bjt型号(BJT型号代表什么)

BJT型号代表什么

来源：icspec

IGBT

专栏

IGBT

当前的新能源车的模块系统由很多部分组成，如电池、VCU、BSM、电机等，但是这些都是发展比较成熟的产品，国内外的模块厂商已经开发了很多，但是有一个模块需要引起行业内的重视，那就是电机驱动部分，则是电机驱动部分最核心的元件IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor绝缘栅双极型晶体管芯片）。

IGBT的概念

IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由BJT(双极结型晶体三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。

简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点，如驱动功率小和饱和压降低等。

IGBT的基本原理

IGBT是以GTR为主导元件，MOSFET为驱动元件的达林顿结构的复合器件。其外部有三个电极，分别为G-栅极，C-集电极，E-发射极。

在IGBT使用过程中，可以通过控制其集-射极电压UCE和栅-射极电压UGE的大小，从而实现对IGBT导通/关断/阻断状态的控制。

1）当IGBT栅-射极加上加0或负电压时，MOSFET内沟道消失，IGBT呈关断状态。

2）当集-射极电压UCE＜0时，J3的PN结处于反偏，IGBT呈反向阻断状态。

3）当集-射极电压UCE＞0时，分两种情况：

①若栅-射极电压UGE＜Uth，沟道不能形成，IGBT呈正向阻断状态。

②若栅-射极电压UGE＞Uth，栅极沟道形成，IGBT呈导通状态（正常工作）。此时，空穴从P+区注入到N基区进行电导调制，减少N基区电阻RN的值，使IGBT通态压降降低。

IGBT的主要特点

1）具有非常低的导通压降与优秀的导通电流密度.所以可以使用更小尺寸的器件从而降低成本。

2）因为栅极结构使用MOS管的同类设计,所以驱动功率非常小,驱动电路也很简单.与可控硅/BJT这些电流控制型器件来比,在高压与高电流应用场景,IGBT非常易于控制。

3）与BJT相比具有更好的电流传导能力.在正向与反向隔离方面参数也更优秀。

2、不足之处

1）开关速度低于功率MOSFET,但是高于BJT.因为是少数载流子器件,集电极电流残余导致关断速度较慢。

2）因为内部的PNPN型可控硅结构,有一定概率会锁死。

IGBT产业链

IGBT是技术成熟的器件，产业链的各个环节都相对稳定。

IGBT核心技术为IGBT芯片的设计和制造以及IGBT模块的设计、制造和测试。行业壁垒非常高，包括对人才和设备的要求也极高。

行业认证周期长，车规级认证周期长达2~3年，定点企业先发优势明显。

IGBT制造属于资本密集型行业，一条年产25万片的8寸晶圆线投资额超20亿元。

IGBT产业链图谱及代表公司：

IGBT热门型号汇总

IGBT专栏

BJT型号为2N2222A

DKZ4　DK20　BD2　这是1号线的DKZ1510号线DKZ162号线DKZ513号线

24W以下电源，新型自供电BJT方案将全面取代其他方案？

那么作为追求稳定、低功耗、高性能的适配器市场呢？

就笔者了解到的行业现状：12W~18W产品中主流功率段如12V1.0A、12V1.5A等网通电源市场竞争也是十分激烈，趋于成本压力，传统现有方案已无法再降低成本，这种状态已经持续将近两年时间，而近期消费类电子市场利好消息也逐步增多，似乎都约好了一般扎堆出现，24W以下的适配器市场也逐渐风起云涌，大有掀起一场血雨腥风的趋势。

传统MOS管方案

VS

旧版BJT（三极管）方案

VS

新型自供电BJT（三极管）方案

是势均力敌，或是不堪一击？

从事半导体电子行业的朋友应该都知道，出于产品稳定性的考虑，现阶段18W、24W的适配器电源大部分依旧是采用的外挂MOS管或者内置合封MOS管方案，这种方案虽然稳定性较高，但也限制了产品的整体尺寸，而且MOS管不仅成本较高，其耐压也远远不及BJT（三极管），在这里我们为了方便区分，便称这种方案为：传统MOS管方案。

