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整流桥型号参数(整流桥型号参数解释)

2024-04-01 13:46:47 来源：阿帮个性网点击：

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整流桥型号参数大全
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整流桥型号参数大全

abs310整流桥参数如下：

工作电压：≤1000V；最大正向电流：3A；最大反向电压：1000V；反向漏电流：10uA；工作温度范围：-55℃-125℃；封装形式：DIP-4。

abs310整流桥是一种电子元器件，它主要用于将交流电转换为直流电。上参数仅供参考，实际的参数可能因厂家、型号、使用条件等因素的不同而有所变化。

整流桥规格型号

我们是整流桥生产厂家，整流桥主要有MBS、MBM、DB、DBS、KBP、KBL、KBJ、KBU、GBJ、GBU、KBPC、GBPC等系列型号，具体型号参数可以访问我公司网站：www.stschina.com或者直接电话：0755-83922924

整流桥型号参数解2500

整流桥有很多种型号，如KBPC、KBU、KBL、KBJ、KBP等等，这些表示不同的外形。参数主要有2个：电流和电压，如KBPC3510，就表示最大电流只能允许35A，最高电压为1000V，前面的表示电流，后面的表示电压。超过这个参数整流桥就有可能不能正常工作，之所以是有可能不能正常工作，是因为工厂在生产的时候都会把范围放大，比如标的是1000V，一般不超过1200V问题都不大，只是不能长时间这么用，毕竟长时间在零界点工作是吃不消的。

整流桥型号参数有哪些

整流桥就是将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将四个二极管桥式整流的一半封在一起，用两个半桥可组成一个桥式整流电路，一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路，选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。

　　整流桥堆

　　整流桥堆一般用在全波整流电路中，它又分为全桥与半桥。

　　全桥是由4只整流二极管按桥式全波整流电路的形式连接并封装为一体构成的，图是其外形。

　　全桥的正向电流有0.5A、1A、1.5A、2A、2.5A、3A、5A、10A、20A、35A、50A等多种规格，耐压值（最高反向电压）有25V、50V、100V、200V、300V、400V、500V、600V、800V、1000V等多种规格。

　　选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。整流桥堆一般用在全波整流电路中，它又分为全桥与半桥。

