移相器型号(移相器分类)

移相器有何作用,能不能换到别的位置

交流接触器的种类很多，其分类方法也不尽相同。按照一般的分类方法，大致有以下几种。①按主触点极数分可分为单极、双极、三极、四极和五极接触器。单极接触器主要用于单相负荷，如照明负荷、焊机等，在电动机能耗制动中也可采用；双极接触器用于绕线式异步电机的转子回路中，起动时用于短接起动绕组；三极接触器用于三相负荷，例如在电动机的控制及其它场合，使用最为广泛；四极接触器主要用于三相四线制的照明线路，也可用来控制双回路电动机负载；五极交流接触器用来组成自耦补偿起动器或控制双笼型电动机，以变换绕组接法。②按灭弧介质分可分为空气式接触器、真空式接触器等。依靠空气绝缘的接触器用于一般负载，而采用真空绝缘的接触器常用在煤矿、石油、化工企业及电压在660V和1140V等一些特殊的场合。③按有无触点分可分为有触点接触器和无触点接触器。常见的接触器多为有触点接触器，而无触点接触器属于电子技术应用的产物，一般采用晶闸管作为回路的通断元件。由于可控硅导通时所需的触发电压很小，而且回路通断时无火花产生，因而可用于高操作频率的设备和易燃、易爆、无噪声的场合。2．交流接触器的基本参数（1）额定电压指主触点额定工作电压，应等于负载的额定电压。一只接触器常规定几个额定电压，同时列出相应的额定电流或控制功率。通常，最大工作电压即为额定电压。常用的额定电压值为220V、380V、660V等。（2）额定电流接触器触点在额定工作条件下的电流值。380V三相电动机控制电路中，额定工作电流可近似等于控制功率的两倍。常用额定电流等级为5A、10A、20A、40A、60A、100A、150A、250A、400A、600A。（3）通断能力可分为最大接通电流和最大分断电流。最大接通电流是指触点闭合时不会造成触点熔焊时的最大电流值；最大分断电流是指触点断开时能可靠灭弧的最大电流。一般通断能力是额定电流的5～10倍。当然，这一数值与开断电路的电压等级有关，电压越高，通断能力越小。（4）动作值可分为吸合电压和释放电压。吸合电压是指接触器吸合前，缓慢增加吸合线圈两端的电压，接触器可以吸合时的最小电压。释放电压是指接触器吸合后，缓慢降低吸合线圈的电压，接触器释放时的最大电压。一般规定，吸合电压不低于线圈额定电压的85％，释放电压不高于线圈额定电压的70%（5）吸引线圈额定电压接触器正常工作时，吸引线圈上所加的电压值。一般该电压数值以及线圈的匝数、线径等数据均标于线包上，而不是标于接触器外壳铭牌上，使用时应加以注意。（6）操作频率接触器在吸合瞬间，吸引线圈需消耗比额定电流大5～7倍的电流，如果操作频率过高，则会使线圈严重发热，直接影响接触器的正常使用。为此，规定了接触器的允许操作频率，一般为每小时允许操作次数的最大值。（7）寿命包括电寿命和机械寿命。目前接触器的机械寿命已达一千万次以上，电气寿命约是机械寿命的5%～20％接触器的型号说明例如：CJl0Z-40／3为交流接触器，设计序号10，重任务型，额定电流40A主触点为3极。CJl2T-250／3为改型后的交流接触器，设计序号12，额定电流250A，3个主触点。我国生产的交流接触器常用的有CJl0，CJl2，CJX1，CJ20等系列及其派生系列产品，CJ0系列及其改型产品已逐步被CJ20、CJX系列产品取代。上述系列产品一般具有三对常开主触点，常开、常闭辅助触点各两对。直流接触器常用的有CZ0系列，分单极和双极两大类，常开、常闭辅助触点各不超过两对。除以上常用系列外，我国近年来还引进了一些生产线，生产了一些满足IEC标准的交流接触器，下面作以简单介绍。CJl2B-S系列锁扣接触器用于交流50Hz，电压380V及以下、电流600A及以下的配电电路中，供远距离接通和分断电路用，并适宜于不频繁地起动和停止交流电动机。具有正常工作时吸引线圈不通电、无噪声等特点。其锁扣机构位于电磁系统的下方。锁扣机构靠吸引线圈通电，吸引线圈断电后靠锁扣机构保持在锁住位置。由于线圈不通电，不仅无电力损耗，而且消除了磁噪音。由德国引进的西门子公司的3TB系列、BBC公司的B系列交流接触器等具有80年代初水平。它们主要供远距离接通和分断电路，并适用于频繁地起动及控制交流电动机。3TB系列产品具有结构紧凑、机械寿命和电气寿命长、安装方便、可靠性高等特点。额定电压为220～660V，额定电流为9～630A。

