二极管型号怎么看(二极管型号怎么看图解)
二极管规格书怎么看
图中的二极管是瞬态抑制二极管。型号为SMBJ15CA-TP。（DO-214AA）。二极管中的丝印为BM，BM是TVS二极管通用的丝印编码，查询即可得知为SMBJ15CA-TP。DC12V电源输入端需要并联TVS二极管进行钳制电压电平。TVS二极管的选择根据DC输入电压12V，则选取关断电压等于或略大于电路的最大工作电压，则取值为反向关断电压15V的TVS管。
二极管怎么分辨型号
二极管型号的查询方法有两种：
通过外观标识查询：大多数二极管的外壳上会印有型号、厂商标志、日期等信息，可以直接观察二极管的外壳进行识别。
使用万用表进行测试：记录二极管的正极和负极情况，进而确定二极管类型以及相关的参数信息。
以上信息仅供参考，如果还有疑问，建议咨询专业人士。
二极管型号怎么看大小
二极管型号一般都在上面用字母或数字直接表示，如果是贴片的话就要电路图才能分辨，贴片元件现在用的比较多，很多肉眼无法分辨，需要详细的电路图来查。
二极管型号怎么看图解
贴片二极管是什么？
贴片二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)，另外，还有早期的真空电子二极管。
它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。
一般来讲，贴片晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。
当外加电压等于零时，由于p-n结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。
贴片二极管的标识与辨别
1．型号标注与极性辫别
贴片二极管的型号标注有字母、数字代码或字母＋数字代码标注法和颜色（代码）标识法两种，
如印字“A3”的电气参数如下：PD=0.15W；IF=0.1A;VB=80V；Trr=4ns。颜色标注法，则主要由负极侧标注的颜色查得型号，再由型号查出参数值。
贴片二极管的极性辨别方法：玻璃管状贴片二极管，红色一端为正极，黑色一端为负极；矩形贴片二极管，有白色横线一端为负极。
2．好坏测量
正常的贴片二极管，在路测量，正向电阻小，反向电阻大，且两者有明显的阻值差异。脱开电路，若用指针式万用表测量，正向电阻约为3kΩ，反向电阻为数百千欧姆或无穷大；若用数字万用表的二极管挡测量，正向电压降为0.3～0.6V，反向电压降为无穷大。
3．在线辫别
在电路板上，贴片二极管的元件位号一般以字母D打头，如D1、D2等，或VD，如VD1、VD2等；或DD，如DD1、DD2等。
若要对外形相近的贴片电阻或电容进行区分，可用万用表测量，若其正、反向电阻值不同，可确定该元件是贴片二极管。
本文来源自网络，主要是供大家学习
二极管型号规格判别
导读： 二极管（Diode）算是半导体家族中的分立元器件中最简单的一类，其最明显的性质就是它的单向导电特性，就是说电流只能从一边过去，却不能从另一边过来(从正极流向负极)。本文从二极管的分类、命名方法，到常用二极管的特点及选用。也是模拟电路基础的，第一课内容。
一、基础知识
1、二极管的分类
二极管的种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）；按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。
根据二极管的不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、肖特基二极管、发光二极管等。
（注：上图取自 采芯网）
2、二极管的型号命名方法
（1）按照国产半导体器件型号命名方法：二极管的型号命名由五个部分组成：主称、材料与极性、类别、序号和规格号（同一类产品的档次）。
（2）日本半导体器件命名型号由以下5部分组成：
第一部分：用数字表示半导体器件有效数目和类型；“1”表示二极管，“2”表示三极管。
第二部分：用“S”表示已在日本电子工业协会登记的半导体器件；
第三部分：用字母表示该器件使用材料、极性和类型；
第四部分：表示该器件在日本电子工业协会的登记号；
第五部分：表示同一型号的改进型产品。
3、几种常见二极管特点
（1）整流二极管
将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管，因结电容大，故工作频率低。
通常，IF在1安以上的二极管采用金属壳封装，以利于散热；IF在1安以下的采用全塑料封装。
（2）开关二极管
在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，其特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。
开关二极管有接触型，平面型和扩散台面型几种，一般IF＜500毫安的硅开关二极管，多采用全密封环氧树脂，陶瓷片状封装。