　　产品型号峰值反压VRRM（V）平均电流（A）正向压降（V）封装

　　MB1S　　　　100　　　　0.5　　　　1.1　　　　MDI

　　MB6S　　　　600　　　　0.5　　　　1.1　　　　MDI

　　DF02　　　　200　　　　1　　　　1.1　　　　DIP

　　DF06　　　　600　　　　1　　　　1.1　　　　DIP

　　DF06S　　　　600　　　　1　　　　1.1　　　　DIP-S

　　DF1506　　　　600　　　　1　　　　1.1　　　　DIP

　　RB155　　　　600　　　　1.5　　　　1.1　　　　WOB

　　RB156　　　　800　　　　1.5　　　　1.1　　　　WOB

　　KBP06　　　　600　　　　1.5　　　　1.1　　　　KBP

　　2W06　　　　600　　　　2　　　　1.1　　　　WOB

　　KBPC108　　　　800　　　　3　　　　1.1　　　　KBPC

　　1BR36　　　　600　　　　3　　　　1.1　　　　BR3

　　KBL02　　　　200　　　　4　　　　1.1　　　　KBL

　　KBL08　　　　800　　4　　　　1.1　　　　KBL

　　KBL06　　　　600　　　　4　　　　1.1　　　　KBL

　　RS502　　　　200　　　　5　　　　1.1　　　　RS5

　　RS506　　　　600　　　　5　　　　1.1　　　　RS5

　　KBL602　　　　200　　　　6　　　　1.1　　　　KBL

　　KBL606　　　　600　　　　6　　　　1.1　　　　KBL

　　KBJ606　　　　600　　　　6　　　　1.1　　　　KBJ

　　KBPC602　　　　200　　　　6　　　　1.1　　　　KBPC6

　　KBPC606　　　　600　　　　6　　　　1.1　　　　KBPC

　　KBJ802　　　　200　　　　8　　　　1.1　　　　KBJ

　　KBJ806　　　　600　　　　8　　　　1.1　　　　KBJ

　　RS802　　　　200　　　　8　　　　1.1　　　　KBU

　　RS806　　　　600　　　　8　　　　1.1　　　　KBU

　　KBPC802　　　　200　　　　8　　　　1.1　　　　KBPC8

　　KBPC806　　　　600　　　　8　　　　1.1　　　　KBPC8

　　KBU1002　　　　200　　10　　　　1.1　　　　KBU

　　KBU1006　　　　600　　　　10　　　　1.1　　　　KBU

　　KBJ1002　　　　200　　　　10　　　　1.1　　　　KBJ

　　KBJ1006　　　　600　　　　10　　　　1.1　　　　KBJ

　　BR102　　　　200　　　　10　　　　1.1　　　　BR10

　　KBU1502　　　　200　　　　15　　　　1.0　　　　KBU

　　KBU1506　　　　600　　　　15　　　　1.0　　　　KBU

　　KBJ1502　　　　200　　　　15　　　　1.0　　　　KBJ

　　KBJ1506　　　　600　　　　15　　　　1.0　　　　KBJ

　　KBJ2502　　　　200　　　　25　　　　1.0　　　　KBJ

　　KBJ2506　　　　600　　　　25　　　　1.0　　　　KBJ

　　KBU2502　　　　200　　　　25　　　　1.0　　　　KBU

　　KBU2506　　　　600　　　　25　　　　1.0　　　　KBU

　　KBPC2502　　　　200　　　　25　　　　1.0　　　　KBPC

　　KBPC2506　　　　600　　　　25　　　　1.0　　　　KBPC

　　KBPC2510　　　　1000　　　　25　　　　1.0　　　　KBPC

　　KBPC3502　　　　200　　　　35　　　　1.1　　　　KBPC

　　KBPC3510　　　　1000　　　　35　　　　1.1　　　　KBPC

　　KBPC5002　　　　200　　　　50　　　　1.0　　　　KBPC

　　KBPC5010　　　　1000　　　　50　　　　1.0　　　　KBPC

　　常用的整流桥极其参数参数共四项从左到右依次为

　　产品型号峰值反压VRRM（V）平均电流（A）正向压降（V）封装

　　MB1S1000.51.1MDI

　　MB6S6000.51.1MDI

　　DF0220011.1DIP

　　DF0660011.1DIP

　　DF06S60011.1DIP-S

　　DF150660011.1DIP

　　RB1556001.51.1WOB

　　RB1568001.51.1WOB

　　KBP066001.51.1KBP

　　2W0660021.1WOB

　　KBPC10880031.1KBPC1

　　BR3660031.1BR3

　　KBL0220041.1KBL

　　KBL0880041.1KBL

　　KBL0660041.1KBL

　　RS50220051.1RS5

　　RS50660051.1RS5

　　KBL60220061.1KBL

　　KBL60660061.1KBL

　　KBJ60660061.1KBJ

　　KBPC60220061.1KBPC6

　　KBPC60660061.1KBPC

　　KBJ80220081.1KBJ

　　KBJ80660081.1KBJ

　　RS80220081.1KBU

　　RS80660081.1KBU

　　KBPC80220081.1KBPC8

　　KBPC80660081.1KBPC8

　　KBU1002200101.1KBU

　　KBU1006600101.1KBU

　　KBJ1002200101.1KBJ

　　KBJ1006600101.1KBJ

　　BR102200101.1BR10

　　KBU1502200151.0KBU

　　KBU1506600151.0KBU

　　KBJ1502200151.0KBJ

　　KBJ1506600151.0KBJ

　　KBJ2502200251.0KBJ

　　BJ2506600251.0KBJ

　　KBU2502200251.0KBU

　　KBU2506600251.0KBU

　　KBPC2502200251.0KBPC

　　KBPC2506600251.0KBPC

　　KBPC25101000251.0KBPC

　　KBPC3502200351.1KBPC

　　KBPC35101000351.1KBPC

　　KBPC5002200501.0KBPC

　　KBPC50101000501.0KBPC

　　整流桥参数KBPC系列KBPC3510：

整流桥型号参数对照表

整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中。选用整流二极管时，主要应考虑以下重要参数。

（1）最大平均整流电流IF：指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。

（2）最高反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4002-1n4006分别为100V、200V、400V、600V和800V，1N4007的VR为1000V

（3）最大反向电流IR：它是二极管在最高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明二极管质量越好。

（4）击穿电压VB：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。

（5）最高工作频率fm：它是二极管在正常情况下的最高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率超过fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。另有快恢复二极管用于频率较高的交流电的整流，如开关电源中。

（6）反向恢复时间trr：指在规定的负载、正向电流及最大反向瞬态电压下的反向恢复时间。

（7）零偏压电容CO：指二极管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于10uA，而在100°C时IR则变为小于500uA。

普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。例如，1N系列、2CZ系列、RLR系列等。

开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二极管，应选用工作频率较高、反向恢复时间较短的整流二极管（例如RU系列、EU系列、V系列、1SR系列等）或选择快恢复二极管。

二极管型号用途最高反向工作电压VR最大平均整流电流IF

1N4001硅整流二极管50V,1A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=50A)

1N4002硅整流二极管100V,1A,

1N4003硅整流二极管200V,1A,

1N4004硅整流二极管400V,1A,

1N4005硅整流二极管600V,1A,

1N4006硅整流二极管800V,1A,

1N4007硅整流二极管1000V,1A,

1N4148硅开关二极管75V,4PF,Ir=25nA,Vf=1V,

1N5391硅整流二极管50V,1.5A,(Ir=10uA,Vf=1.4V,Ifs=50A)

1N5392硅整流二极管100V,1.5A,

1N5393硅整流二极管200V,1.5A,

1N5394硅整流二极管300V,1.5A,

1N5395硅整流二极管400V,1.5A,

1N5396硅整流二极管500V,1.5A,

1N5397硅整流二极管600V,1.5A,

1N5398硅整流二极管800V,1.5A,

1N5399硅整流二极管1000V,1.5A,

1N5400硅整流二极管50V,3A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=150A)