移相器电路

“三相移相器”也称为综合移相器，“三相移相器”包括数字式相位显示仪、电压电流数显表、三相移相细调及电源等单元组成综合数字移相器，能在0～360°范围内任意角度的调节移相。我以“GY-III三相移相器”为例，进行说明，一台好的三相移相器应具有以下特点：1、数字式三相移相器能在0～360度范围内达到任意角度的超前或滞后移相目的。2、该数字式三相移相器采用三相三芯柱变压器，Y0接线方法，每相均有四个等边绕组，交叉连线形成不同夹角，形成对角线相连的六边形，六个边共高十二个抽头，即十二档，每档30度，三相同步调节，细调由三只同轴自耦变压器与电容组成，使输出三相在0～360度范围内同步调节，以保证三相输出的平衡。3、数字式三相移相器应具有操作方便、体积小、噪音低、输出波形好等特点，能满足单相及三相交流功率、相位等仪表的测试校验，也能用于电度表的检定装置之中。

移相器的作用是什么

频响：即频率范围，又称频率带宽，一般用兆赫兹（MHz）或吉赫兹（GHz）表示。连接器形式及尺寸：连接头形式分为BNC型、N型、TNC型、SMA型、SMC型等，同时连接头形状具有阴、阳两种。连接尺寸分为公制与英制形式，以上根据使用要求决定；如果连接头的型式多样需要连接，可以配用相应的连接转换头，例：BNC转N型头等。平均功率：移相器的功率参数一般为10W,50W,100W三种。驻波比：解释同上。www.ouqiao.com插入损耗：插入损耗指在传输系统的某处由于元件或器件的插入而发生的负载功率的损耗，它表示为该元件或器件插入前负载上所接收到的功率与插入后同一负载上所接收到的功率以分贝为单位的比值。相位调节：指相位可以调整的度数。这是移相器最重要的一个参数指标。外形尺寸：一般来讲客户会对移相器的尺寸有所要求。

移相器工作原理

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众所周知，雷达是现代战争中发现目标和瞄准攻击的不可或缺的最主要手段。在二战中发挥了重要作用。战后，雷达界的专家总结了涉及雷达技术的几乎全部内容，出版了有28分册的“雷达手册”，雷达界也有相当一部人认为“雷达已经达到了非常成熟的阶段。”然而，近二十多年来世界上发生多次*部高技术战争，使我们更清楚地认识到：雷达观察的目标发生了重大变化，雷达工作的电磁环境严重恶化，并对雷达的发展产生了巨大的影响。随着微波、计算机、半导体技术和大规模集成电路技术的迅速发展，也使雷达技术发生了革命性跃进。

一、使用环境的新挑战

在过去的几次*部高技术战争中，美国等西方国家在一开始就使用了大量的超低空飞行的巡航导弹和雷达截面积很小的隐形飞机，给对方的防空设施进行精确打击和几乎彻底的摧毁。超低空飞行的巡航导弹雷达截面积RCS小，地面雷达因为有观察死角很难远距离发现并及早预警；又因为有很强的地面杂波背景和相对地面车辆高得多的飞行速度，使得空中老式靠机械转动扫描的雷达也很难发现并进行有效的跟踪预警。

表1、各国三四代战机雷达截面积RCS比较

图1、美F-22四代机（可在400km发现像F-16的目标）

图2、去年首飞成功的美舰载隐形无人作战飞机X-47B

美国的第四代空中优势F-22猛禽战斗机，是根据美国空军“全球到达，全球力量”的战略思想设计的，要求它能在未来空空、空地战场威胁环境中夺取空中优势，确保美军能同时打赢两场大规模*部战争。美国空军希望凭借少量的先进的F-22抗击大量技术相对落后的敌机，取得制空权。美国称其为制空（AirDominance）战机。F-22的正面雷达反射截面积仅为0.0065平方米，比一般的像F-15C/Su27第三代战斗机的正面雷达反射截面积小1000倍，生存能力比目前的常规飞机提高18倍，作战效能是F-15战斗机的3倍。2011年2月美国的隐形舰载无人战斗机X-47B首飞成功，它能在空中持续飞行30个小时，作战半径超过一千公里。

