双向可控硅型号(双向可控硅型号参数表)

双向可控硅型号参数对照

PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E等。双向可控硅TRIAC为三端双向可控硅开关，亦称为双向晶闸管或双向可控硅，在进行使用的时候型号是比较多的，常用的型号有PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E等。

双向可控硅型号图片大全

PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E等。双向可控硅TRIAC为三端双向可控硅开关，亦称为双向晶闸管或双向可控硅，在进行使用的时候型号是比较多的，常用的型号有PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E等。

双向可控硅型号查询大全

bt151500r可用tyn1225型号的可控硅替代。可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个pn结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。

双向可控硅型号后面的字母是什么

概    述

SiliconControlledRectifier 简称SCR，是一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端功率器件，也称可控硅或晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备，它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。

可控硅分单向和双向两种，双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能，其通断状态由控制极G决定，在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题，因此特别适合做交流无触点开关使用。

参     数

 Averageon-statecurrent 

IT(AV)  通态平均电流

晶闸管在规定的环境温度和冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时，所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。同电力二极管一样，这个参数是按照正向电流造成的器件本身的通态损耗的发热效应来定义的。因此在使用时应按照实际波形的电流与通态平均电流所造成的发热效应相等，即有效值相等的原则来选取晶闸管的额定电流，并应留一定的裕量。一般选取通态平均电流为按此原则所得计算结果的1.5-2倍。

On-stateCurrent 

IT(RMS)  通态均方电流

Repetitivepeakoff-statevoltage

VDRM 断态重复峰值电压

断态重复峰值电压是在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压，国标规定重复频率为50H，每次持续时间不超高10ms。规定断态重复峰值电压VDRM为断态不重复峰值电压（即断态最大瞬时电压）VDSM的90%，断态不重复峰值电压应低于正向转折电压VBO，所留裕量大小由生产厂家自行规定。 

RepetitivePeakReverseVoltage 

VRRM  反向重复峰值电压

在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。

BreakoverVoltage  

VBO 转折电压 

Maximumforwardleakagecurrent  

IDRM正向断态重复峰值漏电流 

为晶闸管在阻断状态下承受断态重复峰值电压VDRM时，流过器件的正向峰值漏电流。

 Maximum reverseleakagecurrent 

IRRM  反向断态重复峰值漏电流

为晶闸管在阻断状态下承受断态反向重复峰值电压VRRM时，流过器件的反向峰值漏电流。

BreakoverCurrent 

IBO转折电流

GateTriggerCurrent 

IGT门极触发电流 

为了使可控硅可靠触发，触发电流Igt选择25度时max值的α倍，α为门极触发电流—结温特性系数，查数据手册可得，取特性曲线中最低工作温度时的系数。

HoldingCurrent

IH  维持电流 

维持可控硅维持通态所必需的最小主电流，它与结温有关，结温越高，则IH越小。

 LatchingCurrent 

IL擎住电流

擎住电流是晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流。

On-stateVoltage 

VT 通态电压 

 Peakon-statevoltagedrop

VTM 通态峰值电压

指器件通过规定正向通态峰值电流ITM(晶闸管)时的峰值电压，也称峰值压降，该参数直接反映了器件的通态损耗特性影响着器件的通态电流额定能力。

Onstatethresholdvoltage  

VTO 门槛电压 

Triggeringgatevoltage 

VGT 门极触发电压 

可以选择VGT25度时max值的β倍。β为门极触发电压—结温特性系数，查数据手册可得，取特性曲线中最低工作温度时的系数。

Non-triggeringgatevoltage 

VGD门极不触发电压

PeakForwardGateVoltage 

VFGM门极正向峰值电压

PeakReverseGateVoltage 

VRGM 门极反向峰值电压

PeakForwardGateCurrent

IFGM 门极正向峰值电流 

AverageGatePowerDissipation

PG(AV)门极平均功率

PeakGatePowerDissipation

PGM门极最大峰值功率

ForwardPeakGateCurrent

IGM门极峰值电流

Surge(Non-repetitiveOn-stateCurrent）

ITSM 通态浪涌电流（通态不重复峰值电流）

浪涌电流是指由于电路异常情况引起的使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流。

RMSSurge(Non-repetitive)On-stateFusingCurrent

 I2t 周期电流平方时间积　

CriticalRate-of-riseofOn-stateCurrent

di/dt通态临界电流上升率

指在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。如果电流上升太快，则晶闸管刚一开通，便会有很大的电流集中在门极附近的小区域内，从而造成*部过热而使晶闸管损坏。