1N5401硅整流二极管100V,3A,

1N5402硅整流二极管200V,3A,

1N5403硅整流二极管300V,3A,

1N5404硅整流二极管400V,3A,

1N5405硅整流二极管500V,3A,

1N5406硅整流二极管600V,3A,

1N5407硅整流二极管800V,3A,

1N5408硅整流二极管1000V,3A,

1S1553硅开关二极管70V,100mA,300mW,3.5PF,300ma,

1S1554硅开关二极管55V,100mA,300mW,3.5PF,300ma,

1S1555硅开关二极管35V,100mA,300mW,3.5PF,300ma,

1S2076硅开关二极管35V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,Ir≤1uA,Vf≤0.8V,≤1.8PF,

1S2076A硅开关二极管70V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,60V,Ir≤1uA,Vf≤0.8V,≤1.8PF,

1S2471硅开关二极管80V,Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤2PF,

1S2471B硅开关二极管90V,150mA,250mW,3nS,3PF,450ma,

1S2471V硅开关二极管90V,130mA,300mW,4nS,2PF,400ma,

1S2472硅开关二极管50V,Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤2PF,

1S2473硅开关二极管35V,Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤3PF,

1S2473H硅开关二极管40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma,

2AN1二极管5A,f=100KHz

2CK100硅开关二极管40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma,

2CK101硅开关二极管70V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,

2CK102硅开关二极管35V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,

2CK103硅开关二极管20V,100mA,2PF,100ma,

2CK104硅开关二极管35V,100mA,10nS,2PF,225ma,

2CK105硅开关二极管35V,100mA,4nS,2PF,225ma,

2CK106硅开关二极管75V,100mA,4nS,2PF,100ma,

2CK107硅开关二极管90V,130mA,300mW,4nS,2PF,400ma,

2CK108硅开关二极管70V,100mA,300mW,3.5PF,300ma,

2CK109硅开关二极管35V,100mA,300mW,3.5PF,300ma,

2CK110硅开关二极管90V,150mA,250mW,3nS,3PF,450ma,

2CK111硅开关二极管55V,100mA,300mW,3.5PF,300ma,

2CK150硅开关二极管15V,Ir≤25nA,Vf≤1.2V,≤2PF,

2CK161硅开关二极管15V,Ir≤25nA,Vf≤1.2V,≤2PF,

2CK4148硅开关二极管75V,Ir≤25nA,Vf=1V,4PF,

2CK2076硅开关二极管35V,Ir≤1uA,Vf≤0.8V,≤1.8PF,

2CK2076A硅开关二极管60V,Ir≤1uA,Vf≤0.8V,≤1.8PF,

2CK2471硅开关二极管80V,Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤2PF,

2CK2472硅开关二极管50V,Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤2PF,

2CK2473硅开关二极管35V,Ir≤0.5uA,Vf≤1.2V,≤3PF,

2CN1A硅二极管400V,1A,f=100KHz,

2CN1B硅二极管100V,1A,f=100KHz,

2CN3硅二极管V,1A,f=100KHz,

2CN3D硅二极管V,1A,f=100KHz,

2CN3E硅二极管V,1A,f=100KHz,

2CN3F硅二极管V,1A,f=100KHz,

2CN3G硅二极管V,1A,f=100KHz,

2CN3H硅二极管V,1A,f=100KHz,

2CN3I硅二极管V,1A,f=100KHz,

2CN3K硅二极管V,1A,f=100KHz,

2CN4D硅二极管V,1.5A,f=100KHz,

2CN5D硅二极管V,1.5A,f=100KHz,

2CN6硅二极管V,1A,f=100KHz,

2CP1553硅二极管Ir≤0.5uA,Vf≤1.4V,≤3.5PF,

2CP1554硅二极管Ir≤0.5uA,Vf≤1.4V,≤3.5PF,

2CP1555硅二极管Ir≤0.5uA,Vf≤1.4V,≤3.5PF

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整流桥规格型号参数对照表

二极管的参数主要有以下几点（知道特点就可以进行替换使用了）:

1．反向饱和漏电流IR指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，该电流与半导体材料和温度有关。

2．额定整流电流IF指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。目前大功率整流二极管的IF值可达1000A。

3.最大平均整流电流IO在半波整流电路中，流过负载电阻的平均整流电流的最大值。这是设计时非常重要的值。

4.最大浪涌电流IFSM允许流过的过量的正向电流。它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。

5．最大反向峰值电压VRRM即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二极管损坏。这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。因给整流器加的是交流电压，它的最大值是规定的重要因子。最大反向峰值电压VRRM指为避免击穿所能加的最大反向电压。目前最高的VRRM值可达几千伏。

6.最大直流反向电压VR上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，VR是连续加直流电压时的值。用于直流电路，最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的。

7．最高工作频率fM由于PN结的结电容存在，当工作频率超过某一值时，它的单向导电性将变差。点接触式二极管的fM值较高，在100MHz以上；整流二极管的fM较低，一般不高于几千赫。

8．反向恢复时间Trr当工作电压从正向电压变成反向电压时，二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。实际上，一般要延迟一点点时间。决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。虽然它直接影响二极管的开关速度，但不一定说这个值小就好。也即当二极管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近IR时所需要的时间。大功率开关管工作在高频开关状态时，此项指标至为重要。

9.最大功率P二极管中有电流流过，就会吸热，而使自身温度升高。最大功率P为功率的最大值。具体讲就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流。这个极限参数对稳压二极管，可变电阻二极管显得特别重要。

