快速恢复二极管型号(快速恢复二极管型号参数大全)

快速恢复二极管型号有多少?

型号—Vrrm（V）—If（A）—trr（μs）IS1834—400—1—1.5IS1835—600—1—1.52CN3F—600—1—62CN3G—800—1—62CN3M—1000—1—62CN6I—1000—1—42CN6J—1200—1—42CN6K—1400—1—4

常用快恢复二极管型号及参数

　　快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 

　　快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。

　　通常，5~20A的快恢复二极管管采用TO–220FP塑料封装，20A以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO–3P塑料封装，5A以下的快恢复二极管则采用DO–41、DO–15或DO–27等规格塑料封装。

　　采用TO–220或TO–3P封装的大功率快恢复二极管，有单管和双管之分。双管的管脚引出方式又分为共阳和共阴

　　1．性能特点

　　1）反向恢复时间

　　反向恢复时间tr的定义是：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。反向恢复电流的波形如图1所示。IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流。Irr为反向恢复电流，通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时，正向电流I=IF。当t＞t0时，由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压，因此正向电流迅速降低，在t=t1时刻，I=0。然后整流器件上流过反向电流IR，并且IR逐渐增大；在t=t2时刻达到最大反向恢复电流IRM值。此后受正向电压的作用，反向电流逐渐减小，并在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。

　　2）快恢复、超快恢复二极管的结构特点

　　快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。

　　20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看，可分成单管、对管（亦称双管）两种。对管内部包含两只快恢复二极管，根据两只二极管接法的不同，又有共阴对管、共阳对管之分。图2(a)是C20-04型快恢复二极管（单管）的外形及内部结构。(b)图和(c)图分别是C92-02型（共阴对管）、MUR1680A型（共阳对管）超快恢复二极管的外形与构造。它们均采用TO-220塑料封装，

　　几十安的快恢复二极管一般采用TO-3P金属壳封装。更大容量（几百安～几千安）的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。

　　2．检测方法

　　1）测量反向恢复时间

　　测量电路如图3。由直流电流源供规定的IF，脉冲发生器经过隔直电容器C加脉冲信号，利用电子示波器观察到的trr值，即是从I=0的时刻到IR=Irr时刻所经历的时间。设器件内部的反向恢电荷为Qrr，有关系式：

　　trr≈2Qrr/IRM(5.3.1)

　　由式(5.3.1)可知，当IRM为一定时，反向恢复电荷愈小，反向恢复时间就愈短。

　　2）常规检测方法

　　在业余条件下，利用万用表能检测快恢复、超快恢复二极管的单向导电性，以及内部有无开路、短路故障，并能测出正向导通压降。若配以兆欧表，还能测量反向击穿电压。实例：测量一只C90-02超快恢复二极管，其主要参数为：trr=35ns，Id=5A，IFSM=50A，VRM=700V。外型同图(a)。将500型万用表拨至R×1档，读出正向电阻为6.4Ω，n′=19.5格；反向电阻则为无穷大。进一步求得VF=0.03V/格×19.5=0.585V。证明管子是好的。

　　注意事项：

　　1）有些单管，共三个引脚，中间的为空脚，一般在出厂时剪掉，但也有不剪的。

　　2）若对管中有一只管子损坏，则可作为单管使用。

　　3）测正向导通压降时，必须使用R×1档。若用R×1k档，因测试电流太小，远低于管子的正常工作电流，故测出的VF值将明显偏低。在上面例子中，如果选择R×1k档测量，正向电阻就等于2.2kΩ，此时n′=9格。由此计算出的VF值仅0.27V，远低于正常值(0.6V)。

　　肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别

　　快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。

　　肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(SchottkyBarrierDiode），具有正向压降低（0.4--0.5V）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。

　　这两种管子通常用于开关电源。

　　肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~！

　　前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~！电气特性当然都是二极管阿~！

　　快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.

　　肖特基二极管：反向耐压值较低40V-50V，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。

　　快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.

