晶闸管的型号(晶闸管的型号参数含义)

晶闸管的型号参数含义

　　国产晶闸管的型号命名（JB1144-75部颁发标准）主要由四部分组成，

　　各部分的含义见下表。

　　第一部分用字母“K”表示主称为晶闸管。   第二部分用字母表示晶闸管的类别。

　　第三部分用数字表示晶闸管的额定通态电流值。

　　第四部分用数字表示重复峰值电压级数。

晶闸管的型号及参数

按一机部IBI144一75的规定，普通型可控硅称为KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅闸流管》。普通可控硅的型号采用如下格式标注:额定速态平均屯成系列共分为14个，如表1一5所示。正反向重复蜂值屯压级别规定1000V以下的管子每100V为一级，1000V以上的等子每200V为一级。取电压教除以100做为级别标志，如表1-6所示。通态平均电压组别依电压大小分为9组，用宇毋表示，如表1一所示。例如.KP500-12D表示的是通态平均电流为500A,额定(正反向重复峰值)电压为1200V，管压降(通态平均电压)为0.6---0.7V的普通型可控硅.综上所述，小结如下:(1)可控硅一般做成螺栓形和平形，有三个电极，用硅半导体材料制成的管芯由PNPN四层组成(2)可控硅由关断转为导通必须同时具备两个条件:(1〕受正向阳极电压;(2)受正向门极电压。(3)可控硅导通后，当阳极电流小干维持电流In时.可控硅关断。(4)可控硅的特性主要是:1.阳极伏安特性曲线，2.门极伏安特性区。(5)应在额定参数范围内使用可控硅。选择可控硅主要确定两个参致:

晶闸管的型号含义

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        不少公司的采购会发现，拿到工程师提供的BOM中的器件去采购物料时，经常供应商还会问得更仔细，否则就不知道供给你哪种物料，严重时，采购回来的物料用不了。

        为什么会有这种情况呢？问题就在于，很多经验不够的工程师，没有把器件型号写完整。下面举例来说明，完整的器件型号是怎么样的。

        完整的器件型号，一般都是包括主体型号、前缀、后缀等组成。一般工程师只关心前缀和主体型号，而会忽略后缀，甚至少数工程师连前缀都会忽略。当然，并不是所有器件一定有前缀和后缀，但是，只要这个器件有前缀和后缀，就不可以忽略。

        器件前缀一般是代表器件比较大的系列，比如逻辑IC中的74LS系列代表低功耗肖特基逻辑IC，74ASL系列代表先进的低功耗肖特基逻辑IC，74ASL系列比74LS系列的性能更好。

        又比如，2N5551三极管和MMBT5551三极管两者封装不同，一个是插件的(TO-92)，一个是贴片的(SOT-23)。如果BOM上只写5551三极管，那肯定不知道是哪个。

        忽略前缀的现象一般稍少一点，但是忽略后缀的情况就比较多了。一般来说，后缀有以下这些用处：

1、区分细节性能

        比如，拿MAXIM公司的复位芯片MAX706来说，同样是706，但是有几种阀值电压，比如MAX706S的阀值电压为2.93V，MAX706T的阀值电压为3.08V，这里的后缀“S”和“T”就代表不同的阀值电压。

2、区分器件等级和工作温度

        比如TI公司的基准电压芯片TL431，TL431C代表器件的工作温度是0度至70度（民用级），TL431I代表器件的工作温度是-40度至85度（工业级），其中后缀“C”和“I”就代表不同的工作温度。

3、区分器件封装形式

        比如TI公司的基准电压芯片TL431，TL431CP代表的是PDIP封装，TL431CD代表的是SOIC封装，其中后缀“P”和“D”代表的就是不同封装（“C”代表温度，在上面已经解释）。

4、区分订货包装方式

        比如，TI公司的基准电压芯片TL431CD，如果要求是按盘装（2500PCS/盘）的采购，那么必须按TL431CDR的型号下单，这里的后缀“R”代表的就是盘装。否则，按TL431CD下单，买回来的可能是管装(75PCS/管)的物料。

