开关二极管型号(开关二极管型号和参数)
开关二极管型号怎么看
开关二极管是半导体二极管的一种，是为在电路上进行"开"、"关"而特殊设计制造的一类二极管。它由导通变为截止或由截止变为导通所需的时间比一般二极管短，常见的有2AK、2DK等系列，主要用于电子计算机、脉冲和开关电路中。
开关二极管分为普通开关二极管、高速开关二极管、超高速开关二极管、低功耗开关二极管、高反压开关二极管、硅电压开关二极管等多种。其相关型号如下：
1.普通开关二极管
常用的国产普通开关二极管有2AK系列锗开关二极管。
2.高速开关二极管
高速开关二极管较普通开关二极管的反向恢复时间更短，开、关频率更快。
常用的国产高速开关二极管有2CK系列。
进口高速开关二极管有1N系列、1S系列、1SS系列（有引线塑封）和RLS系列（表面安装）。
3.超高速开关二极管
常用的超高速二极管有1SS系列（有引线塑封）和RLS系列（表面封装）。
4.低功耗开关二极管
低功耗开关二极管的功耗较低，但其零偏压电容和反向恢复时间值均较高速开关二极管低。
常用的低功耗开关二极管有RLS系列（表面封装）和1SS系列（有引线塑封）。
5.高反压开关二极管
高反压开关二极管的反向击穿电压均在220V以上，但其零偏压电容和反向恢复时间值相对较大。
常用的高反压开关二极管有RLS系列（表面封装）和1SS系列（有引线塑封）
。
6.硅电压开关二极管
硅电压开关二极管是一种新型半导体器件，有单向电压开关二极管和双向电压开关二极管之分，主要应用于触发器、过压保护电路、脉冲发生器及高压输出、延时、电子开关等电路。
单向电压开关二极管也称转折二极管，邮PnPN四层结构的硅半导体材料组成，其正向为负阻开关特性（指当外加电压升高到正向转折电压值时，开关二极管由截止状态变为导通状态，即由高阻转为低阻），反向为稳定特性。双向电压二极管由NPnPN五层结构的硅半导体材料组成，其正向和反向均具有相同的负阻开关特性。
开关二极管型号规格
GeneralPurposeRectifiersDiodes普通整流二极管GRD1N4001W,1N4002W,1N4003W,1N4004W,1N4005W,1N4006W,1N4007W,S1AF,S1BF,S1DF,S1GF,S1JF,S1KF,S1MF,S2AF,S2BF,S2DF,S2GF,S2JF,S2KF,S2MF,S3AF,S3BF,S3DF,S3GF,S3JF,S3KF,S3MF,S2ABF,S2BBF,S2DBF,S2GBF,S2JBF,S2KBF,S2MBF,S3ABF,S3BBF,S3DBF,S3GBF,S3JBF,S3KBF,S3MBF,S5ABF,S5BBF,S5DBF,S5GBF,S5JBF,S5KBF,S5MBF,S1A,S1B,S1D,S1G,S1J,S1K,S1M,S2A,S2B,S2D,S2G,S2J,S2K,S2M,S2AB,S2BB,S2DB,S2GB,S2JB,S2KB,S2MB,S3AB,S3BB,S3DB,S3GB,S3JB,S3KB,S3MB,S3AC,S3BC,S3DC,S3GC,S3JC,S3KC,S3MC,S5AC,S5BC,S5DC,S5GC,S5JC,S5KC,S5MCFastRecoveryRectifierDiodes快恢复二极管,FRFR101W,FR102W,FR103W,FR104W,FR105W,FR106W,FR107W,RS1AF,RS1BF,RS1DF,RS1GF,RS1JF,RS1KF,RS1MF,RS2AF,RS2BF,RS2DF,RS2GF,RS2JF,RS2KF,RS2MF,RS3AF,RS3BF,RS3DF,RS3GF,RS3JF,RS3KF,RS3MF,RS2ABF,RS2BBF,RS2DBF,RS2GBF,RS2JBF,RS2KBF,RS2MBF,RS3ABF,RS3BBF,RS3DBF,RS3GBF,RS3JBF,RS3KBF,RS3MBF,RS5ABF,RS5BBF,RS5DBF,RS5GBF,RS5JBF,RS5KBF,RS5MBF,RS1A,RS1B,RS1D,RS1G,RS1J,RS1K,RS1M,RS2A,RS2B,RS2D,RS2G,RS2J,RS2K,RS2M,RS2AB,RS2BB,RS2DB,RS2GB,RS2JB,RS2KB,RS2MB,RS3AB,RS3BB,RS3DB,RS3GB,RS3JB,RS3KB,RS3MB,RS3AC,RS3BC,RS3DC,RS3GC,RS3JC,RS3KC,RS3MC,RS5AC,RS5BC,RS5DC,RS5GC,RS5JC,RS5KC,RS5MC,HighEfficiencyRectifierDiodes高效整流二极管,HERDUS1AW,US1BW,US1DW,US1GW,US1JW,US1KW,US1MW,US1AF,US1BF,US1DF,US1GF,US1JF,US1KF,US1MF,US2AF,US2BF,US2DF,US2GF,US2JF,US2KF,US2MF,