是Co-60的谱，1.332MeV的分辨率大概在10keV的样子，还是没有完全恢复到应有的性能（应该可以到2keV左右），但是日常使用绝对OK，并且分辨率秒杀所有现有的闪烁体探测器。

样品测试

一个据说含有铀的碟子。

积分了很久，高能端的基本都是环境本底，本底的钍链可以看到很多峰，这是闪烁体探测器比较难做到的，低能端通过和本底相减可以看到几个200keV左右的铀的峰，这个图上不是很明显。

接下来是喜闻乐见的“浓缩香蕉”。。。一瓶KOH。。。

这K-40的峰非常非常明显，远远高于本底，放在边上大约5秒钟积分时间就可以清楚地看到。所以如果有人想要在国内测试自己的Gamma能谱仪或者盖格计数器，请购买一大瓶钾盐，水表安全且效果拔群。

至此，这台Ortec的HPGe打摩基本完成，在Pulsar测试中发现，晶体不是分辨率进一步提升的限制。之后可能考虑进一步改进Preamp，换用其他的MCA，或者替换其他JFET看看能否继续逼近原厂分辨率。

jfet型号大全

G、D、S。结型场效应管(JFET)这种器件在外观上看有三个引脚，我们分别给它起的名称是栅极G、漏极D、源极S。由于JFET的S极和D极在结构上具有对称性，所以一般可以互换使用，通常两个电极不必再进一步区分。在需要区分D、S极的场合下，也可以利用万用表测量两个电极之间的电阻值进行判定。JFET一般指结型场效应晶体管。结型场效应晶体管（JunctionField-EffectTransistor，JFET）JFET是在同一块N形半导体上制作两个高掺杂的P区，并将它们连接在一起，所引出的电极称为栅极g，N型半导体两端分别引出两个电极，分别称为漏极d，源极s。

jfet管 型号

如果你想用几个管搭h桥输出5000w的话那几乎是不可能的即使有那么大功率的管子驱动也很困难并且管的成本很高现在大功率一般都是用多管并联的方式但是对管子的对称性要求高点都要同型号的管同批次的也更稳定（不同型号或者批次的话因为参数多少有些差异不太稳定容易烧鸡炸管）我这就有个3000w正弦波的机后级输出就用了24个irf640b希望能帮到你

jfet-p

好象用JFET的人很少啊，如果是大功率，一般都用MOSFET的。

jfet管工作原理

4月份，各家半导体公司已相继公布了2017年第一季度财报，从财报来看，各家半导体赚的可谓盆满钵满，美国国际半导体协会也公布今年第一季度半导体业营收创近年来新高，而存储器类增幅最高。

查看了4月份的热搜分类统计，热搜种类最多的是放大器，其次是收发器，光耦，微控制器；热搜的厂商最多的是ADI，其次是TOSHIBA，TI，ATMEL；热搜停产型号，光耦3个（TLP281-4，PC817，TLP181GB），放大器1个（TAA765A），存储器1个（AT45DB321D-SU）。由于Micron（美光）近期考虑出售NOR闪存事业部，热搜型号中有一个：M25P40-VMN6TPB需要联系美光厂商确认供货事宜；新增热搜型号29个（如下图），其中有一个国产型号：RH6040（四通道触摸感应芯片）。

