flash型号(flash型号未知0011)

2024-03-31 13:50:10 来源：阿帮个性网点击：

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Flash型号怎么查看
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Flash型号为GT 520C
flash型号未知0011

flash型号里的VSIG是什么意思

1.尝试ChipGeniusV4B11之后的版本2.拆盘3.查主控用量产工具识别

Flash型号怎么查看

指Flash存储器的型号或规格。Flash存储器是一种非易失性存储器，能够在断电的情况下保持存储的数据。它被广泛应用于各种电子产品中，如手机、数码相机、计算机等。不同的Flash型号有不同的规格和性能参数，例如存储容量、读写速度、工作电压等。

flash型号未知

前言

Fee调用Fls接口操作DFlash，而Fls会因不同的芯片而不同，在详解Fee模块前先介绍TC37x芯片的一些DFlash概念，方便后面理解后面的Fee功能。

正文

官方定义：

一块Bank可以包含多个PhysicalSector（后文解释），Bank之间是物理隔离的。比如：DFlash0等同于一个Bank，包含1个PhysicalSector。物理隔离指的是两块内存不相关，比如DFlash0于DFlash1在物理上隔离，即使没有DFlash1也不影响DFlash0，这也是不同芯片型号内存空间可以不同的原因。不同芯片型号，Bank数量不同，内存大小也有所不同。

TC37x芯片DFlash有两块Bank：

Bank 0也就是DFlash0

起始地址：0xAF000000

结束地址：0xAF03FFFF

大小：256Kbyte

Bank 1也就是DFlash1

起始地址：0xAFC00000

结束地址：0xAFC1FFFF

大小：128Kbyte

TC37x芯片PFlash有两块Bank：

官方定义：

PhysicalSector（物理扇区）：内存的一个物理区域与另一个内存区域隔离。一个物理扇区包含多个逻辑扇区。

LogicalSector（逻辑扇区）：Flash擦除的最小单位。一个逻辑扇区可以包含多个wordline。

TC37x芯片中DFlash0（256KBytes）有1个PhysicalSector（256KBytes），在SingleEndedMode下1一个PhysicalSector包含64个LogicalSector，每个LogicalSector大小是4 Kbyte。

TC37x芯片中DFlash0（256KBytes）有1个PhysicalSector（256KBytes），在ComplementSensingMode下1一个PhysicalSector包含128个LogicalSector，每个LogicalSector大小是2 Kbyte。

TC37x芯片中DFlash1（128KBytes）有1个PhysicalSector（128KBytes），在SingleEndedMode下1一个PhysicalSector包含32个LogicalSector，每个LogicalSector大小是4 Kbyte。

TC37x芯片中DFlash1（128KBytes）有1个PhysicalSector（128KBytes），在ComplementSensingMode下1一个PhysicalSector包含64个LogicalSector，每个LogicalSector大小是2 Kbyte。

TC37x芯片中PFlash0/1（3M）有3个PhysicalSector（1M，1024KBytes），每个PhysicalSector包含64个Logical Sector（16KBytes）。也就是说：PFlash0/1（3M）==3*1M（3*PhysicalSectors）==3*64*16（192*Logical Sectors）。

官方定义：

Wordline:字节对齐单位，不同的Flash，对齐字节数不同。TC3xx芯片中，PFlash的Wordline是1024字节，DFlash在singleended模式下的wordline是512字节，在complementsensingmode下是256字节。

Page:Flash进行Programme编程（写）的最小单位。TC3xx芯片中，PFlah中一个Page为32Bytes，DFLash中一个Page为8 Bytes。

End

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flash型号大小

一、说明

1.这里说的是verilog生成的电路程序，不是给内核跑的c程序

2.bin文件和mcs文件都可以固化到flash，但是生成bin文件需要在verilog工程上操作，而我们有时候只能拿到工程编译后的bit文件。而生成mcs文件则只需要有bin文件就可以了，因此我们选择使用mcs文件