5、区分有铅和无铅

        比如，ON公司的比较器芯片LM393D（“D”表示是SOIC封装），如果要用无铅型号，必须按LM393DG下单，这里的后缀“G”就表示无铅型号，没这个后缀就是有铅型号。

        后缀可能还有其他特殊的用处，总之，后缀的信息不能省略，否则买回来的可能就不是你想要的物料。

        不同的公司的前缀和后缀可能是不同的（也有少数公司的一些前缀后缀一致），这需要参考实际选用厂家的具体情况。

各国半导体元器件型号的命名方法

一、中国半导体器件型号命名方法

        半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分的意义分别如下：

第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管

第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

        表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

        表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

        P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、

        N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f

        G-高频小功率管(f>3MHz,Pc1W)、

        A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、

        Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、

        BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

第四部分：用数字表示序号

第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。

二、日本半导体分立器件型号命名方法

        日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。

        通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：

第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。

        0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、

        1-二极管、

        2三极或具有两个pn结的其他器件、

        3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、

        ┄┄依此类推。

第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。

        S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。

        A-PNP型高频管、

        B-PNP型低频管、

        C-NPN型高频管、

        D-NPN型低频管、

        F-P控制极可控硅、

        G-N控制极可控硅、

        H-N基极单结晶体管、

        J-P沟道场效应管，如2SJ—-

        K-N沟道场效应管，如2SK—-

        M-双向可控硅。

第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。

        两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；

        不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。

第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。

        A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。

三、美国半导体分立器件型号命名方法

        美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。

        美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：

第一部分：用符号表示器件用途的类型。

        JAN-军级、

        JANTX-特军级、

        JANTXV-超特军级、

        JANS-宇航级、

        无—非军用品。

第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。

第三部分：美国电子工业协会(EIA)注册标志。

        N-该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。

第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。

        多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。

第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：

        JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管

        JAN-军级、

        2-三极管、

        N-EIA注册标志、

        3251-EIA登记顺序号、

        A-2N3251A档。

四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法

        德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。

        这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：

第一部分：用字母表示器件使用的材料。

        A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗、

        B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、

        C-器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化镓、