下面附上一张常用二极管型号的表格，大家看看自己用过哪些管子。

注：以下数据可能会有错误，详情请查阅数据手册。

1N4000系列普通二极管

开关二极管

1N47xx系列稳压二极管

1N52xx系列稳压二极管

1N539x系列二极管

1N54xx系列二极管

1N7xx系列二极管

1N9xxx系列二极管

BYxxx系列二极管

FR10x系列二极管

HERxxx系列快恢复二极管

MURxxx系列快恢复二极

问：普通二极管能和稳压二极管替换么？

虽然正向加电压时，都是导通。但反向加电压时，稳压二极管串一个电阻能获得一个比较恒定的电压。这是普通二极管无法做到的。也就是说，普通二极管主要工作于电压正反向时的导通或截止，而稳压二极管主要工作于反向电压时获得一个稳定电压。

整流桥型号参数解释

今日在一个技术群里看到一个问题：“继电器旁边的二极管普通整流管还是快恢复整流管？”

看到图片忍不住回复，因为图中标识的4001/4007型号是很常用的普通整流二极管。

图：D11N4001为继电器旁的二极管

图：D94007为继电器旁的二极管

技术群里的都是大佬，对应用很了解，但是对单个产品的分类不是很熟悉。

所以如下我做了一些分类。

产品种类依不同的TRR区分：

一般通用、快速恢复、超快速恢、极快速恢复、高效快速恢复、FRED

此外还有一种肖特基二极管

小信号开关二极管(VRRM=50-350V)

一般通用整流器(VRRM=50-1700V)

快速恢复整流器(TRR=150-500ns)

超快速恢复整流器(TRR=50-100ns)

极快速恢复整流器(TRR=25-50ns)

高效快速恢复整流器(TRR=15-35ns)

FRED(VRRM=600-1200V,IF=8-60A)

肖特基二极管(VRRM=30-250V，TRR=10ns)

根据群里提供的图片型号到半导小芯里查找对应的规格书

图：1N4001~1N4007系列规格书部分截图

规格书对此型号描述为GeneralPurposeRectifierDiodes（即普通整流二极管），如果你查全篇则查不到TRR参数。

普通整流二极管通常工作于低频，如市电频率为50Hz，其工作频率低于3kHz。在这种情况下，正反向电压变化的时间慢于恢复时间，普通整流二极管可以正常实现单向导通。

当工作频率提高到几十至几百kHz时，正反向电压变化的时间可能会快于普通整流二极管的恢复时间，这时就需要使用快速恢复整流二极管。它有较小的TRR参数，可以在高频工作条件下实现快速恢复，从而保持单向导通。TRR参数对于快速恢复整流二极管来说是非常重要的，但在普通整流二极管的规格书中则可能不会出现。

当然你如果实在想知道此参数，可以要求厂家实测。

TRR：即反向恢复时间（ReverseRecoveryTime），是描述二极管在正向导通到反向阻断过程中，电流从正向转换为反向，再回到规定低值所需要的时间间隔。

它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。

当二极管正向导通时，PN结会存储一定的电荷。当二极管需要由正向导通状态转换到反向阻断状态时，这些存储的电荷需要被耗尽，这个过程就是反向恢复过程，而所需的时间就是反向恢复时间。

在实际应用中，反向恢复时间会影响二极管的开关速度。如果反向恢复时间过长，那么在高频应用中，二极管可能无法及时阻断反向电压，导致电路性能下降。因此，对于高频应用，需要选择反向恢复时间较短的二极管。

此外，反向恢复时间还与二极管的浪涌电流承受能力有关。浪涌电流是指在短时间内流过二极管的电流。如果反向恢复时间过长，那么在浪涌电流出现时，二极管可能无法及时关断，导致器件损坏。因此，对于需要承受较大浪涌电流的场合，也需要选择反向恢复时间较短的二极管。

TRR参数的计算公式是：TRR=td+tf，其中td是延迟时间，tf是下降时间。

延迟时间td是指从二极管电流开始反向到反向电流达到其峰值的时间间隔。这段时间内，二极管电流不断增大，成为反向电流。

下降时间tf是指从反向电流峰值开始到电流减小到规定低值的时间间隔。这段时间内，反向电流逐渐减小至0。

将延迟时间td和下降时间tf相加，即可得到反向恢复时间TRR。反向恢复时间是衡量二极管开关速度的重要指标，对于高频应用和浪涌电流承受能力有重要影响。

此外，还有一个与TRR相关的参数是恢复系数Sr，其计算公式为Sr=tf/td。恢复系数Sr越大，说明反向电流下降时间相对较长，有利于减小在开关过程中产生的反向电压尖峰，从而减小对电路的影响。

以上公式和参数仅适用于描述二极管反向恢复过程的理想情况。

在实际应用中，由于各种因素的影响，如二极管的结构、材料、工艺等，TRR和Sr等参数可能会受到一定程度的影响。因此，在选择和使用二极管时，需要综合考虑其各项参数和性能指标，以满足具体的应用需求。

以下是TRR参数对电源应用的主要影响：

开关损耗：当二极管反向恢复时间trr太长时，意味着在二极管两端突然加载反向电压时，由导通状态转变为截止状态的时间很长。在状态转变的过程中，同时存在反向电压和反向电流，且时间很长，这会导致在一个开关周期内出现较大的二极管开关损耗。开关损耗的增加不仅降低了电源效率，还会使二极管温度升高，进一步影响电源的稳定性和可靠性。

