高频型号(高频型号不符罚款)

高频频段

现在市面上的高频头牌子很多，每个牌子的高频头型号也很多。一般按功能来分就有数字高频头和模拟高频头；而按用途来分就分为CRT电视机用、液晶电视机用、DVB用等。不同要求有不同的高频头。简介高频头：俗称调谐器，是电视高频信号公共通道的第一部分，高频头的作用就是将微弱的视频信号进行放大，并且对传输不稳定引起的图像变形与干扰进行处理。视频处理芯片决定影像的分辨率，而高频头则决定影像的稳定性。但高频头本身非常容易受电磁干扰，因此内置电视卡一般会在高频头外面包裹一层金属层，以屏蔽电磁干扰。目前电视机使用的高频头一般分为数字信号高频头（简称数字高频头）和模拟信号高频头（简称模拟高频头）。简单的讲就是接受电视信号的调谐及高频信号放大器。数字高频头数字高频头的作用是接收数字电视高频信号，并进行频道选择和高频信号放大及变频处理，有些还带中频信号放大和高频数字信号解调功能，高频数字信号经解调后，输出的数字信号为TS（TransportStream）流，TS流：也叫传输流，它是以帧为单位的数字信号传输流，每一帧数字信号中含有同步头、数据、结尾等信号，对于MPEG2数字信号，每帧信号是由长度为188字节的二进制信号包组成，其内容含有一个或多个节目。这里帧的概念与电视图像中的帧很类似，但内容不相同，一帧MPEG2数字信号对应于一帧图像来说，只相当于一幅图像内容中的几个像素点。根据接收高频数字信号的调制方式，数字高频头还分QPSK（QuadraturePhaseShiftKeying正交键控调相）调制高频头和QAM（QuadratureAmplitudeModulation正交调幅）调制高频头。QPSK调制高频头主要用于卫星电视信号接收；QAM调制高频头主要用于有线电视信号接收。模拟高频头的作用是接收模拟电视高频信号，并进行频道选择、高频信号放大及变频处理，模拟高频头一般不带中频信号放大和高频信号解调功能，因此模拟电视还需另外再加一个中频放大器和高频信号解调器。模拟高频头模拟高频信号的接收、放大、解调等电路都需要严格调整才能符合整机的要求，因此很难把高频信号接收、放大、解调等功能全部由高频头来完成，因此模拟高频头的主要任务主是选频道，另外一个任务就是降频，把接收到的高频信号降低到一个固定频率之上，这个固定频率信号就是中频信号，其频率一般为38MHz。中频信号对于视频来说，还是高频信号，它还需要进一步放大，然后才进行解调和各种处理（如：同步分离、亮色信号分离等），中频放大电路的任务主要就是中频信号放大和音、视频信号解调。另外，中频放大对视频信号解调也很特别，一般都用同步检波，包络失真非常小。中频信号经解调后输出视频信号和音频信号，即AV信号，AV信号还需进一步进行彩色信号处理（解码）才变成R、G、B（红绿蓝）三基色信号。

高频设备有哪些

按电压来说分36伏，110伏，0.4千伏，10千伏，22千伏，6千伏，35千伏，110千伏，220千伏，350千伏，200千伏，500千伏，250千伏，600千伏。

按容量来说我国现在变压器的额定容量是按照R10优先系数,即按10的开10次方的倍数来计算，50KVA，80KVA，100KVA等。

按工作频率高低，可分为几个档次：10kHz-50kHz、50kHz-100kHz、100kHz～500kHz、500kHz～1MHz、1MHz以上。

高频信号的分类及作用

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单点接地

多点接地

混合接地

高频机是什么

微波光电子学，顾名思义，是微波和光电子的交叉学科。微波和光波都是电磁波，所处频率相差很多个数量级，在各自的领域所发展出来的元器件和技术很不相同。结合起来，互取所长，却能得到各自所难实现的新的应用和特点[1,2,3]。

