二级管型号(二极管型号参数)
升压二极管型号
二极管是一种能够将交流电能转化成为直流电能的半导体器件，整流二极管具有明显的单向导电性，是一种大面积的功率器件，结电容大，工作频率较低，一般在几十千赫兹，反向电压从25V到3000V。
常见的型号有：
05Z6.2Y硅稳压二极管Vz=6~6.35V，Pzm=500mW，05Z18Y硅稳压二极管Vz=17.55~18.45V，Pzm=500mW，1N4001硅整流二极管50V，1A，1N4002硅整流二极管100V，1A，1N4003硅整流二极管200V，1A，1N4004硅整流二极管400V，1A，1N4005硅整流二极管600V，1A，1N4006硅整流二极管800V，1A，1N4007硅整流二极管1000V，1A，1N5392硅整流二极管100V，1.5A，1N5393硅整流二极管200V，1.5A，1N5394硅整流二极管300V，1.5A，1N5395硅整流二极管400V，1.5A，1N5396硅整流二极管500V，1.5A，1N5397硅整流二极管600V，1.5A，1N5398硅整流二极管800V，1.5A，1N5399硅整流二极管1000V，1.5A，1N5401硅整流二极管100V，3A，1N5402硅整流二极管200V，3A，1N5403硅整流二极管300V，3A，1N5404硅整流二极管400V，3A，1N5405硅整流二极管500V，3A，1N5406硅整流二极管600V，3A，1N5407硅整流二极管800V，3A，1N5408硅整流二极管1000V，3A
低压降二极管型号
二极管不是以单一的单位值所表示，其在电路图中以字母D表记，在其后可跟以型号和参数表示。
二极管型号标注含义
GeneralPurposeRectifiersDiodes普通整流二极管GRD1N4001W,1N4002W,1N4003W,1N4004W,1N4005W,1N4006W,1N4007W,S1AF,S1BF,S1DF,S1GF,S1JF,S1KF,S1MF,S2AF,S2BF,S2DF,S2GF,S2JF,S2KF,S2MF,S3AF,S3BF,S3DF,S3GF,S3JF,S3KF,S3MF,S2ABF,S2BBF,S2DBF,S2GBF,S2JBF,S2KBF,S2MBF,S3ABF,S3BBF,S3DBF,S3GBF,S3JBF,S3KBF,S3MBF,S5ABF,S5BBF,S5DBF,S5GBF,S5JBF,S5KBF,S5MBF,S1A,S1B,S1D,S1G,S1J,S1K,S1M,S2A,S2B,S2D,S2G,S2J,S2K,S2M,S2AB,S2BB,S2DB,S2GB,S2JB,S2KB,S2MB,S3AB,S3BB,S3DB,S3GB,S3JB,S3KB,S3MB,S3AC,S3BC,S3DC,S3GC,S3JC,S3KC,S3MC,S5AC,S5BC,S5DC,S5GC,S5JC,S5KC,S5MCFastRecoveryRectifierDiodes快恢复二极管,FRFR101W,FR102W,FR103W,FR104W,FR105W,FR106W,FR107W,RS1AF,RS1BF,RS1DF,RS1GF,RS1JF,RS1KF,RS1MF,RS2AF,RS2BF,RS2DF,RS2GF,RS2JF,RS2KF,RS2MF,RS3AF,RS3BF,RS3DF,RS3GF,RS3JF,RS3KF,RS3MF,RS2ABF,RS2BBF,RS2DBF,RS2GBF,RS2JBF,RS2KBF,RS2MBF,RS3ABF,RS3BBF,RS3DBF,RS3GBF,RS3JBF,RS3KBF,RS3MBF,RS5ABF,RS5BBF,RS5DBF,RS5GBF,RS5JBF,RS5KBF,RS5MBF,RS1A,RS1B,RS1D,RS1G,RS1J,RS1K,RS1M,RS2A,RS2B,RS2D,RS2G,RS2J,RS2K,RS2M,RS2AB,RS2BB,RS2DB,RS2GB,RS2JB,RS2KB,RS2MB,RS3AB,RS3BB,RS3DB,RS3GB,RS3JB,RS3KB,RS3MB,RS3AC,RS3BC,RS3DC,RS3GC,RS3JC,RS3KC,RS3MC,RS5AC,RS5BC,RS5DC,RS5GC,RS5JC,RS5KC,RS5MC,HighEfficiencyRectifierDiodes高效整流二极管,HERDUS1AW,US1BW,US1DW,US1GW,US1JW,US1KW,US1MW,US1AF,US1BF,US1DF,US1GF,US1JF,US1KF,US1MF,US2AF,US2BF,US2DF,US2GF,US2JF,US2KF,US2MF,US3AF,US3BF,US3DF,US3GF,US3JF,US3KF,US3MF,US2ABF,US2BBF,US2DBF,US2GBF,US2JBF,US2KBF,US2MBF,US3ABF,US3BBF,US3DBF,US3GBF,US3JBF,US3KBF,US3MBF,US5ABF,US5BBF,US5DBF,US5GBF,US5JBF,US5KBF,US5MBF,US1A,US1B,US1D,US1G,US1J,US1K,US1M,US2A,US2B,US2D,US2G,US2J,US2K,US2M,US2AB,US2BB,US2DB,US2GB,US2JB,US2KB,US2MB,US3AB,US3BB,US3DB,US3GB,US3JB,US3KB,US3MB,US3AC,US3BC,US3DC,US3GC,US