电源效率：开关电源等功率变换电路的性能指标常常与所用的快恢复二极管有关。反向恢复时间长的二极管会增加开关损耗，从而降低电源效率。因此，为了提高电源效率，需要选择具有较短反向恢复时间的二极管。

电磁兼容（EMC）问题：选型不当会产生EMC问题，特别是反向恢复时间选择不当。过长的反向恢复时间可能导致二极管的开关功耗过大，造成元器件过热烧损。这不仅会影响电源的性能和可靠性，还可能对周围设备产生电磁干扰。

高频开关应用：在高频开关应用中，如反激电源，开关频率越高，输出二极管的开关损耗越高。如果二极管的反向恢复时间过长，会导致二极管温度升高，进一步降低电源效率。因此，在高频开关应用中，需要选择具有较短反向恢复时间的二极管以确保电源的稳定性和效率。

在选择和使用二极管时，需要综合考虑其反向恢复时间等参数和性能指标，以满足电源应用的具体需求，提高电源效率和可靠性。

回到群里反馈的信息，我们思考一下继电器放二极管作用是什么？

1、为什么要在继电器线圈上并联一个二极管呢?

续流作用。就是在继电器线圈断电的时候，线圈两端会产生一个自感电动势，这个自感电势会造成破坏，而在继电器线圈两端反向并联一个二极管，为自感电动势提供一个放电电流回路(续流)，残余能量须以合适途径释放，进而起到保护作用，从功能上这个二极管叫续流二极管。

2、并联的二极管如何选择开关速度快的?

普通二极管的单向导电特性取决于P型半导体与N型半导体接触形成的PN结，由于结电容的存在，反应时间并不太短，开关断开的瞬间，二极管还来不及导通，相当于没有接二极管一样。

肖特基二极管(也称肖特基势垒二极管，SchotkyBarierDiode，SBD)的单向导电性是由金属与半导体接触形成的，它的特点是开关速度快。结合应用进行选择。

整流桥型号参数表

前言

魅族旗下PANDAER潮酷品牌推出了一款120W氮化镓桌面充电插座，这款插座具备三个USB-C接口和三个新国标五孔插孔，满足办公桌面交流供电扩展和便携设备快充。无需专用适配器，即可同时满足最多6台设备的供电需求。

这款氮化镓桌面充电插座采用方块砖型外观设计，顶面设有AC插孔，前端为三个USB-C接口。插座具备独立轻触电源开关，用于AC供电控制，还内置防浪涌器件，用于雷击保护。USB-C接口均支持100W快充输出，并且支持100+20W和60+60W等多种功率输出组合，并在接入新设备时不会断连，满足三台设备的同时快充。

USB-C接口还配有单独的指示灯，其中显示蓝色时输出功率为50W及更高，绿色表示输出功率在50W以下，红色显示表示低速充电，直观了解充电状态。下面充电头网就带来魅族这款氮化镓桌面充电插座的拆解，一起看看内部的设计和用料。

此前充电头网已经对这款产品进行了详细评测，此外拆解过魅族PANDAER80W氮化镓快充充电器、魅族PANDAER67W2C1A氮化镓变速箱潮充、魅族PANDAER40W双USB-C氮化镓充电器、魅族PANDAER65W2C1A氮化镓充电器等产品，欢迎查阅。

魅族PANDAER120W桌面充电插座开箱

侧面印有产品相关参数信息。

包装盒上产品参数特写，下面到实物环节再详细介绍。

型号：PTC04；

插座输入：10AMax250V2500WMax；

USB输入：180-240V~50/60Hz，3.0AMax；

USB输出：USB-C1/C2/C3：5V/9V/12V/15V3A，20V5A；

USB输入:180-240V~50/60Hz，3.0AMax

USB输出:USB-C1/USB-C2/USB-C3=5V/9V/12V/15V-3A;20V-5A

USB-C1+USB-C2/USB-C2+USB-C3/+USB-C1+USB-C3=100W+20W/60W+60W；

USB-C1+USB-C2+USB-C3=60W+30W+30W/45W+45W+30W/40W+40W+40W；

USB最大输出功率：120WMax；

制造商：珠海市魅族科技有限公司。

包装内含PANDAER 120W桌面充电插座以及说明手册。

PANDAER 120W桌面充电插座以北欧建筑为灵感，采用冰河白纯粹配色，直角边框设计，手感舒适。同时全框架V0级防火材料，国标插孔配置以及抗雷击防浪涌功能，打造简洁安全桌面。