光通讯历史悠久，研究和应用都很广泛和成熟，这里我就不多说了。这里我主要想介绍近些年在光通信以外的其他新兴的微波光电子学的研究内容。微波光电子学，主要还是以光电子领域的方法和技术为载体，来提高和实现传统的微波电子元器件所难达到的性能和应用。从应用的角度主要包括以下三个方面。

其一，应用光电子技术产生高性能低噪声的微波信号，包括从X波段一直到THz波段。

其二，微波信号的处理。包括延时，滤波，频率转换，接收等。

其三，模拟信号的传输。

本篇文章笔者只介绍第一部分，微波信号的产生。传统的微波毫米波主要是由iii_V族微电子元器件产生[4]。其*限性有以下几点：第一，到高频例如100GHz以上，传统的微电子元件可产生的功率越来越小，到更高频的THz信号，他们就无能为力了。第二，为了降低相位噪声和提高频率稳定性，需要将原器件置于极低温环境。第三，难以实现大范围内的调频变频。针对这些问题，光电子技术正好可以大显身手。下面介绍主要的一些方法。

1.通过两个不同频率激光信号的差频，使用高频的光电探测器转换产生微波信号[5,6]，如图1所示。

图1.两个激光差频产生微波示意图。

此方法的优点是结构简单,可以产生极高频毫米波乃至THz频率的信号,而且通过调节激光器的频率可以进行较大范围的快速的变频,扫频。缺点是，两个不相干的激光信号所产生的差频信号的线宽或者说位相噪声比较大，频率稳定性不高，特别是如果使用体积小，但是线宽(~MHz)大的半导体激光器。如果对于系统重量体积要求不高的话，可以使用噪声较低(~kHz)的固体激光器，光纤激光器[7,8],外腔半导体激光器[9]等。此外，还可以利用产生于同一个激光腔的两个不同模式的激光信号来产生差频，这样产生的微波频率稳定性能有较大的提高[10-12]。

2.为了解决上一方法中两激光不相干，所产生信号位相噪声过大的问题，可以使用注入式锁频锁相的方法，或者是负反馈锁相电路获得两激光器之间的相干性[13]。图2是一个典型应用注入式锁频产生微波多倍频的方法（图2）。通过对半导体激光器直接注入高频电流信号，或者是应用LiNbO3位相调制器，可以产生频率等间距的多个不同频率的光信号，或称光频梳。当然现在常用的获得宽谱光频梳的方法是采用锁模激光器[14]。将产生的光频梳其中任意两个梳齿信号通过滤波选择出来，分别注入到激光1和2从而分别实现锁频锁相。因为光频梳不同的梳齿信号之间的位相是相对稳定的，这样两激光器之间就获得了稳定的相对位相，再通过如前所述差频的方法便可以得到光频梳重复频率的多倍频微波信号了。

图2.注入式锁频产生微波倍频信号示意图。

另一个减小两激光相对相位噪声的方法是使用负反馈光锁相环，如图3。

图3.光锁相环示意图。

光锁相环原理类似于电子领域的锁相环[15,16,17]。两个激光器的频率位相差由光电检测器(相当于位相检测器)转换为电信号，再与参考微波信号源做差频得到两激光之间的位相差，经过放大和滤波处理再反馈回其中一个激光的频率控制单元（对于半导体激光器而言就是注入电流）。通过这样一个负反馈的控制回路，两激光信号之间的相对频率位相与参考微波信号锁定。合并的光信号又可以通过光纤传送到别处的光电检测器再转化为微波信号。这样所产生的微波信号的位相噪声在锁相负反馈回路的带宽内和参考信号的位相噪声几乎相同。在带宽之外位相噪声则等于原来两不相干的激光器的相对位相噪声。

另外，参考微波信号源也可以是别的信号源通过倍频，除数频，或别的频率处理转化而来，从而可以将较低频率的微波信号进行多倍频，或者是转换为高频的射频，THz信号等。

相对于注入式锁频只能获得倍频而言，锁相环更加灵活，可以产生几乎任意的频率，当然也更加复杂一些。例如以图2中的经过光电调制器位相调制的，或者脉冲激光产生的光频梳作为光源，利用光锁相环将两个激光器有选择性的锁频到其中两条光梳齿信号，再通过差频产生高频信号，如图4。f1和f2分别是两个锁相环的参考信号频率,通过两激光之间的差频便可以以产生N*frep+f1+f2的微波信号。