根据英国的计算机仿真和美国的实战对抗演习，F-22可以在400km之外发现像Su27这样的三代机，在对方毫不知情的情况下发起“首先发现，首先射杀”的超视距攻击。这些低截获概率LPI隐形目标的出现也给雷达提出了极大的挑战。

表2、F/A-22与第三代战机对抗仿真及实战演习结果

除了雷达截面积很小截获概率很低的隐形目标外，雷达的使用环境严重恶化，战场上会遇到很强的电磁干扰。特别是去年的利比亚战争中，美国派出了它们最先进的“咆哮者”电子战攻击机EA-18G，它大显身手，实施了强大的有针对性的全频谱干扰，让利比亚的雷达全部成了瞎子，雷达、电子设备全部失灵，地面导弹毫无还手之力，成为名副其实的靶子！

图3、美国新研发并投入现役、装有能精确瞄准定位全频谱干扰的EA-18G“咆哮者”电子战飞机

新的超低空高速飞行带有强地杂波背景的巡航导弹和雷达截面积很小的低截获概率LPI的隐形目标，以及日益恶化的强电子干扰的作战环境，使老式的机械扫描MSA雷达无法满足这些作战使用要求，并将在不久的将来逐步退出历史舞台。

二、未来雷达的发展趋势——有源电扫相控阵AESA雷达

从上面的雷达要探测的目标和作战环境的变化来看，要求未来的雷达必须具有很强的电子对抗能力，在恶劣的电磁干扰环境仍然能正常工作（图4）；对于机载雷达要求对空和对地都能工作，并能在大空域搜索的同时对多个目标进行有效跟踪；要求雷达能多任务、多功能（合成孔径成像SAR,逆合成孔径成型ISAR,地面动目标GMTI,空中动目标AMTI,高分辨率，低截获LPI目标探测，火控，敌我识别，电子对抗支持等）（图5）。老式机械扫描MSA雷达很难满足这些苛刻的使用要求，并将不久的将来逐步被边缘化。

图4、有源相控阵AESA天线的自适应波束置零的功能可以有效对抗人为的干扰。并且已经由英法德三国的AMSARAESA样机得到了验证。

图5、新一代的全球鹰能对空对地同时工作；搜索的同时跟踪多目标；多功能：SAR/ISAR/GMTI/AMTI;高分辨率；支持电子对抗和敌我识别等。

美国雷神公司最早装备F-15C的APG-79有源电扫相控阵AESA雷达已经工作了5年多超过15,000小时仍然没有出现故障；该公司声称在10~20年内基本上不需要维修。著名的生产F-22相控阵雷达APG-77的若斯洛普-格鲁曼航电开发部主任也说：“APG-77的雷达天线罩可以密封起来！”这些已经投入使用的AESA雷达实际运行也充分证明了AESA的高可靠性能。而相比之下，老式的机械扫描雷达MSA和集中发射的无源相控阵ESA雷达也因高压密封充气馈电、平台机械扫描转动的磨损等故障多发因素，平均无故障时间MTBF只有60~300小时。实践已经证明AESA与老式的MSA和ESA相比，可靠性具有明显的优势。

老式的无源相控阵ESA的移相调整发射时是在高功率电平移相衰减后在发射出去，除影响雷达的探测距离外，移相器产生的热量的散热设计也成了一个大问题；在接收时，微弱的回波信号是首先经过移相衰减，使得雷达接收机的灵敏度大大降低，对雷达的性能产生不利影响。而有源电扫相控阵AESA的移相调整在发射时是在低功率电平移相，然后在经过功率放大后直接发射出去，对雷达的性能影响不大；接收时，微弱的回波信号是首先进入低噪声放大器进行放大后，才由移相器移相，对接收机的灵敏度几乎没有什么影响（图6）。所以从雷达系统能量的运用上AESA也具有它固有的优势。

图6、AESA与ESA比较

综上所述，就AESA来说，无论从理论上还是实践上，美国防部2001年3月的专家组报告得出的结论是：“经过上世纪九十年代美国防部DARPA项目的支持，X波段有源电扫相控阵AESA的技术已经相当成熟了。AESA能使雷达的基本能力提高10~30倍，并有高的距离分辨率、抗干扰能力和波束捷变灵活的极大好处。新的设计简化了制造，并支持高可靠和低维护成本的目标，这样就使服务期的费用更低。美国防部专家任务组极其深刻地感受到这些进步，得出结论：未来美国不可能再采购任何不采用有源电扫相控阵技术AESA的机载（甚至地面、舰船）雷达系统。”法德意大利等国的雷达界也认为下一代的陆地、舰船、空中和空间的雷达几乎全部是有源相控阵AESA雷达系统；这已成了国际上雷达界的共识。