CriticalRate-of-riseofOff-stateVoltageorStaticdv/dt

dv/dt 断态临界电压上升率dv/dt

指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。此值超限将可能导致可控硅出现误导通的现象。由于可控硅的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容，dv/dt的变化在电容的两端会出现等效电流，这个电流就会成为Ig，也就是出现了触发电流，导致误触发。

CriticalRate-of-riseofCommutationVoltageofaTriac/(Commutatingdv/dt)  

dv/dt(c) 临界转换电压上升率/切换电压上升率

驱动高电抗性的负载时，负载电压和电流的波形间通常发生实质性的相位移动。当负载电流过零时双向可控硅发生切换，由于相位差电压并不为零，这时双向可控硅须立即阻断该电压，产生的切换电压上升率若超过允许值，会迫使双向可控硅回复导通状态，因为载流子没有充分的时间自结上撤出。

Repetitiverateofriseofon-statecurrentaftertriggering (IGT1~IGT3) 

dIT/dt 通态临界电流上升率

当双向可控硅或闸流管在门极电流触发下导通，门极临近处立即导通，然后迅速扩展至整个有效面积。这迟后的时间有一个极限，即负载电流上升率的许可值。过高的dIT/dt可能导致*部烧毁，并使T1-T2短路。假如过程中限制dIT/dt到一较低的值，双向可控硅可能可以幸存。因此，假如双向可控硅的VDRM在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出或导通时的dIT/dt有可能被超出，可在负载上串联一个几μH的不饱和（空心）电感。

Gate-controlledTurn-onTime 

tgt门极控制延迟时间 

Circuit-commutatedTurn-offTime

tq 周期转换关断时间

恢复晶闸管电压阻断能力所需的最小电路换流反压时间。

OperatingJunctionTemperatureRange

Tj 工作结温

为了长期可靠工作，应保证Rthj-a足够低，维持Tj不高于80%Tjmax,其值相应于可能的最高环境温度。

StorageTemperatureRange 

Tstg 贮存温度 

Max.LeadTemperatureforSolderingPurposes 

TL 引脚承受焊锡极限温度

ThermalResistanceJunctiontomountingbase 

Rth(j-mb) 热阻-结到外壳

ThermalResistanceJunction-to-ambient 

Rth(j-a) 热阻-结到环境

命    名

方法一：

双向可控硅为什么称为“TRIAC”？ 

三端：TRIode(取前三个字母)，交流半导体开关：ACsemiconductorswitch(取前两个字母)， 以上两组名词组合成“TRIAC”中文译意“三端双向可控硅开关”，由此可见“TRIAC”是双向可控硅的简称。

方法二：

双向：Bi-directional(取第一个字母)，控制：Controlled(取第一个字母）整流器：Rectifier(取第一个字母)，再由这三组英文名词的首个字母组合成:“BCR” 中文译意:双向可控硅。以“BCR”来命名双向可控硅的典型厂家如日本三菱，如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。

方法三：　　

双向：Bi-directional(取第一个字母)，  三端：Triode(取第一个字母)，由以上两组单词组合成“BT”，典型的生产商如：意法ST公司、荷兰飞利浦-Philips公司，均以此来命名双向可控硅。代表型号如：PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、等等。这些都是四象限/非绝缘型/双向可控硅。

Philips公司的产品型号前缀为“BTA”字头的，通常是指三象限的双向可控硅。而意法ST公司，则以“BT”字母为前缀来命名元件的型号并且在“BT”后加“A”或“B”来表示绝缘与非绝缘组合成：“BTA”、“BTB”系列的双向可控硅型号，如：四象限/绝缘型/双向可控硅:BTA06-600C、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600B等等；四象限/非绝缘/双向可控硅:BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600B等等。

ST公司所有产品型号的后缀字母（型号最后一个字母）带“W”的，均为“三象限双向可控硅”。如“BW”、“CW”、“SW”、“TW”；代表型号如:BTB12-600BW、BTA26-700CW、BTA08-600SW等等。

至于型号后缀字母的触发电流，各个厂家的代表含义如下：PHILIPS公司：D=5mA，E=10mA，C=15mA，F=25mA，G=50mA，R=200uA或5mA，型号没有后缀字母之触发电流，通常为25-35mA；PHILIPS公司的触发电流代表字母没有统一的定义，以产品的封装不同而不同。

