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igbt型号(igbt型号及参数大全)

2024-03-30 16:30:52 来源:阿帮个性网 点击:
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  1. igbt型号详解
  2. igbt型号代替用
  3. igbt型号大全

igbt型号详解

电磁炉常用的IGBT管型号及参数如下:

1、G40N60D150表示电磁炉用IGBT管,型号为G40N60D,最高耐压为1500V,额定电流为40A。

2、G40N120D150表示电磁炉用IGBT管,型号为G40N120D,最高耐压为1500V,额定电流为40A。

3、G60N60D180表示电磁炉用IGBT管,型号为G60N60D,最高耐压为1800V,额定电流为60A。

4、G60N120D180表示电磁炉用IGBT管,型号为G60N120D,最高耐压为1800V,额定电流为60A。

igbt型号代替用

来源:icspec

IGBT

专栏

IGBT

当前的新能源车的模块系统由很多部分组成,如电池、VCU、BSM、电机等,但是这些都是发展比较成熟的产品,国内外的模块厂商已经开发了很多,但是有一个模块需要引起行业内的重视,那就是电机驱动部分,则是电机驱动部分最核心的元件IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor绝缘栅双极型晶体管芯片)。

IGBT的概念

IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由BJT(双极结型晶体三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。

简单讲,是一个非通即断的开关,IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看做导线,断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点,如驱动功率小和饱和压降低等。

IGBT的基本原理

IGBT是以GTR为主导元件,MOSFET为驱动元件的达林顿结构的复合器件。其外部有三个电极,分别为G-栅极,C-集电极,E-发射极。

在IGBT使用过程中,可以通过控制其集-射极电压UCE和栅-射极电压UGE的大小,从而实现对IGBT导通/关断/阻断状态的控制。

1)当IGBT栅-射极加上加0或负电压时,MOSFET内沟道消失,IGBT呈关断状态。

2)当集-射极电压UCE<0时,J3的PN结处于反偏,IGBT呈反向阻断状态。

3)当集-射极电压UCE>0时,分两种情况:

①若栅-射极电压UGE<Uth,沟道不能形成,IGBT呈正向阻断状态。

②若栅-射极电压UGE>Uth,栅极沟道形成,IGBT呈导通状态(正常工作)。此时,空穴从P+区注入到N基区进行电导调制,减少N基区电阻RN的值,使IGBT通态压降降低。

IGBT的主要特点

1)具有非常低的导通压降与优秀的导通电流密度.所以可以使用更小尺寸的器件从而降低成本。

2)因为栅极结构使用MOS管的同类设计,所以驱动功率非常小,驱动电路也很简单.与可控硅/BJT这些电流控制型器件来比,在高压与高电流应用场景,IGBT非常易于控制。

3)与BJT相比具有更好的电流传导能力.在正向与反向隔离方面参数也更优秀。

2、不足之处

1)开关速度低于功率MOSFET,但是高于BJT.因为是少数载流子器件,集电极电流残余导致关断速度较慢。

2)因为内部的PNPN型可控硅结构,有一定概率会锁死。

IGBT产业链

IGBT是技术成熟的器件,产业链的各个环节都相对稳定。

IGBT核心技术为IGBT芯片的设计和制造以及IGBT模块的设计、制造和测试。行业壁垒非常高,包括对人才和设备的要求也极高。

行业认证周期长,车规级认证周期长达2~3年,定点企业先发优势明显。

IGBT制造属于资本密集型行业,一条年产25万片的8寸晶圆线投资额超20亿元。

IGBT产业链图谱及代表公司:

IGBT热门型号汇总

IGBT专栏

igbt型号大全

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常用的IGBT模块富士电机--英飞凌型号互换对照表(U-IGBT与IGBT3技术同级,V-IGBT与IGBT4技术同级)。

IGBT型号替换原则

由于IGBT管工作在大电流高电压状态,工作频率较高,发热量大,因此其故障率较高,又由于其价格较高,故代换IGBT管时,应遵循以下原则:首先,尽量用原型号的代换,这样不仅利于固定安装,也比较简便其次,如果没有相同型号的管子,可用参数相近的IGBT管来代换,一般是用额定电流较大的管子代替额定电流较小的,用高耐压的代替低耐压的,如果参数已经磨掉,可根据其额定功率来代换。深圳德意志工业的分享

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