单向可控硅型号(单向可控硅型号一览表)

单向可控硅型号大全

3A/600V的单向可控硅的型号有3CR3AM-12TLC336。TLC336T。TLC336D。TLC336S。TLC336A。

单向可控硅型号符号

字母：kp单向，ks双向,单向可控硅是一种可控整流电子元件,能在外部控制信号作用下由关断变为导通,但一旦导通,外部信号就无法使其关断,只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断.单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比,单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比,差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用.双向可控硅具有两个方向轮流导通、关断的特性.双向可控硅实质上是两个反并联的单向可控硅,是由NPNPN五层半导体形成四个PN结构成、有三个电极的半导体器件.由于主电极的构造是对称的（都从N层引出）,所以它的电极不像单向可控硅那样分别叫阳极和阴极,而是把与控制极相近的叫做第一电极A1,另一个叫做第二电极A2.双向可控硅的主要缺点是承受电压上升率的能力较低.这是因为双向可控硅在一个方向导通结束时,硅片在各层中的载流子还没有回到截止状态的位置,必须采取相应的保护措施.双向可控硅元件主要用于交流控制电路,如温度控制、灯光控制、防爆交流开关以及直流电机调速和换向等电路.单、双向可控硅的判别：先任测两个极,若正、反测指针均不动（R×1挡）,可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）.若其中有一次测量指示为几十至几百欧,则必为单向可控硅.且红笔所接为K极,黑笔接的为G极,剩下即为A极.若正、反向测批示均为几十至几百欧,则必为双向可控硅.再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测,其中必有一次阻值稍大,则稍大的一次红笔接的为G极,黑笔所接为T1极,余下是T2极.性能的差别：将旋钮拨至R×1挡,对于1~6A单向可控硅,红笔接K极,黑笔同时接通G、A极,在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极,指针应指示几十欧至一百欧,此时可控硅已被触发,且触发电压低（或触发电流小）.然后瞬时断开A极再接通,指针应退回∞位置,则表明可控硅良好.

单向可控硅型号开启电压小于5V 有多大功率

kk、kp单向，ks双向，导通后阳极阴极有饱和压降，电流大小有负载决定，超过可控硅额定电流就击穿，工作状态下阳极和阴极电流相同

可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。

可控硅分为单向的和双向，符号也不同，单向可控硅有三个PN结，由最外层的P极和N极引出两个电极，分别称为阳极和阴极，由中间的P极引出一个控制极.，单向可控硅有其独特的特性：当阳极接反向电压或者阳极接正向电压但控制极不加电压时它都不导通，而阳极和控制极同时接正向电压时它就会变成导通状态。一旦导通，控制电压便失去了对它的控制作用，不论有没有控制电压也不论控制电压的极性如何，将一直处于导通状态。要想关断，只有把阳极电压降低到某一临界值或者反向。双向可控硅的引脚多数是按T1、T2、G的顺序从左至右排列(电极引脚向下，面对有字符的一面时)。加在控制极G上的触发脉冲的大小或时间改变时就能改变其导通电流的大小。与单向可控硅的区别是双向可控硅G极上触发脉冲的极性改变时，其导通方向就随着极性的变化而改变，从而能够控制交流电负载。而单向可控硅经触发后只能从阳极向阴极单方向导通，所以可控硅有单双向之分。电子制作中常用可控硅，单向的有MCR-100等，双向的有TLC336等。

单向可控硅型号可以通用吗

概    述

SiliconControlledRectifier 简称SCR，是一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端功率器件，也称可控硅或晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备，它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。

可控硅分单向和双向两种，双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能，其通断状态由控制极G决定，在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题，因此特别适合做交流无触点开关使用。

参     数

 Averageon-statecurrent 

IT(AV)  通态平均电流

晶闸管在规定的环境温度和冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时，所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。同电力二极管一样，这个参数是按照正向电流造成的器件本身的通态损耗的发热效应来定义的。因此在使用时应按照实际波形的电流与通态平均电流所造成的发热效应相等，即有效值相等的原则来选取晶闸管的额定电流，并应留一定的裕量。一般选取通态平均电流为按此原则所得计算结果的1.5-2倍。