图4.利用光频梳和光锁相环产生任意频率示意图。

3.使用锁模脉冲激光器，通过光电探测器把光脉冲信号转化为微波信号[18-20]。

此方法的主要优点是可以获得频率稳定性非常好，位相噪声极低的信号。通过将激光的频率锁频到非常稳定的原子分子跃迁光谱，或者是是极其稳定的光腔，以及利用自倍频消除系统频移等等技术，可以获得重复频率非常稳的光脉冲信号，从而获得位相噪声超低的微波信号[21-23]。如图5.

图5.不同信号源相对位相噪声比较。摘自参考文献[21]

但是因为脉冲的重复频率是跟激光器的腔长成反比的，而传统的锁模激光器体积较大，因此难以直接获得高频的微波信号。另外传统的脉冲激光体积，重量和能耗，以及对于环境的苛刻要求都限制了它们主要是在实验室应用。为了克服这些困难，最进美国和德国兴起研究利用非线性效应在很小的高品质的啾啁模光腔内产生频率稳定的光频梳，进而产生高频的低噪声微波信号[24-29]。

4.光电耦合振荡器(optoelectronicoscillator)[30-33]，如图6。 

图6.光电耦合振荡器示意图

传统的产生微波或者激光的方法之一是使用一个自反馈的闭环回路，只要闭环中的增益大于损耗，自激振荡就能产生微波或者激光。该闭环的品质因素Q越高，产生的信号位相或者频率噪声越小。为了增加回路的品质因素，直接的办法是增加回路长度并且尽量降低传播损耗。但是较长的回路通常能够会支持产生多个振荡模式，如果加入一个窄带宽的滤波器，就可以获得单频低噪声的微波振荡信号。光电耦合振荡器就是一种基于此想法产生的微波信号源，它充分利用了光纤的低传播损耗的特性，使用较长的光纤提高回路的Q值，可以产生位相噪声极低的微波信号。自从九十年代该方法提出，该类型的振荡器获得了广泛的研究和长足的发展,目前已有商业化的光电耦合振荡器[34]。最近更有发展出频率可大范围调节的光电振荡器[35,36]。基于这种架构的微波信号源主要的问题是回路较长，在其自由普(FSR)及其倍频频率噪声会显著增高。另外所用的光电元件较多，成本高，体积难以缩小，而且较长的光纤对于环境的扰动较敏感。

以上初略介绍了几种光电子产生微波信号的方法，以及各自的优缺点。最后提一句，利用光电子产生微波还有另外一个好处是，可以将光信号通过光纤以极低的损耗以分布式的，远距离的传播到各个使用终端再转换为微波信号，而且抗电磁干扰的能力比传统电子元件有显著提高。

