电源管理芯片型号(电源管理芯片型号大全)

电源管理芯片型号大全

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电源管理芯片型号芯脉实业

电源管理芯片型号对照表如下：

1、PIC24F32KA301。

2、PIC24F16KA301。

3、PIC24F16KA101。

4、PIC18F14K22。

5、PIC18F14K50。

6、PIC16F1829。

7、PIC16F1509。

8、dsPIC33FJ12MC201。

9、PIC24F08KA101。

10、PIC18F13K22。

11、PIC18F13K50。

12、PIC16F685。

13、PIC16F689。

14、PIC16F690。

15、PIC16F1508。

16、PIC16F721。

17、PIC16F1828。

18、PIC24F04KA201。

19、PIC16F677。

20、PIC16F687。

21、PIC16F785。

22、PIC16HV785。

23、PIC16F1507。

24、PIC16F720。

25、PIC16F639。

26、PIC16F631。

基本类型：

主要电源管理芯片有的是双列直插芯片，而有的是表面贴装式封装，其中HIP630x系列芯片是比较经典的电源管理芯片，由著名芯片设计公司Intersil设计。

它支持两/三/四相供电，支持VRM9.0规范，电压输出范围是1.1V-1.85V，能为0.025V的间隔调整输出，开关频率高达80KHz，具有电源大、纹波小、内阻小等特点，能精密调整CPU供电电压。

电源管理的范围相对较广，包括电源转换（DC-DC、AC-DC和DC-AC）、电源分配和检测，以及结合了电源转换和电源管理的系统。

相应地，电源管理芯片的分类也包括这些方面，例如线性电源芯片、电压基准芯片、开关电源芯片、LCD驱动芯片、LED驱动芯片、电压检测芯片、电池充电管理芯片、栅极驱动器、负载开关、宽带隙开关等。

以上内容参考：百度百科-电源管理芯片

电源管理芯片型号大全图

芯片型号有以下几种查看方式：1.查看芯片的封装：电源管理芯片通常封装为SOP、QFN、BGA等，通过查看芯片的封装类型可以初步判断芯片的型号。2.查看芯片印刷标识：芯片上通常会有一些印刷标识，包括品牌、型号、生产日期等信息，其中型号是最关键的信息之一。3.查阅芯片手册：可以通过芯片品牌官网或相关电子元器件网站查阅芯片手册，手册中会详细介绍芯片的型号、应用场景、电气参数等信息。电源管理芯片是一种集成电路芯片，主要用于电源管理系统中的功率管理、电压调节、电池充电、电流保护等功能。

电源管理芯片型号参数无法识别怎么办

电源管理芯片（PowerManagementIntegratedCircuits），是在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其他电能管理的职责的芯片。主要负责识别CPU供电幅值，产生相应的短矩波，推动后级电路进行功率输出。常用电源管理芯片有HIP6301、IS6537、RT9237、ADP3168、KA7500、TL494等。

电源管理芯片‍

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电源管理芯片型号解读

电源管理芯片LDO原理和关键技术参数,电路设计

“ LDO原理，技术参数，设计”

01

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电源管理芯片LDO原理和架构

电源管理集成电路(IC)是一种芯片，负责电子设备系统中电能的转换、配电、检测和其他电源管理。它主要负责将源电压和电流转换成微处理器、传感器等负载电源。

电源管理芯片是电子设备系统中负责电能转换、分配、检测和其他电能管理的芯片。它主要负责识别CPU供电幅值，产生相应的短矩波，促进后电路的功率输出。电源管理的范围比较广，包括电源转换(DC-DC、AC-DC、DC-AC)、电源分配和检测，以及电源转换和电源管理相结合的系统。相应地，电源管理芯片的分类也包括线性电源芯片、电压基准芯片、开关电源芯片、LCD驱动芯片、LED驱动芯片、电压检测芯片、电池充电管理芯片、栅极驱动器、负载开关、宽带间隙开关等。

  电源管理芯片是管理电子设备电能供应的心脏，负责电子设备所需的电能的变换、分配、检测等管控功能，电源管理芯片一旦失效将直接导致电子设备停止工作甚至损毁。因此，电源管理芯片要满足高稳定、高可靠、低功耗等要求，研发难度较大。

