钳位二极管型号(钳位二极管型号规格)

常用钳位二极管型号

钳位的要求，一般是在尽可能大的电流范围内，可以有尽可能窄的稳定电压范围。同时，电压变化的响应时间要尽可能快，即可以正常工作的频率较高。符合上述条件的稳压管，都可以作为钳位二极管。

钳位二极管型号怎么看

一、TVS 工作原理

   TVS（TransientVoltageSuppressors），即瞬态抑制二极管，又称雪崩击穿二极管。有单向与双向之分，单向TVS应用在直流电路，双向TVS应用于交流电路。如图所示TVS反向并联于电路中，当电路 正 常工作时，它处于截止状态（高阻态），不影响电路正常工作。

当电路出现异常过电压并达到其（雪崩）击穿电压时，迅速由高电阻状态突变为低电阻状态，泄放由异常过电压导致的瞬时过电流到地，同时把异常过电压钳制在后级电路可承受的安全水平之内，从而保护后级电路免遭异常过电压的损坏。

当异常过电压消失后，TVS阻值又恢复为高阻态。

   TVS的伏安特性曲线及相关参数说明如图2所示，双向TVS伏安特性曲线第一象限与第三象限极性相反，特性相似，如图3。当TVS反向偏置时，TVS有两种工作模式：待机（高阻抗）或钳制（相对的低 阻抗），如图2第三象限。在待机状态下，流过TVS的电流称为待机电流（IR）或漏电流，该电流的大小随TVS的结温而变化。

在TVS的伏安特性曲线中，由高阻抗（待机）向低阻抗（钳位）转变是雪崩击穿的开始，当TVS完全雪崩击穿时，TVS会瞬间把高电压转化为流过其体内的大电流并保持PN结两端相对较低的钳位电压。

■TVS内部芯片为半导体硅材料，采用半导体工艺制成，具有较高的可靠性。■TVS具有较低的动态内阻，钳位电压低。

■TVS较其他过压保护器件，具有较快的响应速度。

■TVS电压精度高，一般为±5%的偏差，在特殊应用场合，还可以通过工艺改善或参数筛选达到更高的精度。■TVS封装多样化，贴片封装有SOD-123FL、SMA(DO-214AC)、SMB(DO-214AA)、SMC(DO-214AB)、DO-218AB等，插件封装有DO-41、DO-15、DO-201、P-600 等。■TVS在10/1000μs波形下瞬态功率可达200W~30KW，甚至更高。在8/20μs波形下瞬态峰值 脉冲电流可达3KA、6KA、10KA、16KA、20KA甚至更高。■工作电压范围可从5V-600V，甚至更高。

   对于低压TVS，由于漏电流较大，所以测试电流选取的IT较大，如SMAJ5.0A，测试电流IT选取10mA。VBR测试电路如图5所示，使用脉冲恒流源对TVS施加IT大小的电流时，读出TVS两端的电压则为击穿电压。电流施加时间应不超过400ms，以免造成TVS受热损坏。VBRMIN.和VBRMAX.是TVS击穿电压的一个偏差，一般TVS为±5% 的偏差。测量时，VBR落在VBRMIN.和VBRMAX.之间视为合格品。

    IPP，峰值脉冲电流，给定脉冲电流波形的峰值。TVS一般选用10/1000μs电流波形（图6）VC，钳位电压，施加规定波形的峰值脉冲电流IPP时，TVS两端测得的峰值电压。IPP及VC是衡量TVS在电路保护中抵抗浪涌脉 冲 电流及限制电压能力的参数，这两个参数是相互联系的。对于TVS在防雷保护电路中的钳位特性，可以参考VC这个参数，对于同一型号TVS，在相同IPP下的VC越小，说明TVS的钳位特性越好。同型号TVS的Ipp越大，耐脉冲电流冲击能力越强。