插座采用国标三扁插头，侧边凹陷处理更易插拔；并且延续轻薄设计，方便用户在狭窄空间内使用。

插头内侧有相应规格参数以及标识设计，规格为10A250V~，通过了CCC认证。

电源线采用加粗电源线芯，更耐用耐磨损；并印有相关字样：“CCC认证“、“300/500V3*1.0mm²”，即安全系数更高，使用更安全。

机身背面采用黑色外壳，并且外壳采用网格栅型竖条散热设计，同时，电源线与本体连接处采用防护SR设计，耐用避免电源线外被弯折破皮。

黑色外壳上印有产品详细规格参数，左侧设有微动式电源开关按键。

机身顶面配置三组3+2新国标组合插口，比传统插座更耐用耐插拔。

每组AC插口都拥有安全保护门，不怕儿童误插插孔，用电更安全。

顶面边缘设计有MAX2500W字样，表明最大承载功率。

插座机身前端配置三个USB-C接口，右上角为透明设计的“熊猫头”奇趣logo。

“熊猫头”奇趣logo处特写。

三个USB-C接口胶芯均为橘黄色，上方也都各配置对应指示灯。

机身两侧均无特殊设计。

机身底部拥有一整块加厚橡胶防滑垫，同时防滑垫中心区域为“PANDAER”亮面字样设计。

实测PANDAER120W桌面充电插座外露线材长度约为171cm。

机身长度约为179.98mm。

宽度约为63.35mm。

厚度约为45.42mm。

另外测得产品重量约为575g。

PANDAER120W桌面充电插座在通电后，logo区域亮水蓝色。

USB-C口上方指示灯在设备接入充电时显示不同颜色（蓝色、绿色、红色），灯光柔和，对应不同充电功率。

使用ChargerLABPOWER-ZKM003C测得USB-C口支持FCP、SCP、AFC、QC3.0/5、PE2.0、PD3.0、PPS、DCP、Apple2.4A充电协议，覆盖范围广泛。

PDO报文显示USB-C口具备5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V5A五组固定电压档位，以及3.3-21V5A一组PPS电压档位。因为三个接口性能完全相同，篇幅原因这里便只展示其中一个接口测试结果。

使用插座USB-C口给苹果MacBookPro16M1Max充电，测得充电功率为19.67V4.64A91.25W，屏中显示成功握手PD快充协议。

魅族PANDAER120W桌面充电插座拆解

看完了魅族这款120W桌面充电插座的开箱，下面就进行拆解，一起看看内部的用料和设计。

首先撕下机身底部的防滑橡胶垫。

在防滑胶垫下面为三角防拆螺丝。

后盖共使用五颗防拆螺丝固定。

电源线采用螺丝和压板固定，导线冷压端子焊接连接。

两根导线焊接连接，为快充PCBA模块供电。

用于照亮内部logo的LED灯特写。

插座内部PCBA模块一览，其中上方为插座模块，下方为快充PCBA模块。

屏蔽铜箔粘贴在绝缘麦拉片上。

插座模块正面一览，焊接三个新国标五孔插座，PCB走线过孔处理。右侧焊接控制供电的继电器和供电电路。

背面大电流走线露铜加锡，增加载流量降低电阻。

插座模块采用焊接连接，插座模块上覆盖有安全门，防止异物进入。

用于雷击浪涌保护的压敏电阻特写。

压敏电阻来自SUP肃菲，为TLMOV热保护型压敏电阻，规格为14D561K-2P，用于雷击浪涌保护。这款热保护型压敏电阻将温度保险丝与压敏电阻串联，能够检测压敏电阻的温度，进行过热保护。相当于传统热敏电阻与保险丝串联，再使用热缩管固定的组合。

两颗蓝色Y电容特写。

用于控制继电器的非隔离降压电路特写。

输入端保险电阻外套热缩管绝缘。

整流桥来自沃尔德，型号WRABS20MG，规格为2A1000V。

两颗滤波电容来自JK，规格为3.3μF400V。

滤波色环电感特写。

垂直焊接的小板上焊接一颗非隔离降压芯片，并焊接两个插座连接指示灯和按键。

另一面焊接MCU芯片和一颗滤波电容。

非隔离降压芯片来自芯朋微，型号AP8506，是一颗非隔离降压芯片，内部集成PFM控制器和650VMOS管。芯片支持高压启动，可实现快速启动和超低待机功能。

降压电感采用铁氧体屏蔽磁芯。

输出滤波电容来自万裕，规格为470μF10V。

小板另外一面焊接一颗MCU，来自芯海科技，型号CSU32P10，是一颗内置12位ADC的8位MCU，内部集成振荡器，支持2.4~5.5V工作电压，采用MSOP10封装。用于检测按键操作，进行继电器驱动控制。

芯海科技CSU32P10资料信息。

充电头网拆解了解到，芯海CSU32P10此前还被倍思67W2C1A+HDMI多功能氮化镓桌面充、摩米士40W双USB-C快充充电器、闪极100W3C1A氮化镓充电器等产品采用。

连接指示灯和电源按钮的插座特写。

用于控制插座供电的继电器来自元则，型号Y32F-SS-105HM，为塑封型继电器，线圈电压为5V，触点容量为10A。

电源开关小板特写，正面焊接连接导线和一颗微动按键。

小板为单面印刷。

贴片微动按键特写。

LED指示灯连接线外套热缩管绝缘。

指示灯焊接在小板上。

PCBA模块正面一览，右侧为交流输入端，焊接保险丝，共模电感，压敏电阻，安规X2电容，薄膜滤波电容和滤波电感，向左焊接PFC升压电感，高压滤波电容，谐振电感，谐振电容和LLC变压器。谐振电感，变压器和PFC升压电感均打胶固定，左侧焊接降压输出小板。