常用的快恢复二极管参数表

快速恢复二极管，顾名思义，是比普通二极管PN结的单向导通阀门恢复快的二极管！用途也很广泛。

快恢复二极管坏了是什么状况

常用快恢复二极管主要参数

型号

品牌

电流

电压

时间

极性

IN5817

GJ

1A

20V

10ns

IN5819

GJ

1A

40V

10ns

IN5819

MOT

1A

40V

10ns

IN5822

MOT

3A

40V

10ns

21D-06

FUI

3A

60V

10ns

SBR360

GI

3A

60V

10ns

C81-004

FUI

3A

40V

10ns

8TQ080

IR

8A

80V

10ns

单管

MBR1045

MOT

10A

45V

10ns

单管

MBR1545CT

MOT

15A

45V

10ns

双管

MBR1654

MOT

16A

45V

10ns

双管

16CTQ100

IR

16A

100V

10ns

双管

MBR2035CT

MOT

20A

35V

10ns

双管

MBR2045CT

MOT

20A

45V

10ns

双管

MBR2060CT

MOT

20A

60V

10ns

双管

MBR20100CT

IR

20A

100V

10ns

双管

025CTQ045

IR

25A

45V

10ns

双管

30CTQ045

IR

30A

45V

10ns

双管

C85-009*

FUI

20A

90V

10ns

双管

D83-004*

FUI

30A

40V

10ns

双管

D83-009*

FUI

30A

90V

10ns

双管

MBR4060*

IR

40A

60V

10ns

双管

MBR30045

MOT

300A

45V

10ns

MUR120

MOT

1A

200V

35ns

MUR160

MOT

1A

600V

35ns

MUR180

MOT

1A

800V

35ns

MUR460

MOT

4A

600V

35ns

BYV95

PHI

1.5A

1000V

250ns

BYV27-50

PHI

2A

55V

25ns

BYV927-100

PHI

2A

100V

25ns

BYV927-300

PHI

2A

300V

25ns

BYW76

PHI

3A

1000V

200ns

BYT56G

PHI

3A

600V

100ns

BYT56M

PHI

3A

1000V

100ns

BYV26C

PHI

1A

600V

30ns

BYV26E

PHI

1A

1000V

30ns

FR607

GI

6A

1000V

200ns

MUR8100

MOT

8A

1000V

35ns

单管

HFA15TB60

IR

15A

600V

35ns

单管

HFA25TB60

IR

25A

600V

35ns

单管

MUR30100

HAR

30A

1000V

35ns

单管

MUR30120

HAR

30A

1200V

35ns

单管

MUR1620

PHI

16A

200V

35ns

双管

MUR1620CT

MOT

16A

200V

35ns

双管

MUR1620P

MOT

16A

200V

35ns

双管

MUR1660CT

MOT

16A

600V

35ns

双管

HFA16TA600

IR

16A

600V

35ns

双管

MUR3030

GI

30A

300V

35ns

双管

MUR3040

MOT

30A

400V

35ns

双管

MUR3060

MOT

30A

600V

35ns

双管

HFA30TA600

IR

30A

600V

35ns

双管

MUR20040

MOT

200A

400V

35ns

双管

B92M-02

FUI

20A

200V

35ns

单管

C92-02

FUI

20A

200V

35ns

双管

D92M-02

FUI

30A

200V

35ns

双管

D92M-03

FUI

30A

300V

35ns

双管

DSE130-06

DSET

30A

600V

35ns

双管

DSE160-06

DSET

60A

600V

35ns

双管

快恢复二极管参数大全

大功率快恢复二极管一般分为200V,300V,400V,600V,1200V，以下是一些常用型号：200VHFD1020PHFD1520PHFD92-02AD1HFD92-02AD300VHFD3030PHFD4030PHFD6030ADHFD8030AD400VHFD4040ADUHFD8040ADHFD8040ADUHFD9040A600VHFD0860PHFD1560PHFD1560PUHFD3060ADHFD3060ADUHFD6060H1200VHFD8120PHFD15120PHFD30120PHFD30120HHFD30120HUHFD60120ADHFD75120HHFD75120HUHFD100120H

快速恢复二极管型号参数大全

快速恢复二极管工作频率高快速恢复二极管用于高频整流电路中，如彩电中内的二次整流电路。容稳压二极管叫齐纳二极管，用它的反向击穿特性稳压。在电路中反向连接。用在稳压电路中，普通的整流二极管的工作频率低，用在3KHZ以下的整流电路中。

快恢复二极管损坏原因

型号—Vrrm（V）—If（A）—trr（μs）IS1834—400—1—1.5IS1835—600—1—1.52CN3F—600—1—62CN3G—800—1—62CN3M—1000—1—62CN6I—1000—1—42CN6J—1200—1—42CN6K—1400—1—4

二极管 恢复

寻找适合您项目的快恢复二极管吗？以下是各种电压等级下的精选型号，让您一目了然

?200V快恢复二极管

HFD1020P|HFD1520P|HFD92-02AD1|HFD92-02AD

?300V快恢复二极管

HFD3030P|HFD4030P|HFD6030AD|HFD8030AD

?400V快恢复二极管

HFD4040ADU|HFD8040AD|HFD8040ADU|HFD9040A

?600V快恢复二极管

HFD0860P|HFD1560P|HFD1560PU|HFD3060AD|HFD3060ADU|HFD6060H

?1200V快恢复二极管

HFD8120P|HFD15120P|HFD30120P|HFD30120H|HFD30120HUHFD60120AD|HFD75120H|HFD75120HU|HFD100120H

快恢复二极管的型号

sr2100二极管可以用sr5200替换。

sr2100是快速恢复二极管即肖特基二极管，最大电流2A，最高反向耐压100v；而sr5200也是肖特基二极管，它的最大电流是5A，最高反向耐压200v。sr5200的各项参数高于sr2100，代换是完全没有问题的！也可以用sr2200或sr3100等代换。

sr2100二极管简介

sr2100是肖特基二极管。肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖坦世特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。

最大重复峰值反向电者悔压：100V；最大直流阻断电压：100V；最大正向平均整流电流：2.0A；反向恢复时间：10ns(纳秒)以下；当电流=2.0A时，正向压降：0.85V；最大反向直流电流TA=25℃：0.5mA。

额定直流阻断电压TA=100℃：5.0mA；工作温度范围：-65to+150℃；存储温度：-65to+150℃；重量：0.014盎司。

SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属-让嫌肢半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。