更多具体型号如下：

一、光耦合器

TLP281-4  搜索次数：2180

该型号是光耦合器，厂家：TOSHIBA，目前该型号【已停产】，替换型号TLP291-4，TLP293-4

根据厂家命名规则，该型号温度适用-55℃至+100℃，封装类型为SOP-16。

TLP185GB  搜索次数：1587

该型号是光耦合器，厂家：TOSHIBA，目前还可以购买。

根据厂家命名规则，该型号温度适用-55℃至+100℃，封装类型为SO-4。

PC817  搜索次数：1431

该型号是常见的线性光耦，厂家：SHARP，目前该系列【已停产】。

根据厂家命名规则，该型号温度适用-30℃至+100℃，封装类型为DIP-8。

TLP181GB搜索次数：1164

该型号是光耦合器，厂家：TOSHIBA，目前该型号【已停产】，替换型号：TLP183、TLP185。

根据厂家命名规则，该型号温度适用-55℃至+110℃，封装类型为SO-4。

TLP291-4搜索次数：971

该型号是光耦合器，厂家：TOSHIBA。 

根据厂家命名规则，该型号温度适用-55℃至+110℃，封装类型为SO-16。

TLP185  搜索次数：917

该型号是光耦合器，厂家：TOSHIBA，目前还可以购买。

该型号采用超薄的封装，厚度仅2.3mm，适合于表面安装，发射极电压：80V，正向电流50mA。根据厂家命名规则，该型号温度适用-55℃至+100℃，封装类型为4引脚SO6。

二、触摸传感器

MPR121QR2  搜索次数：1920

该型号是接近电容式触摸传感器，厂家：NXP。

该型号是继MPR03x系列器件之后的第二代传感器，不仅增加了飞思卡尔第二代电容检测引擎，还增加了电极数，通过硬件配置I2C地址，带去抖功能的扩展过滤系统以及内置自动配置功能的完全独立的电极；并具有第13个模拟电极，可以连接在一起同时充电，在一个触摸板或触摸屏幕阵列上实现增强的接近检测。根据厂家命名规则，该型号温度适用-40℃至+85℃，封装类型为QFN-20。

AT42QT1010-TSHR  搜索次数：810

该型号是电容式触摸传感器，厂家：ATMEL（现为Microchip），目前还可以购买。

该型号电压范围：1.8V-5.5V，能够在上电时自动进行校准，并依据材质的不同，可以配置按键灵敏度；还可检测邻近的物体。根据厂家命名规则，该型号温度适用-40℃至+85℃，封装类型为SOT23-6。

RH6040  搜索次数：778

该型号是四通道触摸感应器，厂家：湖南融和微电子。

该型号电压范围：2.4V-5.5V，低功耗模式工作电流小于5uA(3V无负载)；内置去抖动电路，可有效防止外部噪声干扰而导致的误动作；可通过任何非导电介质感应电容变化，并随环境温度湿度变化的自校正功能；内置稳压电路，可有效防止电源电压纹波干扰。可根据需要封装成：SSOP20、SOP14、SOP8等。

三、放大器

AD623ARZ  搜索次数：1623

该型号是单电源、轨到轨、低成本仪表放大器，厂家：ADI，目前厂家还可购买。

该型号采用3V至12V电源电压时提供轨到轨输出摆幅，可通过单一增益设置电阻进行编程；不接外部电阻时，单位增益配置(G=1)，连接外部电阻时，可通过编程实现最高增益1000；并且具有宽输入共模范围，可以放大共模电压低至地电压以下150mV的信号。根据厂家命名规则，该型号温度适用-40℃至+85℃，封装类型为SOIC-8。

AD620ARZ  搜索次数：1581 

AD620AR  搜索次数：1434

该型号是低漂移、低功耗仪表放大器，增益设置范围1至10000，厂家：ADI，目前厂家还在量产中。

该型号是一款低成本、高精度仪表放大器，仅需要一个外部电阻来设置增益，增益范围为1至10,000。此外，AD620设计小巧，功耗更低（最大电源电流仅1.3mA），且具有高精度（最大非线性度40ppm）、低失调电压（最大50µV）和低失调漂移（最大0.6µV/°C）特性因而非常适合电池供电及便携式（或远程）应用。根据厂家命名规则：该型号适用温度为−40°C至+85°C，封装类型为SOIC-8。

TAA765A  搜索次数：1486

该型号是运算放大器，厂家：SIEMENS，目前【已停产】。

该型号原为西门子半导体，后厂家被Infineon收购。该型号具有宽输入共模范围，高频输出补偿等。根据厂家命名规则：该型号适用温度为−25°C至+85°C，封装类型为PDIP-6。