        D-器件使用材料的Eg

        E-器件使用复合材料及光电池使用的材料。

第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。

        A-检波开关混频二极管、

        B-变容二极管、

        C-低频小功率三极管、

        D-低频大功率三极管、

        E-隧道二极管、

        F-高频小功率三极管、

        G-复合器件及其他器件、

        H-磁敏二极管、

        K-开放磁路中的霍尔元件、

        L-高频大功率三极管、

        M-封闭磁路中的霍尔元件、

        P-光敏器件、

        Q-发光器件、

        R-小功率晶闸管、

        S-小功率开关管、

        T-大功率晶闸管、

        U-大功率开关管、

        X-倍增二极管、

        Y-整流二极管、

        Z-稳压二极管。

第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。

        三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。

第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。

        A、B、C、D、E、、、表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。

除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：

1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。

2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。

3、晶闸管型号的后缀也是数字，

        通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。

五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法

        欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法：

第一部分：O-表示半导体器件。

第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。

第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。

第四部分：A、B、C、、、表示同一型号器件的变型产品。

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晶闸管的型号KP20-13F中,13的含义

1）中频电炉分类2）中频电炉系统的构成及作用3）中频电炉的简单原理4）中频电炉的基本参数5）中频电炉数据的简单计算6）常用元器件讲解

可控硅中频电源装置简称中频炉，是利用可控硅的开关特性把50Hz的工频电流变换成中频电流的一种电源装置，主要是在感应熔炼，感应加热，感应淬火等领域中广泛应用。

中频电炉的系统构成

中频电炉各组成部分的作用

一，基本构成部分

基本构成部分是指一套设备，能正常运行必须具有的组成部分。

1-1，变压器

变压器给设备提供需要的电能的装置。

变压器根据冷却介质的不同可以分成干式变压器和油冷变压器两种。

在中频炉行业我们推荐用特种油冷式整流变压器，

这种变压器不管是过载能力还是抗干扰性都远远好于普通变压器。

影响变压器能力的因素

1）铁芯

铁芯的材质直接影响磁通量，

常见的铁芯材质有硅钢片（有取向/无取向），非晶带材；

2)线包材质

现在有铝芯线包，铜芯线包，铜包铝线包。

线包的材质直接影响变压器发热量；

3）绝缘等级

B级允许工作温度是130℃，H级允许工作温度是180℃

1-2，中频电源

中频电源柜是一套系统里面的核心组成部分。

中频电源不管是什么类型的都是有整流/逆变两部分组成的。

整流部分的作用是把我们生活中用的50HZ的交流电变成一个脉动的直流电的过程。根据整流脉冲数的不同可以分成6脉整流，12脉整流，24脉整流等。

在整流以后会在正极上串接一个平波电抗器。

逆变部分的作用，是把整流产生的直流电转变成一个中频交流电。

1-3，电容柜

电容柜的作用，是给感应线圈提供无功功率补偿的装置，

可以简单的理解为电容的多少直接影响设备功率的大小。

需要注意的是，

并联设备电容只有谐振电容（电热电容）一种，

串联设备除了谐振电容（电热电容）以外还有滤波电容。

这也可以作为判断设备是并联设备还是串联设备的一个标准。

1-4，炉体

1）炉体分类

炉体是系统中的做功的部分，按照炉壳材质的不同分为钢壳和铝壳两种。

铝壳炉结构相对简单，只有感应圈和炉体两部分组成，因为结构的不稳定性，现在铸协严禁使用。所以我们的讲解以钢壳炉为主。

2）炉体工作原理

炉体的主要工作部件由三部分组成，

1感应圈（由水冷却的铜管绕制成）

2坩埚（通常由炉衬材料捣制而成）

3炉料（各种金属或非金属材料）

感应电炉的基本原理是属于空气芯变压器的一种类型，

感应圈相当于变压器的初级线圈，

坩埚内的各种炉料相当于变压器的次级线圈，

当在初级线圈中通过中频电流（200-8000HZ）就在电磁场的作用下，产生磁力线切割次级线圈（炉料），致使炉料产生感应电动势，并在垂直于感应圈轴向的表面引起感应电流，从而使炉料本身发热将炉料融化。

二，配套部分

2-1.水冷介绍

冷却系统是一套中频炉系统中必不可少的组成部分，也是非常重要的组成部分，可以说冷却系统的好坏直接决定了设备的故障率。

现在比较常用的冷却方式有三种，传统的水池冷却，开放式冷却塔，闭式冷却塔。

水池冷却，需要占用很大的空间，并且冷却水水质差容易结垢，现在已经基本没有使用的。

开放式冷却塔，冷却量大，造价低，占地面积适中，现在有些大吨位（10吨以上）的炉体还在使用。因为冷取水水质存在问题，不建议电源柜使用。

闭式冷却塔，具有的优点，循环水完全处于封闭状态，隔绝外部环境的影响，水质能够保证且耗水量少。占地面积小，冷却量大，是现在普遍使用的一种冷却方式。

2-2.液压站

液压站和炉体油缸两部分，组成倾炉系统。

用液压倾炉具有稳定性突出，可以随意位置停留等优点。

这是整个中频炉系统中必不可少的组成部分。

液压站必须具有的功能如下

1）油泵必须用齿轮泵，齿轮泵具有工作压力稳定，噪音小的优点；

2）必须配备油冷器器件（水冷最好，小型液压站可以用风冷）；

3）进油口，回油口必须有滤清器，清除冷却介质中的杂质；

4）箱体，油管等必须经过酸洗磷化处理。

2-3.连接材料

变压器到电源柜的连接，如果在条件允许的情况下优先使用铜排/铝排连接。次要选择可以用多股最大不超过185mm²的铜芯电缆，不推荐使用铝芯电缆，特别是距离超过20米的时候，严禁使用铝电缆。