意法ST公司：TW=5mA，SW=10mA，CW=35mA，BW=50mA，C=25mA，B=50mA，H=15mA，T=15mA，注意：以上触发电流均有一个上下起始误差范围，产品PDF文件中均有详细说明，一般分为最小值/典型值/最大值，而非“=”一个参数值。

双向可控硅型号怎么看

可控硅

可控硅(SiliconControlledRectifier)简称SCR,是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。

可控硅的分类

可控硅有多种分类方法。

（1）按关断、导通及控制方式分类：可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅（GTO）、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。

（2）按引脚和极性分类：可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。

（3）按封装形式分类：可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中，金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。

（4）按电流容量分类：可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三种。通常，大功率可控硅多采用金属壳封装，而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。

（5）按关断速度分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（快速）可控硅。

（6）过零触发-一般是调功，即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发，必须是过零点才触发，导通可控硅。

（7）非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过改变正弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。

单向可控硅的结构

单向可控硅，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。

以硅单晶为基本材料的四层三端器件,起始于1957年，因为它的特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T，又因为晶闸管最初的在静止整流方面，所以又被称之为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。

在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称"死硅")更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。

可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此功率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。

可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。

可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。

可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。

双向可控硅的结构

双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。双向可控硅元件主要用于交流控制电路，如温度控制、灯光控制、防爆交流开关以及直流电机调速和换向等电路。

从外表上看，双向可控硅和普通可控硅很相似，也有三个电极。但是，它除了其中一个电极G仍叫做控制极外，另外两个电极通常却不再叫做阳极和阴极，而统称为主电极Tl和T2。它的符号也和普通可控硅不同，是把两个可控硅反接在一起画成的，如下图所示。

它的型号，在我国一般用“3CTS”或“KS”表示；国外的资料也有用“TRIAC”来表示的。双向可控硅的规格、型号、外形以及电极引脚排列依生产厂家不同而有所不同，但其电极引脚多数是按T1、T2、G的顾序从左至右排列(观察时，电极引脚向下，面对标有字符的一面)。

单、双向可控硅检测

（1）单、双向可控硅的判别

　　先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。

（2）可控硅的检测方法

　　将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。然后瞬时断开A极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。

对于1~6A双向可控硅，红笔接T1极，黑笔同时接G、T2极，在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极，指针应指示为几十至一百多欧（视可控硅电流大小、厂家不同而异）。然后将两笔对调，重复上述步骤测一次，指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧，则表明可控硅良好，且触发电压（或电流）小。

若保持接通A极或T2极时断开G极，指针立即退回∞位置，则说明可控硅触发电流太大或损坏。可按图2方法进一步测量，对于单向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K灯仍不熄灭，否则说明可控硅损坏。

对于双向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K，灯应不熄灭。然后将电池反接，重复上述步骤，均应是同一结果，才说明是好的。否则说明该器件已损坏。

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双向可控硅型号大全

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一、可控硅的工作原理

可控硅是可控硅整流器的简称。它是由三个PN结四层结构硅芯片和三个电极组成的半导体器件。图3-29是它的结构、外形和图形符号。

可控硅的三个电极分别叫阳极(A)、阴极(K)和控制极(G)。当器件的阳极接负电位(相对阴极而言)时，从符号图上可以看出PN结处于反向，具有类似二极管的反向特性。当器件的阳极上加正电位时(若控制极不接任何电压)，在一定的电压范围内，器件仍处于阻抗很高的关闭状态。但当正电压大于某个电压(称为转折电压)时，器件迅速转变到低阻通导状态。加在可控硅阳极和阴极间的电压低于转折电压时，器件处于关闭状态。此时如果在控制极上加有适当大小的正电压(对阴极)，则可控硅可迅速被激发而变为导通状态。可控硅一旦导通，控制极便失去其控制作用。就是说，导通后撤去栅极电压可控硅仍导通，只有使器件中的电流减到低于某个数值或阴极与阳极之间电压减小到零或负值时，器件才可恢复到关闭状态。

图3-30是可控硅的伏安特性曲线。

图中曲线I为正向阻断特性。无控制极信号时，可控硅正向导通电压为正向转折电压(UB0)；当有控制极信号时，正向转折电压会下降(即可以在较低正向电压下导通)，转折电压随控制极电流的增大而减小。当控制极电流大到一定程度时，就不再出现正向阻断状态了。