本文的写作主要有参考[2,3]，以及结合笔者自己在该领域的研究经验和体会，有不准确不全面之处请谅解。

1.  JoséCapmanyandDalmaNovak,“Microwavephotonicscombinestwoworlds”, NaturePhotonics1,319-330(2007).2.  StavrosIezekiel,“MicrowavePhotonics:DevicesandApplications”,  IEEE–Wiley,2009.3.  J.P.Yao,“aTutorialonMicrowavePhotonics”,IEEEPhotonicsSocietyNewsletter,April2012.http://www.nature.com/nphoton/journal/v1/n6/abs/nphoton.2007.89.html-a24.  M.J.howesandD.V.Morgan(Eds),“MicrowaveDevices:DeviceCircuitInteractions”,JohnWiley&Sons,Inc.,NewYork,USA,1976.5.B.Leoneetal.,"opticalFar-IRwaveGeneration-AnESAreviewstudy",Proceedingsofthe14thInternationalSymposiumonSpaceTerahertzTechnology,tucson，USA,April2003.6.  http://www.toptica.com/products/terahertz_generation/terahertz_technologysources_and_thz_generation_methods/cw_terahertz_generation.html.7.http://www.nktphotonics.com/Koheras8.  http://orbitslightwave.com/9.  http://www.rio-inc.com/10.  Laperle,C. etal.,“Microwavegenerationwithmonolithicdual-wavelengthDFBlasers”,Inproceedingof:Vertical-CavityLasers,TechnologiesforaGlobalInformation Infrastructure,WDMComponentsTechnology,AdvancedSemiconductorLasersandApplications,GalliumNitrideMaterials,Processing,andDevi,09/1997.11.  X.F.Chen,Z.C.Deng,andJ.P.Yao“PhotonicGenerationofMicrowaveSignalUsingaDual-WavelengthSingle-Longitudinal-ModeFiberRingLaser”, IEEETrans.Microw.TheoryTech. Vol 54,Issue2 ,200612.  J.Sun,Y.T.Dai,X.F.Chen,Y.J.Zhang,andS.Z.Xie,“StableDual-WavelengthDFBFiberLaserWithSeparateResonantCavitiesandItsApplicationinTunableMicrowaveGeneration”, IEEEPhoton.Technol.Lett.,Vol.18,No.24,DECEMBER,200613.  A.Rollandetal.,“Nonlinearoptoelectronicphase-lockedloopforstabilizationofopto-millimeterwavestowardsanarrowlinewidthtunableTHzsource”, OpticsExpress,Vol.19,Issue19,pp.17944-17950(2011).14.  http://www.nist.gov/public_affairs/releases/frequency_combs.cfm15.  U.Gliese,T.N.Nielsen,M.Bruun,E.LintzChristensen,K.E.Stubkjaer,S.Lindgren,andB.Broberg,“Awidebandheterodyneopticalphase-lockedloopforgenerationof3-18GHzmicrowavecarriers,”IEEEPhoton.Technol.Lett.,Vol.4,No.8,pp.936–938,Aug.1992.16.  A.C.Bordonalli,C.Walton,andA.J.Seeds,“High-Performancephaselockingofwidelinewidthsemiconductorlaser**ycombineduseofopticalinjectionlockingandopticalphase-lockloop,” J.LightwaveTechnol.,Vol.17,No.2,pp.328–342,Feb.1999.17.  K.J.Williams,“6-34GHzoffsetphaselockingofNd:YAG1319nmnonplanarringlasers,” Electron.Lett.,Vol.25,No.18,pp.1242–1243,Aug.1989.18.  A.Hirata,M.HaradaandT.Nagatsuma,"120-GHzWirelessLinkUsingPhotonicTechniquesforGeneration,Modulation,andEmissionofMillimeterWaveSignals", IEEEJ.ofLightwaveTechnol.,Vol,21，No.10，October,2002.19.  T.Yamamoto,H.TakaraandS.Kawanishi,"GenerationandTransmissionoftuneableTerahertzOpticalClock",InternationalTopicalMeetingonMicrowavePhotonics,AwajiIsland,Japan,T2-2,pp,97-100,Nov.2002.20.  P.ShenandP.A.Davies,"MillimetreWaveGenerationUsinganOpticalCombGeneratorwithOpticalPhaseLockedLoops",InternationalTopicalmeetingonMicrowavePhotonics，AwajiIsland,Japan,T2-2,pp,97-100,Nov.2002.21.  Hollberg,L. etal.,“generationofmicrowavewithultralowphasenoisefromanopticalclock”,IEEEinternationaltopicalmeetingonmicrowavephotonics,2004.22.  W.Zhangetal.,“lowphasenoisemicrowavegenerationwithfiberbasedfemtosecondlasersandapplications”,generalassemblyandScientificSymposium,2011xxxthURSI.23.  T.M.Fortieretal.,“generationofultrastablemicrowavesviaopticalfrequencydivision”, NaturePhotonics 5,425-429(2011).24.  IvanS.Grudininetal.,“frequencycombfromamicroresonatorwithengineeredspectrum”,  OpticsExpress,Vol.20,issue6,pp.6604-6609(2012).25.W.Liang,etal.,“Generationofnear-infraredfrequencycombsfromaMgF2whisperinggallerymoderesonator”, OpticsLetters,Vol36,No.12,2011.26.  ScottB.Pappetal..,“Mechanicalcontrolofamicrorod-resonatoropticalfrequencycomb”,arXiv:1205.4272[physics.optics].27.  T.J.Kippenberg,etal.“Microresonator-basedopticalfrequencycombs”, Science 332,555(2011).28.  MarkA.Fosteretal.,“Siliconbasedmonolithicopticalfrequencycombsource”, OpticsExpress,Vol.19,issue15,pp.14233-14239(2011).29.A.A.Savchenkovetal.,“Tunableopticalfrequencycombwithacrystallinewhisperinggallerymoderesonator,” Phys.Rev.Lett. 101,093902(2008).30.X.S.YaoandL.Maleki,“Optoelectronicmicrowaveoscillator,” J.Opt.Soc.Amer.B,vol.13,no.8,pp.1725–1735,Aug.1996.31.X.S.YaoandL.Maleki,“Multiloopoptoelectronicoscillator,” IEEEJ.QuantumElectron.,vol.36,no.1,pp.79–84,Jan.2000.32.EShumakherandGEisenstein,“ANovelMultiloopOptoelectronicOscillator”, IEEEPTL,Vol.20,No.22,2008.33.J.Yangetal.,“AnOpticalDomaincombinedDualloopOpoelectronicOscillator”, IEEEPhoton.Tech.Lett.,Vol.19,No.11,2007.34.  http://oewaves.com/opto-electronic-oscillator.html35.W.LiandJ.P.Yao,“AWidebandFrequencyTunableOptoelectronicOscillatorIncorporatingaTunableMicrowavePhotonicFilterBasedonPhase-ModulationtoIntensity-ModulationConversionUsingaPhase-ShiftedFiberBraggGrating”, IEEE.Trans.Microw.Theorytech.,Vol.60,No.6,2012.36.Z.Tangetal.“TunableOptoelectronicOscillatorBasedonaPolarizationModulatorandachirpedFBG”,IEEEPhoton.Tech.Lett.Vol.24,No.17,2012.

