稳压管型号(稳压管型号参数对照表)

7.5v稳压管型号

稳压二极管种类繁多，型号齐全，根据额定功耗分有：1）1W：1N4728A-Z1330A（DO-41封装）、SMA4728A-SZ1330A（SMA/DO-214AC封装）、SML4728A-SMZ1330A（SOD-123）；2）1.5W：1N5919B-1N5956B（DO-41封装）、SMA5919B-SMA5956B（SMA/DO-214AC封装）；3）2W：2EZ5.6D5-2EZ330D5（DO-15封装）、SMB2EZ5.6D5-SMB2EZ330D5（SMB/DO-214AA封装）；4）3W：3EZ5.6D5-3EZ200D5（DO-15封装）、SMB3EZ5.6D5-SMB3EZ200D5（SMB/DO-214AA封装）；5）5W：1N5338B-1N5388B（DO-201封装）、SMC5338B-SMC5388B（SMC/DO-214AB封装）；具体型号，可向东沃电子索取规格书！稳压二极管伏安特性稳压二极管

稳压管型号参数

稳压二极管是一种利用反方向特性的特殊二极管，广泛应用于各种稳压电路，例如阻容降压等，我们平时见的较多的可能有1N4728，这是稳压值为3.3V的稳压管，在供电3.3V电源可利用，1N4733/A稳压值为5.1V，在5V供电电源利用，还有1N4724A，这是在12V时候用到，另外还有很多型号。

下面列举一些常见的型号以及它的基本参数、它可代换的型号。

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稳压管型号参数对照表

     通常，二极管都是正向导通，反向截止，单向导通性 ; 但是有一种二极管，它的正向特性与普通二极管相同，而反向特性却比较特殊，当反向电压加到一定程度时，虽然管子呈现击穿状态，通过较大电流，却不损毁（九阳神功护体），并且这种现象的重复性很好 （出招输出稳定），只要管子处在击穿状态，尽管流过管子的电在变化很大，而管子两端的电压却变化极小，起到稳压作用。这种特殊的二极管叫稳压二极管。

稳压二极管

1、 选型参数

    Vz稳压电压：也就是反向击穿电压，指稳压二极管通过额定电流时两端产生的稳定电压值。该值随工作电流和温度的不同而略有改变。由于制造工艺的差别，同一型号稳压管的稳压值也不完全一致。

    IZK额定电流：指稳压二极管产生稳定电压时通过的电流值。低于额定电流时，虽然也能稳压，但稳压效果会变差；高于额定电流时，只要不超过额定功率损耗，也是允许的，而且稳压性能会好一些，但功耗就更高。

    Rzj动态电阻：指稳压管两端电压变化与电流变化的比值。该比值随工作电流的不同而改变，一般是工作电流愈大，动态电阻则愈小。动态电阻越小，说明稳压效果越好。

    Pz额定功耗：由芯片允许温升决定，其数值为稳定电压Vz和允许最大电流Izm的乘积。

    Ir反向漏流：指稳压二极管在规定的反向电压下产生的漏电流。

    Ctv电压温度系： 指稳定电压值受温度影响的参数。例如2CW58稳压管的Ctv是+0.07%/°C，即温度每升高1°C，其稳压值将升高0.07%。

2、 读懂数据手册

    下面以一款1.5W的贴片稳压二极管为例。

    第一行说明以下参数为25℃的测试数据，正向最大导通电压为1.2V，最大正向电流为200mA。

    选取红色框内的5.1V的稳压二极管为例，稳压二极管的稳压值范围是在4.84~5.36之间波动，说明稳压二极管不是用于具有精密要求的场合。

    稳压电流@Izt7=73.5mA,表示二极管反额定反向导通电流为73.5mA。在设计电路时要达到较好的稳压效果，反向电流最好不要低于这个电流值。

      动态电阻为Zzt@Izt=4Ω是在额定反向电流情况下测试的。动态电阻效果越小，电压随电流波动越小，稳压效果越好。

        Ir反向漏流=2.5uA，通常人们会有个疑问，不是稳压二极管都是工作中反向击穿下吗，前面不是要求反向电流要在73.5mA吗？怎么又有一个那么小的微安级的反向漏流呢？一定要注意测试条件，表中是指在反向电压2V下的漏流，这时二极管处于反向截止状态下，并未进入击穿状态，就如其他常规二极管的反向漏流一样。