    图7为TVS峰值脉冲电流（IPP）钳位电压（VC）测量试验回路示意图，测量时应考虑到TVS的散热问题，两次测试时间间隔不能太短，以免对TVS造成损坏。

     以上对于TVS的测量，图中所示电路为电路的基本原理，目前市面上有多种TVS电性检测仪器，如晶体管图示仪，TVS检测仪等，浪涌发生器、TVS逆向功率测试仪等。

四、TVS 选型注意事项

1、最高工作电压Vrwm

     在电路正常工作情况下，TVS应该是不工作的，即处于截止状态，所以TVS管的截止电压应大于线路上最高工作电压。这样才能保证TVS在电路正常工作下不会影响电路工作。但是TVS的工作电压高低也决定了TVS钳位电压的高低，在截止电压大于线路正常工作电压的情况下，TVS工作电压也不能选取的过高，如果太高，钳位电压也会较高，所以在选择VRWM时，要综合考虑被保护电路的工作电压及后级电路的承受能力。

2、VC 钳位电压

  TVS钳位电压应小于后级被保护电路最大可承受的瞬态安全电压，VC与TVS的雪崩击穿电压及IPP都成正比。对于同一功率等级的TVS，其击穿电压越高VC也越高。

3、Ir  漏电流

    对于一些通信电路及低功耗电路，要特别关注IR，IR不能影响系统的效率及正常工作。一般电压TVS的漏电流会比较大，如果在电压允许的情况下，尽量选择10V以上的TVS，漏电流会比较小。如果一定要选择低压低漏流的TVS，我司也可提供低漏流的TVS产品。

    TVS的结电容一般在几十皮法到几十纳法。对于同一功率等级的TVS，其电压越低，电容值越大。在一些通信线路中，要注意TVS的结电容，不能影响线路正常工作。

   TVS的功率从封装形式上也可以体现，封装体积越小，其功率一般也越小，因为TVS的芯片面积直接决定了TVS的功率等级。电路工程师可根据电路设计及测试要求选择合适封装的TVS器件。

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钳位二极管型号大全

二极管的钳位有保护电路作用。二极管钳位保宴返护电路是由两个二极管反向串联组成的，一次只能有一个二极管导通，而另一个处于截止状态，那么它的正反向压降就会被钳慧链制在二极管正向导通压降0.5-0.7以下，从而起到保护电路的前祥孙目的。1、当二极管负极接地时，则正极端电路的电位比地高时，二极管会导通将其电位拉下来，即正极端电路被钳位零电位或零电位以下。2、当二极管正极接地时，则负极端电路的电位比地高时，二极管会截止，其电位将不会受二极管的任何作用。3、在钳位电路中，二极管负极接+5v，则正极端电路被钳位+5V电位以下。扩展资料二极管的电压与电流不是线性关系，所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。与PN结一样，二极管具有单向导电性。在二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流极小；当电压超过0.6V时，电流开始按指数规律增大，通常称此为二极管的开启电压；当电压达到约0.7V时，二极管处于完全导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压，用符号UD表示。对于锗二极管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时，电流开始急剧增大，反向击穿，此电压为二极管的反向击穿电压。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏。参考资料来源：百度百科—钳位二极管参考资料来源：百度百科—二极管

钳位二极管型号规格表

根据您提供的图片，可以判断这个料号来自BOURNS（伯恩斯），SMA封装，单向，锁定SMAJ系列，查看BOURNS品牌TVS二极管产品手册可知，型号为：SMAJ20A。

替代的话，可以考虑下国产品牌DOWO（东沃）SMAJ20A，可pintopin替代BOURNS（伯恩斯）SMAJ20A，具体参数如下：

工作电压：20V

击穿电压：22.2V-24.5V

钳位电压：32.4V

峰值脉冲电流：12.35V

峰值脉冲功率：400W

漏电流：1uA

封装形式：DO-214AC（SMA）

丝印标识：BV

SMAJ20A二极管特性

钳位二极管工作原理

钳位就是二极管根据本身击穿的不同电压以达到电路保持二极管击穿的电压值。一般用于保护，过载等电路中

钳位 二极管

KLA78R05F是一种瞬态抑制二极管（TVS Diode），主要用于保护电路免受静电放电（ESD）瞬态电压的破坏。以下是KLA78R05F的一些主要参数：

击穿电压（Breakdown Voltage）：KLA78R05F的击穿电压为78V，这是指当TVS二极管承受的电压超过其击穿电压时，它会被击穿，从而导通并分流多余的电流。