3JC,US3KC,US3MC,US5AC,US5BC,US5DC,US5GC,US5JC,US5KC,US5MC,UltraFastRecoveryRectifierDiodes超快恢复二极管UFRES1AW,ES1BW,ES1DW,ES1GW,ES1JW,ES1AF,ES1BF,ES1DF,ES1GF,ES1JF,ES2AF,ES2BF,ES2DF,ES2GF,ES2JF,ES3AF,ES3BF,ES3DF,ES3GF,ES3JF,ES2ABF,ES2BBF,ES2DBF,ES2GBF,ES2JBF,ES3ABF,ES3BBF,ES3DBF,ES3GBF,ES3JBF,ES1A,ES1B,ES1D,ES1G,ES1J,ES2A,ES2B,ES2D,ES2G,ES2J,ES2AB,ES2BB,ES2DB,ES2GB,ES2JB,ES3AB,ES3BB,ES3DB,ES3GB,ES3JB,ES3AC,ES3BC,ES3DC,ES3GC,ES3JC,ES5AC,ES5BC,ES5DC,ES5GC,ES5JC,
12v稳压二极管型号
二极管的参数主要有以下几点（知道特点就可以进行替换使用了）:
1．反向饱和漏电流IR指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，该电流与半导体材料和温度有关。
2．额定整流电流IF指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。目前大功率整流二极管的IF值可达1000A。
3.最大平均整流电流IO在半波整流电路中，流过负载电阻的平均整流电流的最大值。这是设计时非常重要的值。
4.最大浪涌电流IFSM允许流过的过量的正向电流。它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。
5．最大反向峰值电压VRRM即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二极管损坏。这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。因给整流器加的是交流电压，它的最大值是规定的重要因子。最大反向峰值电压VRRM指为避免击穿所能加的最大反向电压。目前最高的VRRM值可达几千伏。
6.最大直流反向电压VR上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，VR是连续加直流电压时的值。用于直流电路，最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的。
7．最高工作频率fM由于PN结的结电容存在，当工作频率超过某一值时，它的单向导电性将变差。点接触式二极管的fM值较高，在100MHz以上；整流二极管的fM较低，一般不高于几千赫。
8．反向恢复时间Trr当工作电压从正向电压变成反向电压时，二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。实际上，一般要延迟一点点时间。决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。虽然它直接影响二极管的开关速度，但不一定说这个值小就好。也即当二极管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近IR时所需要的时间。大功率开关管工作在高频开关状态时，此项指标至为重要。
9.最大功率P二极管中有电流流过，就会吸热，而使自身温度升高。最大功率P为功率的最大值。具体讲就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流。这个极限参数对稳压二极管，可变电阻二极管显得特别重要。
下面附上一张常用二极管型号的表格，大家看看自己用过哪些管子。
注：以下数据可能会有错误，详情请查阅数据手册。
1N4000系列普通二极管
开关二极管
1N47xx系列稳压二极管
1N52xx系列稳压二极管
1N539x系列二极管
1N54xx系列二极管
1N7xx系列二极管
1N9xxx系列二极管
BYxxx系列二极管
FR10x系列二极管
HERxxx系列快恢复二极管
MURxxx系列快恢复二极
问：普通二极管能和稳压二极管替换么？
虽然正向加电压时，都是导通。但反向加电压时，稳压二极管串一个电阻能获得一个比较恒定的电压。这是普通二极管无法做到的。也就是说，普通二极管主要工作于电压正反向时的导通或截止，而稳压二极管主要工作于反向电压时获得一个稳定电压。
肖特基二极管型号
1N4000系列普通二极管
序号
型号
VRRM[V]
Io[A]
CJ[pF]
IFSM[A]
封装
说明
1
1N4001
50
1
-
30
DO-41
普通二极管
2
1N4002
100
1
-
30
DO-41
普通二极管
3
1N4003
200
1
-
30
DO-41
普通二极管
4
1N4004
400
1
-
30
DO-41
普通二极管
5
1N4005
600
1
-
30
DO-41
普通二极管
6
1N4006
800
1
-
30
DO-41
普通二极管
7
1N4007
1000
1
-
30
DO-41
普通二极管
开关二极管
序号
型号
VRRM[V]
Io[A]
CJ[pF]
IFSM[A]
封装
说明
1
1N4148
100
0.2
-
1
DO-35
开关二极管
2
1N4150
50
0.2
-
1
DO-35
开关二极管
3