电源管理芯片分类主要有如下几种细分类别：

图1：图片来源：科创之道

1.LDO低压差稳压器

LDO是LowDropout的缩写，是降低了输入输出间电位差的线性稳压器。标准型的输入输出间电位差最低也有约2V，而LDO可控制在1V以下。LDO是LowDropout的缩写，是即使较低的输入输出间电位差也可进行工作的线性稳压器。有时也称为低损耗型线性稳压器或低饱和型线性稳压器。关于LDO的输入输出间电位差并无数值性的定义，一般是指稳压器稳定工作时最低电位差可控制在1V以下的稳压器。例如，对于需要3.3V电源的IC，由于标准型不可制作5V到3.3V电源，因此，需要输入输出间电位差较低的LDO。这样，LDO在输出与标准型稳压器相同的电压时，也可设定较低的输入电压。通过低电位差工作，可使能量损耗较少，可进行抑制散热等设计。在线性稳压器的内部，从VIN到VO间加入了晶体管，使此晶体管稳定工作所需的输入输出间最低电位差称为压降。输入输出间电压差低于压降时，晶体管难以维持稳定的工作，输出电压会降低。

图2：LDO架构

这样，为了使含有LDO的线性稳压器工作，设定了所需的最低输入电压值，此时(VO +压降)即为稳压器的最低工作电压值。输入电压值(VIN)低于最低工作电压时，输出电压不能稳定工作。

2.线性稳压器的工作原理

一般引脚构成线性稳压器基本上由VIN （输入）、VO （输出）、GND（接地）三个引脚构成。在输出可变的线性稳压器上添加了用于反馈输出电压的FB（反馈引脚）。简单来说，电压固定型是内置了电压可变型的外接电阻的稳压器。

图3：线性稳压器架构

3.LDO内部电路架构

LDO的结构主要包括启动电路、恒流源偏置单元、使能电路、调整元件、基准源、误差放大器、反馈电阻网络和保护电路等。基本工作原理是这样的：系统加电，如果使能脚处于高电平时，电路开始启动，恒流源电路给整个电路提供偏置，基准源电压快速建立，输出随着输入不断上升，当输出即将达到规定值时，由反馈网络得到的输出反馈电压也接近于基准电压值，此时误差放大器将输出反馈电压和基准电压之间的误差小信号进行放大，再经调整管放大到输出，从而形成负反馈，保证了输出电压稳定在规定值上，同理如果输入电压变化或输出电流变化，这个闭环回路将使输出电压保持不变，

线性稳压器的内部电路概要如下图所示。其工作原理与反相放大电路相同，误差放大器的非反相引脚（FB）电压与基准电压(VREF)相同，因此输出电压值（VO）由两个电阻（R1和R2）的阻值比决定。

Vo=[(R1+R2)/R2 ]xVREF

下图的输出晶体管为MOSFET，不过也有使用双极晶体管的产品。

图4：LDO架构

4.LDO基本原理

LDO是LowDropoutRegulator的缩写，意思是低压差线性稳压器。低压差是指输入电压-输出电压的值比较低。传统的线性稳压器压差高达2V，而LDO的压差只有几百mV。线性是指PMOS基本处于线性工作状态（传统的线性稳压器是PNP原理，也工作在线性放大状态）。稳压器是指在正常的VIN范围内，输出VOUT都稳定在一个固定值，这个固定值就是我们想要的电压值。比如VIN是电池电压3~4.4V，VOUT始终保持2.7V输出。下图是一个简单的LDO原理框图：

                            图5：LDO内部框图

LDO是一个负反馈系统，当VOUT增大，R2上电压增大，放大器输出电压增大，PMOS的VGS电压减小，这样PMOS输出电流减小，电压也减小。所有的LDO都是同样的负反馈原理。