背面焊接整流桥，PFC+LLC二合一控制器，氮化镓功率芯片，碳化硅二极管，两颗LLC开关管。左侧焊接同步整流控制器，贴片Y电容和反馈光耦。

通过对PCBA模块正反面的观察发现，快充模块采用PFC+LLC开关电源架构，搭配同步整流，固定电压输出。输出采用三路独立的降压电路，实现三口快充输出。下面我们就从输入端开始了解各个元器件的信息。

PCBA模块侧面一览，焊接保险丝，共模电感，压敏电阻，安规X2电容。

输入端保险丝规格为3.15A250V。

共模电感采用漆包线和绝缘线绕制。

MOV压敏电阻来自NDF达孚，型号10D471K，用于吸收雷击浪涌。

侧面焊接共模电感，薄膜滤波电容，PFC升压电感，高压滤波电容，主控芯片供电电容，LLC变压器和输出滤波电容。在上方焊接USB-C降压输出小板。

安规X2电容来自CHAMPION全鹏电子，规格为0.22μF。

第二级共模电感采用扁铜线绕制，底部焊接绝缘支架。

另一颗安规X2电容规格为0.47μF。

输入端整流桥型号ULBR810，规格为8A1000V。

在PCB另外一面还焊接一颗同型号整流桥，两颗均为半桥连接，均摊发热。

两颗薄膜滤波电容来自JURCC捷威，为MPP85-BOX系列，规格为1μF450V。

滤波电感采用磁环绕制，外套热缩管绝缘。

电源主控芯片来自MPS芯源半导体，型号HR1275，是一颗采用临界和断续混合模式的PFC控制与电流模式LLC二合一数字控制器，可以通过UART接口配置。芯片内置节电技术，可以帮助实现整个工作范围内的效率优化。芯片内置高压启动和X电容放电，并支持PG信号输出。

为初级主控芯片供电的供电电容来自万裕，规格为100μF35V。

PFC开关管来自纳微，型号NV6136C，这是一颗高集成的氮化镓功率芯片，内置驱动器以及高精度无损耗电流采样电路，消除取样电阻的损耗。NV6136C内置170mΩ导通电阻，耐压700V的氮化镓开关管，支持2MHz开关频率，采用6*8mmQFN封装，节省面积。

纳微NV6136C资料信息。

充电头网通过拆解了解到，纳微GaNFast功率芯片此前已被摩托罗拉68W氮化镓充电器、戴尔60W氮化镓快充、OPPO50Ｗ饼干氮化镓快充、小米65W1A1C氮化镓快充充电器、努比亚65W氘锋三口氮化镓快充、联想YOGA130W双USB-C口快充、安克65W氮化镓充电器（英雄联盟版）等知名品牌的数十款产品采用。

PFC升压电感采用ATQ2500磁芯绕制，磁芯缠绕胶带绝缘。

PFC整流管来自森国科，是一颗碳化硅二极管，型号KS04065-D，规格为650V4A，采用PDFN5*6封装。

高压滤波电容来自KINLS蓝宝石，规格为120μF450V。

两颗LLC开关管来自东微半导体，型号OSG65R200JF，NMOS，耐压650V，导阻200mΩ，采用PDFN8*8封装，两颗串联组成半桥。

LLC谐振电容来自JURCC捷威，为MPP92-BOX系列，规格为0.012μF1KV。

LLC谐振电感特写。

LLC变压器采用胶带严密缠绕绝缘。

亿光EL1019光耦用于输出电压反馈。

贴片Y电容来自四川特锐祥科技股份有限公司，具有体积小、重量轻等特色，非常适合应用于氮化镓快充这类高密度电源产品中，料号TMY1102M。

特锐祥专注于被动元器件的研发、生产及销售，注册资本1亿元。旗下有自主电容品牌两类：SMDTRX及DIPTY电容器，TRX将致力于陶瓷材料的研究，以拓展更多品类的应用，为客户提供更多的解决方案。

充电头网了解到，特锐祥贴片Y电容除了被麦多多100W氮化镓、OPPO65W超级闪充氮化镓充电器、联想90W氮化镓快充、努比亚65W氮化镓充电器、倍思120W氮化镓+碳化硅PD快充充电器等数十款大功率充电器使用外，还应用于海陆通、第一卫、贝尔金等品牌20W迷你快充上，性能获得客户一致认可。

另一颗贴片Y电容特写。

同步整流控制器来自MPS，型号MP6924A，是一颗LLC同步整流控制器，具有更强的抗干扰度和快速关断功能，兼容CCM/DCM模式。MP6924A内部集成了两个同步整流控制器，分别用于LLC两个次级线圈输出的整流应用，适用于LLC转换器同步整流应用。

用于为MP6924A同步整流芯片的供电芯片来自力生美，型号LN3210，是一颗高性能开关电源控制器供电芯片，支持宽范围电压输入，为USBPD以及QC快充电源优化，输入电压可达75V，输出电压不高于17V，具有低待机功耗，内置反向隔离功能，简化宽范围开关电源供电电路设计，降低器件数量，节省占板面积。