曲线Ⅱ为导通工作特性。可控硅导通后内阻很小，管子本身压降很低，外加电压几乎全部降在外电路负载上，并流过比较大的负载电流，特性曲线与二极管正向导通特性相似。若阳极电压减小(或负载电阻增加)，致使阳极电流小于维持电流IH时，可控硅从导通状态立即转为正向阻断状态，回到曲线I状态。

曲线Ⅲ为反向阻断特性。当器件的阳极加以反向电压时，尽管电压较高，但可控硅不会导通(只有很小的漏电流)。只有反向电压达到击穿电压时，电流才突然增大，若不加限制器件就会烧毁。正常工作时，外加电压要小于反向击穿电压才能保证器件安全可靠地工作。

可控硅的重要特点是：只要控制极中通以几毫安至几十毫安的电流就可以触发器件导通，器件中就可以通过较大的电流。利用这种特性可用于整流、开关、变频、交直流变换、电机调速、调温、调光及其它自动控制电路中。

二、可控硅的主要技术参数

1．正向阻断峰值电压(VPFU)

是指在控制极开路及正向阻断条件下，可以重复加在器件上的正向电压的峰值。此电压规定为正向转折电压值的80％。

2．反向阻断峰值电压(VPRU)

它是指在控制极断路和额定结温度下，可以重复加在器件上的反向电压的峰值。此电压规定为最高反向测试电压值的80％。

3．额定正向平均电流(IF)

在环境温度为+40C时，器件导通(标准散热条件)可连续通过工频(即指供电网供给的电源频率．一般为50Hz或60Hz，我国规定为50Hz)正弦半波电流的平均值。

4．正向平均压降(UF)

在规定的条件下，器件通以额定正向平均电流时，在阳极与阴极之间电压降的平均值。

5．维持电流(IH)

在控制极断开时，器件保持导通状态所必需的最小正向电流。

6．控制极触发电流(Ig)

阳极与阴极之间加直流6V电压时，使可控硅完全导通所必需的最小控制极直流电流。

7．控制极触发电压(Ug)

是指从阻断转变为导通状态时控制极上所加的最小直流电压。

普通小功率可控硅参数见表3-lO。

表3-10 普通小功率可控硅参数

型号

额定正向平均电流

（A）

正向阻断峰值电压

（V）

反向阻断峰值电压

（V）

最大

正向平均压降

（V）

维持

电流

（mA）

控制极

触发电压

（V）

控制

极电流

（mA）

控制极最大允许正向电压

（V）

3CT1

1

30～3000

30～3000

1.2

＜20

＜2.5

＜20

10

3CT5

5

30～3000

30～3000

1.2

＜40

＜3.5

＜50

10

3CT10

10

30～3000

30～3000

1.2

＜60

＜3.5

＜70

10

3CT20

20

30～3000

30～3000

1.2

＜60

＜3.5

＜71

10

*正向阻断峰值电压及反向阻断峰值电压在30～3000范围内分档。

三、多种用途的可控硅

根据结构及用途的不同，可控硅已有很多不同的类型，除上述介绍的整流用普通可控硅之外还有；①快速可控硅。这种可控硅可以工作在较高的频率下，用于大功率直流开关、电脉冲加工电源、激光电源和雷达调制器等电路中。②双向可控硅。它的特点是可以使用正的或负的控制极脉冲，控制两个方向电流的导通。它主要用于交流控制电路，如温度控制、灯光调节及直流电极调速和换向电路等。③逆导可控硅。主要用于直流供电车辆(如无轨电车)的调速。④可关断可控硅。这是一种新型可控硅，它利用正的控制极脉冲可触发导通，而用负的控制极脉冲可以关断阳极电流，恢复阻断状态。利用这种特性可以做成无触点开关或用于直流调压、电视机中行扫描电路及高压脉冲发生器电路等。

可控硅的用途很广泛，下面仅举两例来说明可控硅电路的工作过程。

图3-31是采用双基极管的可控硅调压电路，D1～D2组成全波桥式整流电路。BG双基极管构成可控硅的同步触发电路(是一个张弛振荡器)。整流电压经电阻R1降压后加在A、B两点。整流后脉动电压的正半周通过R4、W向电容C充电，当充电电压达到双基极管峰点电压UP时，BG由截止转为导通，电容C通过b1e结及R。迅速放电，其放电电流在R。上产生一个尖脉冲，成为触发可控硅(SCR)极的触发信号，从而导致可控硅导通。可控硅导通后其正向压降很低，所以张弛振荡器即停止工作，电源电压过零时(由于无滤波电容，故为单向脉动电压)可控硅就自动关断。待下一个正半周到来时，电容C又充电，重复上述过程。因而串联于整流电路的负载RL上就得到～个受控的脉冲电压。电容C的充电速度与R4、、W及C的乘积有关，所以调节W之值，即能改变电容C充电到U，值的时间．也就可以改变可控硅的导通时间，从而改变了负载上电压的大小。

