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常用双向可控硅型号(常用双向可控硅型号及参数)

2024-04-06 16:25:22 来源:阿帮个性网 点击:
文章目录导航:
  1. 双向可控硅选型
  2. 常用双向可控硅型号大全
  3. 双向可控硅用法
  4. 常用双向可控硅型号及参数
  5. 双向可控硅参数说明
  6. 常用双向可控硅参数
  7. 双向可控硅的型号
  8. 常用双向可控硅型号有哪些

双向可控硅选型

电子元器件基础知识

3.1电抗元件

3.12电阻器

*二、电阻器的分类

四、电阻器的标准及命名方法

五、敏感电阻器

1.热敏电阻

2.光敏电阻  MG

3.压敏电阻  MY

4.磁敏电阻  MC

5.力敏电阻  ML                   6.气敏电阻  MQ

7.湿敏电阻器  MS

六、常用电阻器介绍

七、使用常识

3.1.3电位器            一、电位器与可变电阻器构造

二、电位器型号命名与分类

二、电位器的主要技术指标

四、几种常用电位器(略),见课本表3.8。

五、电位器的选用

六、电位器使用常识

3.1.4电容器        

一、电容器的基本概念

二、电容器的分类及型号

三、电容器的主要技术参数

四、几种常用电容器

五、电容器选用

六、使用常识

七、用万用表判断电容器质量

*3.1.5电感器

二、电感器的分类、型号命名

三、电感器主要参数

四、线圈的结构与常用磁芯

五、几种常用的电感器

3.1.6变压器

二、变压器主要特征参数

三、常用变压器简介

3.2机电元件

一、开关

    

二、开关的主要参数

三、常用开关 (见课本P88表3.14)。

*3.2.2连接器

一、连接器的分类

三、常用连接器

3.23继电器

二、几种常用的继电器

3.3半导体分立器件

3.3.1半导体与分立器件的分类与命名

二、半导体分立器件命名 1.中国半导体分立器件命名表3.15。

表3.16 欧洲半导体分立器件型号命名法

表3.17 日本半导体分立器件型号命名方法

表3.18 美国半导体分立器件型号命名法

*万用表及其使用方法

一、MF116型万用表外形和量限范围

二、MF116型万用表刻度盘的读识

三、万用表盘上的符号识别

四、使用万用表注意事项

*Ⅰ二极管及其应用

二、二极管的用途

1.整流

2.检波

3.限幅(利用正向)

4.阻尼与续流作用

三、二极管检测

四、其它种类的二极管

*Ⅱ 可控硅及其应用

二、双向可控硅   VT

三、常用可控硅型号

五、可控硅应用

Ⅲ  晶体三极管

补: 电声器件

七、应用(实验内容)

3.4集成电路

一、按制造工艺和结构分

二、按集成度分

三、按应用领域分

四、按使用功能分

五、按半导体工艺分

六、专用集成电路

3.4.2集成电路的命名与替换

表3.21 国产半导体集成电路命名

外国集成电路简介

3.4.3集成电路封装与引脚识别

74系列与CD4000系列介绍

门电路简介:(1)“与门”电路

(2)“或门”

(3)“非门”(反向器)

(4)“与非”门

关于高低电平的规定

CC4011(CD4011)简介:

声光控延时灯电路电原理图

传声器

常用双向可控硅型号大全

BT131这是1A/600V双向可控硅,有很多型号可以代替:

双向可控硅:BT131-800E,BT132-600D,Z0103MA,Z0103MA0,Z0103NA,Z0103NA0,,Z0107MA,双向可控硅  Z0107MA0 。

扩展资料:

双向特点及应用

双向可控硅可被认为是一对反并联连接的普通可控硅的集成,工作原理与普通单向可控硅相同。双向可控硅有两个主电极T1和T2,一个门极G,门极使器件在主电极的正反两个方向均可触发导通,所以双向可控硅在第1和第3象限有对称的伏安特性。

双向可控硅门极加正、负触发脉冲都能使管子触发导通,因此有四种触发方式。双向可控硅应用为正常使用双向可控硅,需定量掌握其主要参数,对双向可控硅进行适当选用并采取相应措施以达到各参数的要求。

耐压级别的选择:通常把VDRM(断态重复峰值电压)和VRRM(反向重复峰值电压)中较小的值标作该器件的额定电压。选用时,额定电压应为正常工作峰值电压的2~3倍,作为允许的操作过电压裕量。

电流的确定:由于双向可控硅通常用在交流电路中,因此不用平均值而用有效值来表示它的额定电流值。由于可控硅的过载能力比一般电磁器件小,因而一般家电中选用可控硅的电流值为实际工作电流值的2~3倍。 

