肖特基二极管型号(肖特基二极管型号对照表)

肖特基二极管型号区别

肖特基二极管种类繁多、封装多样、型号齐全，正向电流5A的肖特基二极管常用型号有：

1）电流5A封装TO-27肖特基二极管型号

SBR560L（电压60V压降0.5V）、SR520（电压20V压降0.55V）、SR530（电压30V压降0.55V）、SR540（电压40V压降0.55V）、SR550（电压50V压降0.7V）、SR560（电压60V压降0.7V）、SR580（电压80V压降0.85V）、SR5100（电压100V压降0.85V）、SR5150（电压150V压降0.92V）、SR5200（电压200V压降0.95V）、SR540L（电压40V压降0.47V）、SR560L（电压60V压降0.55V）、SR580L（电压80V压降0.75V）、SR5100L（电压100V压降0.75V）、SR5100L（电压100V压降0.75V）、SR5150L（电压150V压降0.85V）、SR5200L（电压200V压降0.85V）、SR5250（电压250V压降0.95V）、TSR540L（电压40V压降0.45V）、TSR560L（电压60V压降0.5V）、TSR5100L（电压100V压降0.65V）、TSR5200L（电压200V压降0.85V）、TSR5300L（电压300V压降0.9V）、TSS54LA（电压40V压降0.45V）、TSS510LA（电压100V压降0.65V）

……

2）电流5A封装DO-214AC肖特基二极管型号

SS52A（电压20V压降0.55V）、SS53A（电压30V压降0.55V）、SS54A（电压40V压降0.55V）、SS55A（电压50V压降0.7V）、SS56A（电压60V压降0.7V）、SS58A（电压80V压降0.85V）、SS510A（电压100V压降0.85V）、SS515A（电压150V压降0.92V）、SS520A（电压200V压降0.95V）、SS52A-Q（电压20V压降0.55V）、SS53A-Q（电压30V压降0.55V）、SS54A-Q（电压40V压降0.55V）、SS55A-Q（电压50V压降0.7V）、SS56A-Q（电压60V压降0.7V）、SS58A-Q（电压80V压降0.85V）、SS510A-Q（电压100V压降0.85V）、SS515A-Q（电压150V压降0.92V）、SS520A-Q（电压200V压降0.95V）、SS510LA（电压100V压降0.75V）……

3）电流5A封装SMAF肖特基二极管型号

SS54F（电压40V压降0.55V）、SS56F（电压60V压降0.7V）、SS510F（电压100V压降0.85V）、SS515F（电压150V压降0.95V）、SS520F（电压200V压降0.95V）、SS54F-Q（电压40V压降0.55V）、SS56F-Q（电压60V压降0.7V）、SS510F-Q（电压100V压降0.85V）、SS515F-Q（电压150V压降0.95V）、SS520F-Q（电压200V压降0.95V）、SS54LF（电压40V压降0.45V）……

4）电流5A封装DO-214AA肖特基二极管型号

SS52B（电压20V压降0.55V）、SS53B（电压30V压降0.55V）、SS54B（电压40V压降0.55V）、SS55B（电压50V压降0.7V）、SS56B（电压60V压降0.7V）、SS58B（电压80V压降0.85V）、SS510B（电压100V压降0.85V）、SS515B（电压150V压降0.92V）、SS520B（电压200V压降0.95V）、SS54LB（电压40V压降0.47V）、SS56LB（电压60V压降0.55V）、SS510LB（电压100V压降0.75V）、SS515LB（电压150V压降0.85V）、SS520LB（电压200V压降0.85V）、TSS52L（电压20V压降0.45V）、TSS53L（电压30V压降0.45V）、TSS54L（电压40V压降0.45V）、TSS55L（电压50V压降0.5V）、TSS56L（电压60V压降0.5V）、TSS57L（电压70V压降0.58V）、TSS58L（电压80V压降0.58V）、TSS59L（电压90V压降0.65V）、TSS510L（电压100V压降0.65V）……

5）电流5A封装SMBF肖特基二极管型号

SS52BF（电压20V压降0.55V）、SS53BF（电压30V压降0.55V）、SS54BF（电压40V压降0.55V）、SS55BF（电压50V压降0.7V）、SS56BF（电压60V压降0.7V）、SS58BF（电压80V压降0.85V）、SS510BF（电压100V压降0.85V）、SS515BF（电压150V压降0.92V）、SS520BF（电压200V压降0.95V）……

6）电流5A封装SMB-W肖特基二极管型号

SS52B-W（电压20V压降0.55V）、SS53B-W（电压30V压降0.55V）、SS54B-W（电压40V压降0.55V）、SS55B-W（电压50V压降0.7V）、SS56B-W（电压60V压降0.7V）、SS58B-W（电压80V压降0.85V）、SS510B-W（电压100V压降0.85V）、SS515B-W（电压150V压降0.92V）、SS520B-W（电压200V压降0.95V）……