钳位电压（Clamping Voltage）：当TVS二极管被触发后，它会将电压钳位在特定的水平，这就是钳位电压。KLA78R05F的钳位电压为5V。

最大峰值脉冲电流（Maximum Peak Pulse Current）：在规定的脉冲持续时间内，TVS二极管可以承受的最大瞬时电流。对于KLA78R05F，最大峰值脉冲电流为150A。

最大峰值脉冲功率（Maximum Peak Pulse Power）：在规定的脉冲持续时间内，TVS二极管可以承受的最大瞬时功率。对于KLA78R05F，最大峰值脉冲功率为150W。

最大钳位时间（Maximum Clamping Time）：从TVS二极管被触发到恢复到低阻抗状态的时间。对于KLA78R05F，最大钳位时间小于10微秒。

封装形式（Package Type）：KLA78R05F采用DO-218AB封装形式。

这些参数共同定义了KLA78R05F的性能和应用范围。在使用时，应确保电路的工作电压和电流不超过TVS二极管的额定值。

钳位二极管选型

4148是开关二极管，看你的描述应该是用来单向导通或者钳位用的。

如果要得到5V的电压就用5.1V的稳压管，1W和1/2W都可以。至于电阻要看4148前面的电压是多少，你需要的电流是多少来计算的。

一般可以电压差除以你需要的电流就是电阻的阻值了

5V6是5，6V的稳压管

钳位二极管型号推荐

绝缘栅双极晶体管（IGBT）因其使用方便、高电压和高电流驱动能力而被广泛应用于电力逆变器、工业驱动器、电动汽车充电器、电机控制、家用电器感应加热等领域。如今，功率半导体制造商正在提供功率密度越来越高的IGBT模块。功率密度极限由可以消耗的最大功率损耗决定；优化标准是封装技术以及半导体芯片的传导和开关损耗。在正常的开关操作和过载条件下，模块的高电流密度以及高开关速度对驱动电路提出了更高的要求。有源钳位开关技术提供的解决方案说明了现代的大功率的IGBT如何可以被高可靠性地使用，尤其是在高速铁路和汽车牵引的应用中。

IGBT关断期间的过电压分析

01

IGBT模块和转换器电路的寄生电感无法完全消除。它们对系统行为的影响也不容忽视。图1显示了整流电路中包含的寄生电感。关断IGBT引起的电流变化会在其集电极端产生过冲电压，如图2所示。

原则上，IGBT的开关速度（以及关断过电压）会受到关断栅极电阻Rg(off)的影响。此技术特别用于较低的功率水平。然而，Rg(off)必须匹配过载条件，例如双倍额定电流的关断，短路和临时增加的链路电压。在常规操作中，这会增加开关损耗和关断延迟，从而降低模块的可用性或效率。因此，这种简单的技术不适合现代大功率模块。

图1：寄生电感

图2：IGBT关断过冲

软关断

02

上一段中描述的问题导致了两级关断、软关断和慢关断驱动电路的发展，这些驱动电路使用可逆栅极电阻工作。在常规操作中，低欧姆栅极电阻器用于关断IGBT，以将开关损耗降至最低；当检测到短路或浪涌电流时，使用高欧姆栅极电阻器（见图3）。然而，问题是在可靠地检测这些条件时，去饱和度监视始终会延迟一段时间（即响应时间），直到检测到故障（通常为4-10μs）。在发生短路的情况下，以比响应时间短的脉冲来驱动IGBT时，不会检测到故障，并且驱动器会很快关闭。产生的过电压会损坏IGBT。此外，极限情况的覆盖范围（在过电流/非过电流之间）会带来问题；例如，当关闭双倍额定电流时，很可能会产生比短路关断时更高的过电压。

这些类型的驱动器电路必须被认为是危险的。建议用户不要在更高功率的设备和期望具有高可靠性的系统中使用它们。

有源钳位

03

传统上，有源钳位仅在出现瞬态过载时才用于保护半导体。因此，箝位元件永远不会受到重复脉冲操作的影响。重复操作的问题受到IGBT和驱动器功率的限制；在有源钳位期间，IGBT和驱动器都会吸收能量。有源钳位是指通过具有雪崩特性的元件将集电极电位直接反馈到栅极。图4用IGBT开关说明了这一原理。