电源柜到电容柜的连接，优先推荐用铜排连接，次要选择水电缆连接。

不建议用普通电缆连接电容柜到炉体，水冷电缆部分建议长度不超过6米，多余部分可以用铜排连接，次级选用铜管连接。

三，选装部分

系统选装部分是指不影响整套系统的基本功能，但是在特定条件下能

够起到重要作用的系统组成部分。

1）应急电源，

在突然停电的情况下，炉体温度很高，需要循环水持续降温，这时候应急电源就能起到作用了。

应急电源可以是发电机带应急泵，也可以在管道上加装汽油泵。

2）炉衬顶出装置，

炉衬顶出装置作为炉体的一个选装配套部分，可以有效的加快拆炉速度，这在实际应用中也是一个很有用的组成机构。

中频电炉的简单原理介绍

可控硅（晶闸管）中频电源的基本工作原理，

就是通过一个三相桥式整流电路，

把50Hz的工频交流电流整流成直流,

再经过一个滤波器(直流电抗器)进行滤波,

最后经逆变器将直流变为单相中频交流以供给负载,

所以这种逆变器实际上是一只“交流—直流—交流”变换器，

其基本原理如下图所示，

上面照片中所示白色圆片即为可控硅（晶闸管）。

下面我们把各个部分的简单原理介绍一下，

可控硅中频电源的基本工作原理，就是通过一个三相桥式整流电路，把50Hz的工频交流电流整流成直流。

1）整流电路。从电路图可以看出有六只可控硅组成的，这种电路叫三相全控整流桥，俗称六脉整流。

工作原理就是按一定的规律安排相应的可控硅在合适的时候开通和关断，最终实现把三相交流电变成直流电。

2）滤波。由于整流出来的电压波动较大，所以需要在电路里串接一个较大的电感使其电流比较平缓，能使波动较大的电压变得较平缓。这就是所谓的滤波。这个电感通常叫电抗器。电抗器的特性就是保持电流不能突变。

通过滤波后较平滑的直流电提供给逆变电路。串联设备用电容器滤波，取得较平缓的电压。

3逆变。逆变电路就是把直流电变成较高频率的交流电以供给负载，所以这种逆变器实际上是一个“交流—直流—交流”变换器,其基本线路如图，

4串联谐振，从图中可以看出是两种电路，补偿电容器和感应圈串联的简单的说法就是串联谐振，通常说的串联设备就是指的这一种。

5并联谐振。补偿电容器和感应圈并联的叫并联谐振，通常说的设备默认的就是并联。

1）整流部分工作原理，

三相桥式全控整流电路共有六个桥臂，在每一个时刻必须2个桥臂同时工作,才能够成通路，六个桥臂的工作顺序如下图所示，

可控硅(SCR:SiliconControlledRectifier)，

现假定在时刻t1-t2(t1-t2的时间间隔为60°电角度，既相当于一个周波的1/6)此时SCR1和SCR6同时工作(上图(a)中涂黑的SCR)，输出电压即为VAB。

到时刻t2-t3可控硅SCR2因受脉冲触发而导通，而SCR6则受BC反电压而关闭,将电流换给了SCR2，这时SCR1和SCR2同时工作，输出电压即为VAC。

到时刻t3-t4,SCR3因受脉冲触发而导通，SCR1受到VAB的反电压而关闭，将电流换给了SCR3，SCR2和SCR3同时工作，输出电压为VBC。

据此到时刻t4-t5,t5-t6,t6-t1分别为

SCR3和SCR4, 

SCR4和SCR5, 

SCR5和SCR6同时工作，

加到负载上的输出电压分别为VAB，VAC，VBC,

这样既把一个三相交流进行了全波整流。

2）逆变部分，

无论是感应加热或是感应熔炼，负载的功率因数都是很低的，也就是感应的Q值很高,在感应熔炼炉来说Q值一般在10-14之间,对感应加热来说,则根椐偶合程度Q值为5-9之间。

什么是Q值？Q值是指线圈的感抗和线圈的电阻之比，也就是炉子的无功功率和有功功率之比。

举例来说，250Kg的感应熔炼炉，其需要的有功功率为160kw。假定Q值为10，则其无功功率为1600kfar，这样大的无功功率，很显然不能有电网供给，那样电网的容量将非常庞大而不经济,因此,必须用能提供无功功率的电容器进行补偿，这个原理就象一般工厂里补偿功率因数一样。

