ic型号(IC型号查询)

IC型号是啥意思

集成电路(IC)型号命名方法/规则/标准原部标规定的命名方法XXXXXX电路类型电路系列悔袭和电路规格符号电路封装T：TTL；品种序号码（拼音字母）A：陶瓷扁平；H：HTTL；（三位数字）B：塑料扁平；E：ECL；C：陶瓷双列直插；I：I-L；D：塑料双列直插；P：PMOS；Y：金属圆壳；N：NMOS；F：金属菱形；F：线性放大器；W：集成稳压器；J：接口电路。原国标规定的命名方法CXXXXX中国制造器件类型器件系列和工作温度范围器件封装符号T：TTL；品种代号C：（0-70）℃；W：陶瓷扁平；H：HTTL；（器伍枣件序号）E：（-40~85）℃；B：塑料扁平；E：ECL；R：（-55~85）℃；F：全密封扁平；C：CMOS；M：（-55~125）℃；D：陶瓷双列直插；F：线性放大器；P：塑料双列直插碧橘兄；D：音响、电视电路；J：黑瓷双理直插；W：稳压器；K：金属菱形；J：接口电路；T：金属圆壳；B：非线性电路；M：存储器；U：微机电路；其中，TTL中标准系列为CT1000系列；H系列为CT2000系列；S系列为CT3000系列；LS系列为CT4000系列；原部标规定的命名方法CXXXXX中国国标产品器件类型用***数字和工作温度范围封装T：TTL电路；字母表示器件系C：（0~70）℃F：多层陶瓷扁平；H：HTTL电路；列品种G：（-25~70）℃B：塑料扁平；E：ECL电路；其中TTL分为：L：（-25~85）℃H：黑瓷扁平；C：CMOS电路；54/74XXX；E：（-40~85）℃D：多层陶瓷双列直插；M：存储器；54/74HXXX；R：（-55~85）℃J：黑瓷双列直插；U：微型机电路；54/74LXXX；M：（-55~125）℃P：塑料双列直插；F：线性放大器；54/74SXXX；S：塑料单列直插；W：稳压器；54/74LSXXX；T：金属圆壳；D：音响、电视电路；54/74ASXXX；K：金属菱形；B：非线性电路；54/74ALSXXX；C：陶瓷芯片载体；J：接口电路；54/FXXX。E：塑料芯片载体；AD：A/D转换器；CMOS分为：G：网格针栅阵列；DA：D/A转换器；4000系列；本手册中采用了：SC：通信专用电路；54/74HCXXX；SOIC：小引线封装（泛指）；SS：敏感电路；54/74HCTXXX；PCC：塑料芯片载体封装；SW：钟表电路；LCC：陶瓷芯片载体封装；SJ：机电仪电路；W：陶瓷扁平。SF：复印机电路；

IC型号Gs1903与MT16703能兼容吗

IC（集成电路）型号各部分的意义

1、第0部分

c表示中国制造

2、第1部分

T：TTL电路、H：HTL电路、E：ECL电路、C：CMOS电路

M：存储器、µ：微型机电路、F：线性放大器、

W：稳定器、B：非线性电路、J：接口电路、AD：A/D转换器、

DA：D/A转换器、D：音响、电视电路、SC：通信专用电路、

SS：敏感电路、SW：钟表电路

3、第2部分

用数字表示器件的系列代号

4、第3部分

C：0~70℃、G：_25~70℃、L：_24~85℃、E：-40~85℃、

R：_55~85℃、M：_55~125℃

5、第4部分

F：多层陶瓷扁平、B：塑料扁平、H：黑瓷扁平、D：多层陶瓷双列直插、

J：黑瓷双列直插、P：塑料双列直插、S：塑料单列直插、K：金属菱形、

T：金属圆形、C：陶瓷芯片载体、E：塑料芯片载体、G：网络针栅陈列

扩展资料：

IC按用途可分为电视机用集成电路、音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电路、电脑（微机）用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种专用集成电路。

1、电视机用集成电路包括行、场扫描集成电路、中放集成电路、伴音集成电路、彩色解码集成电路、AV/TV转换集成电路、开关电源集成电路、遥控集成电路、丽音解码集成电路、画中画处理集成电路、微处理器（CPU）集成电路、存储器集成电路等。

2、音响用集成电路包括AM/FM高中频电路、立体声解码电路、音频前置放大电路、音频运算放大集成电路、音频功率放大集成电路、环绕声处理集成电路、电平驱动集成电路，电子音量控制集成电路、延时混响集成电路、电子开关集成电路等。

3、影碟机用集成电路有系统控制集成电路、视频编码集成电路、MPEG解码集成电路、音频信号处理集成电路、音响效果集成电路、RF信号处理集成电路、数字信号处理集成电路、伺服集成电路、电动机驱动集成电路等。

