功率管型号(功率管型号含义)

功率管型号怎么测量

电磁炉功率管型号;不同机种采了不同规格的IGBT,它们的参数如下:x0dx0a(1)SGW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SKW25N120.x0dx0a(2)SKW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120,代用时将原配套SGW25N120的D11快速恢复二极管拆除不装.x0dx0a(3)GT40Q321----东芝公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时42A,100℃时23A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120,代用SGW25N120时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装.x0dx0a(4)GT40T101----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321,配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用GT40T301.x0dx0a(5)GT40T301----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、GT40T101,代用SGW25N120和GT40T101时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装.x0dx0a(6)GT60M303----东芝公司出品,耐压900V,电流容量25℃时120A,100℃时60A,内部带阻尼二极管.

功率管型号大全图片

型号很多，哪方面用途？你的工作频率是多少？输出功率多少w？电源电压多少v？工作状态是甲乙丙哪一类？你需要的功率增益是多少？输出阻抗是多少？必须有以上这些参数才能给你合适的型号及pdf，不然随意给你一个也没用。

功率管型号忘了怎么办

电磁炉功率管25N120和20R1203虽然同属于大功率场效应管，但它们在极限电流和饱和压降等方面有所差异，具体如下：

1、25N120各参数值

极限电压：1200V

极限电流：25A

饱和压降：2.5V

2、20R1203各参数值

极限电压：1200V

极限电流：20A

饱和压降：1.48V

两种功率管理论上是可以互相替换的，但在实际应用中，20R1203代换25N120时，经常会出现电磁炉加热慢，功率管自身发热严重的情况。所以，在条件允许的情况下，尽量使用同型号的功率管进行替换。

功率管型号含义

带你深入了解功率MOSFET规格书中的参数和图表

带你深入了解功率MOSFET规格书中的参数和图表（2）

说到SOA，大部分工程师对SOA曲线这个图表是非常熟悉的。常用这个曲线簇来评判MOSFET（电源）工作于一些极限工况下是否既能满足要求、又能完好运行（俗称的“不炸管”）。

但是，对于其中曲线各部分包含的意义可能又不是很熟悉。看完本篇，希望对大家以后使用SOA曲线评估极限工况时有所帮助。

今天详细聊聊SOA。

SOA曲线一般由四部分组成，分别是 RDS_ON 限制区、ID-pulse

限制区、V(BR)DSS限制区和PD_max限制区。

下图中，红色折线所示即为SOA曲线的RDS_ON限制区。

我们可以从红色折线上的某个点推算出对应的RDS_ON。比如图中，VDS=1V时，对应的ID=34A，从而可以计算出：

这个值和规格书中Tj=25℃的RDS_ON是一致的。

ID-pulse限制区对应的是MOSFET在不同pulse电流以及不同VDS电压下所能达到的最大电流值。

如下图SOA曲线中所标红色线段区域所示为SOA曲线的ID-pulse限制区。从图中可以看到，当电流pulse宽度是1us时，在VDS小于130V以内都能工作在240A；当电流pulse宽度是10us时，在VDS小于45V以内都能工作在240A。

如下图SOA曲线中红色所示为SOA曲线的V(BR)DSS限制区,这条限值和器件规格书中的V(BR)DSS是一样的。

如下图红色所示为SOA曲线的V(BR)DSS限制区，这一部分代表了器件所能承受的最大损耗，它和脉冲宽度息息相关。

那么这些曲线是怎么得到呢？下面我们以Tpulse=1us这条曲线举例说明。

MOSFET在任何工况下都要保证结温不能超过规格书中的最大值，结温计算方法为：

其中TJ为结温，一般最大值为150℃。Tc是MOSFET的壳温，一般规格书中会放25℃和80℃两张图。Rthjc是瞬态热抗，这个概念我们在上一期已经讲过，错过的同学可以回看上一期内容哈。

SOA图中，可以看到D=0，也就是单脉冲，从而可以从热抗图的单脉冲曲线中读取到Tpulse=1us的热抗，然后根据上式可以计算得：

根据上式我们就可以得到下图SOA曲线中红线所示的最大功耗曲线。

SOA曲线一般只有Ta=25℃和Ta=80℃两条曲线，掌握了这个计算方法，结合热抗图大家也可以自己计算出其他温度下的SOA曲线。

以上就是我们深入理解MOSFET规格书第四期，本期着重介绍了SOA曲线。下期我们将带来Vth以及结电容的解读，敬请期待。

喜欢的小伙伴请点个关注不迷路哦。

end

“惟实创新，笃行担当”

