锗三极管型号(锗管3ax31引脚图)

锗二极管的型号

3AX54A和3DG54都是国产晶体管的型号，3AX54A是低频小功率pnp型锗晶体三极管，3DG54A是高频小功率npn型硅晶体三极管。通常型号中首位“3”指三极管，第二位“A”为pnp锗管，“B”为npn锗管，“C”为pnp硅管，“D”是npn硅管；第三位“G”高频管，“X”低频管，“K”开关管。

锗二极管型号大全

3DG12B，3AX31,3DX204都是以前常用的国产三极管的型号。

3DG12B硅NPN高频中小功率管；3AX31锗PNP低频小功率管；3DX204硅NPN低频小功率管。

第一位：2表示二极管；3表示三极管。

第二位：A-锗PNP；B-锗NPN；C-硅PNP；D-硅NPN。

第三位：A-高频大功率；D-低频大功率；G-高频小功率；X-低频小功率。

3ak34锗管

器件会随着温度等客观因素的变化而变化。另外电压电流功率是三角形关系，有一个值达到极限会影响到别的值的非正常变化。三极管中硅管和锗管的区别有两点：一是导通电压不同硅管是0.65V锗管是0.2-0.3V二是硅管正向电阻较大一般在几千欧。锗管正向电阻在几百欧。硅管的热稳定性好。锗管的热稳定性差。硅半导体材料多。现在的半导体一般都是硅管。

锗管3ax31引脚图

2N3443是锗PNP三极管，耐压20V，最大集电极电流0.1A，特征频率＞75MHz。代换与兼容的三极管有AF106、AF109R、AF306、2N3323、2N3324、2N3325、3AG87C。

常用锗二极管型号

"晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件"