图3-32是一种利用可控硅做成的感应(接近)开关。它是利用人体电容和电阻与电路上电容C1，并联促使氖管N导通点燃，从而在电阻R1上产生可控硅的触发信号，使可控硅导通，点着串于可控硅电路里的灯泡。也可在电路里串接继电器，带动其他电器装置的开启或关闭。

四、用万用表检查可控硅的好坏

1．判定可控硅的电极

小功率可控硅的电极从外形上可以差别，一般阳极为外壳，阴极线比控制极引线长，如图3-29所示。如果其它型式的封装，不知电极引线时可以用万用表的电阻档进行判别。从可控硅的结构图上可以看出，阴极与控制极之间有一个PN结，而阳极与控制极之间有两个反向串联的PN结。用电表R×100档先测出控制极。方法是将负表笔试接某一电极，正表笔依次碰触另外两个电极，假如有一次阻值很小(约几百欧姆)，另一次阻值很大(约几千欧姆)，说明负表笔接的正是控制极(G)。在阻值小的那次测量中，接正表笔的一端是阴极(C或K)，阻值大的那次，接正表笔的是阳极(A)；若两次测出的阻值均很大，说明负表笔接的不是控制极，应更换另外一个电极，重复上述判别．

2．检查可控硅的好坏

对于一个良好的可控硅应包括以下内容：①三个PN结均是良好的；②可控硅反向电压时能够阻断，不导通；⑧可控硅正向在控制极开路时能够阻断；④如果控制极加了正向电流，而阳极加正向电压时可控硅可以导通，且撤去控制极电流后仍能维持导通。对于前三项可以通过测量极间电阻的方法判别，后一条要进行导通试验。

(1)测极间电阻。用万用表电阻档测阳极与控制极之间、阳极与阴极之间的电阻。注意，宜用电表电阻最高档，阻值均应很高。如阻值很小，并用低阻档再量阻值仍较小，表明可控硅已击穿、管子是坏的。阳极和阴极之间的正向电阻值(即阳极接负表笔，阴极接正表笔时阻值)，反映可控硅正向阻断特性，阻值愈大，表示正向漏电流愈小。阳极与阴极之间的反向阻值反映可控硅的反向阻断特性，阻值愈大，表示反向漏电流愈小。

测控制极与阴极之间的电阻。用R×10或R×100档测量为宜。如果正向电阻(控制极接负笔，阴极接正笔)极大，接近∞处，表示控制极与阴极之间已经烧毁，管子已坏。至于反向电阻应很大，不过有些管子控制极与阴极之间的反向电阻并不太高，这也是正常的。表3-11给出测量3CT5B可控硅的G、C极间电阻数据，供参考。

表3-11  3CT5可控硅G、C极间电阻值

       表笔接法

万用表档次

Aeqoac(○,-)

Ceqoac(○,+)

Aeqoac(○,+)

Ceqoac(○,-)

Geqoac(○,-)

Ceqoac(○,+)

Geqoac(○,+)

Ceqoac(○,-)

Aeqoac(○,-)

Geqoac(○,+)

Aeqoac(○,+)

Geqoac(○,-)

R×1

—

—

45Ω

—

—

—

R×10

—

—

120Ω

—

—

—

R×1K

—

—

1.4KΩ

100KΩ

—

—

R×10K

—

—

2KΩ

50KΩ

—

—

(2)导通试验。利用万用表的直流电流档(100mA档或更大些电流档)，需外加6V直流电源，按图3-33所示电路接好。先不合开关K，此时电流表指示应很小(正向阻断)，当K闭合时电流应有100mA左右。电流若很小表明管子正向压降太大或已损坏。再断开K，电表指示应仍为100mA左右基本上无变化。切断6V电源再一次重复上述过程，如一切同前表示管子导通性能是良好的。在没有万用表时，用6.3V小灯泡代替电表也可以，导通时灯泡亮。