US3AF,US3BF,US3DF,US3GF,US3JF,US3KF,US3MF,US2ABF,US2BBF,US2DBF,US2GBF,US2JBF,US2KBF,US2MBF,US3ABF,US3BBF,US3DBF,US3GBF,US3JBF,US3KBF,US3MBF,US5ABF,US5BBF,US5DBF,US5GBF,US5JBF,US5KBF,US5MBF,US1A,US1B,US1D,US1G,US1J,US1K,US1M,US2A,US2B,US2D,US2G,US2J,US2K,US2M,US2AB,US2BB,US2DB,US2GB,US2JB,US2KB,US2MB,US3AB,US3BB,US3DB,US3GB,US3JB,US3KB,US3MB,US3AC,US3BC,US3DC,US3GC,US3JC,US3KC,US3MC,US5AC,US5BC,US5DC,US5GC,US5JC,US5KC,US5MC,UltraFastRecoveryRectifierDiodes超快恢复二极管UFRES1AW,ES1BW,ES1DW,ES1GW,ES1JW,ES1AF,ES1BF,ES1DF,ES1GF,ES1JF,ES2AF,ES2BF,ES2DF,ES2GF,ES2JF,ES3AF,ES3BF,ES3DF,ES3GF,ES3JF,ES2ABF,ES2BBF,ES2DBF,ES2GBF,ES2JBF,ES3ABF,ES3BBF,ES3DBF,ES3GBF,ES3JBF,ES1A,ES1B,ES1D,ES1G,ES1J,ES2A,ES2B,ES2D,ES2G,ES2J,ES2AB,ES2BB,ES2DB,ES2GB,ES2JB,ES3AB,ES3BB,ES3DB,ES3GB,ES3JB,ES3AC,ES3BC,ES3DC,ES3GC,ES3JC,ES5AC,ES5BC,ES5DC,ES5GC,ES5JC,
开关二极管型号有哪些
开关二极管是半导体二极管的一种，是为在电路上进行"开"、"关"而特殊设计制造的一类二极管。它由导通变为截止或由截止变为导通所需的时间比一般二极管短，常见的有2AK、2DK等系列，主要用于电子计算机、脉冲和开关电路中。 开关二极管分为普通开关二极管、高速开关二极管、超高速开关二极管、低功耗开关二极管、高反压开关二极管、硅电压开关二极管等多种。其相关型号如下： 1.普通开关二极管 常用的国产普通开关二极管有2AK系列锗开关二极管。 2.高速开关二极管 高速开关二极管较普通开关二极管的反向恢复时间更短，开、关频率更快。 常用的国产高速开关二极管有2CK系列。 进口高速开关二极管有1N系列、1S系列、1SS系列（有引线塑封）和RLS系列（表面安装）。 3.超高速开关二极管 常用的超高速二极管有1SS系列（有引线塑封）和RLS系列（表面封装）。 4.低功耗开关二极管 低功耗开关二极管的功耗较低，但其零偏压电容和反向恢复时间值均较高速开关二极管低。 常用的低功耗开关二极管有RLS系列（表面封装）和1SS系列（有引线塑封）。 5.高反压开关二极管 高反压开关二极管的反向击穿电压均在220V以上，但其零偏压电容和反向恢复时间值相对较大。 常用的高反压开关二极管有RLS系列（表面封装）和1SS系列（有引线塑封）。 6.硅电压开关二极管 硅电压开关二极管是一种新型半导体器件，有单向电压开关二极管和双向电压开关二极管之分，主要应用于触发器、过压保护电路、脉冲发生器及高压输出、延时、电子开关等电路。 单向电压开关二极管也称转折二极管，邮PnPN四层结构的硅半导体材料组成，其正向为负阻开关特性（指当外加电压升高到正向转折电压值时，开关二极管由截止状态变为导通状态，即由高阻转为低阻），反向为稳定特性。双向电压二极管由NPnPN五层结构的硅半导体材料组成，其正向和反向均具有相同的负阻开关特性。
开关二极管型号参数对照表
开关二极管是半导体二极管的一种，是为了在电路上进行“开”、“关”而特殊设计制造的一类二极管，开关二极管由导通变为截止或截止变为导通所需的时间比一般二极管短。
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开关二极管型号对照表
开关二极管是半导体二极管的一种，是为在电路上进行"开"、"关"而特殊设计制造的一类二极管。它由导通变为截止或由截止变为导通所需的时间比一般二极管短，常见的有2AK、2DK等系列，主要用于电子计算机、脉冲和开关电路中。
工作原理
半导体二极管导通时相当于开关闭合(电路接通)，截止时相当于开关打开(电路切断)，所以二极管可作开关用，常用型号为1N4148。由于半导体二极管具有单向导电的特性，在正偏压下PN结导通，在导通状态下的电阻很小，约为几十至几百欧;在反向偏压下，则呈截止状态，其电阻很大，一般硅二极管在10ΜΩ以上，锗管也有几十千欧至几百千欧。利用这一特性，二极管将在电路中起到控制电流接通或关断的作用，成为一个理想的电子开关。