3.从flash启动的话有的芯片是通过mode引脚来设置，而我们的AX7103开发板是通过指令设置，使用vivado软件上的功能和板子上的FPGA芯片XC7A100T-2FGG484I进行通信设置其从flash启动

4.关于板载flash型号，可以查看FPGA板子原理图进行确认，我们的这个为3.3V的N25Q128

图1

二、步骤

1.bit文件转成mcs文件，具体参考后面的参考资料

2.烧录mcs文件到flash，具体参考后面的参考资料

3.vivado配置一下boot方式，而且要等180秒

图2

图3

三、参考资料

因为细节比较多，这里直接贴出点网上别人大佬做的比较详细的，可自行前往参考：

技能|【点滴知识】如何使用Vivado工具将BIT转换成MCS格式文件？

https://blog.csdn.net/BlueHeartBoy/article/details/129324276

图4

2.vivado固化程序到flash、生成bin文件、生成mcs文件详细教程https://blog.csdn.net/weixin_62432906/article/details/130390460

图5

Flash型号为GT 520C

1️⃣NandFlash和NorFlash存储器简介

NAND技术的FlashMemory的特点：

1）NANDFLASH以页为单位进行读和编程操作，1页为256B或512B，因此NANDFLASH不用来直接运行程序，需将代码下载到RAM中再运行。NANDFLASH以块为单位进行擦除操作，1块为4KB、8KB或16KB；具有快编程和快擦除的功能，块擦除时间是2ms，而NOR技术的块擦除时间是几百ms。

2）数据、地址采用同一总线，实现串行读取，随机读取速度慢且不能按字节随机编程。

3）芯片尺寸小，成本低

4）芯片包含失效块，其最大数目可达到3~35块取决于存储器密度。失效块不会影响有效块的性能。设计者需要将失效块在地址映射表中屏蔽起来。

2️⃣NandFlash和NorFlash的区别

3️⃣什么是SPINANDFLASH

在嵌入式系统领域，作为存储设备的NORFlash和NANDFlash，大家应该不陌生。早期NORFlash的接口是并行口的形式，也就是把数据线，地址线并排设置在IC的管脚中。但是由于不同容量的并行口NORFlash不能硬件上兼容（数据线和地址线的数量不一样）,并且封装大，占用PCB板的位置较大，逐渐被SPI（串行接口）的NORFlash所取代。

SPINORFlash可以做到不同容量的NORFlash管脚兼容，且采用了更小的封装形式（SOP8较为典型），很快取代了并行接口的NORFlash成为市场主流。以至于现在很多人说起NORFlash都直接以SPIFlash来代称。

而NANDFlash由于采用了地址数据线复用的方式，并且统一了接口标准规定（x8bitorx16bit），从而在不同容量的兼容性上面基本没有问题，所以这类封装及接口形式沿用了很多年。近些年随着产品小型化的需求越来越强烈，并且对方案成本的要求越来越高，SPINANDFlash逐渐出圈。

SPINANDFlash方案的主控（MCU）内可以不需要带有传统NAND的控制器，只需要有SPI的接口，再加入内置ECC，这样可以减少主控的成本，以及省掉MCU做为硬件或软件ECC的功能。

另外，SPINANDFlash的封装形式多采用WSON、TFBGA等封装，尺寸比传统的NANDFlashTSOP的封装要小很多，充分节省了PCB板的空间，较少的管脚数量，从而可以减小PCB的尺寸及层数，既满足了市场小型化的需求也降低了产品的成本。