三、有源电扫相控阵AESA雷达的关键——T/R组件

有源相控阵AESA雷达是下一代先进的多功能雷达的必然发展趋势已成为世界上雷达界的一致看法。在半导体、微波单片集成电路MMIC、专用集成电路ASIC、新材料、三维立体集成和包装技术迅速发展的推动下，AESA经过二十多年的发展，在重量和体积大大减小的同时，性能得到了显著提高，成本也在不断下降，为有源相控阵AESA的在各领域的广泛应用创造了条件，AESA的前景光辉灿烂。

有源相控阵AESA雷达使用大量的T/R组件；像美国的F-15战斗机的APG-79就需要1500个T/R组件；F-22的APG-77需要1500~1800个T/R组件；全球鹰RQ-4每部需要2000个T/R组件；E-10A每部就需要高达13500个T/R组件；更有甚者，像美国的平流层飞艇ISIS的最终系统OS的X波段雷达就有20,300,000个T/R通道。因此，T/R组件及其相应的MMIC核心元件就成了有源相控阵AESA雷达的关键，常常受到出口限制，所以各国的相关公司都投入了大量的人力物力，独立研发自己的T/R组件。T/R组件的性能、重量、尺寸和成本就成了整个AESA系统的重要考虑因素。

有源相控阵AESA经历了从分离元件的砖块式T/R组件；到体积小薄而轻集成度刚高的瓦片式T/R组件。由每个T/R通道要用7~11个（移相器，衰减器，放大器，开关，控制电路和供电电源）MMIC芯片；到只用2~3个MMIC芯片；其中的多功能核心（Multifunction,orcorechip）芯片更是把移相器，衰减器，放大器，预功放推动级，开关和控制电路等都集成在一个只有大约4？4~5mm2芯片上。用标准的Si工艺和最便宜的Si做衬底，同时把微波/射频模拟电路的SiGeBiCMOS和控制开关的数字电路的SiCMOS混合集成到单一芯片上，使得现在整个T/R组件，不但使电路芯片的面积减少，还节省了采用多个MMIC芯片时的大量手工微组装操作，从而使总的成本大大降低。

图7、T/R组件从最初的“砖块式”到“瓦片式”的进展

图8、德国EADS的瓦片式T/R组件：顶层③包括LNA，限幅器和环形器，以及贴片式天线(LTCC)；中间层②包括移相器、衰减器、放大器、开关、数字控制ASIC电路等(LTCC);底层①是末级功率放大器(HTCC)。尺寸：15mm？15mm？8mm,重

标准的SiIC工艺能把RF/微波模拟电路的SiGeBiCMOS和数字控制电路的SiCMOS集成在单个芯片上，并做出适合于低功率密度应用的单片雷达（Radaronchip）。虽然SiGe的输出功率和噪声性能不如GaAs和宽禁带半导体GaN,SiC,它的成本优势明显，可以低成本高成品率的大批量生产，同时，又与未来的数字化雷达所需要的高速ADC和DAC，以及高速FPGA工艺相匹配，所以SiGeBiCMOS和SiCMOS将会成为未来AESA的后端的重要选项；未来大功率开关还可能省掉笨重的铁氧体环形器，从而使T/R组件的体积、重量和成本大大降低。美国将要在2013年进行飞行试验平流层飞艇的样机DS的X波段AESA的T/R组件使用SiGeBiCMOS工艺使每个通道的成本已经接近$10，使成本大大减低，为AESA的广泛应用创造了条件。

四、应用前景

从雷达的发展来看，未来的先进的多功能多任务地面、海上、空中和空间的军用和民用，如繁忙的国际大机场的控管调度雷达，基本上都是有源电扫相控阵AESA雷达。并且关键的T/R组件用量巨大，如美国的ISIS平流层传感器系统的最终系统的X波段雷达就需要20,300,000（2030万）个T/R通道，一个这样的系统所需要的T/R组件，按每小时生产1万，每周40个小时计算，就需要整整一年的时间才能生产出一套这样的系统所需要的T/R组件。一个美国将要部署到日本的X波段远程警戒了多达有3~4个阵面，每个阵面按5m×5m计算，需要大约11万个T/R组件，4个阵面就需要大约45万个T/R组件。另外，未来的卫星通讯系统人到人的视频通讯，就需要占用很宽的频带和很大的容量，人到人的通讯需要大量灵活多变的直接辐射波束，这也需要大量的T/R组件；所以未来的卫星通讯和雷达对T/R组件的需求量是十分巨大的，有着广泛的应用前景。