同时,可控硅承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM时的峰值电流应小于器件规定的IDRM和IRRM。

通态(峰值)电压VTM的选择:它是可控硅通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为减少可控硅的热损耗,应尽可能选择VTM小的可控硅。

维持电流:IH是维持可控硅保持通态所必需的最小主电流,它与结温有关,结温越高,则IH越小。

电压上升率的抵制:dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率,这是防止误触发的一个关键参数。此值超限将可能导致可控硅出现误导通的现象。由于可控硅的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容。

无需参考资料,根据型号参数即可进行调换。

双向可控硅用法

PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E等。双向可控硅TRIAC为三端双向可控硅开关,亦称为双向晶闸管或双向可控硅,在进行使用的时候型号是比较多的,常用的型号有PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E等。

常用双向可控硅型号及参数

1.mac97a8可控硅通过判定可控硅的极性同时也可定性判定出可控硅的好坏。2.可控硅有三个电极:阳极(a)、阴极(k)和控制极(g)。从等效电路上看,阳极(a)与控制极(g)之间是两个反极性串联的pn结,控制极(g)与阴极(k)之间是一个pn结。根据pn结的单向导电特性,将指针式万用表选择适当的电阻档,测试极间正反向电阻(相同两极,将表笔交换测出的两个电阻值),对于正常的可控硅,g、k之间的正反向电阻相差很大;g、k分别与a之间的正反向电阻相差很小,其阻值都很大。这种测试结果是唯一的,根据这种唯一性就可判定出可控硅的极性。

双向可控硅参数说明

普及数电模电知识,科教兴国。

大家好,今天我们来学习可控硅的基础知识。之前我们在讲三极管时说过,三极管是由三层半导体材料组成的,有两个PN结,如下图:

而今天我们要讲的可控硅是由四层半导体材料组成的,有三个PN结:

既然都是由PN结组成,那么它们肯定有相似之处,来,看看下面的是三极管还是可控硅?

哈哈,是不是蒙了?没错,上两图长得像三极管的东西就是可控硅啦,由于它们都是TO-92封装,所以单从外形是区别不出来的,只能通过有字标识的那一面来辨别。上面那个是MCR100-6,是单向可控硅;下面的是97A6,是双向可控硅。

平时我们常见常用的可控硅的型号有:

还有BTA12-600B、BTA16-600B、BT136-600E、TYN1225、70TPS16等都是比较常见和常用的。

下面是关于可控硅的几个主要参数标识:

可控硅,也叫晶闸管,通俗简单地讲就是一个可以用小电流小电压控制大电流大电压的开关,可控硅分单向可控硅和双向可控硅,本期我们先来讲单向可控硅。

单向可控硅有一个脚是控制脚G,另外两个脚分别是A脚和K脚,即阳极和阴极,下面是电路符号:

简单来说,就是单向可控硅分正负极,要想让单向可控硅起到开关控制作用,必须将其A极接到电源正极,K极接电源负极,同时控制极G极也需要加正向电压。我们用单向可控硅MCR100-6控制直流电机的转动作为例子来讲解,让大家懂得如何使用可控硅。

下面是要用到的电路图:

电路非常简单,用到了一个单向可控硅MCR100-6,一个直流电机,这里用到了两个电源,一个5V,一个12V,这样设置双电源的目的,一是为了给大家演示小电流小电压控制大电流大电压的功能,二是能给可控硅的G极控制极加上一个正向的触发电压。

下图是我焊出来的实物图:

当我们把主电路的控制开关S1闭合,电机是不转的。而当我们按下一次复位按键S2,可控硅就会被触发导通,这时直流电机转动了起来。

这里有一点非常特殊,就是当我们按一次S2触发可控硅导通后,松开按键,可控硅依旧导通。没错,这就是可控硅的特性,即一触即发,控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使可控硅导通,却不能使它关断。

那么如何关断触发的可控硅呢?方法有两种,一是可以断开阳极电源,即我们断开图中的S1;二是使阳极电流小于维持导通的最小值,我们称为维持电流。

附上我们的视频教程:

怎么样,这么讲大家还能接受吧?本期我们就讲这么多,下期教大家用单向可控硅MCR100-6设计制作一个调光电路,更多有关电子制作电子DIY的精彩教程欢迎关注:创客e工坊。

常用双向可控硅参数

双向晶闸管,包括KP普通型晶闸管,KS双向晶闸管,KK快速晶闸管,MT系列,晶闸管模块,双向晶闸管型号齐全.原理上是:两个单向晶闸管反向并联。实际中是集成为一个管子。可一双向导通,对电源方向没有要求~