7）电流5A封装DO-214AB肖特基二极管型号

SS52（电压20V压降0.55V）、SS53（电压30V压降0.55V）、SS54（电压40V压降0.55V）、SS55（电压50V压降0.7V）、SS56（电压60V压降0.7V）、SS58（电压80V压降0.85V）、SS510（电压100V压降0.85V）、SS515（电压150V压降0.92V）、SS520（电压200V压降0.95V）、SS52-Q（电压20V压降0.55V）、SS53-Q（电压30V压降0.55V）、SS54-Q（电压40V压降0.55V）、SS55-Q（电压50V压降0.7V）、SS56-Q（电压60V压降0.7V）、SS58-Q（电压80V压降0.85V）、SS510-Q（电压100V压降0.85V）、SS515-Q（电压150V压降0.92V）、SS520-Q（电压200V压降0.95V）、SS54L（电压40V压降0.47V）、SS56L（电压60V压降0.55V）、SS510L（电压100V压降0.75V）、SS515L（电压150V压降0.85V）、SS520L（电压200V压降0.85V）、SS510L（电压100V压降0.75V）、TSS52L（电压20V压降0.45V）、TSS53L（电压30V压降0.45V）、TSS54L（电压40V压降0.45V）、TSS55L（电压50V压降0.5V）、TSS56L（电压60V压降0.5V）、TSS57L（电压70V压降0.58V）、TSS58L（电压80V压降0.58V）、TSS59L（电压90V压降0.65V）、TSS510L（电压100V压降0.65V）、TSS530L（电压300V压降0.9V）……

具体参数详情，详见东沃电子肖特基二极管产品手册！

5A肖特基二极管SS52BF~SS520BF

肖特基二极管型号大全

**5100和sr5100都是5a/100v的肖特基二极管，只是生产厂家不同罢了，参数没什么太大区别，可以相互代替。**5100可代替的型号很多，例如：sr5a0、sr510等。也可以用参数稍大的来代替，如：**10100、sr10100、sr10a0等。二极管1n5408为3a/1000v普通整流二极管，不可以用以代替肖特基二极管或快恢复二极管。

肖特基二极管型号大全表

肖特基二极管常见型号1、肖特基它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。2、肖特基二极管的结构肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N外延层（砷材料）、N型硅基片、N阴极层及阴极金属等构成。在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式。常用的有引线式肖特基二极管，1N5817、1N5819、MBR1045、MBR20200等型号。也就是常说的插件封装。肖特基二极管型号_肖特基二极管常见型号_肖特基二极管型号大全肖特基二极管型号大全封装SMA:SS12、SS13、SS14、SS15、SS16、SS24、SS25、SS26、SS34、SS35、SS36封装SMB：SS24、SS25、SS26、SS34、SS35、SS36M7、SB240-SR260、SR2100、SR340-SR360、SR3100、SR540-SR560、SR5100、1N4007、1N5819

肖特基二极管型号选择

DigiKey得捷，来自美国的全类目电子元器件和自动化产品分销商，定期发布各类型的原创信息，获取2900+家知名厂商原厂授权，提供1540+万种产品供应，当天下单，即日发货。

关键词：肖特基二极管，二极管参数

摘要

本文详细分析了肖特基二极管的结构、特点，并以onsemiNSR0340HT1G为例，介绍了需要重点关注的几个关键参数。

我们在肖特基二极管设计过程中，肖特基二极管与普通二极管有什么区别，有哪些参数与特点我们需要留意。本文分享那些电感容易忽略关键参数。

什么是肖特基二极管？

肖特基二极管即热载流子二极管，是基于金属-半导体结制造而成。

肖特基二极管结构：

肖特基二极管的结构与普通二极管有所不同。肖特基二极管使用的是键合到N型掺杂材料中的单层薄金属，而不是双层掺杂半导体材料。这种金属与N型半导体层叠的组合也称为M-S结（金属-半导体结）。

这种金属可以是贵金属中的任何一种（如铂、钨、金等），具体取决于厂商的绝密配方。

结的金属侧形成了阳极，半导体侧成为阴极。正向偏压时，肖特基二极管的最大正向压降在0.2至0.5伏特范围内，具体取决于正向电流和二极管类型。当肖特基二极管与电源串联使用时，例如在反向电压保护电路中，这样的低正向压降是非常有用的，因为它能够降低功率损耗。

符号上与普通二极管的区别

图3：肖特基二极管的物理结构基于金属-N型半导体结，因而具有很低的正向压降和极快的开关速度。

特性与参数！

举例：onsemi NSR0340HT1G

(https://www.digikey.cn/zh/products/detail/onsemi/NSR0340HT1G/1981491?utm_medium=social&utm_source=wechat&utm_campaign=wechatsocial

反向电压

反向电压一般指的是反向偏置方向上可以施加到器件上，而不引起击穿的最大电压。

以 onsemiNSR0340HT1G 举例，数据手册

(https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/nsr0340h-d.pdf?utm_medium=social&utm_source=wechat&utm_campaign=wechatsocial