4️⃣市场应用

为电子产品选择合适的存储器类型颇具挑战性。选择适合应用的存储器时，工程师可以参考以下“技巧与诀窍”：

明确存储器工作条件，例如：

记录应用中存储器正常工作的最小比特率、所需比特率和最大比特率；

选择最接近记录中所需比特率的存储器接口类型；

对于汽车或航天系统等恶劣环境条件，须选择通过汽车级鉴定或辐射耐受性较强的存储器；

使用分线板将所选存储器件连接至微控制器开发套件以测试其性能。

如今，可供工程师选择的非易失性存储器件种类繁多，可用于存储各种数据，从应用代码到配置信息，不一而足。如上所述，工程师需仔细评估应用需求，慎重选型Flash型号，以期取得这些需求与成本之间的平衡。

flash型号未知0011

近日，据韩媒报道，三星除了继续减产以外，还将DRAM和NAND的合同价调涨了10%-20%。存储芯片在经历许久的低迷行情后，似乎终于有回暖的迹象。而随着三星减产涨价的消息，终端厂商开始抢货，但上游材料厂却因三星减产而被迫暂停运营部分工厂，整体呈现有人欢喜有人愁的境况。

三星内存芯片最高涨20%

三星DRAM开发的部门负责人HwangSang-Jun也表示，从第三季开始内存市场的供需正在达到平衡，第四季开始将出现大量的需求，明年基本会是「需求主导」的市场。

业界还预计三星下半年将再度减产DRAM，该公司目标是在今年底前将库存全面降至健康水准。在三星大减DDR4产能情况下，有望带动DDR4产品价格上涨，预期最快今年底的DDR4市场报价将开始拉升。

存储厂商群联也表示，部分NAND控制芯片开始出现客户端库存不足的状况，因此NAND控制芯片客户也开始陆续下单；此外，由于某些NAND储存应用市场需求缓步回温，部分特定的NANDFlash型号可能会在第四季出现供给不足的现象。

终端厂商抢购低价库存

上游原厂的涨价，也带动了中间通路及下游厂商的一系列动作。

台媒经济日报报道，随着上游NANDFlash原厂如三星、铠侠、SK海力士等开始拉高晶圆合约价，由于中间通路及下游系统模块厂手中库存低于正常季节水平，引发终端业者抢货，将进一步带动第4季内存模块价格全面走扬。

据悉，先前通路商及下游系统模块厂因市况不佳，加上预期价格可能持续下跌情况下，尽量降低持有内存库存。而后，随着内存原厂价格喊涨，原先就没有相关库存的终端厂商，为抢拿中间通路及下游系统模块厂所剩不多的相对低价库存，开始使出浑身解数拉货。

韩国材料厂被迫减产、暂时停工

不过，尽管原厂涨价似乎意味行情将好转，但负责供给材料的厂商，情况就有点不一样。

据TheElec报道，随着三星电子、SK海力士等存储厂商削减NAND产量，今年下半年韩国半导体材料企业陷入疲软。有业内人士透露，韩国部分NAND材料公司的供应量较去年减少50%以上，部分材料公司甚至停止工厂运营以应对NAND减产。

NAND生产中使用的一些化学品包括C3H2F6、C4F6和WF6，以及光刻胶和高选择性磷酸。

化工公司Foosung近期表示，由于库存调整和芯片客户减产，将从9月11日开始暂停其C3H2F6工厂的运营，该公司还生产C4F6和沉积气体WF6。

三星3DNAND光刻胶独家供应商DongjinSemichem预计收入将大幅下降，该公司光刻胶销售收入达2000亿韩元。为3DNAND生产供应磷酸的Soulbrain，第二季度收入下降19.8%。

整体而言，存储产业已迈入复苏循环，但由于终端需求力道不强，报价上涨较为温和，预期上游存储芯片制造及封装获利改善速度较慢。

价格方面，存储报价近期出现止跌信号，NANDFlash报价于第三季开始回升，且三星第四季扩大减产，支撑涨势延续；DRAM报价上涨时间虽然递延，但第四季守稳，有望于2024年上半年开始回升。

据TrendForce最新报告显示，整体DRAM现货价格有所企稳，现货成交量也有所增加；预计到今年年底现货价格将基本保持不变。NAND闪存现货市场中，买家担心低价不再，在实际交易中犹豫是否跟进价格和囤货，不断提出订单询价。

注：部分信息综合自科创板日报、集微网等，文章仅供学习和交流之用，不构成任何建议，不代表本号立场，如有任何问题，敬请联系我们，谢谢。