五、单结晶体管

单结晶体管的结构和电路符号如图3-34所示。因为它只有一个PN结，所以称为单结晶体管。但由于它有两个基极，故又称双基极二极管。它的外形与三极管相似，也有三只管脚，其中一个是发射极(e)，另外两个是基极(b1和b2)。它是一种具有负阻特性的器件(电流增加而电压降反而减小的特性)。图3-35是它的伏安特性曲线及等效电路。双基极管可组成弛张振荡器、自激多谐振荡器以及定时延时等电路，具有电路结构简单、热稳定性好等优点。

输入电压U＜ηUbb时，发射极与基极之间的PN结处于反向偏置，管子截止，电流很小。

当输入电压Ube＞ηUbb+UD时，(UD为二极管正向压降约为0.7V)PN结正向导电，Ie明显增加，rbl阻值迅速减小，Ue相应下降。这种电压随电流增加反而下降的特性就是双基极管的负阻特性。管子由截止区进入负阻区的交界点称为峰点。与其对应的发射极电压和电流分别称为峰点电压VP和峰点电流IP，显然UP≈ηUbb。

随着发射极电流Ie不断增加，Ue不断下降，降至某一点时不再下降了，这一点称为谷点。谷点之后管子特性进入了饱和区。与谷点对应的发射极电压Uu与发射极电流Iu分别称为谷点电压和谷点电流。显然Uu是维持单结管导通的最小发射极电压，只要Ue>Uu管子又会重新截止。

特性进入饱和区后，发射极与第一基极间的电流达到饱和状态，所以Ue继续增加时，Ie增加不多。

双向可控硅型号后面的数字是什么意思

普及数电模电知识，科教兴国。

大家好，今天我们来学习可控硅的基础知识。之前我们在讲三极管时说过，三极管是由三层半导体材料组成的，有两个PN结，如下图：

而今天我们要讲的可控硅是由四层半导体材料组成的，有三个PN结：

既然都是由PN结组成，那么它们肯定有相似之处，来，看看下面的是三极管还是可控硅？

哈哈，是不是蒙了？没错，上两图长得像三极管的东西就是可控硅啦，由于它们都是TO-92封装，所以单从外形是区别不出来的，只能通过有字标识的那一面来辨别。上面那个是MCR100-6，是单向可控硅；下面的是97A6，是双向可控硅。

平时我们常见常用的可控硅的型号有：

还有BTA12-600B、BTA16-600B、BT136-600E、TYN1225、70TPS16等都是比较常见和常用的。

下面是关于可控硅的几个主要参数标识：

可控硅，也叫晶闸管，通俗简单地讲就是一个可以用小电流小电压控制大电流大电压的开关，可控硅分单向可控硅和双向可控硅，本期我们先来讲单向可控硅。

单向可控硅有一个脚是控制脚G，另外两个脚分别是A脚和K脚，即阳极和阴极，下面是电路符号：

简单来说，就是单向可控硅分正负极，要想让单向可控硅起到开关控制作用，必须将其A极接到电源正极，K极接电源负极，同时控制极G极也需要加正向电压。我们用单向可控硅MCR100-6控制直流电机的转动作为例子来讲解，让大家懂得如何使用可控硅。

下面是要用到的电路图：

电路非常简单，用到了一个单向可控硅MCR100-6，一个直流电机，这里用到了两个电源，一个5V，一个12V，这样设置双电源的目的，一是为了给大家演示小电流小电压控制大电流大电压的功能，二是能给可控硅的G极控制极加上一个正向的触发电压。

下图是我焊出来的实物图：

当我们把主电路的控制开关S1闭合，电机是不转的。而当我们按下一次复位按键S2，可控硅就会被触发导通，这时直流电机转动了起来。

这里有一点非常特殊，就是当我们按一次S2触发可控硅导通后，松开按键，可控硅依旧导通。没错，这就是可控硅的特性，即一触即发，控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使可控硅导通，却不能使它关断。

那么如何关断触发的可控硅呢？方法有两种，一是可以断开阳极电源，即我们断开图中的S1；二是使阳极电流小于维持导通的最小值，我们称为维持电流。

附上我们的视频教程：

怎么样，这么讲大家还能接受吧？本期我们就讲这么多，下期教大家用单向可控硅MCR100-6设计制作一个调光电路，更多有关电子制作电子DIY的精彩教程欢迎关注：创客e工坊。