1N4448
50
0.2
-
1
DO-35
开关二极管
4
1N4454
50
0.2
-
1
DO-35
开关二极管
5
1N457
70
0.2
-
1
DO-35
开关二极管
6
1N457
70
0.2
-
1
DO-35
开关二极管
7
1N914
50
0.2
-
1
DO-35
开关二极管
8
1N914A
50
0.2
-
1
DO-35
开关二极管
9
1N916
50
0.2
-
1
DO-35
开关二极管
10
1N916A
50
0.2
-
1
DO-35
开关二极管
1N47xx系列稳压二极管
序号
型号
Vz[V]
Zz[Ω]
Iz[mA]
IRZ[uA]
封装
说明
1
1N4728
3.3
10
76
100
DO-41
稳压二极管
2
1N4729
3.6
10
69
100
DO-41
稳压二极管
3
1N4730
3.9
9
64
50
DO-41
稳压二极管
4
1N4731
4.3
9
58
10
DO-41
稳压二极管
5
1N4732
4.7
8
53
10
DO-41
稳压二极管
6
1N4733
5.1
7
49
10
DO-41
稳压二极管
7
1N4734
5.6
5
45
10
DO-41
稳压二极管
8
1N4735
6.2
2
41
10
DO-41
稳压二极管
9
1N4736
6.8
3.5
37
10
DO-41
稳压二极管
10
1N4737
7.5
4
34
10
DO-41
稳压二极管
11
1N4738
8.2
4.5
31
10
DO-41
稳压二极管
12
1N4739
9.1
5
28
10
DO-41
稳压二极管
13
1N4740
10
7
25
10
DO-41
稳压二极管
14
1N4741
11
8
23
5
DO-41
稳压二极管
15
1N4742
12
9
21
5
DO-41
稳压二极管
16
1N4743
13
10
19
5
DO-41
稳压二极管
17
1N4744
15
14
17
5
DO-41
稳压二极管
18
1N4745
16
16
15.5
5
DO-41
稳压二极管
19
1N4746
18
20
14
5
DO-41
稳压二极管
20
1N4747
20
22
12.5
5
DO-41
稳压二极管
21
1N4748
22
23
11.5
5
DO-41
稳压二极管
22
1N4749
24
25
10.5
5
DO-41
稳压二极管
23
1N4750
27
35
9.5
5
DO-41
稳压二极管
24
1N4751
30
40
8.5
5
DO-41
稳压二极管
25
1N4752
33
45
7.5
5
DO-41
稳压二极管
1N52xx系列稳压二极管
序号
型号
VRRM[V]
Io[A]
CJ[pF]
IFSM[A]
封装
说明
1
1N5221B
-
-
-
-
DO-41
系列稳压二极管
-1N5257B
1N539x系列二极管
序号
型号
VRRM[V]
Io[A]
CJ[pF]
IFSM[A]
封装
说明
1
1N5391
50
1.5
-
50
DO-15
普通二极管
2
1N5391
50
1.5
-
50
DO-15
普通二极管
3
1N5392
100
1.5
-
50
DO-15
普通二极管
4
1N5393
200
1.5
-
50
DO-15
普通二极管
5
1N5394
300
1.5
-
50
DO-15
普通二极管
6
1N5395
400
1.5
-
50
DO-15
普通二极管
7
1N5396
500
1.5
-
50
DO-15
普通二极管
8
1N5397
600
1.5
-
50
DO-15
普通二极管
9
1N5398
800
1.5
-
50
DO-15
普通二极管
10
1N5399
1000
1.5
-
50
DO-15
普通二极管
1N54xx系列二极管
序号
型号
VRRM[V]
Io[A]
CJ[pF]
IFSM[A]
封装
说明
1
1N5401
50
3
-
200
DO-201AD
普通二极管
2
1N5402
100
3
-
200
DO-201AD
普通二极管
3
1N5403
200
3
-
200
DO-201AD
普通二极管
4
1N5404
400
3
-
200
DO-201AD
普通二极管
5
1N5405
500
3
-
200
DO-201AD
普通二极管
6
1N5406
600
3
-
200
DO-201AD
普通二极管
7
1N5407
800
3
-
200
DO-201AD
普通二极管
8
1N5408
1000
3
-
200
DO-201AD
普通二极管
1N7xx系列二极管
序号
型号
Vz[V]
Zz[Ω]
Iz[mA]
IRZ[uA]
封装
说明
1
1N746A
3.3
28
20
30
DO-35
稳压二极管
2
1N747A
3.6
24
20
30
DO-35
稳压二极管
3
1N748A
3.9
23
20
30
DO-35
稳压二极管
4
1N749A
4.3
22
20
30
DO-35
稳压二极管
5
1N750A
4.7
19
20
30
DO-35
稳压二极管
6
1N751A
5.1
17
20
20
DO-35
稳压二极管
7
1N752A
5.6
11
20
20
DO-35
稳压二极管
8
1N753A
7.3
7
20
20
DO-35
稳压二极管
9
1N754A
6.8
5
20
20
DO-35
稳压二极管
10
1N755A
7.5
6
20
20
DO-35
稳压二极管
11
1N756A
8.2
8
20
20