        最后一个是反向最大工作电流294mA，这个与稳压值5.1V的乘积就是标称的最大功耗。P=5.1V*0.294A≈1.5W。

3、 选型注意事项

    根据具体的电路要求选择稳压值，动态电阻小的，稳压性能好。通常厂家给出的数据手册有动态电阻的曲线图，如下图，这个曲线越垂直，表示动态电阻越小，稳压效果越好。

        对用于过电压保护电路的稳压二极管，稳压电压值得选定要依据电路的保护电压的大小进行选定。稳压二极管稳压值的离散型很大，同一厂家型号的产品，同样的稳压电流，稳压值也会有区别，稳压二极管管不是适用于高频电路。

        另外，需要注意耗散功率，反向电流不能无穷大，否则会烧坏管子，可以串联一个限流电阻，并注意留有余量。特别注意稳压二极管的“离经叛道”性，和普通二极管不同，它一定要反着接。

        稳压二极管既可以当普通二极管应用，比如上一期说的续流，钳位都功能。还能用在精度要求不高的线性稳压电路上。

TVS管

        另外一个和稳压二极管同为同门师兄，但武功更上一层楼的，对于内功运用得更加如火纯青的绝世高手该出手了，那就是——TVS管(TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR)或称瞬态抑制二极管，它是在稳压管工艺基础上发展起来的一种新产品，其电路符号和普通稳压二极管相同,外形也与普通二极管无异,当TVS管两端经受瞬间的高能量冲击时，它能以极高的速度(纳秒级)使其阻抗骤然降低，同时吸收一个大电流，将其两端间的电压箝位在一个预定的数值上，从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。

TVS管分类

单向：单向TVS就特性而言和稳压二极管类似，只能吸收正向的浪涌电压脉冲；

双向：双向TVS可以在正反两个方向吸收浪涌电压脉冲，实现了对电压的钳制，无正负极性区分；

TVS管保护原理

        TVS管与并线路板被保护电路并联。当瞬时电压超过电路正常工作电压后，TVS将发生雪崩击穿（雪崩击穿与齐纳击穿同属于二极管的电击穿，可PN结可恢复），从而提供给瞬时电流一个超低阻抗的通路，其结果是瞬时电流通过TVS电路径流到地，从而避开被保护器件，并且在电压恢复正常值之前使被保护回路一直保持截止电压状态。在此之后，当瞬时脉冲结束以后，TVS二极管再自动恢复至高阻状态，整个回路进入正常电压状态。

TVS选型参数

1）反向工作电压（PeakReverseWorkingVoltage）：TVS在这个工作电压下，是不工作的，即不被击穿，处于高阻抗状态，其对应的漏电流也是很小的，如：SM8S33A在工作电压33V以下，其漏电流10uA，功耗基本可以忽略不计。需要注意的是，瞬态抑制二极管的工作电压要大于电路中的工作电压，否则会干扰抑制，或损耗很大。

2）漏电流（ReverseLeakageCurrent）：TVS二极管在反向工作电压下流过的电流，电流值非常小，也叫待机电流。

3）击穿电压（BreakdownVoltage）：在测试电流下，TVS二极管反向导通时的两端电压。测试时，时间要控制在400ms以下，避免TVS受热损坏。测量时，击穿电压落在最小击穿电压和最大击穿电压之间都是正常的。

4）钳位电压（ClampingVoltage）：施加规定波形的峰值脉冲电流下，TVS管两端测得的峰值电压。TVS的箝位电压要小于后级被保护电路最大可承受的瞬态安全电压。在相同IPP下，钳位电压越小，说明TVS的钳位特性越优秀。

        如果说稳压二极管属于二极管中的反动派，那么TVS管就属于反动派中的明日之星。今天的分享就到此，下期再见！

稳压管型号怎么识别

半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间。导电能力是由原子结构决定，硅和锗原子最外层轨道4个价电子。在硅或锗晶体中，原子在空间排列成规则的晶格，两个相邻原子共有一对价电子，组成共价键。