LDO电路逻辑分析：

看了上面的定义，在不了解LDO结构的前提下，大家使用模电知识可以联想到下图低压降稳压器。

上图是最基本的稳压电路，核心器件是稳压管，它的稳压工作区间决定了输出稳压的范围，通过这种简单电路，可以实现小电流（百mA级别），小动态范围内的稳压。

把上面电路升级一下，如下图：

上述电路仅多了一个2N3055三极管，目的就是提升输出带载能力，同时三极管还引入了电压负反馈，起到稳定输出电压的作用。当输入电压Vin增大或输出负载电阻增大，输出电压Vout会瞬间增加，三极管的射极电Ve压随之增大，如果基极电压Vb不变，则Vb-Ve就会减小，进而输出电流减小，Vout减小。

上图只是简单基础的低压降稳压器。注意，和我们说的LDO，差了“线性”二字。这里看出上述电路输出电压Vout会受到Vbe电压波动的影响，稳定性较差。且输出电压不可调节。

在上述电路的基础上添加“线性”因素，也就是引入运算放大器，加深负反馈的同时提高输出电压稳定性。这也就构成了我们所说的低压差线性稳压器。电路图如下

在基本稳压管调整电路基础上增加了运算放大器A和分压电阻采样网络R1和R2。当输入电压Vin增大或输出负载电阻增大，输出电压Vout会瞬间增加，通过R1、R2分压采样得到的电压也增加，由于是反向端输入，运放A的输出会相应减小，则Vb-Ve就会减小，进而输出电流减小，Vout减小。由上图电路可以知道，LDO是通过电阻分压的，也即是LDO只能降压，不能升压。而且电流不能过大。

5.LDO的优缺点：

优点：

（1）结构简单，外围器件少，使用方便。它需要的外接元件也很少，通常只需要一两个旁路电容。

（2）成本低，静态电流小。

（3）无开关噪声，可应用于要求高精度低噪声的模拟电路中。

新的LDO线性稳压器可达到以下指标：输出噪声30μV，PSRR为60dB，静态电流6μA，电压降只有100mV。

缺点：

（1）只能降压，不能升压。

（2）效率低，特别是输入电压高的情况下，一般负载电流小于1A情况下使用。

02

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电源管理芯片LDO关键技术参数

低压差线性稳压器（LDO）它的终极使命就是为后级电路提供稳定的电压电流。在选择LDO时，除了选择合适的工作电压和带载电流，通常还需要结合当前输入端的供电环境，输出端的负载要求，结合LDO的几个常见参数选择最适合的LDO。下面是LDO常见的几个重要参数：

1、输入电压范围

考虑系统提供给LDO输入的范围，不能超过LDO最大可以承受的电压，同时系统最低电压时应能保证LDO可以正常工作。

2、输出电压范围

考虑需要的输出电压，ADJ的外部多两个电阻，固定电压输出的会降低整体静态功耗。

3、输出电流（与内部限流值相关）

考虑需要的输出电流，最好预留1.5倍的余量，因为系统中的耗电不是平稳的，需要知道输出电流的峰值，输出电流的大小会直接影响到LDO的封装的选择。LDO规格书一般标称的输出电流，是指其内部功率管的最小限流值，并不能认为任何输入输出电压下，都可以有输出同样电流的能力，因为LDO内部一般有过热保护，输出电流受到LDO热保护的约束。

4、最小压差（与输出电流值相关）

LDO的输入电压和输出电压的差值就是LDO的压差。在一定的负载电流下，LDO以最小的输入电压维持正常的输出电压，此时输入电压与输出电压的差称为最小压差。LDO在不同的负载电流下有着不同的最小压差。为了保证输出电压的稳定，在实际应用中需要根据负载电流的大小来判断保证正常的输出电压所需的最小压差。LDO的压差决定了它的工作电压范围，低压差的LDO则可以接受更低的工作电压，应用在输入电压更低的场合，并且降低了耗散功率，提高了效率。图1是某LDO压差特性曲线，该LDO标称输出电压为2.8V，从图中可以看出，输出电流为500mA时，输入电压至少要为3.2V以上才能维持正常的2.8V电压输出。