AD822ARZ  搜索次数：1169

该型号是单电源、轨到轨、低功耗、FET输入双通道运算放大器，厂家：ADI，目前还可以购买。

AD822是一款双通道、精密、低功耗、FET输入运算放大器，可以采用5V至30V单电源或±2.5V至±15V双电源供电。该放大器具有单电源供电能力，输入电压范围可扩展至负供电轨以下，因此它在单电源模式下可以处理地电压以下的输入信号。输出电压摆幅可扩展至各供电轨10mV以内，以提供最大的输出动态范围。直流精度性能包括最大800μV的失调电压、2μV/°C的失调电压漂移、小于25pA的输入偏置电流以及低输入电压噪声，源阻抗最高可达1GΩ。单位增益带宽为1.8MHz，10kHz时总谐波失真（THD）为–93dB，压摆率为3V/μs，每个放大器的电源电流低至800μA。根据厂家命名规则，该型号温度适用-40℃至+85℃，封装类型为窄体的SOIC-8。

LM358DR  搜索次数：1155

该型号是二路通用运算放大器，厂家：TI等，目前厂家还可购买。

该型号包括两个独立的、高增益、内部频率补偿运算放大器，适用于电压范围很宽的单电源（3V-32V）或双电源（1.5V-16V）。根据TI厂家命名规则，该型号温度适用0℃至+70℃，封装类型为：SOIC-8。

MMBT3904  搜索次数：1101

该型号是NPN通用放大器，厂家：Fairchild等。

该器件用于通用放大器和开关。开关的有效动态电流范围已扩展至100mA，放大器的频率已扩展至100MHz。根据厂家命名规则：该型号适用温度为−55°C至+150°C，封装类型为SOT-23。

HMC490  搜索次数：1008  

该系列是一款高动态范围GaAsPHEMTMMIC低噪声放大器，厂家：ADI，目前厂家还在量产中。

该系列工作频率范围为12-17GHz，采用+5V电源时，HMC490提供27dB增益、2dB噪声系数和35dBm输出IP3，且由于尺寸较小，该放大器芯片可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。根据厂家命名规则：该系列适用温度范围为-55°C至+85°C，封装类型为SMT。

OPA2277UA  搜索次数：951

该型号是10µV、0.1µV/˚C、高精度、低功耗运算放大器，厂家：TI，目前厂家还可购买。

该型号是OPAx277系列精密运算放大器系列，具有10μV超低失调电压；±0.1µV/˚C超低失调电压漂移量；1nA的低偏置电流；140dB高共模抑制；±2V至±18V宽电压范围。根据厂家命名规则，该型号温度适用-40℃至+85℃，封装类型为SOIC-8。

AD8512ARZ  搜索次数：818

该型号是低噪声、低输入偏置电流、宽带宽、精密JFET双通道运算放大器，厂家：ADI，目前还可以购买。

该型号不同于其他JFET放大器，当输入电压超过最大共模电压范围时，不会发生输出反相；

在容性负载下仍提供快速压摆率和极高稳定性，非常适合高性能滤波器使用；低输入偏置电流、低失调和低噪声特性，使光电二极管放大器电路具有较宽的动态范围，非常适合音频应用。根据厂家命名规则，该型号温度适用-40℃至+125℃，封装类型为窄体SOIC-8。

四、收发器

ADM3053BRWZ  搜索次数：1584

该型号是信号和电源隔离式CAN收发器，集成隔离式DC-DC转换器，厂家：ADI，目前厂家还可购买。

该型号采用5V单电源供电，集成双通道隔离器、CAN收发器和DC/DC转换器，符合ISO11898标准；片内振荡器输出一对方波，以驱动内部变压器提供隔离电源；在CAN协议控制器与物理层总线之间创建一个完全隔离的接口。最高数据速率1Mbps；并且具有限流和热关断特性，可防止输出短路。根据厂家命名规则，该型号温度适用-40℃至+85℃，封装类型为宽体SOIC-20。