高频s参数

  昨天使用了频谱仪，测试了穿心磁珠对于高频信号抑制能力。下面对比一下一个10微亨的色环电感，在同样的情况下，对高频信号抑制能力。使用频谱仪的跟踪功能，输出一个0dBm射频信号，测量通过磁珠和电感之后，对应信号的衰减特性。

  首先利用导线连接频谱仪的输出与输入端口，频谱仪输出跟踪信号的功率为0dBm。接下来，使用Normalize功能，将接收频谱进行归一化，归一化0dB。这样便可以直接读取电感、磁珠对不同频率的衰减特性了。

  首先测量多孔磁珠的衰减特性。这个测量结果和昨天测量结果基本一致，在 200MHz左右，高频衰减达到20dB。之后，随着频率的增加，衰减能力减弱。在1GHz左右，衰减只有5dB。更换成10微亨的色环电感。这是测量的结果，在30MHz之内，随着频率增加，高频衰减下降，然后，衰减逐步变弱，到达115MHz时，衰减小于10dB。接下来，在285MHz处高频衰减能力达到了极值。随后，随着频率的增加，衰减减弱，超过1.1GHz之后，几乎没有衰减特性了。

  这是对比了多孔磁珠和色环电感对于高频信号的抑制能力。在有些频段，色环电感衰减高频更强。但在另外一些频段，多孔磁珠抑制高频信号的能力更大。 在一些特殊频点以及超过1GHz之后，磁珠抑制高频信号的能力优于电感。

  本文通过频谱仪，测试了多孔磁珠以及色环电感对于高频信号的抑制能力。从整体上，抑制高频信号，还是使用多孔磁珠效果更好。