本征半导体：纯净不含杂质的半导体称为本征半导体，由于晶体共价键结合力很强，-273度时，晶体中不存在能导电的载流子，如果温度升高，如室温下，将有少数价电子克服共价键束缚成为自由电子，自由电子数量少，因此本征半导体导电力弱。

空穴：价电子成为自由电子时，原来共价键中留下一个空位，这个空位称为空穴。可以将空穴视为带正电的载流子。

载流子：半导体中存在两种载流子，自由电子和空穴。

杂质半导体：本征半导体掺入某种特定杂志。

N型半导体：4价硅和锗晶体掺入少量5价杂质元素如磷，这样会多出来一个电子，只受原子核吸引，容易成为自由电子。N型半导体中电子浓度大于空穴浓度，由于电子带负电，故用Negative表示。N型半导体多数载流子是电子，少数载流子是空穴。

P型半导体：4价硅和锗晶体掺入少量3价杂质元素如硼，杂质原子和周围硅原子组成共价键，将容易从其他位置的共价键中夺取一个电子，那其他地方就产生一个空穴。P型半导体中空穴浓度大于电子浓度。由于空穴带正电，故用Positive表示。P型半导体多数载流子是空穴，少数载流子是电子。

可见杂质半导体导电能力提高。

半导体一侧掺杂成P型半导体，另一侧掺杂成N型半导体。

PN结：如下图所示，N区电子向P区扩散，P区空穴向N区扩散。电子空穴相遇，将消失。于是交界处产生由不能移动的正负离子组成的空间电荷区，称为PN结、耗尽层。

内电场：扩散后，P区带负电，N区带正电。二者之间产生生电位差，形成的电场称为内电场，方向从N指向P。内电场将阻止多数载流子继续扩散，有利于少数载流子运动，即有利于p区电子向N移，不利于P区空穴向N移。

漂移运动：载流子在电场作用下的定向移动。

PN结中两种载流子运动：多数载流子扩散运动产生扩散电流；少数载流子漂移运动产生漂移电流。

动态平衡状态：达到动态平衡时，扩散电路与漂移电流相等，PN结中总电流为0。

空间电荷区宽度：扩散，宽度增大，飘移，宽度减小，动态平衡，宽度稳定。很薄，几微米-十几微米。

电位壁垒Ud：硅，0.6-0.8V；锗，0.2-0.3V。

正向偏置：PN结外加电压V，正极接P区，负极接N区。

如下图所示，外电场使P区空穴右移，与空间电荷区负离子中和；N区电子左移，与空间电荷区正离子中和，使空间电荷区变窄，有利于多数载流子的扩散运动，不利于少数载流子飘移运动。回路形成正向电流I，方向从P到N。