ADM2483BRWZ  搜索次数：1511

该型号是隔离型半双工RS-485收发器，厂家：ADI。

该型号集成了三通道的数字隔离器，带三态输出的差分驱动器和一个带三态输入的RS-485差分接收器，节点数可允许达256个，最高传输速率可达500Kpbs，功耗仅为光耦合器的1/10至1/6，并且具有短路电流限制和热关断电路，无需任何分立元件就可实现RS-485通信。根据厂家命名规则，该型号温度适用-40℃至+85℃，封装类型为宽体SOIC-16。

MAX3232CSE  搜索次数：1175

该型号是3.0V至5.5V、低功耗、1Mbps、真RS-232收发器，厂家：Maxim，目前厂家还在量产中。

该系列器件具有专有的低压差发送器输出级，利用双电荷泵在3.0V至5.5V电源电压下可实现真正的RS-232性能。根据厂家命名规则：该型号适用温度为0°C至+70°C，封装类型为窄体SOIC-16。

SP3232EEN  搜索次数：1123

该型号是3.0V至5.5VRS-232收发器，厂家：Exar，目前厂家还可购买。

该型号具有一个高效的电荷泵，在+3.3V到+5.0V内的某个电压下发送符合RS-232的信号，当工作电压为3.3V时只需0.1µF电容；其ESD保护使得驱动器和接收器的管脚可承受±15kV人体放电模式和IEC1000-4-2气隙放电模式；且包含一种低功耗关断模式，该模式下器件的驱动器输出和电荷泵被禁止，在关断状态下，电源电流低于1µA，非常适用于便携式或手持式设备（如笔记本或掌上型电脑）。根据厂家命名规则，该型号温度适用-40℃至+85℃，封装类型为窄体SOIC-16。

MAX3232EUE搜索次数：938

该型号是3.0V至5.5V、低功耗、1Mbps、真RS-232收发器，使用四只0.1µF外部电容，厂家：Maxim，目前厂家还可购买。

MAX3232EUE+收发器具有专有的低压差发送器输出级，利用双电荷泵在3.0V至5.5V电源电压下可实现真正的RS-232性能，器件仅需四个0.1µF的外部小尺寸电荷泵电容；并且具有2路接收器和2路驱动器，确保在120kbps数据速率下维持RS-232输出电平。根据厂家命名规则，该型号温度适用-40℃至+85℃，封装类型为TSSOP-16。

ADM2682EBRIZ  搜索次数：838

该型号是16Mbps、5kVrms信号和电源隔离RS-485收发器，提供±15kVESD保护，厂家：ADI，目前还可以购买。

该型号将一个3通道隔离器、一个三态差分线路驱动器，一个差分输入接收器和ADI公司的isoPower®DC/DC转换器集成于单封装中；采用5V或者3.3V单电源供电，并且具有限流和热关断。根据厂家命名规则，该型号温度适用-40℃至+85℃，封装类型为SOIC-16。

ISO1050DUBR搜索次数：732

该型号是隔离式5VCAN收发器，厂家：TI，目前还可以购买。

该型号是一款电镀隔离的CAN转发器，优于ISO11898-2标准，适合工作在恶劣环境下，其具有串线、过压和接地损耗保护（﹣27V至40V）以及过热关断功能，共模电压范围为﹣12V至12V；与隔离式电源一起使用，可防止数据总线或者其它电路上的噪音电流进入本地接地并干扰和损坏敏感电路；并可为总线和CAN控制器分别提供差分发射能力和差分接收能力，信号传输速率高达1Mbps。根据厂家命名规则，该型号温度适用-55℃至+105℃，封装类型为窄体SOP-8。

五、微控制器

AT89S52-24AU  搜索次数：1540

该型号是8位低功耗，高性能CMOS微控制器，具有8KBISP闪存，厂家：ATMEL（现为Microchip)，目前厂家还可购买。

该型号采用Atmel的高密度非易失性存储技术生产，其指令与工业标准的80C51指令集兼容；片内程序存储器允许重复在线编程或或用常规的非易失性存储器改写。根据厂家命名规则，该型号温度适用-40℃至+85℃，封装类型为TQFP-44。

