ddr3型号(ddr3型号怎么看)

ddr3型号怎么看

2019年国内的合肥长鑫推出了国产DDR4内存，结束了国内没有DRAM芯片自产的日子，此后也有其他公司准备进军内存市场，比如兆易创新。该公司日前透露了其内存计划，2021年上半年将推出4GbDDR3内存。

兆易创新表示，自研第一个产品会是DDR3,4Gb，面向利基市场。

2021年还在研发DDR3内存？别急，虽然明年DDR3内存已经不是什么新东西了，DDR5都要上市了，但DDR3还不会被淘汰，而且兆易创新主要是用于利基市场，也就是消费电子产品，对内存的性能、容量等要求不高。

考虑到兆易创新的主力产品，比如NOR闪存、MCU主控等等都是面向嵌入式、消费电子等市场的，其首款内存主打这一市场也不让人意外。

即便是DDR3内存，对任何没有内存研发、设计经验的公司来说，技术门槛还是很高的，兆易创新选择看似落后但比较稳妥的研发路线也没什么可说的。

去年底，兆易创新宣布募资33.2亿元研发内存，这点钱并不算多，所以研发DDR3内存情有可原。

他们还公布了内存研发的路线图，如下所示：

·2020年，兆易创新将启动首款DRAM芯片产品定义，包括市场定位、产品规格及芯片设计工艺。

·2020年，兆易创新将定义首款芯片的生产职称，并将经过验证后的设计开展流片试样，反复修改直至通过系统验证。

·2021年，对首款芯片试样进行封装测试，并送交系统芯片商进行功能认证，并最终通过客户验证。

·2021年，首款芯片通过验证之后进行小批量生产，测试成功后进行大批量生产。

·2022-2025年，进行新系列芯片研发及量产。

当然，大家更关心的肯定是DDR5内存什么时候普及，这个还得耐心等等。

TrendForce集邦咨询旗下半导体研究处调查显示，内存市场正值跨世代交替，明年将是DDR5启用元年，服务器先行，而PC受限于成本，要到2022年才会支持。

调查称，Intel是PC主要平台供应商，占整体PC出货量约70%以上，由于PC消费者对整机价格敏感度极高，而DDR5初期推出的价格与DDR4相较必定存在溢价，因此Intel平台支援时程不会过于积极。

原来预计2021年发布的TigerLake-H（仅限最高端版本)要开始率先支持DDR5，但最终Intel暂缓了该计划，最快恐怕要到2022年初的AlderLake平台才会正式支持。

AMD占整体PC出货量约20%以上，但也同样要等到2022年5nm平台才有计划支持DDR5。

与PC端相较，由于服务器产品的生产成本敏感度较低，因此对于存有溢价的DDR5产品有较快的平台导入规划。预计Intel服务器平台平台EagleStream会开始正式采用DDR5，预计2021下半年度开始做小批量的生产。

TrendForce集邦咨询预计，DDR5的服务器内存产品将在2022年逐渐大量生产，并且取代现在的DDR4。

10月7日，韩国存储巨头SK海力士宣布，正式发布全球第一款DDR5内存，为面向服务器、数据中心的RDIMM形态，基于1Ynm工艺制造的16Gb颗粒，单条容量64GB，而借助TSV硅穿孔技术，最高可以达到256GB。

频率方面起步就是4800MHz，最高为5600MHz，相当于一秒钟就可以传输9部全高清电影。

今年7月15日，JEDEC固态存储协会正式发布了DDR5SDRAM内存标准规范，起步频率3200MHz，最高可达到6400MHz。

按照惯例终端产品频率会跟更高，同时电压从1.2V进一步降低至1.1V，而单个Die的容量为8-32Gb(1-4GB)。

ddr3型号mt41K256M16HA-125E选择

ddr32133属于高性能内存，但实际上一般主板支持不了该内存频率的内存，需要超频后才可以支持，默认状态下，无法将该内存的优势发挥出来的。使用该内存的要求如下：主板支持超频，超频后支持2133的内存。现在主流的内存频率为1600MHz，这个内存频率够用了。内存主频习惯上被用来表示内存的速度，它代表着该内存所能达到的最高工作频率。内存主频是以MHz（兆赫）为单位来计量的。内存主频越高在一定程度上代表着内存所能达到的速度越快。内存主频决定着该内存最高能在什么样的频率正常工作。目前较为主流的内存频率是333MHz和400MHz的DDR内存，667MHz、800MHz和1066MHz的DDR2内存，1066MHz、1333MHz、1600MHz的DDR3内存。

ddr3类型

ddr1算是最早的内存的，主频都很低，ddr2是第二代内存条，DDR2内存规格有DDR2-400、DDR2-533、DDR2-667、DDR2-800四种型号，400，533，667，800都是指的频率，频率越高越好，ddr2时代比较主流的是667和800ddr3是第三代，从1333到2800都有，越高的越贵，现在已经出到第四代DDR4了，每一代的接口不一样，就是内存中间凹槽的位置不同，内存没必要用过高的主频，因为在不超频的情况下根本用不到，现在家用的CPU在不超频的情况下最高也就能支持2400的内存主频，所以再高都是浪费钱