在电子元件家族中，三极管属于半导体主动元件中的分立元件。

广义上，三极管有多种，常见如下图所示。

狭义上，三极管指双极型三极管，是最基础最通用的三极管。

本文所述的是狭义三极管。其他内容可点击以下链接：

三极管的发明

晶体三极管出现之前是真空电子三极管在电子电路中以放大、开关功能控制电流。

真空电子管存在笨重、耗能、反应慢等缺点。

二战时，军事上急切需要一种稳定可靠、快速灵敏的电信号放大元件，研究成果在二战结束后获得。

早期，由于锗晶体较易获得，主要研制应用的是锗晶体三极管。硅晶体出现后，由于硅管生产工艺很高效，锗管逐渐被淘汰。

经半个世纪的发展，三极管种类繁多，形貌各异。

小功率三极管一般为塑料包封；大功率三极管一般为金属铁壳包封。

三极管核心结构

核心是“PN”结

是两个背对背的PN结

可以是NPN组合，也或以是PNP组合

由于硅NPN型是当下三极管的主流，以下内容主要以硅NPN型三极管为例：

NPN型三极管结构示意图

硅NPN型三极管的制造流程

管芯结构切面图

工艺结构特点：

发射区高掺杂：为了便于发射结发射电子，发射区半导体掺浓度高于基区的掺杂浓度，且发射结的面积较小；

基区尺度很薄:3~30μm，掺杂浓度低；

集电结面积大：集电区与发射区为同一性质的掺杂半导体，但集电区的掺杂浓度要低，面积要大，便于收集电子。

三极管不是两个PN结的间单拼凑，两个二极管是组成不了一个三极管的！

工艺结构在半导体产业相当重要，PN结不同材料成份、尺寸、排布、掺杂浓度和几何结构，能制成各样各样的元件，包括IC。

三极管电路符号

三极管电流控制原理示意图

三极管基本电路

外加电压使发射结正向偏置，集电结反向偏置。

集/基/射电流关系：

IE = IB +IC 

IC = β * IB

如果IB=0,那么IE=IC=0

三极管特性曲线

输入特性曲线

集-射极电压UCE为某特定值时，基极电流IB与基-射电压UBE的关系曲线。

UBER是三极管启动的临界电压，它会受集射极电压大小的影响，正常工作时，NPN硅管启动电压约为0.6V；

UBEBER时，三极管高绝缘，UBE>UBER时，三极管才会启动；

UCE增大，特性曲线右移，但当UCE>1.0V后，特性曲线几乎不再移动。

输出特性曲线

基极电流IB一定时，集极IC与集-射电压UCE之间的关系曲线，是一组曲线。

当IB=0时,IC→0,称为三极管处于截止状态，相当于开关断开；

当IB>0时,IB轻微的变化,会在IC上以几十甚至百多倍放大表现出来；

当IB很大时，IC变得很大，不能继续随IB的增大而增大，三极管失去放大功能，表现为开关导通。

三极管核心功能

放大功能：小电流微量变化，在大电流上放大表现出来。 

开关功能：以小电流控制大电流的通断。

三极管的放大功能

IC  = β * IB  （其中β≈10~400）

例：当基极通电流IB=50μA时,集极电流:

IC=βIB=120*50μA=6000μA

微弱变化的电信号通过三极管放大成波幅度很大的电信号，如下图所示：

所以，三极管放大的是信号波幅，三极管并不能放大系统的能量。

能放大多少？

那要看三极管的放大倍数β值了！

首先β由三极管的材料和工艺结构决定：

如硅三极管β值常用范围为：30~200

锗三极管β值常用范围为：30~100

β值越大，漏电流越大，β值过大的三极管性能不稳定。

其次β会受信号频率和电流大小影响： 

信号频率在某一范围内，β值接近一常数，当频率越过某一数值后，β值会明显减少。

β值随集电极电流IC的变化而变化，IC为mA级别时β值较小。一般地，小功率管的放大倍数比大功率管的大。

三极管主要性能参数

三极管性能参数较多，有直流、交流和极限参数之分：

类型

参数项

符号

意义

直流参数

共射直流放大系数

β

无交变信号输入，共射电路集基电流的比值。β=IC/IB

共基直流放大系数

α

无交变信号输入，共基极电路集射的比值。

集-射

反向电流

ICEO

基极开路，集-射极间反向电流，又称漏电流、穿透电流。

集极

反向电流

ICBO

射极开路时，集电结反向电流（漏电流）

ICEO=βICBO

交流参数

共射交流放大系数

β

共射电路，集基电流变化量比值：β=ΔIC/ΔIB

共基交流放大系数

α

共基电路，集射电流变化量比值：α=ΔIC/ΔIE

共射截止频率

ƒβ

β因频率升高3dB对应的频率

共基截止频率

ƒα

α因频率升高而下降3dB对应的频率

特征频率

ƒT

频率升高，β下降到1时对应的频率。

极限参数

集极最大电流

ICM

集极允许通过的最大电流。

集极最大功率

PCM

实际功率过大，三极管会烧坏。

集-射极击穿电压

UCEO

基极开路时，集-射极耐电压值。

温度对三极管性能的影响

温度几乎影响三极管所有的参数，其中对以下三个参数影响最大。 

（1）对放大倍数β的影响

在基极输入电流IB不变的情况下，集极电流IC会因温度上升而急剧增大。 

（2）对反向饱和电流（漏电流）ICEO的影响

 ICEO是由少数载流子漂移运动形成的，它与环境温度关系很大，ICEO随温度上升会急剧增加。温度上升10℃，ICEO将增加一倍。

虽然常温下硅管的漏电流ICEO很小，但温度升高后，漏电流会高达几百微安以上。 

（3）对发射结电压 UBE的影响

温度上升1℃，UBE将下降约2.2mV。 

温度上升，β、IC将增大，UCE将下降，在电路设计时应考虑采取相应的措施，如远离热源、散热等,克服温度对三极管性能的影响。

三极管的分类

分类角度

种类

说明

从技术工艺

按材料

硅三极管 0.6V

锗三极管 0.3V

一般地：

锗管为PNP型

硅管为NPN型

按结构

PNP型

NPN型

按制造工艺

平面型

合金型

扩散型

高频管多为扩散型

低频管多为合金型

从性能

按频率

低频管 

中频管  3~30(MHZ)

高频管 30~500 (MHZ)