（3）稳压二极管
稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，因为它能在电路中起稳压作用，故称为稳压二极管。
它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的。
（4）变容二极管
变容二极管是利用PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被广泛地用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路中。
变容二极管主要是通过结构设计及工艺等一系列途径来突出电容与电压的非线性关系，并提高Q值以适合应用。
（5）TVS二极管
TVS二极管（TransientVoltageSuppresser瞬态电压抑制器）是和被保护电路并联的，当瞬态电压超过电路的正常工作电压时，二极管发生雪崩，为瞬态电流提供通路，使内部电路免遭超额电压的击穿或超额电流的过热烧毁。
由于TVS二极管的结面积较大，使得它具有泄放瞬态大电流的优点，具有理想的保护作用。
二、二极管的参数选择
（1）额定正向工作电流
额定正向工作电流指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。
（2）最大浪涌电流
最大浪涌电流，是允许流过的过量正向电流，它不是正常电流，而是瞬间电流。其值通常是额定正向工作电流的20倍左右。
（3）最高反向工作电压
加在二极管两端的反向工作电压高到一定值时，管子将会击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电值。例如，lN4001二极管反向耐压为50V，lN4007的反向耐压为1000V。
（4）反向电流
反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。
反向电流与温度密切相关，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。
硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。
（5）反向恢复时间
从正向电压变成反向电压时，电流一般不能瞬时截止，要延迟一点点时间，这个时间就是反向恢复时间。它直接影响二极管的开关速度。
（6）最大功率
最大功率就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流。这个极限参数对稳压二极管等显得特别。
（7）频率特性
由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。
2、不同二极管的选用
（1）检波二极管
检波二极管一般可选用点接触型锗二极管，选用时，应根据电路的具体要求来选择工作频率高、反向电流小、正向电流足够大的检波二极管。
（2）整流二极管
整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中。选用整流二极管时，主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。
（3）稳压二极管
稳压二极管一般用在稳压电源中作为基准电压源或用在过电压保护电路中作为保护二极管。选用的稳压二极管，应满足应用电路中主要参数的要求。稳压二极管的稳定电压值应与应用电路的基准电压值相同，稳压二极管的最大稳定电流应高于应用电路的最大负载电流50％左右。
（4）开关二极管
开关二极管主要应用于收录机、电视机、影碟机等家用电器及电子设备有开关电路、检波电路、高频脉冲整流电路等。
中速开关电路和检波电路，可以选用2AK系列普通开关二极管。高速开关电路可以选用RLS系列、1SS系列、1N系列、2CK系列的高速开关二极管。
要根据应用电路的主要参数（如正向电流、最高反向电压、反向恢复时间等）来选择开关二极管的具体型号。
（5）变容二极管
选用变容二极管时，应着重考虑其工作频率、最高反向工作电压、最大正向电流和零偏压结电容等参数是否符合应用电路的要求，应选用结电容变化大、高Q值、反向漏电流小的变容二极管。
3、TVS二极管选型
（1）最小击穿电压VBR和击穿电流IR。VBR是TVS最小的击穿电压，在25℃时，低于这个电压TVS是不会产生雪崩的。当TVS流过规定的1mA电流（IR）时，加于TVS两极的电压为其最小击穿电压VBR。按TVS的VBR与标准值的离散程度，可把VBR分为5％和10％两种。对于5％的VBR来说，VWM=0.85VBR；对于10％的VBR来说，VWM=0.81VBR。为了满足IEC61000-4-2国际标准，TVS二极管必须达到可以处理最小8kV（接触）和15kV（空气）的ESD冲击，部份半导体厂商在自己的产品上使用了更高的抗冲击标准。对于某些有特殊要求的可携设备应用，设计者可以依需要挑选元件。