顾邦半导体--高品质功率半导体供应商

功率管型号被打磨

无论是在太空还是在地面，这些基于GaN的晶体管都比硅具有新的优势。

三个组织上个月发布了新型GaN功率晶体管，这些晶体管在效率、稳健性和独特环境的适用性方面取得了长足进步。

新型GaN器件以更小的封装提供更高的效率、稳健性和控制能力。

电力电子领域对下一代高电压、大电流晶体管提出了独特的要求，特别是对于开关电源或电机驱动器。因此，新型GaN晶体管允许电子产品在新环境中运行，其性能可与SiC或IGBT技术相当。

本文仔细研究了三款夏季发布的GaN晶体管，让读者了解每款产品如何使设计人员受益并塑造高功率器件的未来。

Transphorm专注于新型GaN晶体管的鲁棒性

本次综述的开端是Transphorm最新的GaN功率晶体管，据报道，未来功率逆变器的短路鲁棒性高达5微秒。随着电动机变得越来越普遍，许多设计人员担心GaN电力电子器件承受高电压和高电流短路情况的能力。为此，Transphorm声称其功率晶体管是迈向稳健的GaN逆变器的重要一步。

与传统增强型FET相比，Transphorm共源共栅GaNFET为电动汽车或电源逆变器等高可靠性应用提供了更高的抗扰度和鲁棒性。

当响应短路时，系统的控制电子设备可能需要几微秒的时间才能断电。因此，电力电子设备必须承受短路直至断电。前几代GaN器件仅表现出数百纳秒量级的短路鲁棒性，限制了GaN器件的实际应用。然而，利用最新的Transphorm器件，设计人员现在可以在任何晶体管受到不可挽回的损坏之前切断电源。

Transphorm计划在2024年的一次大型电力电子会议上展示有关该晶体管的更多细节。不过，我们确实知道该晶体管本身使用共源共栅架构来提高器件的鲁棒性，并与增强模式器件相比提供其他改进。

EPCSpace将GaN带到大气层边缘

EPCSpace将GaN推向了最后的前沿，推出了两款新型抗辐射GaN晶体管，用于太空应用中的高电流开关。随着商业卫星数量的不断增加，设计人员需要更多的空间就绪电力电子产品选择，并提高电流处理能力。

EPCSpaceGaN晶体管通过专为太空应用打造的密封防辐射封装中的GaN物理优势，为设计人员提供更高的性能。

这两款新型晶体管EPC7020G和EPC7030G采用密封封装，占地面积小而坚固。两者均可处理200A脉冲，并加入现有的EPC70XXGaN晶体管系列。

EPC7020G可承受高达200V的电压，导通电阻为14.5mΩ；EPC7030G可承受300V的电压，导通电阻为32mΩ。虽然EPCSpace将电源、电机驱动和各种其他仪器仪表任务作为新型抗辐射GaN器件的主要受益者，但如果GaN器件相对于抗辐射硅MOSFET表现出足够的改进，应用范围可能会远远超出所列出的范围。

罗姆致力于GaN小型化

最后，为了提高功率和面积效率，RohmSemiconductor开发了两个带有内置GaNHEMT和栅极驱动器的650VGaN功率级，以实现比硅更小、更简单的解决方案。

BM3G007和BM3G015这两个新功率级均支持高达650V的电压，相应的导通电阻分别为70mΩ和150mΩ。然而，与硅芯片相比，新芯片的亮点在于效率的提高。

RohmEcoGaN功率级为设计人员提供了在更小的整体尺寸下提高效率的能力，为使用GaN电力电子器件的新应用铺平了道路。

Rohm报告称，与分立硅FET相比，使用其功率级IC时，损耗降低了55%，体积减小了99%，从而在设计紧凑型电子产品时提供了更大的空间。GaN固有的更快开关速度同时减小了GaN器件和外部无源元件的尺寸。两个功率级以及模块的评估板现已上市。

GaN的成熟过程仍在继续

尽管GaN对于电气工程师来说并不是一种万能的解决方案，但它与硅相比的物理差异无疑使其成为更小、更高效的电力电子产品的有力竞争者。特别是当比较硅和氮化镓基器件的相对年龄时，氮化镓仍然拥有光明的创新前景。随着GaN工艺的成熟，该材料本身可能会成为更高效的电源、电机驱动器和更多高功率电子产品的基础。