超高频管  >500MHZ

按功率

小功率 PCM  

中功率 0.5CM

大功率 PCM  >1w

功率越大体积越大，散热要求越高。

功能

用途

放大管    开关管

高反压管  光电管

带阻尼管  数字管

从封装外形

按封装材料

金属封装  玻璃封装

陶瓷封装  塑料封装

薄膜封装

塑料封装为主流

金属封装成本较高

按封装形式

引线式 TO

贴片式 SOT

贴片式正逐步取代引线式。

三极管命名标识

不同的国家/地区对三极管型号命名方式不同。还有很多厂家使用自己的命名方式。

我国大陆地区三极管命名方式

3

D

D

12

X

2：二极管

3：三极管

A：PNP锗

B：NPN锗

C：PNP硅

D：NPN硅

X：低频小功率 G：高频小功率 D：低频大功率 A：高频大功率

序号

规格号

例：3DD12X NPN型低频大功率硅三极管

日本三极管型号命名方式

2

S

D

13

B

0：光电管

1：二极管

2：三极管

注册标识

A：PNP高频管 B：PNP低频管 C：NPN高频管 D：NPN低频管

电子协会登记顺序

改进型号

例：2SC1895 高频NPN型三极管

美国电子工业协会（EIA）三极管命名方式

JANS

2

N

2904

A

JANTX：特军级JANTXV：超特军JANS：宇航级

（无）：非军用品

1：二极管

2：三极管

“n”：n个PN    结元件

EIA注册标识

EIA登记顺序号

不同档别

例：JANS2N2904 宇航级三极管

欧洲三极管命名方式

B

C

208

A

A：锗管

B：硅管

C：低频小功率

D：低频大功率

F：高频小功率

L：高频大功率

登记顺序号

β的档别

例：BC208A 硅材料低频小功率三极管

三极管封装及管脚排列方式

关于封装

三极管设计额定功率越大，其体积就越大，又由于封装技术的不断更新发展，所以三极管有多种多样的封装形式。

当前，塑料封装是三极管的主流封装形式，其中“TO”和“SOT”形式封装最为常见。

关于管脚排列

不同品牌、不同封装的三极管管脚定义不完全一样的，一般地，有以上规律：

规律一：对中大功率三极管，集电极明显较粗大甚至以大面积金属电极相连，多处于基极和发射极之间；

规律二：对贴片三极管，面向标识时，左为基极，右为发射极，集电极在另一边；

基极—B    集电极—C    发射极—E

三极管的选用原则

考虑三极管的性能极限，按“2/3”安全原则选择合适的性能参数。:

集极电流IC：

IC2/3*ICM

ICM 集极最大允许电流

当IC>ICM时，三极管β值减小，失去放大功能。

 集极功率PW：

PWPCM

 PCM集极最大允许功率。

当PW >PCM 三极管将烧坏。

集-射反向电压UCE：

UCE2/3*UBVCEO

UBVCEO基极开路时,集-射反向击穿电压

集/射极间电压UCE>UBVCEO时，三极管产生很大的集电极电流击穿,造成永久性损坏。

工作频率ƒ：

ƒ=15%*ƒT

ƒT—特征频率

随着工作频率的升高，三极管的放大能力将会下降，对应于β=1 时的频率ƒT叫作三极管的特征频率。

此外，还应考虑体积成本，优先选用贴片式三极管。本文转自电子工程专辑

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锗三级管

S9012:PNP作用：放大材料：锗(Ge)极性：NPN型集电极最大允许电流ICM：1.5（A）集电极最大耗散功率PCM：3（W）截止频率fT：3（MHz）

锗二极管参数

以下列表数据是最常用的三极管型号:晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型IRFU02050V15A42W**NMOS场效应IRFPG421000V4A150W**NMOS场效应IRFPF40900V4.7A150W**NMOS场效应IRFP9240200V12A150W**PMOS场效应IRFP9140100V19A150W**PMOS场效应IRFP460500V20A250W**NMOS场效应IRFP450500V14A180W**NMOS场效应IRFP440500V8A150W**NMOS场效应IRFP353350V14A180W**NMOS场效应IRFP350400V16A180W**NMOS场效应IRFP340400V10A150W**NMOS场效应IRFP250200V33A180W**NMOS场效应IRFP240200V19A150W**NMOS场效应IRFP150100V40A180W**NMOS场效应晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型IRFP140100V30A150W**NMOS场效应IRFP05460V65A180W**NMOS场效应IRFI744400V4A32W**NMOS场效应IRFI730400V4A32W**NMOS场效应IRFD9120100V1A1W**NMOS场效应IRFD12380V1.1A1W**NMOS场效应IRFD120100V1.3A1W**NMOS场效应IRFD11360V0.8A1W**NMOS场效应IRFBE30800V2.8A75W**NMOS场效应IRFBC40600V6.2A125W**NMOS场效应IRFBC30600V3.6A74W**NMOS场效应IRFBC20600V2.5A50W**NMOS场效应IRFS9630200V6.5A75W**PMOS场效应IRF9630200V6.5A75W**PMOS场效应IRF9610200V1A20W**PMOS场效应晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型IRF954160V19A125W**PMOS场效应IRF953160V12A75W**PMOS场效应IRF9530100V12A75W**PMOS场效应IRF840500V8A125W**NMOS场效应IRF830500V4.5A75W**NMOS场效应IRF740400V10A125W**NMOS场效应IRF730400V5.5A75W**NMOS场效应IRF720400V3.3A50W**NMOS场效应IRF640200V18A125W**NMOS场效应IRF630200V9A75W**NMOS场效应IRF610200V3.3A43W**NMOS场效应IRF54180V28A150W**NMOS场效应IRF540100V28A150W**NMOS场效应IRF530100V14A79W**NMOS场效应IRF440500V8A125W**NMOS场效应晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频率管子类型IRF230200V9A79W**NMOS场效应IRF130100V14A79W**NMOS场效应BUZ20100V12A75W**NMOS场效应BUZ11A50V25A75W**NMOS场效应BS17060V0.3A0.63W**NMOS场效应2SC4582600V15A75W**NPN2SC4517550V3A30W**NPN2SC44291100V8A60W**NPN2SC4297500V12A75W**NPN2SC42881400V12A200W**NPN2SC4242450V7A40W**NPN2SC4231800V2A30W**NPN2SC41191500V15A250W**NPN2SC41111500V10A250W**NPN2SC4106500V7A50W*20MHZNPN

锗二极管 型号

三极管的分类识别

三极管全称“晶体三极管”，又称“晶体管”，是一种具有放大功能的半导体器件，在电子电路中有着广泛的应用。

三极管实际上是在一块半导体基片上制作两个距离很近的PN结。这两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分为基极(b)，两侧部分为集电极(c)和发射极(e)，排列方式有NPN和PNP两种。

功率

频率

封装类型

PN结材料

其他

三极管的参数识读主要包括型号标识信息的识读和引脚极性的识别。

各个国家生产的三极管型号命名原则不相同，具体的识读方法也不一样。下面简单介绍几种常见三极管型号的命名及识读方法

国产三极管型号标识信息的识读

在国产三极管型号标识中，表示“材料/极性”和“类型”字母或数字的含义见表。

典型国产三极管型号的识别方法

图中标识为“3AD50C”。其中，“3”表示三极管；“A”表示该管为锗材料PNP型；“D”表示该管为低频大功率管；“50”表示序号；“C”表示规格。因此，该三极管为低频大功率PNP型锗三极管。

日产三极管型号的识别

美产三极管型号的识别

3ax63锗管

xc1411是锗三极管。

锗三极管半导体电子器件，有两个PN结组成，可以对电流起放大作用，有3个引脚，晶体三极管分别为集电极（c)，基极（b)，发射极（e），电子三极管分别为屏极、栅极、阴极。有PNP和NPN型两种，以材料分有硅材料和锗材料两种。半导体三极管也称双极型晶体管，晶体三极管，简称三极管，是一种电流控制电流的半导体器件。作用：把微弱信号放大成辐值较大的电信号，也用作无触点开关。

锗管二极管型号

阁下问对人了，S9012是常用的小功率PNP型硅三极管。该三极管耐压值20V，Pcm=625mW，Icm=500mA。你面对型号，从左到右，引脚依次是：e、b、c。现在锗三极管已经很少了。以前常用的锗三极管有3AX31、3AG1、3AG21，常用的锗检波二极管是2AP9。这些锗管现在很难买到。你可以从老式收音机内拆得。你要是想获得锗检波二极管建议你在淘宝网上购买1N60二极管即可。前天我在网上看到有卖。价格0.1元一个。它是美国公司生产的锗检波二极管。