DO-35
稳压二极管
12
1N757A
9.1
10
20
20
DO-35
稳压二极管
13
1N758A
10
17
20
20
DO-35
稳压二极管
14
1N759A
12
30
20
20
DO-35
稳压二极管
1N9xxx系列二极管
序号
型号
Vz[V]
Zz[Ω]
Iz[mA]
IRZ[uA]
封装
说明
1
1N957B
6.8
4.5
18.5
150
DO-35
系列二极管
2
1N958B
7.5
5.5
16.5
75
DO-35
系列二极管
3
1N959B
8.2
6.5
15
50
DO-35
系列二极管
4
1N960B
9.1
7.5
14
25
DO-35
系列二极管
5
1N961B
10
8.5
12.5
10
DO-35
系列二极管
6
1N962B
11
9.5
11.5
5
DO-35
系列二极管
7
1N963B
12
11.5
10.5
5
DO-35
系列二极管
8
1N964B
13
13
9.5
5
DO-35
系列二极管
9
1N965B
15
16
8.5
5
DO-35
系列二极管
10
1N966B
16
17
7.8
5
DO-35
系列二极管
11
1N967B
18
21
7
5
DO-35
系列二极管
12
1N968B
20
25
6.2
5
DO-35
系列二极管
13
1N969B
22
29
5.6
5
DO-35
系列二极管
14
1N970B
24
33
5.2
5
DO-35
系列二极管
15
1N971B
27
41
4.6
5
DO-35
系列二极管
16
1N972B
30
49
4.2
5
DO-35
系列二极管
17
1N973B
33
58
3.8
5
DO-35
系列二极管
BYxxx系列二极管
序号
型号
VRRM[V]
Io[A]
CJ[pF]
IFSM[A]
封装
说明
1
BYQ28E
-
-
-
-
TO-220
-
2
BYP100
-
-
-
-
TO-220
-
3
BYP103
-
-
-
-
TO-220
-
4
BYP301
-
-
-
-
TO-220
-
5
BYP302
-
-
-
-
TO-220
-
6
BYP303
-
-
-
-
TO-220
-
7
BYV26A
200
1
-
30
SOD-57
-
8
BYV26B
400
1
-
30
SOD-57
-
9
BYV26C
600
1
-
30
SOD-57
-
10
BYV26D
800
1
-
30
SOD-57
-
11
BYV26E
1000
1
-
30
SOD-57
-
12
BYW29-50
50
8
-
100
TO-220
快恢复二极管
13
BYW29-100
100
8
-
100
TO-220
快恢复二极管
14
BYW29-150
150
8
-
100
TO-220
快恢复二极管
15
BYW29-200
200
8
-
100
TO-220
快恢复二极管
FR10x系列二极管
序号
型号
VRRM[V]
Io[A]
CJ[pF]
IFSM[A]
封装
说明
1
FR101
50
1
50
35
DO-41
快恢复二极管
2
FR102
100
1
50
35
DO-41
-
3
FR103
200
1
50
35
DO-41
快恢复二极管
4
FR104
400
1
50
35
DO-41
快恢复二极管
5
FR105
600
1
50
35
DO-41
快恢复二极管
6
FR106
800
1
50
35
DO-41
快恢复二极管
7
FR107
1000
1
50
35
DO-41
快恢复二极管
8
FR107-STR
1000
1
50
35
DO-41
-
HERxxx系列快恢复二极管
序号
型号
VRRM[V]
Io[A]
CJ[pF]
IFSM[A]
封装
说明
1
HER1601C
50
16
40
200
TO-220
快恢复
2
HER1602C
100
16
40
200
TO-220
快恢复
3
HER1603C
200
16
40
200
TO-220
快恢复
4
HER1604C
300
16
40
200
TO-220
快恢复
5
HER1605C
400
16
40
200
TO-220
快恢复
MURxxx系列快恢复二极管
序号
型号
VRRM[V]
Io[A]
CJ[pF]
IFSM[A]
封装
说明
1
MUR1620
-
-
-
-
-
-
2
MUR3020CT
-
-
-
-
-
-
3
MUR3040CT
-
-
-
-
-
-
4
MUR3060CT
-
-
-
-
-
-
5
MUR805
50
8
-
100
TO-220AC
快恢复二极管
6
MUR810
100
8
-
100
TO-220AC
快恢复二极管
7
MUR815
150
8
-
100
TO-220AC
快恢复二极管
8
MUR820
200
8
-
100
TO-220AC
快恢复二极管
9
MUR840
400
8
-
100
TO-220AC
快恢复二极管
10
MUR860
100
8
-
100
TO-220AC
快恢复二极管
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二极管型号识别
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整流二极管是一种能够将交流电能转化成为直流电能的半导体器件，整流二极管具有明显的单向导电性，是一种大面积的功率器件，结电容大，工作频率较低，一般在几十千赫兹，反向电压从25V到3000V.
硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好，通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造，这种器件结面积大，能通过较大电流（通常可以达到数千安），但工作频率不高，一般在几十千赫兹以下，整流二极管主要用于各种低频整流电路。
整流二极管的选用
整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中。
选用整流二极管时，主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。
普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。例如，1N系列、2CZ系列、RLR系列等。
开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二极管，应选用工作频率较高、反向恢复时间较短的整流二极管（例如RU系列、EU系列、V系列、1SR系列等）或选择快恢复二极管。
整流二极管的常用参数
（1）最大平均整流电流IF：指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。
（2）最高反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4007的VR为1OOOV
（3）最大反向电流IR：它是二极管在最高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明二极管质量越好。
（4）击穿电压VR：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。
（5）最高工作频率fm：它是二极管在正常情况下的最高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率超过fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。
（6）反向恢复时间tre：指在规定的负载、正向电流及最大反向瞬态电压下的反向恢复时间。
（7）零偏压电容CO：指二极管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于1OuA，而在100°C时IR则变为小于500uA。
整流管损坏的原因
（1）防雷、过电压保护措施不力。整流装置末设置防雷、过电压保护装置，即使设置了防雷、过电压保护装置，但其工作不可靠，因雷击或过电压而损坏整流管。
（2）运行条件恶劣。间接传动的发电机组，因转速之比的计算不正确或两皮带盘直径之比不符合转速之比的要求，使发电机长期处于高转速下运行，而整流管也就长期处于较高的电压下工作，促使整流管加速老化，并被过早地击穿损坏。
（3）运行管理欠佳。值班运行人员工作不负责任，对外界负荷的变化(特别是在深夜零点至第二天上午6点之间)不了解，或是当外界发生了甩负荷故障，运行人员没有及时进行相应的操作处理，产生过电压而将整流管击穿损坏。
（4）设备安装或制造质量不过关。由于发电机组长期处于较大的振动之中运行，使整流管也处于这一振动的外力干扰之下；同时由于发电机组转速时高时低，使整流管承受的工作电压也随之忽高忽低地变化，这样便大大地加速了整流管的老化、损坏。
（5）整流管规格型号不符。更换新整流管时错将工作参数不符合要求的管子换上或者接线错误，造成整流管击穿损坏。
（6）整流管安全裕量偏小。整流管的过电压、过电流安全裕量偏小，使整流管承受不起发电机励磁回路中发生的过电压或过电流暂态过程峰值的袭击而损坏。
对整流管的检查方法
首先将整流器中的整流二极管全部拆下，用万用表的100×R或1000×R欧姆档，测量整流二极管的两根引出线(头、尾对调各测一次)。若两次测得的电阻值相差很大，例如电阻值大的高达几拾万Ω、而电阻值小的仅几佰Ω甚至更小，说明该二极管是好的(发生了软击穿的二极管除外)。若两次测得的电阻值几乎相等，而且电阻值很小，说明该二极管已被击穿损坏不能使用。
极管型号:4148安装方式:贴片功率特性:大功率
二极管型号:SA5.0A/CA-SA170A/CA安装方式:直插
二极管型号:IN4007/IN4001安装方式:直插功率特性:小功率频率特性:低频
二极管型号:70HF80安装方式:螺丝型功率特性:大功率频率特性:高频
二极管型号:MRA4003T3G安装方式:贴片
二极管型号:1SS355安装方式:贴片功率特性:大功率
二极管型号6A10安装方式:直插功率特性:大功率;型号:2DHG型安装方式:直插功率特性:大功率
二极管型号B5G090L安装方式:直插功率特性:小功率频率特性:超高频
型号 最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型
IN4001 50 1.0 30 5.0 1.0 DO--41
IN4002 100 1.0 30 5.0 1.0 DO--41
IN4003 300 110 30 5.0 1.0 DO--41
IN4004 400 1.0 30 5.0 1.0 DO--41
IN4005 600 1.0 30 5.0 1.0 DO--41
IN4006 800 1.0 30 5.0 1.0 DO--41
IN4007 1000 1.0 30 5.0 1.0 DO--41
IN5391 50 1.5 50 5.0 1.5 DO--15
IN5392 100 1.5 50 5.0 1.5 DO--15
IN5393 200 1.5 50 5.0 1.5 DO--15
IN5394 300 1.5 50 5.0 1.5 DO--15
IN5395 400 1.5 50 5.0 1.5 DO--15
IN5396 500 1.5 50 5.0 1.5 DO--15
IN5397 600 1.5 50 5.0 1.5 DO--15
IN5398 800 1.5 50 5.0 1.5 DO--15
IN5399 1000 1.5 50 5.0 1.5 DO--15
RL151 50 1.5 60 5.0 1.5 DO--15
RL152 100 1.5 60 5.0 1.5 DO--15
RL153 200 1.5 60 5.0 1.5 DO--15
RL154 400 1.5 60 5.0 1.5 DO--15
RL155 600 1.5 60 5.0 1.5 DO--15