STM32F103ZET6  搜索次数：1325

STM32F103CBT6 搜索次数：1233

是STM32F1系列微控制器，厂家：ST，目前厂家还可购买。

采用32位ARMCortex-M3内核，CPU最高速度达72MHz，，具有多种控制外设、USB全速接口和CAN。

STM32F103ZET6该型号温度适用-40℃至+85℃，封装类型为LQFP-144，享有512Kb闪存。

STM32F103CBT6该型号温度适用-40℃至+85℃，封装类型为LQFP-48，享有128Kb闪存。

ATMEGA64A-AU  搜索次数：1178

该型号是高性能、低功耗8位AVRRISC微控制器，厂家：Atmel（现为Micronchip），目前厂家还可购买。

该型号具有64kbISP闪存读写功能，2KBEEPROM，4KBSRAM，53个通用I/O线，32个通用工作寄存器，实时计数器，四灵活的定时器/计数器与比较模式和PWM，两个USART，字节型线串行接口，一个8通道、10位A/D与可编程增益可选的差分输入级转换器，具有内部振荡器的可编程看门狗定时器、SPI串口、JTAG（IEEE1149.1标准）的片上调试和编程测试接口。根据厂家命名规则，该型号温度适用-40℃至+85℃，封装类型为TQFP-64。

ATMEGA8A-AU  搜索次数：959

该型号是8位AVR微控制器，厂家：Atmel（现为Micronchip）

该型号是高性能、低功耗CMOS8位微控制器，8KB系统可编程Flash，工作电压2.7-5.5V，512BEEPROM，1KBSRAM。根据厂家命名规则，该型号温度适用-40℃至+85℃，封装类型为TQFP-32。

PIC16F946-I/PT  搜索次数：934

该型号是带LCD驱动器的8位CMOS单片机，厂家：Microchip，目前厂家还可购买。

该型号是PIC16F系列8位MCU，内核提供8级深硬件堆栈和35个指令，配置高精度内部振荡器，输入频率20MHz，14KByte程序存储器、336ByteSRAM和256ByteEEPROM。根据厂家命名规则，该型号温度适用-40℃至+85℃，封装类型为TQFP-64。

六、存储器

EPCS4SI8N  搜索次数：1503

该型号是4MFPGA配置存储器，厂家：Intel（原Altera），目前厂家还可购买。

该型号是ALTERA的EPSC系列存储器，采用低成本，低引脚数设计，2.7-3.6V供电范围，由每256字节可编程2048页，50μA的低电流和近乎为零的待机电流。根据厂家命名规则，温度适用-40℃至+85℃，封装类型为SOIC-8。

MT41K128M16JT-125:K搜索次数：1422

该型号是2G：x16SDRAM存储器，厂家：Micron，目前厂家还可购买。

该型号是2GDDR3LSDRAM存储器，采用1.35V供电，是1.5V的低压版本，但也能兼容1.5V的运行，容量128M×16=2G，时钟频率800MHz，时钟周期1.25ns，CL=11，DDR3-1600。根据厂家命名规则，两个型号温度适用0℃至+95℃，封装类型为8mm×14mm的FPGA-96。

W25Q32FVSSIG  搜索次数：1417

该型号是带双倍SPI和四倍QPI接口的32M串行闪存，厂家：Winbond（华邦）。

该型号由每页256字节，总共16384页组成；工作电压2.7V-3.6V，正常工作时电流小于4mA，掉电时低于1uA；SPI最高支持104MHz，当用快读双倍/四倍指令时，相当于双倍输出时最高速率208MHz，四倍输出时最高速率416MHz，传输速率比得上8位和16位的并行Flash存储器。根据厂家命名规则，该型号温度适用-40℃至+85℃，封装类型为SOIC-8。