另外从西方先进国家的AESA的发展来看，使用多个昂贵的GaAsMMIC，花大量手工操作制成的“砖块式”T/R组件，到现在可以用标准的Si半导体集成电路工艺成品率很高和集成度更高的大批量生产，使得每个T/R组件只需要2~3片MMIC，省掉了大量的手工操作，从而使AESA的成本大大降低，使得AESA不再是昂贵用不起的系统。并且，如果我们能够借鉴西方先进国家的经验，在国内现在已经掌握并成熟应用的标准Si半导体集成电路工艺的基础上，增加个别应变Si工艺设备，就可以走出一条多快好省的捷径，使我们的军用民用了的雷达和通讯迎头赶上世界的先进水平，促进国防的现代化，为保卫国家的领土完整做出贡献。

综上所述，AESA是未来雷达和通讯的发展的重要使能技术，具有广泛的应用前景；其间的关键T/R组件包含有多项国内尚未突破高技术难题，复应综合科学院国家队的研究方向力量；，一旦把这些关键技术难题突破，把科研成果转化为生产力，就可以对我国的军用和民用雷达和通讯系统产生重大影响和促进，产生巨大的社会和经济效益。

五、结束语

未来强电子干扰的恶劣电磁环境，以及严重地面、海杂波背景下的高速、隐形目标(巡航导弹)和伪装、隐蔽、欺骗CCD目标的发现、识别和确认，使原来的集中发射机械扫描雷达难以适应这些新的作战要求，并将逐渐被边沿化。

有源电扫相控阵AESA雷达经过近二十年的发展，特别是MMIC等半导体、新材料和三维立体集成、包装技术的迅速进展，使AESA已经相当成熟；成本也在不断下降，为AESA的广泛使用创造了条件。AESA的波束灵活捷变，多功能、多任务、高可靠和低的全寿命周期维护成本，系统能量运用合理，瓦片式TR适合未来共形隐身的设计要求等，使得AESA成为未来地面、海上、空中和空间雷达的主流已成世界雷达界的共识。AESA将成为下一代先进的多功能多任务雷达发展的必然趋势。

对我国来说，迫切需要解决AESA中的关键——T/R组件，特别是瓦片式T/R组件及其多功能核心MMIC芯片等关键问题。这里有许多国际上顶尖的高新技术的难题，我们应当抓住机会，不断创新，在此领域为国家做出重大贡献！

本文来自中国科学院电子学研究所荆麟角老师在中国科学院科学技术前沿沙龙《微波遥感技术的最新发展》上所做特邀报告。荆麟角老师简介:男，1941年生，中国科学院电子学研究所研究员，主要从事微波遥感技术、合成孔径雷达成像系统方面的研究。