图1压差特性曲线

因为LDO之所以能够稳压，是靠内部的主功率管与负载分压的，老式的LDO主功率管是三极管工艺的，最小压差大约为1.5V，也就是说输入电压减去输出电压小于1.5V时，输出电压是无法维持稳压的。现在的LDO一般采用CMOS工艺，最小压差大大降低，通常为数百毫伏，不过仍然需要注意，最小压差跟此刻输出的电流是息息相关的，因为主功率管有导通电阻，电流流过后会产生压降，最小压降与主功率管的面积是相关的，也决定了LDO的成本。一种有效表示最小压差的方法是，在满载时最小压差是多少，然后归一化为XmV/mA。

5、输出电压精度

通常以百分比的形式给出输出电压精度，给数字芯片或者普通的模拟电路供电，3%以内的精度足矣。做ADC的参考源时，需要采用1%精度。需要注意，采用固定电压输出的LDO，其输出电压精度较为准确，而ADJ版本的LDO，外部的反馈电阻会直接影响输出电压精度，高要求时需要外部的反馈电阻为1%甚至0.1%精度的。

6、IQ静态电流

静态电流（地电流）是指LDO负载不吸取电流时，也就是单从LDO的GND引脚流走的电流大小。是LDO工作时自身消耗的电流，也等于输入电流与负载电流的差，当输出电流为0时，该电流又称静态电流。一般电池供电的场合对静态电流会有比较高的要求,一般小于50uA为低功耗LDO，小于5uA为超低功耗LDO。低IQ的LDO芯片做的好的话，静态电流会影响LDO的噪声，瞬态响应等关键参数。一般在电池供电场合，地电流小的LDO，能够提高设备的续航时间和供电效率。

通常静态电流小的LDO的其他参数性能相对比较差，反之亦然。一般LDO芯片的静态电流的大小与芯片的其他性能成反关系，如低噪声，高电源电压抑制比，动态性能好的LDO芯片静态电流都偏大一些。越低功耗的LDO，其噪声越大，PSRR、瞬态响应越差。

通常静态电流与输入电压、温度和负载电流等有关。图2是某LDO地引脚电流（静态电流）与输入电压的关系曲线，通常来说静态电流（地电流）会随着输入电压的增大而增大。

图2静态电流vs输入电压特性曲线

早期采用三极管工艺做的78XX和1117系列LDO，静态电流会随着输出电流的增大而明显增大，因为三极管本身属于一个流控器件。现在采用的CMOS工艺，主功率管是PMOS，属于压控器件，输出电流增大并不会导致主功率管控制端电流的增大。不过LDO内部的许多恒流源，误差放大器带宽的切换，还有一些保护电路，会随着输入电压的高低，吸取的电流会变化，导致LDO的静态电流会随着输出电流或者输入电压而发生变化。

    图3：静态电流vs负责电流特性曲线

可以看到随着输出电流从0mA增加到100mA过程中，静态电流在增加，此时误差放大器的带宽也在增加。

图4：静态电流vs负责电流特性曲线

可以看到随着输出电流从0mA增加到150mA过程中，静态电流仅轻微增加，该芯片是超低功耗LDO，误差放大器的带宽不能设计的很宽。

7、PSRR（电源抑制比，PowerSupplyRejectionRatio）

PSRR是许多LDO芯片数据手册中的公共技术要求，有些手册里可能未列出该参数。它规定了某个频率的AC元件从输入到LDO芯片输出的衰减程度，通俗的讲，是指LDO输出对输入纹波噪声的抑制作用，这也是很多场合在DC/DC后级另加一颗LDO芯片的原因（特别是后面接模拟传感器或者ADC/DAC时）。高PSRR的LDO芯片对输出纹波的抑制效果还是很明显的。

LDO通常会使用开关电源作为供电设备，开关电源的工作原理就决定了开关电源会产生较大的纹波。LDO通常有着出色的抑制纹波的能力。参数PSRR就是表征LDO抑制输出纹波的能力的，它的单位为dB。通过测试LDO的输入和输出端的纹波幅值，根据以下式子计算就能得到LDO的纹波抑制比（PSRR）。