RL156 800 1.5 60 5.0 1.5 DO--15
RL157 1000 1.5 60 5.0 1.5 DO--15
普通整流二极管参数(二)
型号 最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型
RL201 50 2 70 5 1 DO--15
RL202 100 2 70 5 1 DO--15
RL203 200 2 70 5 1 DO--15
RL204 400 2 70 5 1 DO--15
RL205 600 2 70 5 1 DO--15
RL206 800 2 70 5 1 DO--15
RL207 1000 2 70 5 1 DO--15
2a01 50 2 70 5 1.1 DO--15
2a02 100 2 70 5 1.1 DO--15
2a03 200 2 70 5 1.1 DO--15
2a04 400 2 70 5 1.1 DO--15
2a05 600 2 70 5 1.1 DO--15
2a06 800 2 70 5 1.1 DO--15
2a07 1000 2 70 5 1.1 DO--15
RY251 200 3 150 5 3 DO--27
RY252 400 3 150 5 3 DO--27
RY253 600 3 150 5 3 DO--27
RY254 800 3 150 5 3 DO--27
RY255 1300 3 150 5 3 DO--27
普通整流二极管参数(三)
IN5401 50 3 200 5 1 DO--27
IN5402 100 3 200 5 1 DO--27
IN5403 150 3 200 5 1 DO--27
IN5404 200 3 200 5 1 DO--27
IN5405 400 3 200 5 1 DO--27
IN5406 600 3 200 5 1 DO--27
IN5407 800 3 200 5 1 DO--27
IN5408 1000 3 200 5 1 DO--27
6a05 50 6 400 10 0.95 R--6
6a1 100 6 400 10 0.95 R--6
6a2 200 6 400 10 0.95 R--6
6a4 400 6 400 10 0.95 R--6
6a6 600 6 400 10 0.95 R--6
6a8 800 6 400 10 0.95 R--6
6a10 1000 6 400 10 0.95 R--6
P600a 50 6 400 10 0.95 R--6
P600B 100 6 400 10 0.95 R--6
P600D 200 6 400 10 0.95 R--6
P600G 400 6 400 10 0.95 R--6
P600J 600 6 400 10 0.95 R--6
P600K 800 6 400 10 0.95 R--6
P600M 1000 6 400 10 0.95 R--6
05Z6.2Y硅稳压二极管Vz=6~6.35V,Pzm=500mW,
05Z7.5Y硅稳压二极管Vz=7.34~7.70V,Pzm=500mW,
05Z13X硅稳压二极管Vz=12.4~13.1V,Pzm=500mW,
05Z15Y硅稳压二极管Vz=14.4~15.15V,Pzm=500mW,
05Z18Y硅稳压二极管Vz=17.55~18.45V,Pzm=500mW,
1N4001硅整流二极管50V,1A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=50A)
1N4002硅整流二极管100V,1A,
1N4003硅整流二极管200V,1A,
1N4004硅整流二极管400V,1A,
1N4005硅整流二极管600V,1A,
1N4006硅整流二极管800V,1A,
1N4007硅整流二极管1000V,1A,
1N4148二极管75V,4PF,Ir=25nA,Vf=1V,
1N5391硅整流二极管50V,1.5A,(Ir=10uA,Vf=1.4V,Ifs=50A)1N5392硅整流二极管100V,1.5A,
1N5393硅整流二极管200V,1.5A,
1N5394硅整流二极管300V,1.5A,
1N5395硅整流二极管400V,1.5A,
1N5396硅整流二极管500V,1.5A,
1N5397硅整流二极管600V,1.5A,
1N5398硅整流二极管800V,1.5A,
1N5399硅整流二极管1000V,1.5A,
1N5400硅整流二极管50V,3A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=150A)1N5401硅整流二极管100V,3A,
1N5402硅整流二极管200V,3A,
1N5403硅整流二极管300V,3A,
1N5404硅整流二极管400V,3A,
1N5405硅整流二极管500V,3A,
1N5406硅整流二极管600V,3A,
1N5407硅整流二极管800V,3A,
1N5408硅整流二极管1000V,3A
二极管型号参数
导读： 二极管（Diode）算是半导体家族中的分立元器件中最简单的一类，其最明显的性质就是它的单向导电特性，就是说电流只能从一边过去，却不能从另一边过来(从正极流向负极)。本文从二极管的分类、命名方法，到常用二极管的特点及选用。也是模拟电路基础的，第一课内容。
一、基础知识
1、二极管的分类
二极管的种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）；按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。
根据二极管的不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、肖特基二极管、发光二极管等。
（注：上图取自 采芯网）
2、二极管的型号命名方法
（1）按照国产半导体器件型号命名方法：二极管的型号命名由五个部分组成：主称、材料与极性、类别、序号和规格号（同一类产品的档次）。
（2）日本半导体器件命名型号由以下5部分组成：
第一部分：用数字表示半导体器件有效数目和类型；“1”表示二极管，“2”表示三极管。
第二部分：用“S”表示已在日本电子工业协会登记的半导体器件；
第三部分：用字母表示该器件使用材料、极性和类型；
第四部分：表示该器件在日本电子工业协会的登记号；
第五部分：表示同一型号的改进型产品。
3、几种常见二极管特点
（1）整流二极管