（2）最大反向漏电流ID和额定反向切断电压VWM。VWM是二极管在正常状态时可承受的电压，此电压应大于或等于被保护电路的正常工作电压，否则二极管会不断截止回路电压；但它又需要尽量与被保护回路的正常工作电压接近，这样才不会在TVS工作以前使整个回路面对过压威胁。当这个额定反向切断电压VWM加于TVS的两极间时它处于反向切断状态，流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流ID。
（3）最大钳位电压VC和最大峰值脉冲电流IPP。当持续时间为20ms的脉冲峰值电流IPP流过TVS时，在其两端出现的最大峰值电压为VC。VC、IPP反映了TVS的突波抑制能力。VC与VBR之比称为钳位因子，一般在1.2~1.4之间。VC是二极管在截止状态提供的电压，也就是在ESD冲击状态时通过TVS的电压，它不能大于被保护回路的可承受极限电压，否则元件面临被损伤的危险。
（4）Pppm额定脉冲功率，这是基于最大截止电压和此时的峰值脉冲电流。对于手持设备，一般来说500W的TVS就足够了。最大峰值脉冲功耗PM是TVS能承受的最大峰值脉冲功耗值。在特定的最大钳位电压下，功耗PM越大，其突波电流的承受能力越大。在特定的功耗PM下，钳位电压VC越低，其突波电流的承受能力越大。另外，峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。而且，TVS所能承受的瞬态脉冲是不重覆的，元件规定的脉冲重覆频率（持续时间与间歇时间之比）为0.01％。如果电路内出现重覆性脉冲，应考虑脉冲功率的累积，有可能损坏TVS。
（5）电容器量C。电容器量C是由TVS雪崩结截面决定的，是在特定的1MHz频率下测得的。C的大小与TVS管的电流承受能力成正比，C太大将使讯号衰减。因此，C是数据介面电路选用TVS的重要参数。电容器对于数据/讯号频率越高的回路，二极管的电容器对电路的干扰越大，形成噪音或衰减讯号强度，因此需要根据回路的特性来决定所选元件的电容器范围。高频回路一般选择电容器应尽量小（如SAC（500W，50pF，±10%）、LCE（1.5KW，100pF）、低电容器TVS），而对电容器要求不高的回路电容器选择可高于40pF。
4、肖特基二极管与普通二极管的区别
硅管的初始导通压降是0.5V左右，正常导通压降是0.7V左右，在接近极限电流情况下导通压降是1V左右；锗管的初始导通压降是0.2V左右，正常导通压降是0.3V左右，在接近极限电流情况下导通压降是0.4V左右，肖特基二极管的初始导通压降是0.4V左右，正常导通压降是0.5V左右，在接近极限电流情况下导通压降是0.8V左右。
两种二极管都是单向导电，可用于整流场合。区别是普通硅二极管的耐压可以做得较高，但是它的恢复速度低，只能用在低频的整流上，如果是高频的就会因为无法快速恢复而发生反向漏电，最后导致管子严重发热烧毁;肖特基二极管的耐压能常较低，但是它的恢复速度快，可以用在高频场合，故开关电源采用此种二极管作为整流输出用，尽管如此，开关电源上的整流管温度还是很高的。
快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下)，工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V)，反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(SchottkyBarrierDiode)，具有正向压降低(0.4--0.5V)、反向恢复时间很短(10-40纳秒)，而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。这两种管子通常用于开关电源。肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~!前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~!电气特性当然都是二极管阿~!快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。
4、肖特基二极管与快恢复二极管的区别
肖特基二极管：
反向耐压值较低(一般小于150V)，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。
其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的
PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的
扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.
目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.