AT45DB321D-SU  搜索次数：1219

该型号是32Mb2.5V或2.7V存储器，厂家：ATMEL，目前【已停产】。

该型号支持RapidS串行接口，与SPI兼容且频率高达66MHz；与传统Flash存储器不同，DataFlash使用RapidS串行接口顺序访问数据，可有效地减少器件引脚数量，方便硬件布线，增强系统可靠性，降低开关噪声；且所有的编程，擦除周期都是自定时的，也不需要高的编程电压，只需2.7V-3.6V的单电源。根据厂家命名规则，该型号温度适用-40℃至+85℃，封装类型为宽体SOIC-8。

M25P40-VMN6TPB搜索次数：853

该型号是4Mb低电压的Nor闪存，厂家：Micron，目前订购需联系厂商。

该型号是M25P40系列4Mb（512Kb×8）闪存，，采用2.3V-3.6V单电源供电，高速SPI串行接口，具有75MHz的高性能时钟频率。根据厂家命名规则，该型号温度适用-40℃至+85℃，封装类型为窄体SO-8（宽3.9mm）。

七、降压转换器

TPS5430DDAR  搜索次数：1485

该型号是5.5V至36V输入，3A降压转换器，厂家：TI，目前厂家还可购买。

该型号是高输出电流PWM，集成了低电阻，高位N沟道MOSFET，具有宽输入电压：5.5V-36V，过流限制，过压保护，热保护的特性。根据厂家命名规则，该型号温度适用-40℃至+125℃，封装类型为SOIC-8。

八、实时时钟芯片

DS3231SN搜索次数：1477

该型号是低成本、高精度I²C实时时钟，厂家：Maxim，目前厂家还可购买。

该型号包含电池输入端，断开主电源时仍可保持精确的计时，并且保存秒、分、时、星期、日期、月和年信息。少于31天的月份，将自动调整月末的日期，包括闰年的修正。时钟的工作格式可以是24小时或带/AM/PM指示的12小时格式。提供两个可设置的日历闹钟和一个可设置的方波输出。地址与数据通过I²C双向总线串行传输。集成晶振提高了器件的长期精确度，并减少了生产线的元件数量。根据厂家命名规则，该型号温度适用-40℃至+85℃，封装类型为SO-16。

PCF8563T搜索次数：1026

该型号是实时时钟/日历芯片，厂家：NXP，目前还可以购买。

该型号是低功耗的CMOS实时时钟/日历芯片，提供一个可编程时钟输出，一个中断输出和掉电检测器，所有的数据和地址通过I2C总线接口串行传递，最大总线速度为400Kbits/s，每次读写数据后，内嵌的字地址寄存器会自动产生增量。根据厂家命名规则，该型号温度适用-40℃至+85℃，封装类型为SO-8。

九、数模转换器（DAC）

AD420ARZ-32搜索次数：1454

该型号是串行输入、16位、4-20mA、0-20mA数模转换器(DAC)，厂家：ADI，目前还可以购买。

该型号是AD420系列DAC，高精度、全集成、低成本设计满足工业需求，输出电流范围可设置为4mA-20mA、0mA-20mA或超量程的0mA-24mA。或者，AD420也可以从一个独立引脚提供电压输出，需要增加一个外部单路缓冲放大器对该引脚进行配置，实现0V-5V、0V-10V、±5V或±10V输出。根据厂家命名规则，该型号温度适用-40℃至+85℃，封装类型为SOIC-24。

DAC7512N  搜索次数：836

该型号是低功耗轨至轨输出12位串行输入DAC（数模转换器），厂家：TI，目前还可以购买。

该型号自带一个时钟达30MHz的通用三线串行接口，与SPI、QSPI、Microwire和DSP接口兼容；供电电压范围：2.7V-5.5V；提供关断工作模式。根据厂家命名规则，该型号温度适用-40℃至+105℃，封装类型为SOT23-6。