ddr3型号容量计算

DDR3显存可以看作是DDR2的改进版，二者有很多相同之处，例如采用1.8V标准电压、主要采用144Pin球形针脚的FBGA封装方式。不过DDR3核心有所改进：DDR3显存采用0.11微米生产工艺，耗电量较DDR2明显降低。此外，DDR3显存采用了“PseudoOpenDrain”接口技术，只要电压合适，显示芯片可直接支持DDR3显存。当然，显存颗粒较长的延迟时间(CASlatency)一直是高频率显存的一大通病，DDR3也不例外，DDR3的CASlatency为5/6/7/8，相比之下DDR2为3/4/5。客观地说，DDR3相对于DDR2在技术上并无突飞猛进的进步，但DDR3的性能优势仍比较明显：(1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。(2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。(3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为4MX32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存规格多为8MX32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。(4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。目前，DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。DDR3内存型号，频率分别为达到1333MHz以及1600MHz。其中1333MHz型号为W1333UB2G8，1GB×2套装，延迟8-8-8-18。DDR3-1600型号为W1600UX2G7，延迟相对其他高频DDR3型号来说较低，为7-7-7-18。

ddr3参数详解

列：

KVR16S11K2/16

一眼就可以看出，数据速率1600(DDR3)；SODIMM类型；CL为11个时钟周期，16G，S模组类型前面空，表示1.5V电压，斜杠前面是K2，表示两条装。

KVR18R13D4/16KF

数据速率1866(18)，带寄存器的DIMM，带地址/命令奇偶校验功能和温度传感器，这种内存通常用于服务器，CL值13，16G，斜杠前面D4，表示双列4颗粒，容量后面的K表示Kingston(金士顿)的颗粒。

扩展资料

记住以下几个关键参数位置，对我们记忆内存型号规则非常有帮助。

1、速度

紧跟着KVR，新版的型号规则采用高两位表示(1333，取13)，旧的是数字全标注(1333)。严格来说，这个值较速度速率，或者有效速率。

2、模组类型；

通常，笔记本内存模组类型为S，即SODIMM，这种内存长度为普通台式机长度约一半。普通台式机为N。

3、CL值

CASLatency延迟，表示从注册读取数据开始，到真正可以从缓冲取数据需要等待的时钟周期数，相同数据速率的内存，这个值越低，表示内存速度越高，通常数据速率越高，这个值也越大。

ddr3 型号

支持DDR3内存的型号有哪些？

支持DDR3内存的型号有哪些？

随着科技的不断发展，内存领域也在不断的更新迭代。其中，DDR3内存作为一款相对较新的内存类型，其速度和性能在市场上备受欢迎。那么，哪些型号的设备支持DDR3内存呢？

首先，我们需要了解DDR3内存的基本性能和技术要求。DDR3内存的频率范围在800~2133MHz之间，其中，1333MHz和1600MHz的频率最为常见。而DDR3内存的电压则为1.5V，相比DDR2和DDR1内存的1.8V和2.5V，更加节能和环保。

接下来，我们来看看哪些型号的设备支持DDR3内存。目前，很多品牌的主板都支持DDR3内存，例如华硕、技嘉、微星等。其中，华硕的P8Z68、P8Z77等系列主板可以支持DDR32133MHz内存，性能表现非常出色。而微星的B75MA-E33系列主板则适合初学者或家庭办公使用，其DDR31600MHz内存具有良好的稳定性和性价比。

除了主板，一些笔记本电脑和台式机也支持DDR3内存。例如，联想的Y480、Y580等笔记本电脑，以及惠普的Pavilionp6-2418cn、p7-1420t等台式机，均支持DDR3内存。

如果您想要购买DDR3内存，可以根据您的设备类型和性能要求选择适当的品牌和型号。同时，我们也需要注意内存的选择和安装，以确保设备的正常运行和性能表现。

总的来说，DDR3内存已经成为现代设备中的主流内存类型之一。无论是游戏、影音、办公等应用场景，DDR3内存的性能表现都非常出色。如果您的设备支持DDR3内存，不妨考虑升级一下内存条，提升设备的性能和使用体验。