4、录像机用集成电路有系统控制集成电路、伺服集成电路、驱动集成电路、音频处理集成电路、视频处理集成电路。

5、计算机集成电路，包括中央控制单元（CPU）、内存储器、外存储器、I/O控制电路等。

6、通信集成电路

7、专业控制集成电路

参考资料来源：百度百科-IC

IC型号 CH开头是哪家公司的

在下表格中列出的，都是个人相对熟悉的LED显示屏恒流驱动IC。市场上其它型号的恒流驱动IC，在表中没有提到，并不代表它们不优质。在此不对各品牌及其产品进行排名、比较，只根据功能和特性进行分类，列表的先后顺序不代表任何意义。部分芯片信息来源于IC规格书，若有理解错误，请指出更正！

（点击图片放大观看）

除MBI5120外，以上恒流驱动IC的封装方式均为目前行业使用最为普遍的QSOP24，16个恒流驱动通道。

如果将功能和特性进一步细分并考虑版本更迭，部分品牌的IC种类略显繁杂，这里只列出最常用型号以及最新版本的型号。

1、LED白灯为什么比较容易死灯？

2、为什么LED显示屏低电压供电节能方案没有得到广泛应用？

IC型号HW-101A-FT NHE520-HF-6丝印什么

IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由BJT(双极结型晶体三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。

简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点，如驱动功率小和饱和压降低等。

┃IGBT的基本原理

IGBT是以GTR为主导元件，MOSFET为驱动元件的达林顿结构的复合器件。其外部有三个电极，分别为G-栅极，C-集电极，E-发射极。

在IGBT使用过程中，可以通过控制其集-射极电压UCE和栅-射极电压UGE的大小，从而实现对IGBT导通/关断/阻断状态的控制。

1）当IGBT栅-射极加上加0或负电压时，MOSFET内沟道消失，IGBT呈关断状态。

2）当集-射极电压UCE＜0时，J3的PN结处于反偏，IGBT呈反向阻断状态。

3）当集-射极电压UCE＞0时，分两种情况：

①若栅-射极电压UGE＜Uth，沟道不能形成，IGBT呈正向阻断状态。

②若栅-射极电压UGE＞Uth，栅极沟道形成，IGBT呈导通状态（正常工作）。此时，空穴从P+区注入到N基区进行电导调制，减少N基区电阻RN的值，使IGBT通态压降降低。

1）具有非常低的导通压降与优秀的导通电流密度.所以可以使用更小尺寸的器件从而降低成本。

2）因为栅极结构使用MOS管的同类设计,所以驱动功率非常小,驱动电路也很简单.与可控硅/BJT这些电流控制型器件来比,在高压与高电流应用场景,IGBT非常易于控制。

3）与BJT相比具有更好的电流传导能力.在正向与反向隔离方面参数也更优秀。

2、不足之处

1）开关速度低于功率MOSFET,但是高于BJT.因为是少数载流子器件,集电极电流残余导致关断速度较慢。

2）因为内部的PNPN型可控硅结构,有一定概率会锁死。

┃ IGBT产业链

IGBT是技术成熟的器件，产业链的各个环节都相对稳定。

IGBT核心技术为IGBT芯片的设计和制造以及IGBT模块的设计、制造和测试。行业壁垒非常高，包括对人才和设备的要求也极高。

行业认证周期长，车规级认证周期长达2~3年，定点企业先发优势明显。

IGBT制造属于资本密集型行业，一条年产25万片的8寸晶圆线投资额超20亿元。

IGBT产业链图谱及代表公司：

┃IGBT热门型号汇总

END

*免责声明：本文素材版权归原作者所有。icspec仅作引用和参考，不代表icspec的立场。如有异议，请联系我们修改或删除。

芯片规格书搜索工具

○

icspec

○

规格书查询|企业查询|行业资讯

找规格书，就上icspec！

iC型号板查询网

MOS管，即金属（Metal）—氧化物（Oxide）—半导体（Semiconductor）场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件。

和普通双极型晶体管相比，MOS管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势，在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越普遍的应用。

┃Mosfet管的种类及结构

MOS管是FET的一种（另一种为JFET结型场效应管），主要有两种结构形式：N沟道型和P沟道型；又根据场效应原理的不同，分为耗尽型（当栅压为零时有较大漏极电流）和增强型（当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流）两种。因此，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。

每一个MOS管都提供有三个电极：Gate栅极（表示为“G”）、Source源极（表示为“S”）、Drain漏极（表示为“D”）。接线时，对于N沟道的电源输入为D，输出为S；P沟道的电源输入为S，输出为D；且增强型、耗尽型的接法基本一样。