快恢复二极管FRD（FastRecoveryDiode）是近年来问世的新型半导体器件，具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快恢复二极管SRD（SuperfastRecovery Diode），则是在快恢复二极管基础上发展而成的，其反向恢复时间trr值已接近于肖特基二极管的指标。它们可广泛用于开关电源、脉宽调制器（PWM）、不间断电源（UPS）、交流电动机变频调速（VVVF）、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。
肖特基二极管：反向耐压值较低(一般小于150V)，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.快恢复二极管FRD（FastRecoveryDiode）是近年来问世的新型半导体器件，具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快恢复二极管SRD（SuperfastRecoveryDiode），则是在快恢复二极管基础上发展而成的，其反向恢复时间trr值已接近于肖特基二极管的指标。它们可广泛用于开关电源、脉宽调制器（PWM）、不间断电源（UPS）、交流电动机变频调速（VVVF）、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。
5、TVS二极管与ESD防护二极管的区别
TVS瞬态电压抑制
这里不论TV是如何产生的,比如直接或者间接的雷击,静电放电,大容量的负载投切等因素导致的浪涌.电压从几伏到几十千伏甚至更高.
ESD静电放电保护
其中主要应用是HBM 和 MM,简单说,就是人或者设备对器件放电(静电),但是器件不能损坏.
典型的HBMCLASS1C模型规定一个充电1000V-2000V的100pF的电容通过一个1500欧姆的电阻对器件放电.
MM模型要比人体模型能量大一些.电容是200pF,电压大概在200-400之间,不过没有串联电阻了.
典型的人体模型放电,峰值电流小于0.75A,时间150ns
典型的机器模型放电,峰值电流小于8A,时间5ns
典型的雷击浪涌(电力线入线处使用的TVS)峰值电流3000A,时间20us
TVS二极管和ESD防护二极管原理是一样的,但根据功率和封装来分就不一样.
ESD防护二极管和TVS比较的话,要看用在那些用途上,像ESD主要是用来防静电,防静电就要求电容值低,一般是1--3.5PF之间为最好.而TVS就做不到这一点,TVS的电容值比较高。
二极管型号对照图解
1N4000系列普通二极管
序号
型号
VRRM[V]
Io[A]
CJ[pF]
IFSM[A]
封装
说明
1
1N4001
50
1
-
30
DO-41
普通二极管
2
1N4002
100
1
-
30
DO-41
普通二极管
3
1N4003
200
1
-
30
DO-41
普通二极管
4
1N4004
400
1
-
30
DO-41
普通二极管
5
1N4005
600
1
-
30
DO-41
普通二极管
6
1N4006
800
1
-
30
DO-41
普通二极管
7
1N4007
1000
1
-
30
DO-41
普通二极管
开关二极管
序号
型号
VRRM[V]
Io[A]
CJ[pF]
IFSM[A]
封装
说明
1
1N4148
100
0.2
-
1
DO-35
开关二极管
2
1N4150
50
0.2
-
1
DO-35
开关二极管
3
1N4448
50
0.2
-
1
DO-35
开关二极管
4
1N4454
50
0.2
-
1
DO-35
开关二极管
5
1N457
70
0.2
-
1
DO-35
开关二极管
6
1N457
70
0.2
-
1
DO-35
开关二极管
7
1N914
50
0.2
-
1
DO-35
开关二极管
8
1N914A
50
0.2
-
1
DO-35
开关二极管
9
1N916
50
0.2
-
1
DO-35
开关二极管
10
1N916A
50
0.2
-
1
DO-35
开关二极管
1N47xx系列稳压二极管
序号
型号
Vz[V]
Zz[Ω]
Iz[mA]
IRZ[uA]
封装
说明
1
1N4728
3.3
10
76
100
DO-41
稳压二极管
2
1N4729
3.6
10
69
100
DO-41
稳压二极管
3
1N4730
3.9
9
64
50
DO-41
稳压二极管
4
1N4731
4.3
9
58
10
DO-41
稳压二极管
5
1N4732
4.7
8
53
10
DO-41
稳压二极管
6
1N4733
5.1
7
49
10
DO-41
稳压二极管
7
1N4734
5.6
5
45
10
DO-41
稳压二极管
8
1N4735
6.2
2
41
10
DO-41
稳压二极管
9
1N4736
6.8
3.5
37
10