On-stateCurrent 

IT(RMS)  通态均方电流

Repetitivepeakoff-statevoltage

VDRM 断态重复峰值电压

断态重复峰值电压是在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压，国标规定重复频率为50H，每次持续时间不超高10ms。规定断态重复峰值电压VDRM为断态不重复峰值电压（即断态最大瞬时电压）VDSM的90%，断态不重复峰值电压应低于正向转折电压VBO，所留裕量大小由生产厂家自行规定。 

RepetitivePeakReverseVoltage 

VRRM  反向重复峰值电压

在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。

BreakoverVoltage  

VBO 转折电压 

Maximumforwardleakagecurrent  

IDRM正向断态重复峰值漏电流 

为晶闸管在阻断状态下承受断态重复峰值电压VDRM时，流过器件的正向峰值漏电流。

 Maximum reverseleakagecurrent 

IRRM  反向断态重复峰值漏电流

为晶闸管在阻断状态下承受断态反向重复峰值电压VRRM时，流过器件的反向峰值漏电流。

BreakoverCurrent 

IBO转折电流

GateTriggerCurrent 

IGT门极触发电流 

为了使可控硅可靠触发，触发电流Igt选择25度时max值的α倍，α为门极触发电流—结温特性系数，查数据手册可得，取特性曲线中最低工作温度时的系数。

HoldingCurrent

IH  维持电流 

维持可控硅维持通态所必需的最小主电流，它与结温有关，结温越高，则IH越小。

 LatchingCurrent 

IL擎住电流

擎住电流是晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流。

On-stateVoltage 

VT 通态电压 

 Peakon-statevoltagedrop

VTM 通态峰值电压

指器件通过规定正向通态峰值电流ITM(晶闸管)时的峰值电压，也称峰值压降，该参数直接反映了器件的通态损耗特性影响着器件的通态电流额定能力。

Onstatethresholdvoltage  

VTO 门槛电压 

Triggeringgatevoltage 

VGT 门极触发电压 

可以选择VGT25度时max值的β倍。β为门极触发电压—结温特性系数，查数据手册可得，取特性曲线中最低工作温度时的系数。

Non-triggeringgatevoltage 

VGD门极不触发电压

PeakForwardGateVoltage 

VFGM门极正向峰值电压

PeakReverseGateVoltage 

VRGM 门极反向峰值电压

PeakForwardGateCurrent

IFGM 门极正向峰值电流 

AverageGatePowerDissipation

PG(AV)门极平均功率

PeakGatePowerDissipation

PGM门极最大峰值功率

ForwardPeakGateCurrent

IGM门极峰值电流

Surge(Non-repetitiveOn-stateCurrent）

ITSM 通态浪涌电流（通态不重复峰值电流）

浪涌电流是指由于电路异常情况引起的使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流。

RMSSurge(Non-repetitive)On-stateFusingCurrent

 I2t 周期电流平方时间积　

CriticalRate-of-riseofOn-stateCurrent

di/dt通态临界电流上升率

指在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。如果电流上升太快，则晶闸管刚一开通，便会有很大的电流集中在门极附近的小区域内，从而造成*部过热而使晶闸管损坏。

CriticalRate-of-riseofOff-stateVoltageorStaticdv/dt

dv/dt 断态临界电压上升率dv/dt

指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。此值超限将可能导致可控硅出现误导通的现象。由于可控硅的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容，dv/dt的变化在电容的两端会出现等效电流，这个电流就会成为Ig，也就是出现了触发电流，导致误触发。