PSRR=20lgV_（IN-Ripple）/V_（OUT-Ripple）

这里VOUT-Ripple为LDO输出端纹波幅值，VIN-Ripple为输入端纹波幅值。不同的频率的纹波，LDO的PSRR值也会不同，通过式子我们知道，PSRR的值越大，纹波抑制能力越出色。图5为某LDOPSRR曲线，该LDO的PSRR与旁路电容有关，在纹波频率为10Hz时，该LDO的PSRR约为64dB。

图5PSRR特性曲线

电源抑制比是指LDO输入端有交流纹波干扰时，经过LDO后，输出端还残存多少，一般用dB值来表示。电源抑制比是频率的函数，也就是输入干扰频率越高，电源抑制比越低，其一般跟LDO内部的误差放大器的开环增益，带宽有很大关系。在高清摄像头模组，高清晰音频，微弱信号检测等应用，对电源抑制比的参数比较关注。

LDO的PSRR曲线可以分为三段，低频段主要受内部基准电压源的影响，中频段主要受内部误差放大器的开环增益曲线影响，在高频段，PSRR基本上与LDO内部主要的器件无关了，主要是输出滤波电容，输出端的引线电感，还有LDO内部的等效输出阻抗在相互作用而表现出具有某个频率点谐振的状态。输出电流越大，LDO的PSRR越差。

图6：PRSSvs频率

图7：PRSSvs频率：润石RS3005实测的PSRR曲线-63dB@1kHz

8、积分噪声（10Hz-100kHz）

与运放一样，LDO内部存在1/f噪声和白噪声，由于LDO内部误差放大器的带宽通常小于100kHz，因此业内对LDO的噪声描述都是从10Hz-100kHz的频率。静态电流越大，LDO的噪声越低，LDO的噪声主要由两部分构成，内部的基准源和误差放大器。

所以很多低噪声的LDO，第4pin接一个电容，用于降低内部基准源的噪声。一般来说，LDO空载时，内部误差放大器的带宽很小，此时输出噪声较低。有负载接入时，随着负载电流的增大，内部误差放大器的带宽会增大，输出噪声会增大许多。

 图8：噪声vs频率

图9：RS3236电路图

图10：噪声，第4pinBP引脚无对地滤波电容

图11：噪声，第4pinBP引脚有10nF对地滤波电容

9、Transientresponse瞬态响应

在LDO应用中，输入电压和输出负载有时候会有剧烈的变化。LDO的输入端可能会因为供电设备的电压波动而造成LDO的输入端电压剧烈变化的情况。输出端可能会出现输出负载的切换，出现某部分负载启动或停止等情况。这些情况都会造成LDO输出电压产生波动。我们可以通过LDO的瞬态响应曲线来了解LDO在遇到输入电压或负载电流在剧烈变化时LDO输出电压的变化情况。具有良好瞬态响应的LDO，在输入电压或负载电流在剧烈变化时，LDO的输出电压波动幅度小，恢复时间快。图12为某LDO线性瞬态响应曲线，当输入电压波动1V时，输出电压也跟着波动约25mV，然后电压逐渐恢复。图13为某LDO负载电流突然从0.1mA切换为500mA时，输出电压瞬间会跌落约40mV然后有所恢复。

图12线性瞬态响应曲线

图13负载瞬态响应曲线

一些应用场合，负载变化剧烈，那么这时候这个参数就非常重要了，除了通过增加输出电容来确保动态性能外，也尽量选用动态性能好的LDO芯片。

瞬态响应是指负载从一个电流跳到另一个电流时，LDO输出电压瞬间变化的幅度，因为LDO内部本质上是一个负反馈系统，对于输出的突然扰动，必然存在一个响应的时间，LDO的静态电流越大，内部负反馈的环路带宽可以做的宽一点，则瞬态响应就会更好，输出电压的波动更小，因为可以更快的响应输出的变化。加大输出滤波电容会改善LDO的瞬态响应，因为更大的输出电容可以瞬间提供充足的电荷给负载吸取，输出电压因此跌落更少。对于负载电流快速变化的负载来说，LDO的瞬态响应是一个非常关键的参数，许多CPU的核电压，音视频编解码芯片，都属于负载电流快速变化的负载，对纹波又要求苛刻，因此需要超快响应速度的LDO。