图3：软关断

图4：有源钳位拓扑

反馈支路由钳位元件组成，该钳位元件通常由一系列瞬态电压抑制（TVS）二极管组成。如果集电极-发射极电压超过钳位元件的近似击穿电压，则电流会通过反馈流到IGBT的栅极，提高其电势，从而降低集电极电流的变化率，产生稳定的状态。然后，通过钳位元件的设计确定IGBT两端的电压。IGBT在其输出特性的有效范围内运行，并将杂散电感中存储的能量转换为IGBT的热量。钳位过程一直进行到杂散电感被消磁为止。在图5的下半部分说明了基于典型曲线的基本关系。

图5：有源钳位波形

一个高压TVS二极管，或串联在一起形成高压的几个低压TVS二极管，可用于基于直流电源线电压或IGBTVce提供有源钳位。

表1显示了LittelfuseTVSTPSMB系列，其隔离电压范围为150V至650V，这些电压涵盖了许多电压选项，可用于不同电压和功率的IGBT。根据保护要求，在某些情况下，可以串联连接2至3个TVS二极管以形成较高电压的TVS，而这串TVS二极管有助于共享每个TVS电压，以实现更好的电气爬电和功率处理。关于详细的选择，请参见下面的演示板及其测试数据。

表1：可用于IGBT有源钳位保护的LittelfuseTVS二极管型号

有源钳位的详细测试

04

Littelfuse开发了有源钳位测试评估板，以帮助用户更好地了解有源钳位的工作方式。

 

图6中所示的TD352是一个IGBT栅极驱动芯片，它为小型IGBT模块MG12100S-BN2MMIGBT提供驱动信号。TPSMB600CA-A是一种汽车级TVS二极管，峰值脉冲功率为600W（@10/1000），击穿电压为600V。此评估板为用户提供了测试分立封装（如TO-247）中的IGBT或与Q2铜线连接的模块型IGBT的灵活性。

图6：有源钳位评估板电路拓扑

图7：有源钳位演示的布*和功能

图8：TPSMB600CA-A和500V直流电压下的实际有源钳位

有源钳位时间（t）取决于电路寄生电感（L）和峰值短路电流（i），公式为Vovershoot=L*di/dt。如果Vce两端的过冲电压较高，则有源钳位时间较长（由于衰减时间较长），因此，如果电路寄生电感或峰值短路电流较高，则过冲电压将会较高，反之亦然。

板上去耦设计可以减少寄生电感，进而减少过冲电压或有效钳位时间。

蓝色：TVS电压

绿色：Vge电压

粉色：TVS电流

黄色：短Ice

主动钳位期间流过TVS二极管的电流很小。在这种情况下，电涌或脉冲持续时间通常处于微秒级。我们需要证明通过TVS二极管的能量处于TVS二极管可以承受的水平，没有任何问题。图9是从TPSMBTVS二极管数据手册复制的峰值脉冲功率与脉冲宽度时间的关系图。在有源钳位期间，对于短脉冲下TVS二极管两端的浪涌电压高于500V的情况，它显示峰值功率（图9中的箭头所示的点）在2微秒时为656V*0.5A=328W，它远低于TPSMBTVS二极管的脉冲宽度峰值功率额定值（如图9所示，在2微秒时约为10kW）。这意味着TVS二极管将在有源钳位期间承受这种短暂的浪涌。

图9：TPSMB系列TVS二极管峰值脉冲功率与脉冲时间的关系

注：请注意，IGBT或IGBT模块由IGBT驱动电路或驱动芯片驱动；不同的驱动芯片或驱动电路会影响驱动性能。通常，Rg值对控制IGBT的驱动电流至关重要，驱动线路中较低的Rg可以产生稍高的TVS有源钳位电流。本应用说明旨在揭示有源钳位保护。此外，它还旨在显示在有源箝位保护期间通过TVS二极管（对TVS二极管本身没有损害）的低能量水平。

结论：高压TVS二极管是IGBT关断事件期间IGBT有源钳位的关键元件，有助于在安全和有源模式下操作IGBT。Littelfuse提供了从3.3V至650V的各种高压TVS二极管。