无功功率的补偿方法有二种，一种是补偿电容器和炉子串联，叫作串联补偿；补偿电容器和炉子并联的叫做并联补偿。

针对二种不同的补偿方法,可以有两中不同的逆变线路，一种叫作串联逆变器，一种叫作并联逆变器。

中频炉基本参数，

中频炉系统的基本参数是指能直观反应出设备运行情况好坏的数据，一般通过设备上配备的各种显示仪表直观显示出来。

1）进线电压，反应进线是否正常，是否缺相等问题；

2）直流电压反应整流以后的直流电压数值，通过直流电压的数值可以判断一个设备功率因数的情况；

3）中频电压/中频电流反应逆变部分的工作情况，这两个数据可以反应设备的Q值；

4）中频频率，反应L/C谐振频率；

5）功率，反应设备运行功率，一般现在的设备都是用功率模块采集数据以后用触摸屏显示。

中频炉数据计算，

电力（整流）变压器参数计算及选择，

1)知道设备功率选择变压器

S1=P/0.8，

S1---变压器要求最小功率，单位KVA

P-----设备功率单位KW

0.8---变压器功率因数（目前市场上销售的变压器90%以上功率因素只有0.8，所以需要除以0.8的功率因素。）

S=S1/0.85，

S---变压器标准选择功率，单位KVA

S1---变压器要求最小功率，单位KVA

0.85--根据《电力工程设计手册》，变压器容量应根据计算负荷选择，对平稳负荷供电的单台变压器，负荷率一般取85％左右。

2）变压器额定电流计算，

I=S/1.732*U

I----欲求额定电流

S----变压器额定容量

U----欲求电流那一侧（一次、二次）额定电压

3）变压器额定容量取值，

新式变压器容量递增一般采用R10系列，R10系列计算方法就是10开

10次方，约等于1.26。

变压器容量≈1.26的倍数

一般常用变压器容量：50kVA、63kVA、80kVA、100kVA、125kVA、160kVA、200kVA、250kVA、315kVA、400kVA、500kVA、630kVA、800kVA、1000kVA、1250kVA、1600kVA、2000kVA、2500kVA、3150kVA。

中频炉的数据计算，

1）直流电压=1.35*进线电压，

直流电压能反映出一个设备的功率因数，

如果设备运行中直流电压始终低于计算出来的直流电压值，要找原因。

2）直流电流=P/直流电压P指设备功率，

3）进线电流≈直流电流*0.816，

4）进线连接材料，参照载流量表选择。

常用电器元件介绍，

1、可控硅SCR，是一套中频炉设备中的核心元器件。所选用可控硅性能的好坏将直接影响设备的性能。

一般能用到的可控硅分类，

1）KP型普通可控硅，一般用在整流上；

2）KK型快速可控硅，一般用在逆变上；

3）KF型非对称可控硅，是近些年研究出来的一种新型可控硅，在串联逆变设备上。

可控硅(晶闸管)主要参数，

一般所说可控硅型号KK1800A/1600V，

在这里面包含了三个内容，

KK是可控硅的种类，1800A是额定电流值，1600V是额定电压值；

1）额定电压

断态重复峰值电压和反向重复峰值电压两者中较小的一个电压值规定为额定电压，在选用晶闸管时，应该使其额定电压为正常工作电压峰值2~3倍，以作为安全裕量。

2）额定电流（通态平均电流）

在环境温度为+40℃和规定的散热冷却条件下，晶闸管在导通角不小于170°电阻性负载的单相、工频正弦半波导电，结温稳定在额定值125°时，所允许通过的最大电流平均值。