图表2 MOS管内部结构图

从结构图可发现，N沟道型场效应管的源极和漏极接在N型半导体上，而P沟道型场效应管的源极和漏极则接在P型半导体上。场效应管输出电流由输入的电压（或称场电压）控制，其输入的电流极小或没有电流输入，使得该器件有很高的输入阻抗，这也是MOS管被称为场效应管的重要原因。

N沟道增强型MOS管在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极（漏极D、源极S）；在源极和漏极之间的SiO2绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G；P型半导体称为衬底，用符号B表示。由于栅极与其它电极之间是相互绝缘的，所以NMOS又被称为绝缘栅型场效应管。

当栅极G和源极S之间不加任何电压，即VGS=0时，由于漏极和源极两个N+型区之间隔有P型衬底，相当于两个背靠背连接的PN结，它们之间的电阻高达1012Ω，即D、S之间不具备导电的沟道，所以无论在漏、源极之间加何种极性的电压，都不会产生漏极电流ID。

图表3 N沟道增强型MOS管结构示意图

当将衬底B与源极S短接，在栅极G和源极S之间加正电压，即VGS＞0时，如图表3（a）所示，则在栅极与衬底之间产生一个由栅极指向衬底的电场。在这个电场的作用下，P衬底表面附近的空穴受到排斥将向下方运动，电子受电场的吸引向衬底表面运动，与衬底表面的空穴复合，形成了一层耗尽层。

如果进一步提高VGS电压，使VGS达到某一电压VT时，P衬底表面层中空穴全部被排斥和耗尽，而自由电子大量地被吸引到表面层，由量变到质变，使表面层变成了自由电子为多子的N型层，称为“反型层”，如图表3（b）所示。

反型层将漏极D和源极S两个N+型区相连通，构成了漏、源极之间的N型导电沟道。把开始形成导电沟道所需的VGS值称为阈值电压或开启电压，用VGS（th）表示。显然，只有VGS＞VGS（th）时才有沟道，而且VGS越大，沟道越厚，沟道的导通电阻越小，导电能力越强；“增强型”一词也由此得来。

图表4 耗尽层与反型层产生的结构示意图

在VGS＞VGS（th）的条件下，如果在漏极D和源极S之间加上正电压VDS，导电沟道就会有电流流通。漏极电流由漏区流向源区，因为沟道有一定的电阻，所以沿着沟道产生电压降，使沟道各点的电位沿沟道由漏区到源区逐渐减小，靠近漏区一端的电压VGD最小，其值为VGD=VGS－VDS，相应的沟道最薄；靠近源区一端的电压最大，等于VGS，相应的沟道最厚。

这样就使得沟道厚度不再是均匀的，整个沟道呈倾斜状。随着VDS的增大，靠近漏区一端的沟道越来越薄。

当VDS增大到某一临界值，使VGD≤VGS（th）时，漏端的沟道消失，只剩下耗尽层，把这种情况称为沟道“预夹断”，如图表4（a）所示。继续增大VDS[即VDS＞VGS－VGS（th）]，夹断点向源极方向移动，如图表4（b）所示。

尽管夹断点在移动，但沟道区（源极S到夹断点）的电压降保持不变，仍等于VGS－VGS（th）。因此，VDS多余部分电压[VDS－（VGS－VGS（th））]全部降到夹断区上，在夹断区内形成较强的电场。这时电子沿沟道从源极流向夹断区，当电子到达夹断区边缘时，受夹断区强电场的作用，会很快的漂移到漏极。

图表5 预夹断及夹断区形成示意图

2、P沟道增强型场效应管原理

P沟道增强型MOS管因在N型衬底中生成P型反型层而得名，其通过光刻、扩散的方法或其他手段，在N型衬底（基片）上制作出两个掺杂的P区，分别引出电极（源极S和漏极D），同时在漏极与源极之间的SiO2绝缘层上制作金属栅极G。其结构和工作原理与N沟道MOS管类似；只是使用的栅-源和漏-源电压极性与N沟道MOS管相反。

在正常工作时，P沟道增强型MOS管的衬底必须与源极相连，而漏极对源极的电压VDS应为负值，以保证两个P区与衬底之间的PN结均为反偏，同时为了在衬底顶表面附近形成导电沟道，栅极对源极的电压也应为负。

图表6 P沟道增强型MOS管的结构示意图

当VDS=0时。在栅源之间加负电压比，由于绝缘层的存在，故没有电流，但是金属栅极被补充电而聚集负电荷，N型半导体中的多子电子被负电荷排斥向体内运动，表面留下带正电的离子，形成耗尽层。

随着G、S间负电压的增加，耗尽层加宽，当VDS增大到一定值时，衬底中的空穴（少子）被栅极中的负电荷吸引到表面，在耗尽层和绝缘层之间形成一个P型薄层，称反型层，如图表6（2）所示。