图14超快瞬态响应LDO，输出电流以25kHz频率从50mA跳到150mA，输出电压波动不超过10mV

图15RS3005实测瞬态响应，从10mA跳到50mA，频率1kHz，输出电压波动17mV

    上面我们讲解到LDO的原理，是通过电阻分压的，这使得LDO不适用于大电流的场景，一般不大于1A。这也引出了LDO绕不开的话题：功耗和散热问题。

选择LDO首先要考虑的是LDO的最大输入电压范围和LDO电流输出的能力。较大的电流或较大的LDO电压降会导致较高的组件功率损耗。

大家都知道LDO芯片工作效率相对DC-DC稳压芯片而言很低，那怎么去校验一个LDO芯片是否合适呢？首先计算功耗Pd=（Vin-Vout）Iout，其次计算温升，一般芯片手册里会说明温度性能与温升的计算公式，总之一句话，不能因为LDO芯片带负载工作时在指定的工作温度范围内烧坏了。这里要强调的是不同的封装，其LDO芯片的温度性能是不一样的。

LDO最大的消耗是由LDO输入输出压差和负载电流决定的,也就是说LDO的功耗是曲跨于LDO上的电压降乘以流过LDO的电流而决定，功率主要是损耗在LDO的导通组件，是硅晶变热损耗的功率取决于IC封装、PCB布*、环境温度。 

计算公式为:

下图显示了特定功耗值下允许的LDO电压降与电流之间的关系曲线。

        压降vs电流曲线

负载电流要求

通考虑负载需要的电流量并据此选择LDO。请注意：额定电流为比如150mA的LDO可能会在短时间内提供高出很多的电流。请查验最低输出电流限值规范，或者咨询有关厂商。

LDO的负载电流或输入输出电压差降增加时，会迅速导致功耗的增加，在选择LDO的封装时必须考虑到这一因素，确保其可以承担这一功耗。表面贴装类型的LDO所允许的最大功耗与封装类型、PCB布*和环境温度有关。通过将容许LDO最高结温和环境温度之间的差值，可以计算出容许的最大功耗(PDmax)。规格书中列出了热阻的值，但需要切记这个值是根据JEDEC的方法得出的，在使用时最好是稍微保守一点。下图是按照结温125℃，PCB温度60℃计算得来：

封装透视图和散热：

SOP-08的封装，底层的铜线也可以用于散热。

如果按照下图设计，散热效果会更好

11、负载调整率

通常在一定输入电压下，随着负载电流的变化，LDO的输出电压也会有一定的变化。通过负载调整率这个参数我们就能知道LDO在不同的负载电流下，输出电压的变化范围。所以负载调整率表征LDO在负载变化时，输出维持稳定电压的一种能力。在某一恒定的输入电压下，我们可以通过改变负载电流，测试实际输出电压偏离与标称电压的百分比来得到负载调整率。

负载调整率=（V_MAX-V_MIN）/V_OUT×100%

这里VMAX为测试过程中LDO的最大输出电压，VMIN为最小输出电压，VOUT为标称输出电压。通过式子，可以知道LDO的负载调整率越小稳压能力越出色。图3为某LDO负载调整曲线，通常来说随着输出电流的增大输出电压会有所下降。

图16：负载调整曲线

12、线性调整率

通常在一定负载电流下，随着输入电压的变化，LDO的输出电压也会有一定的变化。通过线性调整率这个参数我们就能知道LDO在不同的输入电压下，输出电压的变化范围。所以线性调整率表征LDO在输入电压变化时，输出维持稳定电压的一种能力。在某一恒定的负载电流下，我们可以通过改变输入电压，测试实际输出电压偏离与标称电压的百分比来得到线性调整率。

线性调整率=（V_MAX-V_MIN）/V_OUT×100%

这里VMAX为测试过程中LDO的最大输出电压，VMIN为最小输出电压，VOUT为标称输出电压。通过式子，可以知道LDO的线性调整率越小稳压能力越出色。图4为某LDO线性调整曲线，该LDO在输入电压为3.5V~5.0V时输出电压相对较高。