CriticalRate-of-riseofCommutationVoltageofaTriac/(Commutatingdv/dt)  

dv/dt(c) 临界转换电压上升率/切换电压上升率

驱动高电抗性的负载时，负载电压和电流的波形间通常发生实质性的相位移动。当负载电流过零时双向可控硅发生切换，由于相位差电压并不为零，这时双向可控硅须立即阻断该电压，产生的切换电压上升率若超过允许值，会迫使双向可控硅回复导通状态，因为载流子没有充分的时间自结上撤出。

Repetitiverateofriseofon-statecurrentaftertriggering (IGT1~IGT3) 

dIT/dt 通态临界电流上升率

当双向可控硅或闸流管在门极电流触发下导通，门极临近处立即导通，然后迅速扩展至整个有效面积。这迟后的时间有一个极限，即负载电流上升率的许可值。过高的dIT/dt可能导致*部烧毁，并使T1-T2短路。假如过程中限制dIT/dt到一较低的值，双向可控硅可能可以幸存。因此，假如双向可控硅的VDRM在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出或导通时的dIT/dt有可能被超出，可在负载上串联一个几μH的不饱和（空心）电感。

Gate-controlledTurn-onTime 

tgt门极控制延迟时间 

Circuit-commutatedTurn-offTime

tq 周期转换关断时间

恢复晶闸管电压阻断能力所需的最小电路换流反压时间。

OperatingJunctionTemperatureRange

Tj 工作结温

为了长期可靠工作，应保证Rthj-a足够低，维持Tj不高于80%Tjmax,其值相应于可能的最高环境温度。

StorageTemperatureRange 

Tstg 贮存温度 

Max.LeadTemperatureforSolderingPurposes 

TL 引脚承受焊锡极限温度

ThermalResistanceJunctiontomountingbase 

Rth(j-mb) 热阻-结到外壳

ThermalResistanceJunction-to-ambient 

Rth(j-a) 热阻-结到环境

命    名

方法一：

双向可控硅为什么称为“TRIAC”？ 

三端：TRIode(取前三个字母)，交流半导体开关：ACsemiconductorswitch(取前两个字母)， 以上两组名词组合成“TRIAC”中文译意“三端双向可控硅开关”，由此可见“TRIAC”是双向可控硅的简称。

方法二：

双向：Bi-directional(取第一个字母)，控制：Controlled(取第一个字母）整流器：Rectifier(取第一个字母)，再由这三组英文名词的首个字母组合成:“BCR” 中文译意:双向可控硅。以“BCR”来命名双向可控硅的典型厂家如日本三菱，如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。

方法三：　　

双向：Bi-directional(取第一个字母)，  三端：Triode(取第一个字母)，由以上两组单词组合成“BT”，典型的生产商如：意法ST公司、荷兰飞利浦-Philips公司，均以此来命名双向可控硅。代表型号如：PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、等等。这些都是四象限/非绝缘型/双向可控硅。

Philips公司的产品型号前缀为“BTA”字头的，通常是指三象限的双向可控硅。而意法ST公司，则以“BT”字母为前缀来命名元件的型号并且在“BT”后加“A”或“B”来表示绝缘与非绝缘组合成：“BTA”、“BTB”系列的双向可控硅型号，如：四象限/绝缘型/双向可控硅:BTA06-600C、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600B等等；四象限/非绝缘/双向可控硅:BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600B等等。

ST公司所有产品型号的后缀字母（型号最后一个字母）带“W”的，均为“三象限双向可控硅”。如“BW”、“CW”、“SW”、“TW”；代表型号如:BTB12-600BW、BTA26-700CW、BTA08-600SW等等。

至于型号后缀字母的触发电流，各个厂家的代表含义如下：PHILIPS公司：D=5mA，E=10mA，C=15mA，F=25mA，G=50mA，R=200uA或5mA，型号没有后缀字母之触发电流，通常为25-35mA；PHILIPS公司的触发电流代表字母没有统一的定义，以产品的封装不同而不同。