需求的提升必然催动着科技的进步，近几年，国产半导体技术逐步崛起，在适配器领域，国内的电源管理芯片厂商们也先后推出了使用BJT（三极管）的方案，这种方案相对于传统MOS管方案有了很大优势，不仅缩小了产品尺寸，也大大降低了方案成本，虽然相对传统MOS管方案在稳定性方面稍有降低，但对需要控制成本的下游厂商来说，也是一个不错的替代选择；今天我们暂且称这种方案为：旧版BJT方案。

那么今天的重点，新型自供电BJT（三极管）方案又是怎样的呢？据笔者了解到的信息，近期国内电源管理芯片设计厂商深圳市芯茂微电子有限公司推了集自供电、内置BJT的高耐压、高性能、高集成度的24W以下新型自有研发专利的自供电BJT芯片方案，据其公开资料显示，该种新型自供电芯片方案相对旧版BJT方案而言，不仅进一步缩小了方案产品的外观尺寸，集成了PCBA外围电路，也极大的降低了方案的整体成本，并且其稳定性能与MOS管方案持平，且因为高耐压、优化EMI、噪音等专项优化，其性能测试上更优于旧版BJT管方案与传统MOS管方案。

接下来我们就用下面图示做个简单对比：

1

芯茂微12W方案原理图

(LP3716CDL)

▲其他方案原理图

2

芯茂微18W方案原理图

(LP3716CDH+LP25R060S)

▲其他方案原理图

从以上图示中我们可以看出芯茂微的新型自供电BJT方案相较于传统方案，不仅芯片耐压要高、而且也节省了一组PCBA芯片的外围电路，在同样过认证方案产品的情况下，共计节省外围电子元器件数量达到了五个，新型自供电方案在成本上和传统mos对比，不仅外围成本下降0.12~0.2元，就笔者从其他渠道获知，该种芯片本身成本也下降了0.2~0.3元，我们以常用生产计量单位1KK（一百万）套，单个成品综合降低成本取中间数约0.4元计算：

1000000/套*0.4元=400000元

从以上简单计算得出，假如我们生产一百万套产品，总体成本将下降40万元，在保证产品整体性能不变，稳定性等同的情况下，面对如此大的成本下降空间，笔者不禁在想，相关应用厂商都会闻风而动吧！

而作为市场技术革新者的电源管理芯片设计原厂，芯茂微电子也将收获一波市场好评。

下面附上芯茂微新型自供电BJT方案产品型号列表：

应用范围

机顶盒、光猫、路由器等网通类产品；

智能调光、蓝牙音箱等智能家居类产品；

摄像头等安防类产品；

手电钻、电动螺丝刀等电动工具类产品；

对于此次芯茂微带来的这场适配器市场的技术及成本的变革，你怎么看？

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2012款捷达前卫性能怎么样？

2012款捷达前卫性能非常好，值得购买！

2012年的大众捷达前卫车型是比较不错的，可以购买。

大众捷达的百万纪念版车型与普通版车型实际上是没有太多的区别的，这款车型采用了大众捷达当中的顶配配置基本上属于高配车款，而且在车尾部分以及车门一字板部分都有一定的特殊标识，最明显的区别是在织布座椅上有百万纪念的标识。

bjt是什么型器件

品牌型号：华为MateBookD15

系统：Windows11

bjt指的就是双极型二极管，它是一个“两结三端”电流控制器件。

双极型晶体管是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度慢，输入阻抗小，功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。

晶体管是一种固体半导体器件（包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件），具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电信号来控制自身的开合，所以开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。

bjt发动机是什么型号？0

cpd是大众汽车的发动机型号。cpd出自ea211平台的，代号cpd就是1.6l排量

贴片三极管型号写着5CS横着写着3N这是什么型号的呀

BC807-40PNP三极管

BC807-40PNP

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

c1oo8是什么三极管？

C1OO8是一种NPN型晶体管，它具有高电流放大系数和低噪声特性。它的最大集电电流为500mA，最大集电-基极电压为30V，最大功率为625mW。C1OO8广泛应用于音频放大器、功率放大器、开关电源等电子设备中。它的高性能和可靠性使得它成为电子工程师们常用的元器件之一。

模拟电子怎么知道BJT的Vbeq是0.2v还是0.7v？

你下载一个pspice试试，这个软件可以模拟电路分析