DO-41
稳压二极管
10
1N4737
7.5
4
34
10
DO-41
稳压二极管
11
1N4738
8.2
4.5
31
10
DO-41
稳压二极管
12
1N4739
9.1
5
28
10
DO-41
稳压二极管
13
1N4740
10
7
25
10
DO-41
稳压二极管
14
1N4741
11
8
23
5
DO-41
稳压二极管
15
1N4742
12
9
21
5
DO-41
稳压二极管
16
1N4743
13
10
19
5
DO-41
稳压二极管
17
1N4744
15
14
17
5
DO-41
稳压二极管
18
1N4745
16
16
15.5
5
DO-41
稳压二极管
19
1N4746
18
20
14
5
DO-41
稳压二极管
20
1N4747
20
22
12.5
5
DO-41
稳压二极管
21
1N4748
22
23
11.5
5
DO-41
稳压二极管
22
1N4749
24
25
10.5
5
DO-41
稳压二极管
23
1N4750
27
35
9.5
5
DO-41
稳压二极管
24
1N4751
30
40
8.5
5
DO-41
稳压二极管
25
1N4752
33
45
7.5
5
DO-41
稳压二极管
1N52xx系列稳压二极管
序号
型号
VRRM[V]
Io[A]
CJ[pF]
IFSM[A]
封装
说明
1
1N5221B
-
-
-
-
DO-41
系列稳压二极管
-1N5257B
1N539x系列二极管
序号
型号
VRRM[V]
Io[A]
CJ[pF]
IFSM[A]
封装
说明
1
1N5391
50
1.5
-
50
DO-15
普通二极管
2
1N5391
50
1.5
-
50
DO-15
普通二极管
3
1N5392
100
1.5
-
50
DO-15
普通二极管
4
1N5393
200
1.5
-
50
DO-15
普通二极管
5
1N5394
300
1.5
-
50
DO-15
普通二极管
6
1N5395
400
1.5
-
50
DO-15
普通二极管
7
1N5396
500
1.5
-
50
DO-15
普通二极管
8
1N5397
600
1.5
-
50
DO-15
普通二极管
9
1N5398
800
1.5
-
50
DO-15
普通二极管
10
1N5399
1000
1.5
-
50
DO-15
普通二极管
1N54xx系列二极管
序号
型号
VRRM[V]
Io[A]
CJ[pF]
IFSM[A]
封装
说明
1
1N5401
50
3
-
200
DO-201AD
普通二极管
2
1N5402
100
3
-
200
DO-201AD
普通二极管
3
1N5403
200
3
-
200
DO-201AD
普通二极管
4
1N5404
400
3
-
200
DO-201AD
普通二极管
5
1N5405
500
3
-
200
DO-201AD
普通二极管
6
1N5406
600
3
-
200
DO-201AD
普通二极管
7
1N5407
800
3
-
200
DO-201AD
普通二极管
8
1N5408
1000
3
-
200
DO-201AD
普通二极管
1N7xx系列二极管
序号
型号
Vz[V]
Zz[Ω]
Iz[mA]
IRZ[uA]
封装
说明
1
1N746A
3.3
28
20
30
DO-35
稳压二极管
2
1N747A
3.6
24
20
30
DO-35
稳压二极管
3
1N748A
3.9
23
20
30
DO-35
稳压二极管
4
1N749A
4.3
22
20
30
DO-35
稳压二极管
5
1N750A
4.7
19
20
30
DO-35
稳压二极管
6
1N751A
5.1
17
20
20
DO-35
稳压二极管
7
1N752A
5.6
11
20
20
DO-35
稳压二极管
8
1N753A
7.3
7
20
20
DO-35
稳压二极管
9
1N754A
6.8
5
20
20
DO-35
稳压二极管
10
1N755A
7.5
6
20
20
DO-35
稳压二极管
11
1N756A
8.2
8
20
20
DO-35
稳压二极管
12
1N757A
9.1
10
20
20
DO-35
稳压二极管
13
1N758A
10
17
20
20
DO-35
稳压二极管
14
1N759A
12
30
20
20
DO-35
稳压二极管
1N9xxx系列二极管
序号
型号
Vz[V]
Zz[Ω]
Iz[mA]
IRZ[uA]
封装
说明
1
1N957B
6.8
4.5
18.5
150
DO-35
系列二极管
2
1N958B
7.5
5.5
16.5
75
DO-35
系列二极管
3
1N959B
8.2
6.5
15
50
DO-35
系列二极管
4
1N960B
9.1
7.5
14
25
DO-35
系列二极管
5
1N961B
10
8.5