以上的描述，其实适用于任何一支普通的二极管，或者说是二极管本身的原理。但针对于开关二极管，重要的特点是高频条件下的表现。
高频条件下，二极管的势垒电容表现出来极低的阻抗，并且与二极管并联。当这个势垒电容本身容值达到一定程度时，就会严重影响二极管的开关性能。极端条件下会把二极管短路，高频电流不再通过二极管，而是直接绕路势垒电容通过，二极管就失效了。而开关二极管的势垒电容一般极小，这就相当于堵住了势垒电容这条路，达到了在高频条件下还可以保持好的单向导电性的效果。
作用
开关二极管里有一个PN结。当有正向电流时，电流流动，导通正电。负电到来时，二极管不导通。在电路中能起到开关和隔离作用。
开关二极管是利用二极管的单向导电性，在半导体PN结加上正向偏压后，在导通状态下，电阻很小(几十到几百欧);加上反向偏压后截止，其电阻很大(硅管在100M欧以上)。利用开关二极管的这一特性，在电路中起到控制电流通过或关断的作用，成为一个理想的电子开关。开关二极管的正向电阻很小，反向电阻很大，开关速度很快。
电路分析
虽然开关二极管同普通的二极管一样，也有一个PN结的结构，但不同之处是要求这种二极管的开关特性要好。当给开关二极管加上正向电压时，二极管处于导通状态，相当于开关的通态;当给开关二极管加上反向电压时，二极管处于截止状态，相当于开关的断态。二极管的导通和截止状态完成开与关功能。开关二极管就是利用这种特性，且通过制造工艺，开关特性更好，即开关速度更快，PN结的结电容更小，导通时的内阻更小，截止时的电阻很大。
电路中VD1是开关二极管，他的作用相当于一个开关，用来接通和断开电容C2的。
思路分析：
(1)电路中，C2和VD1串联，根据串联电路特性可知，C2和VD1要么同时接入电路，要么同时断开。如果只是需要C2并联在C1上，可以直接将C2并联在C1上，可是串入二极管VD1，说明VD1控制着C2的接入与断开。
(2)根据二极管的导通与截止特性可知，当需要C2接入电路时让VD1导通，当不需要C2接入电路时让VD1截止，二极管的这种工作方式称为开关方式，这样的电路称为二极管开关电路。
(3)电路中的开关S1用来控制工作电压+V是否接入电路。根据S1开关电路更容易确认二极管VD1工作在开关状态下，因为S1的开、关控制了二极管的导通与截止。
(4)二极管的导通与截止要有电压控制，电路中VD1正极通过电阻R1、开关S1与直流电压+V端相连，这一电压就是二极管的控制电压。
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开关二极管型号辨别方法
二极管的参数解释
常规参数：正向压降、反向击穿电压、连续电流、反向漏电等；
交流参数：开关速度、反向恢复时间、截止频率、阻抗、结电容等；
极限参数：最大耗散功率、工作温度、存贮条件、最大整流电流等。
一、常规参数
正向导通压降
压降：二极管的电流流过负载以后相对于同一参考点的电势（电位）变化称为电压降，简称压降。
导通压降：二极管开始导通时对应的电压。
正向特性：在二极管外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零。当正向电压大到足以克服PN结电场时，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。
反向特性：外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。反向电压增大到一定程度后，二极管反向击穿。
正向导通压降与导通电流的关系
在二极管两端加正向偏置电压时，其内部电场区域变窄，可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V)以后，二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试，可得到如图2所示的曲线关系：正向导通压降与导通电流成正比，其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V，但对于功率二极管来说它不仅影响效率也影响二极管的温升，所以在价格条件允许下，尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的二极管。
图1 二极管导通压降测试电路
图2 导通压降与导通电流关系
正向导通压降与环境的温度的关系
在我们开发产品的过程中，高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的最大障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的，二极管当然也不例外，在高低温环境下通过对SM360A的实测数据表1与图3的关系曲线可知道：二极管的导通压降与环境温度成反比。在环境温度为-45℃时虽导通压降最大，却不影响二极管的稳定性，但在环境温度为75℃时，外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃，则该二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。