力生美LN3210具有SOT23和SOT89封装，器件仅3个引脚，使用方便，适用于快充电源等宽电压输出的开关电源应用。

同步整流管来自东微，型号SFS06R10GF，NMOS，耐压60V，导阻10mΩ，采用PDFN5*6封装。

三颗滤波固态电容规格为680μF25V。

降压小板通过滤波电感小板焊接连接。

输出滤波电感焊接在连接降压电路的小板上。

降压输出小板一览，正面焊接USB-C母座，指示灯小板，在下方焊接协议芯片，下面焊接降压电感。三颗用于指示输出功率的LED指示灯粘贴泡棉遮光。

背面焊接三路同步降压控制器，降压开关管和VBUS开关管。

在指示灯小板下面焊接两颗协议芯片和滤波电容。

其中两个USB-C口的协议芯片采用英集芯IP2738，这是一颗双路协议芯片，支持双口18-140W快充应用，具备独立的反馈控制，具备独立的USBPD控制，相当于两颗IP2736整合到一颗芯片内部，快充规格与IP2736相同。支持USBPD3.128VEPR档位，并支持PD3.0/PPS等丰富全面的快充协议，兼容性非常好。

英集芯IP2738内置四路独立的NMOS驱动，可用于多个接口输出控制，控制多个VBUS开关管进行输出端口切换以及两路电源并联控制，并且支持双路独立的过流、过压以及短路保护，确保使用安全。

充电头网了解到，英集芯IP2738此前已被麦多多40W双USB-C氮化镓充电器、爱兰博140W2C1A氮化镓充电器、安克65W2C1A二合一氮化镓超极充、绿联140W2C1A氮化镓充电器，英集芯的其它系列快充芯片已被小米、华为、三星等大品牌的产品使用，性能质量获得客户的高度认可。

用于降压输出的同步整流降压控制器来自英集芯，型号为IP6550，是一款支持36V输入的同步降压控制器，内置NMOS管驱动，外置两个MOS管进行高效同步整流降压。IP6550通过反馈引脚调节输出电压。开关频率135KHz，输入端耐压48V，内置完善的保护功能。英集芯IP6550采用3*3mmQFN16封装，可实现简化的同步降压转换电路设计。

IP6550可用于车载充电器、多口适配器、智能插排、支持USB-C接口的插排以及行车记录仪应用。同步整流降压具有高转换效率，高输出电流可用于多口5V输出，搭配PD协议芯片可实现宽范围电压调节，满足USBPD3.1的应用。

另一颗协议芯片采用英集芯IP2736，芯片内部集成电压基准，集成可编程的电压/电流环路控制，芯片内部集成低端电流检测，输出支持线损补偿。支持电源适配器应用的光耦反馈，支持通过I2C和FB控制的DC-DC改变输出电压，支持车充、储能电源、充电器、移动电源、电动工具等应用。

得益于多种反馈形式的支持，IP2736可与QR、ACF、LLC等电路架构的开关电源搭配用于PD快充，也可以与升降压电路搭配用于大功率快充车充和移动电源等应用。

英集芯IP2736详细资料。

两颗降压开关管来自砹德曼，型号AD40N50D3，NMOS，耐压40V，导阻4.5mΩ，采用PDFN3*3封装。

VBUS开关管来自砹德曼，型号AD30N80D3，NMOS，耐压30V，导阻为3.1mΩ，采用PPAK3*3封装。

两颗MLCC滤波电容特写。

剩余两路USB-C口降压电路MOS管和VBUS管型号相同，节省篇幅只介绍其中一路。

三颗降压电感外套热缩管绝缘，并打胶水固定。

一颗输出滤波电容规格为150μF25V。

另外两路输出滤波电容规格相同。

两颗5mΩ电流取样电阻用于输出电流检测。

第三颗电流取样电阻规格相同。

指示灯小板上面焊接一颗MCU，三颗RGBLED指示灯和一颗开关降压芯片。

用于功率自动分配和指示灯控制的MCU来自芯海科技，型号CSU38F20，是一个带LED驱动和12-bitADC的8位宽电压FlashMCU，内置16K字节Flash程序存储器，集成8COM×7SEGLED驱动、UART接口、I2C接口，适用于个人护理、电子烟、电池管理、消防标志灯等领域。

芯海科技CSU38F20资料信息。

一颗降压芯片来自微盟电子，丝印1HVH，采用SOT23-6封装。

RGBLED指示灯特写，采用贴片焊接。

USB-C母座特写。

全部拆解一览，来张全家福。

充电头网拆解总结

魅族这款120W桌面充电插座具备三个新国标五孔插孔和三个USB-C接口，插座具备轻触开关，支持AC供电控制。三个USB-C接口均支持100W输出功率，并且支持功率自动分配，满足多台设备的同时充电需求。USB-C接口上方还设有指示灯，用于指示输出功率，充电状态一目了然。

充电器内置MPSHR1275PFC+LLC二合一控制器，搭配使用MP6924A组成固定电压输出的开关电源，其中PFC采用纳微NV6136C氮化镓功率芯片，LLC开关管和同步整流管均来自东微，PFC整流管采用森国科KS04065-D。高压滤波电容来自蓝宝石，输出滤波均使用固态电容。

输出降压方面采用英集芯IP2738搭配IP2736两颗协议芯片进行输出控制，搭配使用三颗英集芯IP6550同步降压控制器，并使用砹德曼同步降压开关管和VBUS开关管。使用芯海科技CSU38F20MCU用于输出功率显示。插座还内置防雷击保护电路，内部用料和做工都很可靠。