正向偏置，PN结接上小电压可得到大的正向电流，防止回路电流过大，加一个电阻R。

反向偏置：PN结外加电压V，正极接N区，负极接P区。

如下图，P区空穴和N区电子逐渐远离耗尽层，电位壁垒增加，不利于多数载流子扩散，有利于少数载流子漂移。回路中形成少数载流子运动产生的反向电流I。

反向饱和电流：反向电压超过一定值，反向电流不再增加，所以称为反向饱和电流。它对温度敏感。

单向导电性：因此，PN结正向偏置，回路中产生较大正向电流，PN结导通；PN结反向偏置，回路产生较小反向电流，PN结截止。可见，PN结具有单向导电性。

二极管：PN结外面装上管壳，再引出两个电极，阳极从P引出，阴极从N引出。就成为二极管。

二极管的伏安特性：用来描述二极管的性能。流过二极管的电流I与加在管子两端的电压U之间的关系曲线I=f(U)就是二极管的伏安特性。

正向特性：图的右半部分展示正向特性。

死区电压：正向电压较小时，正向电流几乎为零，正向电压超过死区电压时，正向电流才开始快速增长。死区电压大小与二极管材料和温度等有关。硅，0.5V；锗，0.1V。

反向特性：图的左半部分展示反向特性。

反向饱和电流：图中的Is表示反向饱和电流，一定范围内，反向电流不随着反向电压增大而增大。

反向击穿电压：反向电压继续升高，超过Ubr，反向电流急剧增大，这种现象为击穿。Ubr称为反向击穿电压。

二极管方程：也就是PN结伏安特性表达式，Is是反向饱和电流，Ut是温度的电压当量。

U小于0，那么u绝对值很大时候，e的u次方就是趋于0，那么I就等于-Is。

最大整流电流If：二极管长期运行，允许通过管子的最大正向平均电流。由温升限定。

最高反向工作电压Ur：工作时，加在二极管的反向电压不能超过它，否则，二极管可能被击穿。

反向电流Ir：室温下，二极管两端加上规定的反向电压时，流过管子的反向电流，Ir越小越好，因为单向导电性越好。由少数载流子形成，受温度影响大。

最高工作频率fm：取决于PN结结电容大小，结电容越大，允许的fm越低。

电容效应：如果二极管两端电压变化，PN结中存储的电荷量也变化，像一个电容器。

稳压管：也是一种二极管，工作在反向击穿区。实现稳压的原理就是，二极管工作在反向击穿区，反向电流变化大，但是管子两端电压变化小，稳压管伏安特性与符号如下图所示。

稳压管的主要参数如下。

稳定电压Uz：稳压管工作在反向击穿区时的工作电压，型号2DW7C稳压管，稳定电压在6.1-6.5V之间。

稳定电流Iz：稳压管正常工作时的参考电流，电流低于Iz，稳压性能变差，高于Iz，不超过额定功耗，稳压管正常工作。

动态内阻rz：稳压管两端电压和电流变化量之比，rz越小，稳压性能越好。

额定功耗：管子两端有电压，管子里面流过电流，需要消耗功率，部分功率转化为热能，使管子发热。

电压的温度系数：电流不变，温度变化1度，引起的稳定电压变化的百分比。电压的温度系数越小越好。

稳压管电路如下图所示。

1.外加电源正极接稳压管N区，负极接P区，因为，稳压管要工作在反向击穿区。

2.稳压管与负载电阻Rl并联，稳压管两端电压变化小，所以输出电压稳定。

3.流过稳压管的电流Iz不能超过规定值，避免过热烧坏管子。不能太小，小于临界值Izmin，稳压管失去稳压作用。

4.接入限流电阻R，用来调节稳压管的电流Iz大小。

来源：https://www.cnblogs.com/jiangyiming/p/15853920.html

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稳压管型号对照表

稳压管也是一种晶体二极管，它是利用PN结的击穿区具有稳定电压的特性来工作的。稳压管在稳压设备和一些电子电路中获得广泛的应用。我们把这种类型的二极管称为稳压管，以区别用在整流、检波和其他单向导电场合的二极管。如图画出了稳压管的伏安特性及其符号。

稳压管的主要参数如下：

(1)稳定电压UzUz就是PN结的击穿电压，它随工作电流和温度的不同而略有变化。对于同一型号的稳压管来说，稳压值有一定的离散性。

(2)稳定电流Iz稳压管工作时的参考电流值。它通常有一定的范围，即Izmin——Izmax

(3)动态电阻rz它是稳压管两端电压变化与电流变化的比值，如上图所示，即这个数值随工作电流的不同而改变。通常工作电流越大，动态电阻越小，稳压性能越好。

下图示出了稳压管工作时的动态等效电路，图中二极管为理想二极管。

(4)电压温度系数它是用来说明稳定电压值受温度变化影响的系数。不同型号的稳压管有不同的稳定电压的温度系数，且有正负之分。稳压值低于4v的稳压管，稳定电压的温度系数为负值；稳压值高于6v的稳压管，其稳定电压的温度系数为正值；介于4V和6V之间的，可能为正，也可能为负。在要求高的场合，可以用两个温度系数相反的管子串联进行补偿(如2DW7)。

(5)额定功耗Pz前已指出，工作电流越大，动态电阻越小，稳压性能越好，但是最大工作电流受到额定功耗Pz的限制，超过P2将会使稳压管损坏。

选择稳压管时应注意：流过稳压管的电流Iz不能过大，应使Iz≤Izmax，否则会超过稳压管的允许功耗，Iz也不能太小，应使Iz≥Izmin，否则不能稳定输出电压，这样使输入电压和负载电流的变化范围都受到一定限制。

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