意法ST公司：TW=5mA，SW=10mA，CW=35mA，BW=50mA，C=25mA，B=50mA，H=15mA，T=15mA，注意：以上触发电流均有一个上下起始误差范围，产品PDF文件中均有详细说明，一般分为最小值/典型值/最大值，而非“=”一个参数值。

单向可控硅型号怎么选择

根据工信部统计数据：2016年，中国半导体分立器件产品结构升级有所加快，继续保持平稳的发展态势。2016年半导体分立器件产业产量为6433亿只，同比增长11.0%；2017年我国半导体分立器件产量在7121.3亿只左右。

2004-2017年我国半导体分立器件产量走势图

资料来源：国家统计*、工信部、智研咨询整理

可控硅又叫晶闸管，晶闸管是基础型功率半导体分立器件，尽管后期全控型、高频率、集成化、模块化功率半导体分立器件逐步产生并迅速发展，晶闸管仍然是迄今为止能承受的电压和电流容量相对较高的功率半导体分立器件。

晶闸管是一种三端四层的晶体管，自问世以来，在普通晶闸管的基础上派生出许多不同性能的新型晶闸管，主要包括单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管、高频晶闸管等，每个类别按照不同的参数可继续划分为不同规格型号，晶闸管技术和器件是一个广义的概念，形成功率半导体分立器件的细分行业。晶闸管技术至今仍在继续突破和完善，生产工艺不断优化，产品性能随之提升，由于其技术成熟、工作可靠性高、性价比优势明显等特点，在发电、输电、变电、配电、用电的各个应用场合占有重要地位，具有应用广泛性和不可替代性的特点。

我国半导体行业起步较晚，在国际大型半导体公司实行严格技术封锁的环境下，完全依靠自主创新和技术积累逐步发展起来。现阶段，相对于行业中的全控型功率半导体分立器件，晶闸管是我国半导体分立器件行业中技术比较成熟的细分产品，并在普通晶闸管的基础上，派生出单向晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管、高频晶闸管等新型晶闸管器件，在性能上弥补了普通晶闸管的不足之处，如高频晶闸管提高了普通晶闸管的开关频率、双向晶闸管具有正反两个方向都能控制导通的特性、逆导晶闸管具有反向导通的功能、可关断晶闸管具备自关断能力，为下游行业提供了更多种类、更为经济的功率半导体分立器件系列。

新型晶闸管产品类别丰富的同时，生产工艺的技术瓶颈也实现重大突破。材料的改进和工艺技术的优化促使晶闸管技术向精细化方向发展，全方位提升晶闸管器件的可靠性、稳定性和一致性。行业内的优秀企业通过持续的研发投入和探索创新，掌握了晶闸管领域的核心技术，拥有自主知识产权。

据统计：2016年我国可控硅产量为19.55亿只，2017年我国可控硅产量增长至22.02亿只。

2011-2017年我国可控硅产量走势图

资料来源：智研咨询整理

功率半导体分立器件种类繁多，多代产品并存，产品间不可替代性突出。晶闸管系列产品经过多年发展，与MOSFET和IGBT相比具有自身独特的竞争优势。下游客户在选择功率半导体分立器件时，综合每种器件的实用性、经济性、可靠性、技术成熟性等复合因素做出最终购买决定。在功率半导体分立器件市场上，晶闸管的价格明显低于MOSFE丁、IGB丁产品，其可靠性优势能够保证客户在使用过程中提高终端产品的良品率，减少维修费用，因此，在晶闸管和MOSFET、IGBT并存的市场上，高品质晶闸管以其突出的性价比优势称为众多客户的首选。

我国高端晶闸管的性价比优势更加突出。在产品性能方面，我国高端晶闸管性能己完全具备与国际同类产品竞争的实力;在生产成本方面，我国高端晶闸管生产企业拥有有效的技术成果转化机制，配合新材料应用、生产工艺优化、先进设备投入、人员操作技能提高等多种积极因素的影响，生产成本得到有效控制，单位芯片和器件的成本降低，销售价格也相对偏低，与国际同类晶闸管产品相比，在国内和国际市场上具有更加突出的性价比优势。