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功率管型号参数图片

前言

近年得益于全新氮化镓、碳化硅技术在各方面高度关注下，快充产业发展迅猛，快充产品总体呈现出多功能、多接口、大功率、小体积的发展趋势。此外USBPD3.1快充标准将快充功率上限提升至240W极大扩展了快充应用范围，以及苹果140WPD3.1快充商用催生的第三方市场，也都为百瓦级及以上快充市场发展持续注入动力。

在大功率电源设计上，目前LLC和AHB是业内两种比较主流的拓扑结构。虽说两种拓扑结构出现的也都比较早，但相较LLC架构来说，AHB架构进入消费类电源领域在时间上还是晚了一些。不过凭借在成本、设计难度等方面的优势，AHB架构很快获得行业的高度关注。

什么是AHB控制器

AHB是AsymmericalHalf-Bridge非对称半桥的缩写，AHB控制器即是通过使用两颗开关管组成半桥结构，使用电容与变压器初级线圈串联，共同储能，并通过新增的开关管，将电容能量通过变压器传递到次级的器件。

相比传统反激将变压器漏感能量作为发热消耗，AHB控制器不仅实现了漏感能量的回收利用，还实现了主开关管零电压开通以及同步整流管零电流关断，减小了开关损耗，同时也减小发热。

AHB拓扑的特点及优势

AHB拓扑不对称半桥里面的变压器励磁电感和谐振电容器均参与存储能量，与反激式转换器相比，会缩小部分体积；AHB结合了反激变换器及不对称半桥的优点，利用励磁电流实现开关管ZVS的同时，利用谐振电流实现了次级整流二极管ZCS；AHB适合宽电压输出，相比LLC拓扑，在PD快充等输出电压变化范围宽的应用优势巨大，成本优势大；AHB开关频率限制在相对较小范围，对EMI滤波器的设计十分有益；AHB是适合应用于高功率密度和具有成本效益的拓扑。

AHB架构相比LLC架构，有如下优点。第一，AHB架构的二次侧为单功率器件拓扑，可以有效降低系统成本；第二，AHB架构的二次侧整流管电压应力远小于传统反激架构，可以采用耐压更低的MOS管作为整流管，极大的降低了系统成本和调试难度，尤其适用在PD快充等需要高输出电压的应用场景。第三，AHB架构中，变压器和谐振电容共同储能，变压器体积可以有效减小。

正是基于AHB拓扑的上述特点及优势，使其能够应用在很多的单口/多口应用、PD3.1快充上，并且目前获得来自行业的高度关注。据充电头网不完全统计，目前东科、英飞凌、杰华特、昂宝、立錡、通嘉等业内知名厂商已经或即将推出全新的AHB控制器产品，下面就一起来详细了解下。

排名不分先后，按企业英文首字母排序。

DK东科

DK8710Q

DK8710Q是东科半导体推出的业界首款AHB合封氮化镓芯片，内部集成了两颗氮化镓开关管组成半桥，通过控制增添的开关管，回收漏感能量，实现主开关管的ZVS和同步整流管的ZCS，提高转换效率，并降低功率管的应力，减小开关损耗的同时改善电磁干扰。

DK8710Q内置高压启动和安规X2电容放电电路，待机功耗低于50mW，支持最高1MHz开关频率，具备自适应死区时间控制，峰值转换效率达95%。芯片内置高低压输入功率补偿电路，在高低压下最大输出功率一致。

DK8710Q内置输出过压保护、供电过压，欠压保护、过热保护、开环保护，输出过流保护、输出短路保护和输出肖特基异常保护。芯片支持150W输出功率，可满足现阶段USBPD3.1充电器140W输出需求。适用于PD3.1快充以及笔记本电脑适配器，电视机电源，充电器等大功率应用。DK8710Q采用QFN8*8封装，体积小巧且外围元件精简，散热能力强。

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1、东科推出业界首款AHB合封氮化镓芯片DK8710Q

Infineon英飞凌

XDPS2201

英飞凌XDPSS2201是一颗数字混合反激控制器，内部集成600V高压启动电路和高低侧MOS驱动。XDPSS2201可自家搭配IGI60F1414A1L半桥氮化镓芯片使用，为客户提供高集成度、高效、高性能、低温升的氮化镓快充解决方案。

XDPSS2201采用峰值电流模式控制，用于快速的负载响应。基于输出电流水平自动切换到突发模式运行，支持初级侧过电压保护，待机功耗＜75mW，可通过单引脚UART界面配置参数，采用PG-DSO-14封装，外围元件精简。