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移相器分类

1、干式变压器：

"SCB10－1000KVA／10KV／0．4KV"干式变压器表示的含义：

S的意思表示此变压器为三相变压器，如果S换成D则表示此变压器为单相。

C的意思表示(干式变压器)绕组为树脂浇注成形固体。

B的意思是箔式绕组，如果是R则表示为缠绕式绕组，如果是L则表示为铝绕组，如果是Z则表示为有载调压（铜不标）。

10的表示是设计序号，也叫技术序号。

1000KVA则表示此台变压器的额定容量(1000千伏安）。

10KV的意思是一次额定电压，0.4KV意思是二次额定电压。

2、常见的"电力变压器"规格型号表示的含义：

电力变压器的型号：通常由表示相数、冷却方式、调压方式、绕组线芯等材料的符号，

以及变压器容量、额定电压、绕组连接方式组成。

例如："SFSZ9-31500/110"变压器型号含义

S:三相，F:风冷，S:三绕组，Z:有载调压，9:设计序号9型。

31500:额定容量为31500kVA

110:一次侧额定电压110kV

扩展资料

主要分类：

一般常用变压器的分类可归纳如下 ：

1、按相数分：

1）单相变压器：用于单相负荷和三相变压器组。

2）三相变压器：用于三相系统的升、降电压。

2、按冷却方式分：

1）干式变压器：依靠空气对流进行自然冷却或增加风机冷却，多用于高层建筑、高速收费站点用电及*部照明、电子线路等小容量变压器。

2）油浸式变压器：依靠油作冷却介质、如油浸自冷、油浸风冷、油浸水冷、强迫油循环等。

3、按用途分：

1）电力变压器：用于输配电系统的升、降电压。

2）仪用变压器：如电压互感器、电流互感器、用于测量仪表和继电保护装置。

3）试验变压器：能产生高压，对电气设备进行高压试验。

4）特种变压器：如电炉变压器、整流变压器、调整变压器、电容式变压器、移相变压器等。

4、按绕组形式分：

1）双绕组变压器：用于连接电力系统中的两个电压等级。

2）三绕组变压器：一般用于电力系统区域变电站中，连接三个电压等级。

3）自耦变电器：用于连接不同电压的电力系统。也可做为普通的升压或降后变压器用。

5、按铁芯形式分：

1）芯式变压器：用于高压的电力变压器。

2）非晶合金变压器：非晶合金铁芯变压器是用新型导磁材料，空载电流下降约80%，是节能效果较理想的配电变压器，特别适用于农村电网和发展中地区等负载率较低地方。

3）壳式变压器：用于大电流的特殊变压器，如电炉变压器、电焊变压器；或用于电子仪器及电视、收音机等的电源变压器。

移相器指标

继电保护测试仪有几种型号？

MPT2300A型微机型继电保护测试系统

MPT2300B型微机型继电保护测试系统

MPT2300C型微机型继电保护测试系统

MPT4330（MPT4340）型微机型继电

MPT6430（MPT6440）型微机型继电

MPT2800型同期装置测试仪

ED0101A型单相热继电器测试仪(电动机保

ED0101B型单相热继电器测试仪(电动机保

ED0101C型三相热继电器测试仪(电动机保

ED0101D型三相热继电器测试仪(电动机保

ED0102型功率差动继电器校验仪

ED0103A型剩余电流保护装置动作特性测试

ED0104型继电保护校验仪

ED0105型综合移相器

ED0107A型断路器模拟试验装置

ED0107B型断路器模拟试验装置

ED0107C型断路器模拟试验装置

ED0107D型断路器模拟试验装置

ED0601型漏电保护器测试仪

ED0602型数字毫秒计

ED0603型相序表

ED0604A型数字双钳相位伏安表

ED0605A型保护回路矢量分析仪

ED0605B型保护回路矢量分析仪

ED0606B型智能三相用电检查仪

ED0607A型三相多功能伏安相位表

ED0607B型智能型三相相位伏安表

ED0608型直流系统接地故障测试仪

ED0609型低频信号发生器（原DPX－II

ED0610型单节蓄电池电池活化仪

ED0611型蓄电池组巡回监测仪

ED0612-30型智能蓄电池放电负载测试仪

ED0612-50型智能蓄电池放电负载测试仪

ED0612-100型智能蓄电池放电负载测试

ED0612-150型智能蓄电池放电负载测试

ED0612-200型智能蓄电池放电负载测试

3551型蓄电池内阻测试仪

ED0604A型数字双钳相位伏安表

移相器电路图

“移相器”是变压器式数字三相移相器，也称为综合移相器，三相移相器包括数字式相位显示仪、电压电流数显表、三相移相细调及电源等单元组成综合数字移相器，能在0～360°范围内任意角度的调节移相。我以“GY-III移相器”为例，进行说明，一台好的移相器应具有以下特点：1、移相器能在0～360度范围内达到任意角度的超前或滞后移相目的.2、移相器应具有操作方便、体积小、噪音低、输出波形好等特点，能满足单相及三相交流功率、相位等仪表的测试校验，也能用于电度表的检定装置之中.

移相器移相范围

单片机8031

生产厂家：Intel公司

特性：

8031单片机是Intel公司生产的MCS-51系列单片机中的一种，除无片内ROM外，其余特性与MCS-51单片机基本一样。

MCS-51单片机的引脚描述及片外总线结构

一、芯片的引脚描述

HMOS制造工艺的MCS-51单片机都采用40引脚的直插封装（DIP方式），制造工艺为CHMOS的80C51/80C31芯片除采用DIP封装方式外，还采用方型封装工艺，引脚排列如图。其中方型封装的CHMOS芯片有44只引脚，但其中4只引脚（标有NC的引脚1、12、23、34）是不使用的。在以后的讨论中，除有特殊说明以外，所述内容皆适用于CHMOS芯片。