12.5
10
DO-35
系列二极管
6
1N962B
11
9.5
11.5
5
DO-35
系列二极管
7
1N963B
12
11.5
10.5
5
DO-35
系列二极管
8
1N964B
13
13
9.5
5
DO-35
系列二极管
9
1N965B
15
16
8.5
5
DO-35
系列二极管
10
1N966B
16
17
7.8
5
DO-35
系列二极管
11
1N967B
18
21
7
5
DO-35
系列二极管
12
1N968B
20
25
6.2
5
DO-35
系列二极管
13
1N969B
22
29
5.6
5
DO-35
系列二极管
14
1N970B
24
33
5.2
5
DO-35
系列二极管
15
1N971B
27
41
4.6
5
DO-35
系列二极管
16
1N972B
30
49
4.2
5
DO-35
系列二极管
17
1N973B
33
58
3.8
5
DO-35
系列二极管
BYxxx系列二极管
序号
型号
VRRM[V]
Io[A]
CJ[pF]
IFSM[A]
封装
说明
1
BYQ28E
-
-
-
-
TO-220
-
2
BYP100
-
-
-
-
TO-220
-
3
BYP103
-
-
-
-
TO-220
-
4
BYP301
-
-
-
-
TO-220
-
5
BYP302
-
-
-
-
TO-220
-
6
BYP303
-
-
-
-
TO-220
-
7
BYV26A
200
1
-
30
SOD-57
-
8
BYV26B
400
1
-
30
SOD-57
-
9
BYV26C
600
1
-
30
SOD-57
-
10
BYV26D
800
1
-
30
SOD-57
-
11
BYV26E
1000
1
-
30
SOD-57
-
12
BYW29-50
50
8
-
100
TO-220
快恢复二极管
13
BYW29-100
100
8
-
100
TO-220
快恢复二极管
14
BYW29-150
150
8
-
100
TO-220
快恢复二极管
15
BYW29-200
200
8
-
100
TO-220
快恢复二极管
FR10x系列二极管
序号
型号
VRRM[V]
Io[A]
CJ[pF]
IFSM[A]
封装
说明
1
FR101
50
1
50
35
DO-41
快恢复二极管
2
FR102
100
1
50
35
DO-41
-
3
FR103
200
1
50
35
DO-41
快恢复二极管
4
FR104
400
1
50
35
DO-41
快恢复二极管
5
FR105
600
1
50
35
DO-41
快恢复二极管
6
FR106
800
1
50
35
DO-41
快恢复二极管
7
FR107
1000
1
50
35
DO-41
快恢复二极管
8
FR107-STR
1000
1
50
35
DO-41
-
HERxxx系列快恢复二极管
序号
型号
VRRM[V]
Io[A]
CJ[pF]
IFSM[A]
封装
说明
1
HER1601C
50
16
40
200
TO-220
快恢复
2
HER1602C
100
16
40
200
TO-220
快恢复
3
HER1603C
200
16
40
200
TO-220
快恢复
4
HER1604C
300
16
40
200
TO-220
快恢复
5
HER1605C
400
16
40
200
TO-220
快恢复
MURxxx系列快恢复二极管
序号
型号
VRRM[V]
Io[A]
CJ[pF]
IFSM[A]
封装
说明
1
MUR1620
-
-
-
-
-
-
2
MUR3020CT
-
-
-
-
-
-
3
MUR3040CT
-
-
-
-
-
-
4
MUR3060CT
-
-
-
-
-
-
5
MUR805
50
8
-
100
TO-220AC
快恢复二极管
6
MUR810
100
8
-
100
TO-220AC
快恢复二极管
7
MUR815
150
8
-
100
TO-220AC
快恢复二极管
8
MUR820
200
8
-
100
TO-220AC
快恢复二极管
9
MUR840
400
8
-
100
TO-220AC
快恢复二极管
10
MUR860
100
8
-
100
TO-220AC
快恢复二极管
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二极管规格判别
©来源丨猎芯头条
不少公司的采购会发现，拿到工程师提供的BOM中的器件去采购物料时，经常供应商还会问得更仔细，否则就不知道供给你哪种物料，严重时，采购回来的物料用不了。为什么会有这种情况呢？问题就在于，很多经验不够的工程师，没有把器件型号写完整。下面举例来说明，完整的器件型号是怎么样的。
完整的器件型号，一般都是包括主体型号、前缀、后缀等组成。一般工程师只关心前缀和主体型号，而会忽略后缀，甚至少数工程师连前缀都会忽略。当然，并不是所有器件一定有前缀和后缀，但是，只要这个器件有前缀和后缀，就不可以忽略。