表 1 导通压降与导通电流测试数据
图3 导通压降与环境温度关系曲线
最大整流电流IF
是指二极管长期连续工作时，允许通过的最大正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为141左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下，二极管使用中不要超过二极管最大整流电流值。例如，常用的IN4001－4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。
最高反向工作电压Udrm
加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。
反向电流Idrm
反向电流是指二极管在常温（25℃）和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250uA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流仅为5uA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。
外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。
一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。
二极管漏电流与反向电压的关系
在二极管两端加反向电压时，其内部电场区域变宽，有较少的漂移电流通过PN结，形成我们所说的漏电流。漏电流也是评估二极管性能的重要参数，二极管漏电流过大不仅使其自身温升高，对于功率电路来说也会影响其效率，不同反向电压下的漏电流是不同的，关系如图4所示：反向电压愈大，漏电流越大，在常温下肖特基管的漏电流可忽略。
图4 反向电压与漏电流关系曲线
二极管漏电流与环境温度的关系
其实对二极管漏电流影响最大的还是环境温度，下图5是在额定反压下测试的关系曲线，从中可以看出：温度越高，漏电流越大。在75℃后成直线上升，该点的漏电流是导致二极管外壳在额定电流下达到125℃的两大因素之一，只有通过降额反向电压和正向导通电流才能降低二极管的工作温度。
图5 漏电流与环境温度关系曲线
电压温度系数αuz
αuz指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。uz为6v左右的稳压二极管的温度稳定性较好
二、最大额定值 ——极限参数
最大反向峰值电压VRM
即使没有反向电流,只要不断地提高反向电压,迟早会使二极管损坏。这种能加上的反向电压,不是瞬时电压,而是反复加上的正反向电压。因给整流器加的是交流电压,它的最大值是规定的重要因子。
最大直流反向电压VR
上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压,VR是连续加直流电压时的值。用于直流电路,最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的。
最大浪涌电流Isurge
允许流过的过量的正向电流。它不是正常电流,而是瞬间电流,这个值相当大。
最大平均整流电流IO
在半波整流电路中,流过负载电阻的平均整流电流的最大值。这是设计时非常重要的值。
最大交流输入电压VI
在半波整流电路(电阻负荷)上加的正弦交流电压的有效值。这也是选择整流器时非常重要的参数。最大峰值正向电流IFM正向流过的最大电流值,这也是设计整流电路时的重要参数。
最大功率P
二极管中有电流流过,就会吸热,而使自身温度升高。最大功率P为功率的最大值。具体讲就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流。这个极限参数对稳压二极管,可变电阻二极管显得特别重要。
反向电流IR
一般说来,二极管中没有反向电流流过,实际上,加一定的反向电压,总会有电流流过,这就是反向电流。不用说,好的二极管,反向电流较小。
反向恢复时间tre
指在规定的负载、正向电流及最大反向瞬态电压下的反向恢复时间。从正向电压变成反向电压时,理想情况是电流能瞬时截止,实际上,一般要延迟一点点时间。决定电流截止延时的量,就是反向恢复时间。虽然它直接影响二极管的开关速度,但不一定说这个值小就好。
IF—最大平均整流电流。 指二极管工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。
VR—最大反向工作电压。 指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4007的VR为1OOOV.