如图，是MCS-51的逻辑符号图。在单片机的40条引脚中有2条专用于主电源的引脚，2条外接晶体的引脚，4条控制或与其它电源复用的引脚，32条输入/输出（I/O）引脚。

下面按其引脚功能分为四部分叙述这40条引脚的功能。

1、主电源引脚VCC和VSS

VCC——（40脚）接+5V电压；

VSS——（20脚）接地。

2、外接晶体引脚XTAL1和XTAL2

XTAL1（19脚）接外部晶体的一个引脚。在单片机内部，它是一个反相放大器的输入端，这个放大器构成了片内振荡器。当采用外部振荡器时，对HMOS单片机，此引脚应接地；对CHMOS单片机，此引脚作为驱动端。

XTAL2（18脚）接外晶体的另一端。在单片机内部，接至上述振荡器的反相放大器的输出端。采用外部振荡器时，对HMOS单片机，该引脚接外部振荡器的信号，即把外部振荡器的信号直接接到内部时钟发生器的输入端；对XHMOS，此引脚应悬浮。

3、控制或与其它电源复用引脚RST/VPD、ALE/PROG、PSEN和EA/VPP

①RST/VPD（9脚）当振荡器运行时，在此脚上出现两个机器周期的高电平将使单片机复位。推荐在此引脚与VSS引脚之间连接一个约8.2k的下拉电阻，与VCC引脚之间连接一个约10μF的电容，以保证可靠地复位。

VCC掉电期间，此引脚可接上备用电源，以保证内部RAM的数据不丢失。当VCC主电源下掉到低于规定的电平，而VPD在其规定的电压范围（5±0.5V）内，VPD就向内部RAM提供备用电源。

②ALE/PROG（30脚）：当访问外部存贮器时，ALE（允许地址锁存）的输出用于锁存地址的低位字节。即使不访问外部存储器，ALE端仍以不变的频率周期性地出现正脉冲信号，此频率为振荡器频率的1/6。因此，它可用作对外输出的时钟，或用于定时目的。然而要注意的是，每当访问外部数据存储器时，将跳过一个ALE脉冲。ALE端可以驱动（吸收或输出电流）8个LS型的TTL输入电路。

对于EPROM单片机（如8751），在EPROM编程期间，此引脚用于输入编程脉冲（PROG）。

③PSEN（29脚）：此脚的输出是外部程序存储器的读选通信号。在从外部程序存储器取指令（或常数）期间，每个机器周期两次PSEN有效。但在此期间，每当访问外部数据存储器时，这两次有效的PSEN信号将不出现。PSEN同样可以驱动（吸收或输出）8个LS型的TTL输入。

④EA/VPP（引脚）：当EA端保持高电平时，访问内部程序存储器，但在PC（程序计数器）值超过0FFFH（对851/8751/80C51）或1FFFH（对8052）时，将自动转向执行外部程序存储器内的程序。当EA保持低电平时，则只访问外部程序存储器，不管是否有内部程序存储器。对于常用的8031来说，无内部程序存储器，所以EA脚必须常接地，这样才能只选择外部程序存储器。

对于EPROM型的单片机（如8751），在EPROM编程期间，此引脚也用于施加21V的编程电源（VPP）。

4、输入/输出（I/O）引脚P0、P1、P2、P3（共32根）

①P0口（39脚至32脚）：是双向8位三态I/O口，在外接存储器时，与地址总线的低8位及数据总线复用，能以吸收电流的方式驱动8个LS型的TTL负载。

②P1口（1脚至8脚）：是准双向8位I/O口。由于这种接口输出没有高阻状态，输入也不能锁存，故不是真正的双向I/O口。P1口能驱动（吸收或输出电流）4个LS型的TTL负载。对8052、8032，P1.0引脚的第二功能为T2定时/计数器的外部输入，P1.1引脚的第二功能为T2EX捕捉、重装触发，即T2的外部控制端。对EPROM编程和程序验证时，它接收低8位地址。

③P2口（21脚至28脚）：是准双向8位I/O口。在访问外部存储器时，它可以作为扩展电路高8位地址总线送出高8位地址。在对EPROM编程和程序验证期间，它接收高8位地址。P2可以驱动（吸收或输出电流）4个LS型的TTL负载。

④P3口（10脚至17脚）：是准双向8位I/O口，在MCS-51中，这8个引脚还用于专门功能，是复用双功能口。P3能驱动（吸收或输出电流）4个LS型的TTL负载。