据统计：2017年我国可控硅需求总量为84.93亿只，国内需求市场规模从2011年的13.66亿元增长至34.31亿元。

2011-2017年我国可控硅需求总量及市场规模走势图

资料来源：智研咨询整理

2017年我国可控硅产量为22.02亿只，同期国内需求量为84.93亿只，我国可控硅净进口量达到62.91亿只。市场消费主要以来进口。

2015-2017年可控硅产品供需缺口分析

资料来源：智研咨询整理

目前，全球已产生了多家可控硅重点生产企业，包括安森美半导体公司、RENESAS、Littelfuse等。

全球可控硅主要企业

资料来源：智研咨询整理

单向可控硅型号一览表

可控硅(SiliconControlledRecfier)简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。

可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题，因此特别适合做交流无触点开关使用。

结构原件

可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如右图所示。双向可控硅：双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。从外表上看，双向可控硅和普通可控硅很相似，也有三个电极。

但是，它除了其中一个电极G仍叫做控制极外，另外两个电极通常却不再叫做阳极和阴极，而统称为主电极Tl和T2。它的符号也和普通可控硅不同，是把两个可控硅反接在一起画成的，如图2所示。它的型号，在我国一般用“3CTS”或“KS”表示;国外的资料也有用“TRIAC”来表示的。双向可控硅的规格、型号、外形以及电极引脚排列依生产厂家不同而有所不同，但其电极引脚多数是按T1、T2、G的顾序从左至右排列(观察时，电极引脚向下，面对标有字符的一面)。

晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称，又被称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅;1957年美国通用电气公司开发出世界上第一款晶闸管产品，并于1958年将其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和控制极;晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。

晶闸管在工作过程中，它的阳极(A)和阴极(K)与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。晶闸管为半控型电力电子器件，它的工作条件如下： 

1.晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于反向阻断状态。

2.晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。这时晶闸管处于正向导通状态，这就是晶闸管的闸流特性，即可控特性。

3.晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。门极只起触发作用。

4.晶闸管在导通情况下，当主回路电压(或电流)减小到接近于零时，晶闸管关断。

晶闸管(THYRISTOR)又名可控硅，属于功率器件领域，是一种功率半导体开关元件，可控硅是其简称，按其工作特性，可控硅可分为单向可控硅(SCR)、双向可控硅(TRIAC)。可控硅也称作晶闸管，它是由PNPN四层半导体构成的元件，有三个电极、阳极A、阴极K和控制极G。可控硅在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，并且不象继电器那样控制时有火花产生，而且动作快、寿命长、可靠性好。在调速、调光、调压、调温以及其他各种控制电路中都有它的身影。可控硅分为单向的和双向的，符号也不同。

单向可控硅有三个PN结，由最外层的P极和N极引出两个电极，分别称为阳极和阴极，由中间的P极引出一个控制极。单向可控硅有其独特的特性：当阳极接反向电压，或者阳极接正向电压但控制极不加电压时，它都不导通，而阳极和控制极同时接正向电压时，它就会变成导通状态。一旦导通，控制电压便失去了对它的控制作用，不论有没有控制电压，也不论控制电压的极性如何，将一直处于导通状态。要想关断，只有把阳极电压降低到某一临界值或者反向。

双向可控硅的引脚多数是按T1、T2、G的顺序从左至右排列(电极引脚向下，面对有字符的一面时)。加在控制极G上的触发脉冲的大小或时间改变时，就能改变其导通电流的大小。与单向可控硅的区别是，双向可控硅G极上触发脉冲的极性改变时，其导通方向就随着极性的变化而改变，从而能够控制交流电负载。而单向可控硅经触发后只能从阳极向阴极单方向导通，所以可控硅有单双向之分。电子制作中常用可控硅，单向的有MCR-100等，双向的有TLC336等双向可控硅按象限来分，又分为四象三端双向可控硅、三象限双向可控硅;按封装分：