将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管，因结电容大，故工作频率低。
通常，IF在1安以上的二极管采用金属壳封装，以利于散热；IF在1安以下的采用全塑料封装。
（2）开关二极管
在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，其特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。
开关二极管有接触型，平面型和扩散台面型几种，一般IF＜500毫安的硅开关二极管，多采用全密封环氧树脂，陶瓷片状封装。
（3）稳压二极管
稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，因为它能在电路中起稳压作用，故称为稳压二极管。
它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的。
（4）变容二极管
变容二极管是利用PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被广泛地用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路中。
变容二极管主要是通过结构设计及工艺等一系列途径来突出电容与电压的非线性关系，并提高Q值以适合应用。
（5）TVS二极管
TVS二极管（TransientVoltageSuppresser瞬态电压抑制器）是和被保护电路并联的，当瞬态电压超过电路的正常工作电压时，二极管发生雪崩，为瞬态电流提供通路，使内部电路免遭超额电压的击穿或超额电流的过热烧毁。
由于TVS二极管的结面积较大，使得它具有泄放瞬态大电流的优点，具有理想的保护作用。
二、二极管的参数选择
（1）额定正向工作电流
额定正向工作电流指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。
（2）最大浪涌电流
最大浪涌电流，是允许流过的过量正向电流，它不是正常电流，而是瞬间电流。其值通常是额定正向工作电流的20倍左右。
（3）最高反向工作电压
加在二极管两端的反向工作电压高到一定值时，管子将会击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电值。例如，lN4001二极管反向耐压为50V，lN4007的反向耐压为1000V。
（4）反向电流
反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。
反向电流与温度密切相关，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。
硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。
（5）反向恢复时间
从正向电压变成反向电压时，电流一般不能瞬时截止，要延迟一点点时间，这个时间就是反向恢复时间。它直接影响二极管的开关速度。
（6）最大功率
最大功率就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流。这个极限参数对稳压二极管等显得特别。
（7）频率特性
由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。
2、不同二极管的选用
（1）检波二极管
检波二极管一般可选用点接触型锗二极管，选用时，应根据电路的具体要求来选择工作频率高、反向电流小、正向电流足够大的检波二极管。
（2）整流二极管
整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中。选用整流二极管时，主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。
（3）稳压二极管
稳压二极管一般用在稳压电源中作为基准电压源或用在过电压保护电路中作为保护二极管。选用的稳压二极管，应满足应用电路中主要参数的要求。稳压二极管的稳定电压值应与应用电路的基准电压值相同，稳压二极管的最大稳定电流应高于应用电路的最大负载电流50％左右。
（4）开关二极管
开关二极管主要应用于收录机、电视机、影碟机等家用电器及电子设备有开关电路、检波电路、高频脉冲整流电路等。
中速开关电路和检波电路，可以选用2AK系列普通开关二极管。高速开关电路可以选用RLS系列、1SS系列、1N系列、2CK系列的高速开关二极管。
要根据应用电路的主要参数（如正向电流、最高反向电压、反向恢复时间等）来选择开关二极管的具体型号。
（5）变容二极管
选用变容二极管时，应着重考虑其工作频率、最高反向工作电压、最大正向电流和零偏压结电容等参数是否符合应用电路的要求，应选用结电容变化大、高Q值、反向漏电流小的变容二极管。
3、TVS二极管选型
（1）最小击穿电压VBR和击穿电流IR。VBR是TVS最小的击穿电压，在25℃时，低于这个电压TVS是不会产生雪崩的。当TVS流过规定的1mA电流（IR）时，加于TVS两极的电压为其最小击穿电压VBR。按TVS的VBR与标准值的离散程度，可把VBR分为5％和10％两种。对于5％的VBR来说，VWM=0.85VBR；对于10％的VBR来说，VWM=0.81VBR。为了满足IEC61000-4-2国际标准，TVS二极管必须达到可以处理最小8kV（接触）和15kV（空气）的ESD冲击，部份半导体厂商在自己的产品上使用了更高的抗冲击标准。对于某些有特殊要求的可携设备应用，设计者可以依需要挑选元件。
（2）最大反向漏电流ID和额定反向切断电压VWM。VWM是二极管在正常状态时可承受的电压，此电压应大于或等于被保护电路的正常工作电压，否则二极管会不断截止回路电压；但它又需要尽量与被保护回路的正常工作电压接近，这样才不会在TVS工作以前使整个回路面对过压威胁。当这个额定反向切断电压VWM加于TVS的两极间时它处于反向切断状态，流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流ID。
（3）最大钳位电压VC和最大峰值脉冲电流IPP。当持续时间为20ms的脉冲峰值电流IPP流过TVS时，在其两端出现的最大峰值电压为VC。VC、IPP反映了TVS的突波抑制能力。VC与VBR之比称为钳位因子，一般在1.2~1.4之间。VC是二极管在截止状态提供的电压，也就是在ESD冲击状态时通过TVS的电压，它不能大于被保护回路的可承受极限电压，否则元件面临被损伤的危险。