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应用案例：

1、拆解报告：安克140WUSBPD3.1氮化镓充电器

2、拆解报告：安克150W3C1A氮化镓充电器

JOULWATT杰华特

JW1556

杰华特JW1556是一款非对称半桥反激式控制器，采用QFN4x4-20封装，适用于离线反激式转换器应用。输入电压范围2.5-38V，最高工作频率达1.5MHz，支持65-300W快充应用。

杰华特JW1556在重负载下工作在ZVS模式，支持AdaptiveZVS开关，实现效率最优化。在轻负载下工作在DCM模式，可提供主电源开关和辅助开关两路输出控制，支持高压启动、X电容放电、突发模式控制、可调线路补偿等功能。

JW1556可通过单个外置电阻设置工作频率，外围简洁，设计简单。芯片内置软启动功能，支持VINOVP、VSOVP、SCP、Brown-In/Out、OTP、CS开路和短路保护等多重保护措施，提高电源系统的可靠性。

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4、杰华特AHB控制器JW1556助力联想百瓦快充

应用案例：

1、拆解报告：倍思130W2C1A氮化镓充电器

2、内置AHB架构，拆解联想thinkplus口红迷你100W氮化镓充电器

JW1556B

JW1556B是杰华特针对peakload（峰值功率）优化的型号，支持0-38V更宽输入电压范围，应用在需要1-2倍峰值功率的PC笔记本市场。

杰华特JW1556B很多关键特性与JW1556相同，如采用QFN4x4-20封装，最高工作频率同样是1.5MHz，支持支持高压启动、X电容放电、突发模式控制、可调线路补偿等功能。

应用案例：

1、拆解报告：联想拯救者140WPD3.1氮化镓快充充电器

Leadtrend通嘉

LD5780

充电头网从厂商那边了解到，通嘉科技的AHB控制器型号为LD5780，预计于23年下半年推出，届时充电头网将会对通嘉科技的这款器件进行详细介绍，敬请期待。

On-Bright昂宝

OB2792

昂宝OB2792是一颗AHB控制器，用于零电压开关谐振，正常工作情况下，高侧充电周期为常规峰值电流控制，低侧开通周期由内部自适应控制环路调节。重载下，芯片在连续谐振模式下运行，轻载时进入频率折返模式，实现零电压开关，降低开关损耗。

OB2792支持过压保护，欠压保护，过流保护，开环保护，X电容放电保护，内部和外部过热保护。OB2792旨在提供高效可靠的开关电源解决方案，适用于90W以上的应用场合。

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1、AHB拓扑技术，OB2792AHB控制器助力PD快充和多口应用

Richtek立錡

RT7795

在今年的2023终端融合快充（UFCS）主体演讲上，立錡科技介绍了公司最新推出的RT7795AHB控制器产品，适用于大功率氮化镓快充电源设计。RT7795预计于今年第四季度实现量产，届时充电头网再对这款产品进行详细介绍，敬请期待。

充电头网总结

新USBPD3.1快充标准功率上限的提升扩大快充应用场景，苹果推出支持140W快充的MacBookPro，越来越多的用户对多设备同时大功率快充产生需求，大功率快充技术因市场需求的不断刺激得以革新发展。

AHB拓扑在大功率电源设计上可以降低电路难度、系统成本更低，并且体积功率密度可以做得更优，这无论是对工程师还是消费者来说都会更友好。和LLC拓扑相比，AHB拓扑在日渐严苛的设计要求下可以说是对前者的弥补，让大功率电源设计有更多选择余地。

AHB拓扑成功商用并获得关注，充分证明了其性能及优点，为大功率电源设计提供了全新选择。同时以东科、英飞凌等厂商为代表率先推出AHB控制器产品，不仅丰富了这一新兴拓扑方案上的可选性，同时对大功率电源市场的发展也起到积极推动作用。

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「历年拆解」

2022年、2021年、2020年、2019年、2018年、2017年、2016年、2015年

「电源芯片」

南芯、英集芯、智融、茂睿芯、必易微、美芯晟、杰华特、华源、硅动力、富满云矽、芯海、天德钰、贝兰德、力生美、创芯微、稳先微、宝砾微、东科、易冲、拓尔微、恒成微、沁恒、钰泰、诚芯微

「被动器件」

特锐祥、贝特、沃尔德、柏瑞凯、金瑞、高特

「氮化镓」

纳微、英诺赛科、氮矽、聚能创芯、能华、威兆、镓未来、微硕

「快充工厂」

航嘉、古石、酷科、鹏元晟、瑞嘉达、天宝、田中精机

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