图17：线性调整曲线

13、使能输入

LDO使能电平高低用于启动或关断LDO。使能输入允许外部控制LDO的关闭和启动，这是多电压轨系统中调整电源上电顺序的一个重要特性。

14、软启动

可编程软启动有助于减小启动时的浪涌电流和提供上电顺序。对于启动时要求浪涌电流受控的应用，有些LDO提供了可编程的软启动（SS）功能。为了实现软启动，在SS和地引脚之间需要连接一个小的陶瓷电容。

15、最小输入和输出电容

最小输入和输出电容应大于在各种工作条件（尤其是工作电压和温度）下的规定值。在器件选型时必须考虑应用中的各种工作条件，确保满足最小的电容规格。推荐使用X7R和X5R型电容。Y5V和Z5U电容不推荐在任何LDO电路中使用。

16、反向泄漏保护

在某些LDO的输出端上的电压高于输入端的电压的特殊应用中，反向泄漏保护可以有效防止电流从LDO的输出端流向输入端。如果忽视这点,这种反向泄漏会损坏输入电源，特别是当输入电源为电池的时候，尤其需要重视

17、关断电流

关断电流指设备禁用时LDO消耗的输入电流，对便携LDO来说通常低于1.0µA。这个指标对于便携设备关机时长待机期间的电池寿命来说很重要。

18、工作温度范围

工作温度范围可以由环境温度和结点温度加以规定。由于LDO会发热，因此IC的工作温度总是超过环境温度，比环境温度高出多少取决于工作状态和PCB热设计。数据手册上规定有最大结点温度（TJ），因为在最大结点温度之上工作过长的时间会影响器件的可靠性——统计学上称为平均故障时间（MTTF）。

19、封装与功耗

便携式应用本质存在空间限制，因此解决方案的大小至关重要。裸片可以最小化尺寸但是缺乏封装的诸多优势，如：保护、行业标准以及能够被现有装配架构轻松采用等特性。芯片级封装(CSP)能在提供裸片的尺寸优势的同时还可以带来封装的许多优势。

　　在无线手持终端市场需求的推动下，CSP产品正不断推陈出新。

请注意不要超过封装的最大功耗额定值。功耗可以采用PDISSIPATION=(VIN-VOUT)/(IOUT+IQ)进行计算。一般来说，封装尺寸越小，功耗越小。但是QFN封装可以提供极佳的散热性能，这种性能完全可与尺寸是其1.5～2倍的众多封装相媲美。

20、输出电容器

　　典型LDO应用需要增加外部输入和输出电容器。选择对电容器稳定性方面没有要求的LDO，可以降低尺寸与成本，另外还可以完全消除这些元件。请注意，利用较低ESR的大电容器一般可以全面提高PSRR、噪声以及瞬态性能。

陶瓷电容器通常是首选，因为它们价格低而且故障模式是断路，相比之下钽电容器比较昂贵且其故障模式是短路。请注意，输出电容器的等效串联电阻(ESR)会影响其稳定性，陶瓷电容器具有较低的ESR，大概为10豪欧量级，而钽电容器ESR在100豪欧量级。另外，许多钽电容器的ESR随温度变化很大，会对LDO性能产生不利影响。如果温度变化不大，而且电容器和接地之间串联适当的电阻（一般200m），可以取代陶瓷电容器而使用钽电容器。需要咨询LDO厂商以确保正确的实施。

03

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如何设计一个性能良好的稳压电路

1.如何设计一个性能良好的稳压电路

1、在靠近LDO的输入输出端接电容，为了获得更好的瞬态响应可以适当增大输入输出电容容值；

2、为了降低输出噪声提高PSRR，在LDO的BYP引脚处接入合适的旁路电容；

3、根据供电电源特点，负载的供电要求，结合以上参数选择性能优异的LDO。

2.RF与音频应用

　　最后，考虑便携式应用中所采用的、专用电路的功率要求。

　　RF电路（包括LNA（低噪声放大器）、升压/降压转换器、混频器、PLL、VCO、IF放大器和功率放大器），需要采用具有低噪声和高PSRR的LDO。在设计现代收发系统时应非常小心，以保证低噪声和高线性。

电源管理芯片型号FSQ510的各引脚的电压

下载链接：

电源管理芯片

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