IR—反向电流。 指二极管未击穿时反向电流值。温度对IR的影响很大。例如1N4000系列二极管在100°C条件IR应小于500uA;在25°C时IR应小于5uA。
VR—击穿电压。 指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。 三、交流参数
CO—零偏压电容。 指二极管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于1OuA，而在100°C时IR则变为小于500uA。
我们知道二极管具有容易从P型向N型半导体通过电流,而在相反方向不易通过的的特性。这两种特性合起来就产生了电容器的作用,即蓄积电荷的作用。蓄积有电荷,当然要放电。放电可以在任何方向进行。而二极管只在一个方向有电流流过这种说法,严格来说是不成立的。这种情况在高频时就明显表现出来。因此,二极管的极电容以小为好。
动态电阻Rd
二极管特性曲线静态工作点Q附近电压的变化与相应电流的变化量之比。
最高工作频率Fm
Fm是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成。所以Fm的值主要取决于PN结结电容的大小。若是超过此值。则单向导电性将受影响。
二极管反向恢复时间
如图6所示，二极管的反向恢复时间为电流通过零点由正向转换成反向，再由反向转换到规定低值的时间间隔，实际上是释放二极管在正向导通期间向PN结的扩散电容中储存的电荷。反向恢复时间决定了二极管能在多高频率的连续脉冲下做开关使用，如果反向脉冲的持续时间比反向恢复时间短，则二极管在正向、反向均可导通就起不到开关的作用。PN结中储存的电荷量与反向电压共同决定了反向恢复时间，而在高频脉冲下不但会使其损耗加重，也会引起较大的电磁干扰。所以知道二极管的反向恢复时间正确选择二极管和合理设计电路是必要的，选择二极管时应尽量选择PN结电容小、反向恢复时间短的，但大多数厂家都不提供该参数数据。
图6 二极管恢复时间示意图
部分内容整理自
1、《二极管鲜为人知的特性》作者：ZLG致远电子 来源：电子产品世界
2、《什么是二极管的压降和导通压降》百度文库
3、《二极管参数大全》百度知道
开关二极管型号和参数
今日在一个技术群里看到一个问题：“继电器旁边的二极管普通整流管还是快恢复整流管？”
看到图片忍不住回复，因为图中标识的4001/4007型号是很常用的普通整流二极管。
图：D11N4001为继电器旁的二极管
图：D94007为继电器旁的二极管
技术群里的都是大佬，对应用很了解，但是对单个产品的分类不是很熟悉。
所以如下我做了一些分类。
产品种类依不同的TRR区分：
一般通用、快速恢复、超快速恢、极快速恢复、高效快速恢复、FRED
此外还有一种肖特基二极管
小信号开关二极管(VRRM=50-350V)
一般通用整流器(VRRM=50-1700V)
快速恢复整流器(TRR=150-500ns)
超快速恢复整流器(TRR=50-100ns)
极快速恢复整流器(TRR=25-50ns)
高效快速恢复整流器(TRR=15-35ns)
FRED(VRRM=600-1200V,IF=8-60A)
肖特基二极管(VRRM=30-250V，TRR=10ns)
根据群里提供的图片型号到半导小芯里查找对应的规格书
图：1N4001~1N4007系列规格书部分截图
规格书对此型号描述为GeneralPurposeRectifierDiodes（即普通整流二极管），如果你查全篇则查不到TRR参数。
普通整流二极管通常工作于低频，如市电频率为50Hz，其工作频率低于3kHz。在这种情况下，正反向电压变化的时间慢于恢复时间，普通整流二极管可以正常实现单向导通。
当工作频率提高到几十至几百kHz时，正反向电压变化的时间可能会快于普通整流二极管的恢复时间，这时就需要使用快速恢复整流二极管。它有较小的TRR参数，可以在高频工作条件下实现快速恢复，从而保持单向导通。TRR参数对于快速恢复整流二极管来说是非常重要的，但在普通整流二极管的规格书中则可能不会出现。
当然你如果实在想知道此参数，可以要求厂家实测。