分为一般半塑封装，外绝缘式全塑封装;按触发电流来分：分为微触型、高灵敏度型、标准触发型;按电压分：常规电压品种、高压品种。可控硅产品由于它在电路应用中的效率高、控制特性好、寿命长、体积小、功能强等优点，自上个世纪六十长代以来，获得了迅猛发展，并已形成了一门独立的学科。“晶闸管交流技术”。可控硅发展到今天，在工艺上已经非常成熟，品质更好，成品率大幅提高，并向高压大电流发展。

可控硅在应用电路中的作用体现在：可控整流：如同二极管整流一样，将交流整流为直流，并且在交流电压不变的情况下，有效地控制直流输出电压的大小即可控整流，实现交流→可变直流之转变;无触点功率静态开关(固态开关)：

作为功率开关元件，可控硅可以代替接触器、继电器用于开关频率很高的场合。因此可控硅元件被广泛应用于各种电子设备和电子产品的电路中，多作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等用途。家用电器中的调光灯、调速风扇、冷暖空调器、热水器、电视、冰箱、洗衣机、照相机、音响组合、声控电路、定时控制器、感应灯、圣诞灯控制器、自动门电路、以及玩具装置、电动工具产品、无线电遥控电路、摄像机等工业控制领域等都大量使用了可控硅器件。在这些应用电路中，可控硅元件多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。

单向可控硅型号含义

可控硅

可控硅(SiliconControlledRectifier)简称SCR,是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。

可控硅的分类

可控硅有多种分类方法。

（1）按关断、导通及控制方式分类：可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅（GTO）、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。

（2）按引脚和极性分类：可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。

（3）按封装形式分类：可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中，金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。

（4）按电流容量分类：可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三种。通常，大功率可控硅多采用金属壳封装，而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。

（5）按关断速度分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（快速）可控硅。

（6）过零触发-一般是调功，即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发，必须是过零点才触发，导通可控硅。

（7）非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过改变正弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。

单向可控硅的结构

单向可控硅，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。

以硅单晶为基本材料的四层三端器件,起始于1957年，因为它的特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T，又因为晶闸管最初的在静止整流方面，所以又被称之为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。

在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称"死硅")更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。

可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此功率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。

可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。

可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。

可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。

双向可控硅的结构

双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。双向可控硅元件主要用于交流控制电路，如温度控制、灯光控制、防爆交流开关以及直流电机调速和换向等电路。

从外表上看，双向可控硅和普通可控硅很相似，也有三个电极。但是，它除了其中一个电极G仍叫做控制极外，另外两个电极通常却不再叫做阳极和阴极，而统称为主电极Tl和T2。它的符号也和普通可控硅不同，是把两个可控硅反接在一起画成的，如下图所示。

它的型号，在我国一般用“3CTS”或“KS”表示；国外的资料也有用“TRIAC”来表示的。双向可控硅的规格、型号、外形以及电极引脚排列依生产厂家不同而有所不同，但其电极引脚多数是按T1、T2、G的顾序从左至右排列(观察时，电极引脚向下，面对标有字符的一面)。

单、双向可控硅检测

（1）单、双向可控硅的判别

　　先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。

（2）可控硅的检测方法

　　将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。然后瞬时断开A极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。

对于1~6A双向可控硅，红笔接T1极，黑笔同时接G、T2极，在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极，指针应指示为几十至一百多欧（视可控硅电流大小、厂家不同而异）。然后将两笔对调，重复上述步骤测一次，指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧，则表明可控硅良好，且触发电压（或电流）小。

若保持接通A极或T2极时断开G极，指针立即退回∞位置，则说明可控硅触发电流太大或损坏。可按图2方法进一步测量，对于单向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K灯仍不熄灭，否则说明可控硅损坏。

对于双向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K，灯应不熄灭。然后将电池反接，重复上述步骤，均应是同一结果，才说明是好的。否则说明该器件已损坏。

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