钳位二极管用什么类型

二极管的钳位有保护电路作用。二极管钳位保护电路是由两个二极管反向串联组成的，一次只能有一个二极管导通，而另一个处于截止状态，那么它的正反向压降就会被钳制在二极管正向导通压降0.5-0.7以下，从而起到保护电路的目的。1、当二极管负极接地时，则正极端电路的电位比地高时，二极管会导通将其电位拉下来，即正极端电路被钳位零电位或零电位以下。2、当二极管正极接地时，则负极端电路的电位比地高时，二极管会截止，其电位将不会受二极管的任何作用。3、在钳位电路中，二极管负极接+5v，则正极端电路被钳位+5V电位以下。扩展资料二极管的电压与电流不是线性关系，所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。与PN结一样，二极管具有单向导电性。在二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流极小；当电压超过0.6V时，电流开始按指数规律增大，通常称此为二极管的开启电压；当电压达到约0.7V时，二极管处于完全导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压，用符号UD表示。对于锗二极管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时，电流开始急剧增大，反向击穿，此电压为二极管的反向击穿电压。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏。参考资料来源：百度百科—钳位二极管参考资料来源：百度百科—二极管

钳位二极管型号规格

钳位二极管又叫瞬态抑制二极管。简称TVS。

实物及图形符号

常见的瞬态抑制二极管实物如下图所示。

瞬态抑制二极管有单极型和双极型之分。其图形符号见下图。

原理

瞬态抑制二极管是一种二极管形式的高效能保护器件，当它两极间的电压超过一定值时，能以极快的速度导通，将两极间的电压固定在一个预定值上，从而有效地保护电子线路中的精密元器件。

下图所示是瞬态抑制二极管特性曲线，其伏安特性与普通稳压二极管的击穿特性一致，为典型的PN结雪崩器件。

时间-电压电流特性曲线中，曲线1时瞬态抑制二极管中的电流波形，它表示流过二极管的电流突然上升到峰值，然后按指数规律下降，造成这种电流冲击的原因可能是雷击、过压等。

曲线二是瞬态电压抑制二极管两端电压的波形，它表示二极管中的电流突然上升时，二极管两端电压也随之上升，但是最大只上升到Uc值，这个值比击穿电压略大，从而起到保护元器件的作用。

瞬态抑制二极管应用电路

下图所示是几种瞬态抑制二极管实用电路，电路中的VD1为瞬态抑制二极管，他们都在电路中起着瞬态电压保护的作用。

在浪涌保护电路中，也可以采用压敏电阻器，但是瞬态抑制二极管比压敏电阻的性能优越的多，反应速度快。

单极型瞬态抑制二极管

单极型瞬态抑制二极管用来抑制单向脉冲高压，如下图所示。当大幅度正脉冲的尖峰到来时，单极型瞬态抑制二极管反向导通，正脉冲被嵌在固定值上；在大幅度负脉冲到来时，若A点电压低于-0.7V，单极型瞬态抑制二极管正向导通，A点电压被嵌在-0.7V。

双极型瞬态抑制二极管

双极型瞬态抑制二极管可抑制双向瞬间高压，如下图所示，当大幅度正脉冲的尖峰到来时，双极型瞬态抑制二极管导通，正脉冲被钳位在固定值上，当大幅度负脉冲的尖峰到来时，双极型瞬态抑制二极管导通，负脉冲被抑制在固定值上。

在实际电路中，双极型瞬态抑制二极管更为常用，如无特别说明，瞬态抑制二极管是指双极型。

瞬态抑制二极管的检测

单极型瞬态抑制二极管具有单向导电性，其极性好坏与检测方法与稳压二极管相同。

双极型瞬态抑制二极管的两引脚无极性之分，用万用表RX1K档检测时，正、反向阻值应均为无穷大。双极型瞬态抑制二极管击穿电压的检测如下图所示。二极管VD为整流二极管，白炽灯用于降压限流，在220V电压正半周时VD导通，对电容充的上正下负的电压，当电容两端电压上升到瞬态抑制二极管的击穿电压时，瞬态抑制二极管击穿导通，两端电压不再升高，万用表测得的电压近似为瞬态抑制二极管的击穿电压。该方法适用于检测击穿电压小于300V的瞬态抑制二极管，因为220V市电的最高瞬间电压对电容充电最高达300V以上。