作为第一功能使用时，就作为普通I/O口用，功能和操作方法与P1口相同。

作为第二功能使用时，各引脚的定义如表所示。

值得强调的是，P3口的每一条引脚均可独立定义为第一功能的输入输出或第二功能。

表P3各口线的第二功能定义

口线引脚第二功能

P3.010RXD（串行输入口）

P3.111TXD（串行输出口）

P3.212INT0（外部中断0）

P3.313INT1（外部中断1）

P3.414T0（定时器0外部输入）

P3.515T1（定时器1外部输入）

P3.616WR（外部数据存储器写脉冲）

P3.717RD（外部数据存储器读脉冲）

二、MCS-51单片机的片外总线结构

综合上面的描述可知，I/O口线都不能当作用户I/O口线。除8051/8751外真正可完全为用户使用的I/O口线只有P1口，以及部分作为第一功能使用时的P3口。如图，是MCS-51单片机按引脚功能分类的片外总线结构图。

由图我们可以看到，单片机的引脚除了电源、复位、时钟接入，用户I/O口外，其余管脚是为实现系统扩展而设置的。这些引脚构成MCS-51单片机片外三总线结构，即：

①地址总线（AB）：地址总线宽为16位，因此，其外部存储器直接寻址为64K字节，16位地址总线由P0口经地址锁存器提供8位地址（A0至A7）；P2口直接提供8位地址（A8至A15）。

②数据总线（DB）：数据总线宽度为8位，由P0提供。

③控制总线（CB）：由P3口的第二功能状态和4根独立控制线RESET、EA、ALE、PSEN组成。

下表列出各个子系列的配制情况供读则参考。

芯片种类片内存储器中断源定时/计数器串行口电源消耗（mA）制造工艺

ROM/EPROMRAM

8051（8751，8031）4K12852同、异步方式，8位或10位可程序控制125HMOS

8052（8752，8032）8K25663同、异步方式，8位或10位可程序控制100HMOS

80C51（87C51，80C31）4K12852同、异步方式，8位或10位可程序控制24CHMOS

80C52（87C52，80C32）8K25673同、异步方式，8位或10位可程序控制24CHMOS

8044（8744，8344）4K19252S.L.U200HMOS

MSC-51单片机中央处理器

中央处理器是单片机内部的核心部件，它决定了单片机的主要功能特性。中央处理器主要由运算部件和控制部件组成。下面我们把中央处理器功能模块和有关的控制信号线联系起来加以讨论，并涉及相关的硬件设备（如振荡电路和时钟电路）。

1、运算部件：它包括算术、逻辑部件ALU、布尔处理器、累加器ACC、寄存器B、暂存器TMP1和TMP2、程序状态字寄存器PSW以及十进制调整电路等。运算部件的功能是实现数据的算术逻辑运算、位变址处理和数据传送操作。

MCS-51单片机的ALU功能十分强，它不仅可对8位变量进行逻辑“与”、“或”、“异或”、循环、求补、清零等基本操作，还可以进行加、减、乘、除等基本运算。为了乘除运算的需要，设置了B寄存器。在执行乘法运算指令时，用来存放其中一个乘数和乘积的高8位数；在执行除法运算指令时，B中存入除数及余数。MCS-51单片机的ALU还具有一般微机ALU，如Z80、MCS-48所不具备的功能，即布尔处理功能。单片机指令系统中的布尔指令集、存储器中的位地址空间与CPU中的位操作构成了片内的布尔功能系统，它可对位（bit）变量进行布尔处理，如置位、清零、求补、测试转移及逻辑“与”、“或”等操作。在实现位操作时，借用了程序状态标志器（PSW）中的进位标志Cy作为位操作的“累加器”。

运算部件中的累加器ACC是一个8位的累加器（ACC也可简写为A）。从功能上看，它与一般微机的累加器相比没有什么特别之处，但需要说明的是ACC的进位标志Cy就是布尔处理器进行位操作的一个累加器。

MCS-51单片机的程序状态PSW，是一个8位寄存器，它包含了程序的状态信息。

2、控制部件

控制部件是单片机的神经中枢，它包括时钟电路、复位电路、指令寄存器、译码以及信息传送控制部件。它以主振频率为基准发出CPU的时序，对指令进行译码，然后发出各种控制信号，完成一系列定时控制的微操作，用来控制单片机各部分的运行。其中有一些控制信号线能简化应用系统外围控制逻辑，如控制地址锁存的地址锁存信号ALE，控制片外程序存储器运行的片内外存储器选择信号EA，以及片外取指信号PSEN。

替换型号：80C31、8032、80C32。