器件前缀一般是代表器件比较大的系列，比如逻辑IC中的74LS系列代表低功耗肖特基逻辑IC，74ASL系列代表先进的低功耗肖特基逻辑IC，74ASL系列比74LS系列的性能更好。又比如，2N5551三极管和MMBT5551三极管两者封装不同，一个是插件的(TO-92)，一个是贴片的(SOT-23)。如果BOM上只写5551三极管，那肯定不知道是哪个。
忽略前缀的现象一般稍少一点，但是忽略后缀的情况就比较多了。一般来说，后缀有以下这些用处：
1、区分细节性能
比如，拿MAXIM公司的复位芯片MAX706来说，同样是706，但是有几种阀值电压，比如MAX706S的阀值电压为2.93V，MAX706T的阀值电压为3.08V，这里的后缀“S”和“T”就代表不同的阀值电压。
2、区分器件等级和工作温度
比如TI公司的基准电压芯片TL431，TL431C代表器件的工作温度是0度至70度（民用级），TL431I代表器件的工作温度是-40度至85度（工业级），其中后缀“C”和“I”就代表不同的工作温度。
3、 区分器件封装形式
比如TI公司的基准电压芯片TL431，TL431CP代表的是PDIP封装，TL431CD代表的是SOIC封装，其中后缀“P”和“D”代表的就是不同封装（“C”代表温度，在上面已经解释）。
4、区分订货包装方式
比如，TI公司的基准电压芯片TL431CD，如果要求是按盘装（2500PCS/盘）的采购，那么必须按TL431CDR的型号下单，这里的后缀“R”代表的就是盘装。否则，按TL431CD下单，买回来的可能是管装(75PCS/管)的物料。
5、区分有铅和无铅
比如，ON公司的比较器芯片LM393D（“D”表示是SOIC封装），如果要用无铅型号，必须按LM393DG下单，这里的后缀“G”就表示无铅型号，没这个后缀就是有铅型号。
后缀可能还有其他特殊的用处，总之，后缀的信息不能省略，否则买回来的可能就不是你想要的物料。
不同的公司的前缀和后缀可能是不同的（也有少数公司的一些前缀后缀一致），这需要参考实际选用厂家的具体情况。
一、中国半导体器件型号命名方法
半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分的意义分别如下：
第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2：二极管；3：三极管
第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A：N型锗材料；B：P型锗材料；C：N型硅材料；D：P型硅材料。
表示三极管时：A：PNP型锗材料；B：NPN型锗材料；C：PNP型硅材料；D：NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P：普通管；
V：微波管；
W：稳压管；
C：参量管；
Z：整流管；
L：整流堆；
S：隧道管；
N：阻尼管；
U：光电器件；
K：开关管；
X：低频小功率管(fG：高频小功率管(f>3MHz,Pc
D：低频大功率管(f1W)；
A：高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)；
T：半导体晶闸管(可控整流器)；
Y：体效应器件；
B：雪崩管；
J：阶跃恢复管；
CS：场效应管；
BT：半导体特殊器件；
FH：复合管；
PIN：PIN型管；
JG：激光器件。
第四部分：用数字表示序号。
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。
二、日本半导体分立器件型号命名方法
日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：
第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0：光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管；
1：二极管；
2：三极或具有两个pn结的其他器件；
3：具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件；
┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S：表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
A：PNP型高频管；
B：PNP型低频管；
C：NPN型高频管；
D：NPN型低频管；
F：P控制极可控硅；
G：N控制极可控硅；
H：N基极单结晶体管；
J：P沟道场效应管，如2SJ—-
K：N沟道场效应管，如2SK—-
M：双向可控硅。
第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。