这个反型层就构成漏源之间的导电沟道，这时的VGS称为开启电压VGS（th），达到VGS（th）后再增加，衬底表面感应的空穴越多，反型层加宽，而耗尽层的宽度却不再变化，这样我们可以用VGS的大小控制导电沟道的宽度。

图表7 P沟道增强型MOS管耗尽层及反型层形成示意图

当VDS≠0时。导电沟道形成以后，D、S间加负向电压时，那么在源极与漏极之间将有漏极电流ID流通，而且ID随VDS而增，ID沿沟道产生的压降使沟道上各点与栅极间的电压不再相等，该电压削弱了栅极中负电荷电场的作用，使沟道从漏极到源极逐渐变窄，如图表7（1）所示。

当VDS增大到使VGD=VGS（即VDS=VGS-VGS（TH）），沟道在漏极附近出现预夹断，如图表7（2）所示。再继续增大VDS，夹断区只是稍有加长，而沟道电流基本上保持预夹断时的数值，其原因是当出现预夹断时再继续增大VDS，VDS的多余部分就全部加在漏极附近的夹断区上，故形成的漏极电流ID近似与VDS无关。

图表8 P沟道增强型MOS管预夹断及夹断区形成示意图

3、N沟道耗尽型场效应管原理

N沟道耗尽型MOS管的结构与增强型MOS管结构类似，只有一点不同，就是N沟道耗尽型MOS管在栅极电压VGS=0时，沟道已经存在。这是因为N沟道是在制造过程中采用离子注入法预先在D、S之间衬底的表面、栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子，该沟道亦称为初始沟道。

当VGS＝0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道，所以只要有漏源电压，就有漏极电流存在；当VGS＞0时，将使ID进一步增加；VGS＜0时，随着VGS的减小，漏极电流逐渐减小，直至ID＝0。对应ID＝0的VGS称为夹断电压或阈值电压，用符号VGS（off）或Up表示。

由于耗尽型MOSFET在VGS=0时，漏源之间的沟道已经存在，所以只要加上VDS，就有ID流通。如果增加正向栅压VGS，栅极与衬底之间的电场将使沟道中感应更多的电子，沟道变厚，沟道的电导增大。

如果在栅极加负电压（即VGS＜0），就会在相对应的衬底表面感应出正电荷，这些正电荷抵消N沟道中的电子，从而在衬底表面产生一个耗尽层，使沟道变窄，沟道电导减小。当负栅压增大到某一电压VGS（off）时，耗尽区扩展到整个沟道，沟道完全被夹断（耗尽），这时即使VDS仍存在，也不会产生漏极电流，即ID=0。

图表9 N沟道耗尽型MOS管结构（左）及转移特性（右）示意图

4、P沟道耗尽型场效应管原理

P沟道耗尽型MOS管的工作原理与N沟道耗尽型MOS管完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性也不同。

5、耗尽型与增强型MOS管的区别

耗尽型与增强型的主要区别在于耗尽型MOS管在G端（Gate）不加电压时有导电沟道存在，而增强型MOS管只有在开启后，才会出现导电沟道；两者的控制方式也不一样，耗尽型MOS管的VGS（栅极电压）可以用正、零、负电压控制导通，而增强型MOS管必须使得VGS>VGS（th）（栅极阈值电压）才行。

┃ Mosfet管的重要特性

1、导通特性

导通的意义是作为开关，相当于开关闭合。NMOS的特性，VGS大于一定的值就会导通，适用于源极接地时的情况（低端驱动），只需栅极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的特性是，VGS小于一定的值就会导通，适用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。

2、损失特性

不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，电流就会被电阻消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧至几十毫欧左右，选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。

3、寄生电容驱动特性

跟双极性晶体管相比，MOS管需要GS电压高于一定的值才能导通，而且还要求较快的导通速度。在MOS管的结构中可以看到，在GS、GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，理论上就是对电容的充放电。

图表10  4种MOS管特性比较示意图

4、寄生二极管

漏极和源极之间有一个寄生二极管，即“体二极管”，在驱动感性负载（如马达、继电器）应用中，主要用于保护回路。不过体二极管只在单个MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。

图表11 寄生二极管位置示意图

5、不同耐压MOS管特点

不同耐压的MOS管，其导通电阻中各部分电阻比例分布不同。如耐压30V的MOS管，其外延层电阻仅为总导通电阻的29%，耐压600V的MOS管的外延层电阻则是总导通电阻的96.5%。

图表12 不同耐压MOS管特点一览表

┃Mosfet管热门型号汇总

END

*免责声明：本文素材版权归原作者所有。icspec仅作引用和参考，不代表icspec的立场。如有异议，请联系我们修改或删除。

芯片规格书搜索工具

○

icspec

○

规格书查询|企业查询|行业资讯

找规格书，就上icspec！