TRR：即反向恢复时间（ReverseRecoveryTime），是描述二极管在正向导通到反向阻断过程中，电流从正向转换为反向，再回到规定低值所需要的时间间隔。
它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。
当二极管正向导通时，PN结会存储一定的电荷。当二极管需要由正向导通状态转换到反向阻断状态时，这些存储的电荷需要被耗尽，这个过程就是反向恢复过程，而所需的时间就是反向恢复时间。
在实际应用中，反向恢复时间会影响二极管的开关速度。如果反向恢复时间过长，那么在高频应用中，二极管可能无法及时阻断反向电压，导致电路性能下降。因此，对于高频应用，需要选择反向恢复时间较短的二极管。
此外，反向恢复时间还与二极管的浪涌电流承受能力有关。浪涌电流是指在短时间内流过二极管的电流。如果反向恢复时间过长，那么在浪涌电流出现时，二极管可能无法及时关断，导致器件损坏。因此，对于需要承受较大浪涌电流的场合，也需要选择反向恢复时间较短的二极管。
TRR参数的计算公式是：TRR=td+tf，其中td是延迟时间，tf是下降时间。
延迟时间td是指从二极管电流开始反向到反向电流达到其峰值的时间间隔。这段时间内，二极管电流不断增大，成为反向电流。
下降时间tf是指从反向电流峰值开始到电流减小到规定低值的时间间隔。这段时间内，反向电流逐渐减小至0。
将延迟时间td和下降时间tf相加，即可得到反向恢复时间TRR。反向恢复时间是衡量二极管开关速度的重要指标，对于高频应用和浪涌电流承受能力有重要影响。
此外，还有一个与TRR相关的参数是恢复系数Sr，其计算公式为Sr=tf/td。恢复系数Sr越大，说明反向电流下降时间相对较长，有利于减小在开关过程中产生的反向电压尖峰，从而减小对电路的影响。
以上公式和参数仅适用于描述二极管反向恢复过程的理想情况。
在实际应用中，由于各种因素的影响，如二极管的结构、材料、工艺等，TRR和Sr等参数可能会受到一定程度的影响。因此，在选择和使用二极管时，需要综合考虑其各项参数和性能指标，以满足具体的应用需求。
以下是TRR参数对电源应用的主要影响：
开关损耗：当二极管反向恢复时间trr太长时，意味着在二极管两端突然加载反向电压时，由导通状态转变为截止状态的时间很长。在状态转变的过程中，同时存在反向电压和反向电流，且时间很长，这会导致在一个开关周期内出现较大的二极管开关损耗。开关损耗的增加不仅降低了电源效率，还会使二极管温度升高，进一步影响电源的稳定性和可靠性。
电源效率：开关电源等功率变换电路的性能指标常常与所用的快恢复二极管有关。反向恢复时间长的二极管会增加开关损耗，从而降低电源效率。因此，为了提高电源效率，需要选择具有较短反向恢复时间的二极管。
电磁兼容（EMC）问题：选型不当会产生EMC问题，特别是反向恢复时间选择不当。过长的反向恢复时间可能导致二极管的开关功耗过大，造成元器件过热烧损。这不仅会影响电源的性能和可靠性，还可能对周围设备产生电磁干扰。
高频开关应用：在高频开关应用中，如反激电源，开关频率越高，输出二极管的开关损耗越高。如果二极管的反向恢复时间过长，会导致二极管温度升高，进一步降低电源效率。因此，在高频开关应用中，需要选择具有较短反向恢复时间的二极管以确保电源的稳定性和效率。
在选择和使用二极管时，需要综合考虑其反向恢复时间等参数和性能指标，以满足电源应用的具体需求，提高电源效率和可靠性。
回到群里反馈的信息，我们思考一下继电器放二极管作用是什么？
1、为什么要在继电器线圈上并联一个二极管呢?
续流作用。就是在继电器线圈断电的时候，线圈两端会产生一个自感电动势，这个自感电势会造成破坏，而在继电器线圈两端反向并联一个二极管，为自感电动势提供一个放电电流回路(续流)，残余能量须以合适途径释放，进而起到保护作用，从功能上这个二极管叫续流二极管。
2、并联的二极管如何选择开关速度快的?
普通二极管的单向导电特性取决于P型半导体与N型半导体接触形成的PN结，由于结电容的存在，反应时间并不太短，开关断开的瞬间，二极管还来不及导通，相当于没有接二极管一样。
肖特基二极管(也称肖特基势垒二极管，SchotkyBarierDiode，SBD)的单向导电性是由金属与半导体接触形成的，它的特点是开关速度快。结合应用进行选择。