两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。
第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。
A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。
三、美国半导体分立器件型号命名方法
美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：
第一部分：用符号表示器件用途的类型。
JAN：军级；
JANTX：特军级；
JANTXV：超特军级；
JANS：宇航级；
无：非军用品。
第二部分：用数字表示pn结数目。
1：二极管；
2：三极管；
3：三个pn结器件；
n：n个pn结器件。
第三部分：美国电子工业协会(EIA)注册标志。
N：该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。
第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。
多位数字：该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。
第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄同一型号器件的不同档别。如：
JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管
JAN：军级；
2：三极管；
N：EIA注册标志；
3251：EIA登记顺序号；
A：2N3251A档。
四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：
第一部分：用字母表示器件使用的材料。
A：器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗；
B：器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅；
C：器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化镓；
D：器件使用材料的Eg
E：器件使用复合材料及光电池使用的材料。
第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。
A：检波开关混频二极管；
B：变容二极管；
C：低频小功率三极管；
D：低频大功率三极管；
E：隧道二极管；
F：高频小功率三极管；
G：复合器件及其他器件；
H：磁敏二极管；
K：开放磁路中的霍尔元件；
L：高频大功率三极管；
M：封闭磁路中的霍尔元件；
P：光敏器件；
Q：发光器件；
R：小功率晶闸管；
S：小功率开关管；
T：大功率晶闸管；
U：大功率开关管；
X：倍增二极管；
Y：整流二极管；
Z：稳压二极管。
第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。
三位数字：代表通用半导体器件的登记序号；
一个字母加二位数字：表示专用半导体器件的登记序号。
第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。
A、B、C、D、E、、、表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。
除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：
1、稳压二极管型号的后缀。
其后缀的第一部分是一个字母：表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；
其后缀第二部分是数字：表示标称稳定电压的整数数值；
后缀的第三部分是字母V，代小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。
3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。
五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法
欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法：
第一部分：O：表示半导体器件。
第二部分：
A：二极管；
C：三极管；
AP：光电二极管；
CP：光电三极管；
AZ：稳压管；
RP：光电器件。
第三部分：多位数字：表示器件的登记序号。
第四部分：A、B、C、、、表示同一型号器件的变型产品。
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