双向可控硅的型号

引言可控硅是一种新型的半导体器件,它有体积小,重量轻,效率高,寿命长,动作快以及使用方便等优点。目前,交流调压器多采用可控硅调压。下面介绍的是一种用可控硅为主要器件来实现自动调压的电路。2总体设计方案2.1可控硅交流调压电路设计思路(1)电网提供220伏(有效值)50赫兹,通过整流电路变成单向的脉动电流。(2)将单向脉动支流电送到可控硅,经电阻降压,作为触发电路的直流电源。(3)通过对电容的冲放电来控制张弛振荡器。(4)形成一个尖脉冲送到可控硅的控制极。(5)调节电阻的阻值可改变电容的冲放电时间,来改变可控硅的导通时刻从而改变输出电压。2.2可控硅交流调压电路的原理方框图如图1所示图1可控硅交流调压方框图(1)整流电路采用桥式整流,将220伏,50赫兹交流电压变为脉动直流电。(2)抗干扰电路为普通电源抗干扰电路。(3)可控硅控制电路采用可控硅和降压电阻组成。(4)张弛振荡器由单结晶体管和电阻组成。(5)冲放电电路有电阻和可变电阻及电容组成。2.3电路原理图图2交流调压电路的原理图2.4工作原理图中tvp抗干扰普通电源电路。采用双向tvp管子。它对于电网的尖脉冲电压和雷电叠加电压等等干扰超过去额定的数值量,都能有效的吸收。整流电路采用桥式整流,由4只二极管组成,d1,d2,d3,d4组成。双基极二极管组成张弛真振荡器作为可控硅的同步触发电路。当调压器接上市电后220伏交流电通过负载电阻rc,二极管d1到d4整流,在可控硅sch的a,k两极形成一个脉动的直流电压。该电压由电阻r1降压后作为触发电路的直流电源。在交流的正半周时,整流电路通过电阻r1,可变电阻w1对电容充电。当充电电压t1管的峰值电压up时,管子由截止变为导通。于是电容c通过t1管的e1,b1结和r2迅速的放电,结果在r2上获得一个尖脉冲。这个脉冲作为控制信号送到可控硅scr的控制极,使可控硅导通。可控硅导通后的管压降很低,一般小于1伏,所以张弛振荡器停止工作。当交流电通过0点时,可控硅自行关断。当交流电在负半周时c又重新充电…周而复始。改变可变电阻的阻值可改变电容的冲放电时间,从而改变可控硅的导通时刻,来改变负载上的的输出电压。2.5参数的选择(1)二极管d1,d2,d3,d4于300伏,整流电流大于0.3安的硅流二极管。型号2cz21b,2cz83e。(2)晶闸管选用正向与反向电压大于300伏,额定平均电流大于1安的可控硅整流器件。型号国产3ct。(3)调压电位器选用阻值围470千欧的wh114—1型的合成炭膜电位器。(4)电阻r1选用功率为1瓦的金属膜电阻。(5)电阻r2,r3,r4选用功率为1/8瓦的炭膜电阻。参考文献[1]崔体人.元器件选用大全.杭州:浙江科学出版社1998。[2]方德寿.实用电子技术手册.北京:国防工业出版社1999。[3]谢自美.电子线路设计实验测试.武汉:华中理工大学出版社1994。[4]电气学会编.电工电子技术手册.北京:科学出版社2004。心得体会这次实习给我的最大感受就是自己的知识太贫乏。拿到这个题目后却不知道如何下手了。平时学的知识都很零碎的存在脑袋里。用的时候去不能系统的组织起来。还有就是自己的计算机知识太差劲了,连以前过的计算机基础知识,由于经常不用而忘记了。所以设计这电路费了很大的劲。刚开始对电路不很懂。不过通过这些实习。我理解了交流调压电路的原理,功能,作用。还有许多参数,每一步都不好走。终于把它给弄明白了。通过这次实习让我学会了查资料。以前都没怎么进图书馆。开始设时,为了一个参数的选择,不得不在图书馆翻一本又一本的厚厚的书。还有为了看论文的格式而浏览了很多的网页。真的快达到废寝忘食的地步了。实习让我明白了平常都是眼高手低。很多东西决的自己会,其实知道的只是一些皮毛。我想学任何东西都是要深入进去的,而不是只学到表面的。我对自己的专业知识也有了一个新的认识,我知道还有很多东西需要自己去努力,认真的学习。

常用双向可控硅型号有哪些

PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E等。双向可控硅TRIAC为三端双向可控硅开关,亦称为双向晶闸管或双向可控硅,在进行使用的时候型号是比较多的,常用的型号有PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E等。