3）关断时间，要求关断时间要小于频率所需时间的20--30倍。

例：设备频率1000HZ，我们需要选用关断时间多少的可控硅，计算步骤如下，关断时间＜1000000μS/1000HZ/（20-30）=33-50μS

4）门极触发电压，室温条件下，AK两极加6V电压，晶闸管从截止转为导通的最小门极直流电压。

5）门极触发电流，室温条件下，AK两极加6V电压，晶闸管从截⽌转为导通的最小门极直流电流。

6)断态电压临界上升率du/dt，指在额定结温和⻔极开路的情况下，不导致晶闸管从断态到通态转换的外加电压最大上升率。

7)通态电流临界上升率di/dt，可控硅可以承受的最大电流上升速度。如果电流上升太快，可能造成*部过热而使晶闸管损坏。

电容器的介绍，

在设备中电容可以分成吸收电容，滤波电容，谐振电容三种，

1）吸收电容主要是用在阻容吸收保护电路中，一般吸收电容型号表示方法，容量/耐压值，如2μF/4KV表示容量是2μF，耐压值是4000V。

2）滤波电容是串联谐振电源中，提供稳定电压源的部分。滤波电容型号表示方法，耐压值—容量，如1.2-5000表示耐压值是1200V，容量是5000μF

3）谐振电容提供无功补偿，谐振电容型号的表示方法，耐压值-补偿无功功率数-频率，如3.0-6000-0.5S表示耐压值是3000V，能提供的无功功率数是6000Kvar，额定频率是500HZ。

电感的介绍，

电感，可以简单的理解成把导电材料绕制在一起，就形成一个电感。

电感的单位：H（亨），常用单位μH（微亨）mH（豪亨）

电感的两个特性，1）通直阻交，2）阻碍电流的变化；

在中频炉设备中电感的应用非常广泛，电抗器是电感，环流线圈是电感，感应圈也是电感。

其中电抗器的和换流电感都是运用电感阻碍电流过快变化的特性，使电流变的平滑，防止电流突变损坏元器件。

晶闸管的型号有哪些

普及数电模电知识，科教兴国。

大家好，今天我们来学习可控硅的基础知识。之前我们在讲三极管时说过，三极管是由三层半导体材料组成的，有两个PN结，如下图：

而今天我们要讲的可控硅是由四层半导体材料组成的，有三个PN结：

既然都是由PN结组成，那么它们肯定有相似之处，来，看看下面的是三极管还是可控硅？

哈哈，是不是蒙了？没错，上两图长得像三极管的东西就是可控硅啦，由于它们都是TO-92封装，所以单从外形是区别不出来的，只能通过有字标识的那一面来辨别。上面那个是MCR100-6，是单向可控硅；下面的是97A6，是双向可控硅。

平时我们常见常用的可控硅的型号有：

还有BTA12-600B、BTA16-600B、BT136-600E、TYN1225、70TPS16等都是比较常见和常用的。

下面是关于可控硅的几个主要参数标识：

可控硅，也叫晶闸管，通俗简单地讲就是一个可以用小电流小电压控制大电流大电压的开关，可控硅分单向可控硅和双向可控硅，本期我们先来讲单向可控硅。

单向可控硅有一个脚是控制脚G，另外两个脚分别是A脚和K脚，即阳极和阴极，下面是电路符号：

简单来说，就是单向可控硅分正负极，要想让单向可控硅起到开关控制作用，必须将其A极接到电源正极，K极接电源负极，同时控制极G极也需要加正向电压。我们用单向可控硅MCR100-6控制直流电机的转动作为例子来讲解，让大家懂得如何使用可控硅。

下面是要用到的电路图：

电路非常简单，用到了一个单向可控硅MCR100-6，一个直流电机，这里用到了两个电源，一个5V，一个12V，这样设置双电源的目的，一是为了给大家演示小电流小电压控制大电流大电压的功能，二是能给可控硅的G极控制极加上一个正向的触发电压。

下图是我焊出来的实物图：

当我们把主电路的控制开关S1闭合，电机是不转的。而当我们按下一次复位按键S2，可控硅就会被触发导通，这时直流电机转动了起来。

这里有一点非常特殊，就是当我们按一次S2触发可控硅导通后，松开按键，可控硅依旧导通。没错，这就是可控硅的特性，即一触即发，控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使可控硅导通，却不能使它关断。

那么如何关断触发的可控硅呢？方法有两种，一是可以断开阳极电源，即我们断开图中的S1；二是使阳极电流小于维持导通的最小值，我们称为维持电流。

附上我们的视频教程：

怎么样，这么讲大家还能接受吧？本期我们就讲这么多，下期教大家用单向可控硅MCR100-6设计制作一个调光电路，更多有关电子制作电子DIY的精彩教程欢迎关注：创客e工坊。