十、稳压器

LM1117IMPX-3.3  搜索次数：1429

该型号是800mA低压降线性稳压器，厂家：TI，目前还可以购买。

LM1117可调电压的版本，通过2个外部电阻可实现1.25～13.8V输出电压范围。LM1117提供电流限制和热保护。电路包含1个齐纳调节的带隙参考电压以确保输出电压的精度在±1%以内。输出端需要一个至少10uF的钽电容来改善瞬态响应和稳定性。根据厂家命名规则，该型号温度适用-40℃至+125℃，封装类型为SOT-223。

TL431  搜索次数：887

该系列型号是可调节精密并联稳压器，厂家：TI等。

该系列型号通过两个外部电阻设置，输出电压可以在Vref和36V之间，0.2Ω的典型输出阻抗，6mV典型温度漂移：保证其在0℃至70℃范围内良好的稳定性。另有三个不同的基准电压容差：标准级：2%A级：1%B级：0.5%。由于其特殊的热稳定性，该系列型号温度范围可以适用：汽车，商业，军用温度，即从-40℃可以扩展到125℃。

十一、施密特触发器

74HC14D  搜索次数：1176 

该型号是反相施密特触发器，厂家：Nexperia。

该型号是高速硅栅CMOS器件，与低功耗肖特基TTL针脚兼容，符合JEDEC标准No.7A,并提供六个带施密特触发器动作的反相缓冲器，能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。根据厂家的命名规则，该型号温度适用−40°C至+125°C，封装类型为：SO-14。

十二、LCD驱动器

HT1621B搜索次数：1145

该型号是LCD驱动器，厂家：HOLTEK（合泰）

HT1621是128点（32×4）内存映象和多功能的LCD驱动器，其软件配置特性使它适用于多种LCD应用场合包括LCD模块和显示子系统。用于连接主控制器和其管脚只有3或4条，另其还有一个节电命令用于降低系统功耗。根据厂家命名规则，该型号温度适用-40℃至+85℃，封装类型为SSOP/LQFP-48。

十三、二极管

BAT54C  搜索次数：916

该型号是肖特基势垒二极管，厂家：Nexperia等，目前还可以购买。

该型号具有100mA0.8V低正向电压，低电容和低泄漏电流，以及AEC-Q101资格。根据厂家命名规则，该型号温度适用-65℃至+150℃，封装类型为3引脚SOT23（TO-236AB）。

十四、数字隔离器

ADUM1201BRZ搜索次数：766

该型号是双通道数字隔离器（1/1通道方向性），厂家：ADI，目前还可以购买。

该型号属于ADuM120x产品系列隔离器，提供两个独立的隔离通道，支持多种通道配置和数据速率，可采用2.7V至5.5V电源电压工作，与低压系统兼容，并且能够跨越隔离栅实现电压转换功能。由于不用LED和光电二极管，且不需要外部驱动器和其它分立器件，性能优于光耦合器等，在信号数据速率相当的情况下，功耗只有光耦合器的1/10至1/6。根据厂家命名规则，该型号温度适用-40℃至+125℃，封装类型为窄体SOIC-8。

ADUM4160BRWZ  搜索次数：691

该型号是全速/低速USB数字隔离器，厂家：ADI，目前还可以购买。

该型号完全兼容USB2.0，具有xD+和xD−线路短路保护功能，可采用任一侧的3.1V至5.5V电源电压供电，并能在内部将该电压调节至信号电平，从而与VBUS直接相连；低速速率1.5Mbps，全速速率12Mbps。根据厂家命名规则，该型号温度适用-40℃至+105℃，封装类型为宽体的SOIC-16。

十五、移位寄存器

74HC595D  搜索次数：723

该型号是8位3态串行至串行/并行移位寄存器，厂家：Nexperia（NXP），目前还可以购买。

该型号提供独立的时钟信号给移位寄存器和存储寄存器，存储寄存器具有8位3三态输出。

使用正边缘时钟触发，如果这两个时钟连接在一起，移位寄存器始终在存储寄存器的前一个时钟脉冲。所有输入端口均设有防静电及瞬间过压保护电路。根据厂家命名规则，该型号温度适用-40℃至+125℃，封装类型为SO-16（SOT109-1）。