（4）Pppm额定脉冲功率，这是基于最大截止电压和此时的峰值脉冲电流。对于手持设备，一般来说500W的TVS就足够了。最大峰值脉冲功耗PM是TVS能承受的最大峰值脉冲功耗值。在特定的最大钳位电压下，功耗PM越大，其突波电流的承受能力越大。在特定的功耗PM下，钳位电压VC越低，其突波电流的承受能力越大。另外，峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。而且，TVS所能承受的瞬态脉冲是不重覆的，元件规定的脉冲重覆频率（持续时间与间歇时间之比）为0.01％。如果电路内出现重覆性脉冲，应考虑脉冲功率的累积，有可能损坏TVS。
（5）电容器量C。电容器量C是由TVS雪崩结截面决定的，是在特定的1MHz频率下测得的。C的大小与TVS管的电流承受能力成正比，C太大将使讯号衰减。因此，C是数据介面电路选用TVS的重要参数。电容器对于数据/讯号频率越高的回路，二极管的电容器对电路的干扰越大，形成噪音或衰减讯号强度，因此需要根据回路的特性来决定所选元件的电容器范围。高频回路一般选择电容器应尽量小（如SAC（500W，50pF，±10%）、LCE（1.5KW，100pF）、低电容器TVS），而对电容器要求不高的回路电容器选择可高于40pF。
4、肖特基二极管与普通二极管的区别
硅管的初始导通压降是0.5V左右，正常导通压降是0.7V左右，在接近极限电流情况下导通压降是1V左右；锗管的初始导通压降是0.2V左右，正常导通压降是0.3V左右，在接近极限电流情况下导通压降是0.4V左右，肖特基二极管的初始导通压降是0.4V左右，正常导通压降是0.5V左右，在接近极限电流情况下导通压降是0.8V左右。
两种二极管都是单向导电，可用于整流场合。区别是普通硅二极管的耐压可以做得较高，但是它的恢复速度低，只能用在低频的整流上，如果是高频的就会因为无法快速恢复而发生反向漏电，最后导致管子严重发热烧毁;肖特基二极管的耐压能常较低，但是它的恢复速度快，可以用在高频场合，故开关电源采用此种二极管作为整流输出用，尽管如此，开关电源上的整流管温度还是很高的。
快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下)，工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V)，反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(SchottkyBarrierDiode)，具有正向压降低(0.4--0.5V)、反向恢复时间很短(10-40纳秒)，而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。这两种管子通常用于开关电源。肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~!前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~!电气特性当然都是二极管阿~!快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。
4、肖特基二极管与快恢复二极管的区别
肖特基二极管：
反向耐压值较低(一般小于150V)，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。
其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的
PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的
扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.
目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.
快恢复二极管FRD（FastRecoveryDiode）是近年来问世的新型半导体器件，具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快恢复二极管SRD（SuperfastRecovery Diode），则是在快恢复二极管基础上发展而成的，其反向恢复时间trr值已接近于肖特基二极管的指标。它们可广泛用于开关电源、脉宽调制器（PWM）、不间断电源（UPS）、交流电动机变频调速（VVVF）、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。
肖特基二极管：反向耐压值较低(一般小于150V)，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.快恢复二极管FRD（FastRecoveryDiode）是近年来问世的新型半导体器件，具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快恢复二极管SRD（SuperfastRecoveryDiode），则是在快恢复二极管基础上发展而成的，其反向恢复时间trr值已接近于肖特基二极管的指标。它们可广泛用于开关电源、脉宽调制器（PWM）、不间断电源（UPS）、交流电动机变频调速（VVVF）、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。
5、TVS二极管与ESD防护二极管的区别
TVS瞬态电压抑制
这里不论TV是如何产生的,比如直接或者间接的雷击,静电放电,大容量的负载投切等因素导致的浪涌.电压从几伏到几十千伏甚至更高.
ESD静电放电保护
其中主要应用是HBM 和 MM,简单说,就是人或者设备对器件放电(静电),但是器件不能损坏.
典型的HBMCLASS1C模型规定一个充电1000V-2000V的100pF的电容通过一个1500欧姆的电阻对器件放电.
MM模型要比人体模型能量大一些.电容是200pF,电压大概在200-400之间,不过没有串联电阻了.
典型的人体模型放电,峰值电流小于0.75A,时间150ns
典型的机器模型放电,峰值电流小于8A,时间5ns
典型的雷击浪涌(电力线入线处使用的TVS)峰值电流3000A,时间20us
TVS二极管和ESD防护二极管原理是一样的,但根据功率和封装来分就不一样.
ESD防护二极管和TVS比较的话,要看用在那些用途上,像ESD主要是用来防静电,防静电就要求电容值低,一般是1--3.5PF之间为最好.而TVS就做不到这一点,TVS的电容值比较高。