ddr3-l

ddr3显存可以看作是ddr2的改进版，二者有很多相同之处，例如采用1.8v标准电压、主要采用144pin球形针脚的fbga封装方式。不过ddr3核心有所改进：ddr3显存采用0.11微米生产工艺，耗电量较ddr2明显降低。此外，ddr3显存采用了“pseudoopendrain”接口技术，只要电压合适，显示芯片可直接支持ddr3显存。当然，显存颗粒较长的延迟时间(caslatency)一直是高频率显存的一大通病，ddr3也不例外，ddr3的caslatency为5/6/7/8，相比之下ddr2为3/4/5。客观地说，ddr3相对于ddr2在技术上并无突飞猛进的进步，但ddr3的性能优势仍比较明显：(1)功耗和发热量较小：吸取了ddr2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得ddr3更易于被用户和厂家接受。(2)工作频率更高：由于能耗降低，ddr3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配ddr3显存的显卡上已有所表现。(3)降低显卡整体成本：ddr2显存颗粒规格多为4mx32bit，搭配中高端显卡常用的128mb显存便需8颗。而ddr3显存规格多为8mx32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128mb显存。如此一来，显卡pcb面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。(4)通用性好：相对于ddr变更到ddr2，ddr3对ddr2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配ddr2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用ddr3显存，这对厂商降低成本大有好处。目前，ddr3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。ddr3内存型号，频率分别为达到1333mhz以及1600mhz。其中1333mhz型号为w1333ub2g8，1gb×2套装，延迟8-8-8-18。ddr3-1600型号为w1600ux2g7，延迟相对其他高频ddr3型号来说较低，为7-7-7-18。

ddr3内存型号

本文介绍一下常用的存储芯片DDR3，包括DDR3的芯片型号识别、DDR3芯片命名、DDR3的基本结构等知识，为后续掌握FPGADDR3的读写控制打下坚实基础。

一、DDR3芯片型​号

电路板上的镁光DDR3芯片上没有具体的型号名。

如果想知道具体的DDR3芯片型号，那怎么办?

这里我们首先要知道DDR3芯片信号丝印的信息含义：

第一行数字字母表示产地等信息。

第二行数字字母表示FBGACode。

将FBGACode这串数字，输入下面这个镁光的官网网址，即可查询：

https://www.micron.com/support/tools-and-utilities/fbga

这里我们来试一下：

二、DDR3芯片命名

这里以镁光的DDR3芯片为例，不同系列的镁光芯片命名略有差异，基本大同小异，使用的是MT41J256M16HA-125。

MT——Micron的厂商名称。

41J——内存的类型。

256M16——内存颗粒容量为256M*16bits。

HA——封装方式。

-125——速度等级1600MHz，其tCK参数1.25ns，CL为11ns。

我们通过Configuration,Package,Speed..等DDR3的命名可知道DDR3的容量，封装，这度等级等信息。

通过以上信息我们即可知道DDR3的内存容量，Row,Column和Bank的地址位宽。

更多的信息，请查看官方芯片手册。

三、DDR3芯片基本结构

四、DDR引脚说明

DDR3不同的功能引脚有不同的要求，可划分为：控制总线、地址总线、数据总线、电源与参考电压。

1、控制总总线

ODT：片上终端使能，ODT使能和禁止片内终端电阻。

ZQ：输出驱动较准的外部参考引脚，应外接一个RZQ电阻到VSSQ，一般接到地。

RESET：芯片复位引脚，低电平有效。

CKE：时钟使能引脚。

A12：A12为地址引脚，叫做BC引脚，有另外一个功能，A12会在READ和WRITE命令期间被采样，决定burstchop是否会被执行。

CK，CK#：时钟信号线，DDR3的时钟线是差分时钟线，控制信号和地址信号都会在CK的上升沿和CK#的下降沿交叉处采集。

CS#：片选信号，低电平有效。

RAS#：行地址选通信号。

CAS#：列地址选通信号。

WE#：写使能信号。

2、地​址线

A[14:0]：15根行地址线A0～A14和10根列地址线A0~A9，行地址线和列地址线进行复用。

BA[2:0]：BA0~BA2为Bank的选择线，由2^3=8，可以总共有8个Bank。

8个Bank区域，DDR3一般有8个Bank区域。

3、数据总线

DQ[15:0]：DQ0~DQ15为16根数据线，该DDR3L的宽度为16位。

LDQS，LDQS#：数据选通引脚，对应低字节DQ0~DQ7，读的时候是输出，写的时候为输入；

UDQS，UDQS#：数据选通引脚，对应高字节DQ8~DQ15，读的时候是输出，写的时候为输入。LDM/UDM：写数据输入屏蔽引脚。

五、DDR关键时间参数

1、传输速率

比如1066MT/S、1600MT/S等，这个参数决定了DDR的最高数据传输速率。

2、tRCD

tRCD的全称为RAS-to-CASDelay，行寻址到列寻址之间的延迟。

DDR的寻址流程为先输入Bank地址和行地址，再输入列地址，确定最终要寻址的存储单元，该命令叫"行激活"。

在行激活到读写命令发出的这段时间时隔就是tRCD。

3、CL

CL（CASLatency）即列地址选通潜伏期，当列地址发出以后就会触发数据传输，从数据从存储单元到内存芯片IO接口上需要的这一段时间。

4、AL

AL（AdditiveLatency）参数是为了保证足够的延迟潜伏期，单位为时钟周期，AL+CL组成了RL（ReadLatency）。

5、tRC

tRC是两个ACTIVE命令，或者ACTIVE命令到REFRESH命令之前的周期，DDR的数据手册会给出该值。

6、tRAS

tRAS是ACTIVE命令到PRECHARGE命令之间的最小时间。

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