中的反向电压为40V，

与普通二极管相比，肖特基二极管由于耗尽区较窄，无法承受高反向电压；一段肖特基二极管反向电压范围在50V以内，而普通二极管的电压范围可以到500V甚至上千伏不等。

正向电流

正向电流，一般指的是指的是通过器件的最大允许时间平均电流量。

以 onsemiNSR0340HT1G举例，数据手册

(https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/nsr0340h-d.pdf?utm_medium=social&utm_source=wechat&utm_campaign=wechatsocial

中的正向电流典型值为250mA

正向电流也不是一直不变的，温度以及正向电压越大，正向电流越大。

与类似规格的普通二极管相比，一般来说，肖特基二极管在高功率应用中的功耗更低且散热效率更高。

正向电压

二极管不是无损器件;当正向偏置方向携带电流时，会出现一些压降，这被称为器件的正向电压。正向压降会随着正向电流调整。正向电流越大，正向电压也越大。

以 onsemiNSR0340HT1G 举例，数据手册

((https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/nsr0340h-d.pdf?utm_medium=social&utm_source=wechat&utm_campaign=wechatsocial中的正向电压：

当正向电流10mA的时候，正向电压典型值320mV

当正向电流100mA的时候，正向电压典型值415mV

当正向电流200mA的时候，正向电压典型值470mV

肖特基二极管与标准二极管相比，因为它是使用金属-半导体结而不是不同掺杂的半导体区域的结来构造的，通常具有较低的正向电压特性。

在正向偏压时，肖特基二极管只需0.3-0.4伏即可开始导通，而普通二极管则需要0.6-0.7伏。这在必须节能的应用中非常有益，如电池驱动和太阳能电池应用。

借助低正向电压的优势，肖特基二极管可以有效地保护敏感器件不受过电压的影响。

漏电流

在一定的反向偏置下流过二极管的电流不足以引起反向击穿，称为漏电流。漏电流不是一直不变的。一般情况下，漏电流通常会随着温度和施加的反向偏置电压的量而增加。

肖特基二极管与标准二极管相比，以及随之而来的漏电流较高、电气稳定性和长期可靠性较低。

以 onsemi NSR0340HT1G (https://www.digikey.cn/zh/products/detail/onsemi/NSR0340HT1G/1981491?utm_medium=social&utm_source=wechat&utm_campaign=wechatsocial

举例，数据手册（https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/nsr0340h-d.pdf?utm_medium=social&utm_source=wechat&utm_campaign=wechatsocial）中的漏电流：

当反向电压等于10V时，漏电流的典型值为0.2uA

当反向电压等于25V时，漏电流的典型值为0.4uA

当反向电压等于40V时，漏电流的典型值为1.3uA

下面这张图，我们可以清楚的看到漏电流随着反向电压以及温度的变化而变化。

我们可能会发现，当反向电压很高，温度很高的时候，漏电流几乎以指数的方式往上升。这个时候，之前可以忽略不计的漏电流无法忽视了。稍不注意，就可能导致热失控的情况，从而导致器件升温，引起进一步的漏电流，然后恶性循环直至器件损坏。

作为一个粗略的经验法则，当温度每升高10°C，漏电流就会增加一倍。如果为25°C的器件温度提供漏电流特性(这是常见的)，当器件温度接近其额定最大温度时，应该准备好观测值大约高出1000倍。

结电容

当反向偏压时，二极管两端的区域就像电容的电极一样。由于结的厚度在物理上相当小，因此产生的电容量可以是显著的，并且由于其有效厚度随施加的反向电压的量而变化，因此结电容也依赖于电压。

这种现象通常被利用来制造可变电容

（https://www.digikey.cn/zh/products/filter/%E4%BA%8C%E6%9E%81%E7%AE%A1/%E5%8F%AF%E5%8F%98%E7%94%B5%E5%AE%B9-%E5%8F%98%E5%AE%B9%E5%99%A8-%E5%8F%AF%E5%8F%98%E7%94%B5%E6%8A%97%E5%99%A8/282?WT.z_header=search_go&s=N4IgTCBcDaKDFyhA80IXeIC6BfIA?utm_medium=social&utm_source=wechat&utm_campaign=wechatsocial），并经常用于RF应用，但在其他用例中，它只是另一个隐藏的寄生元件，很容易被忽视，直到它引起问题。

以onsemiNSR0340HT1G

（https://www.digikey.cn/zh/products/detail/onsemi/NSR0340HT1G/1981491?utm_medium=social&utm_source=wechat&utm_campaign=wechatsocial）举例，数据手册（https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/nsr0340h-d.pdfutm_medium=social&utm_source=wechat&utm_campaign=wechatsocial）中的结电容：

在反向电压为10V，频率为1MHz的时候，结电容典型值为6pF

肖特基二极管的窄耗尽区，可形成低电容二极管。这意味着，与普通二极管相比，肖特基二极管可避免嗡嗡声和其他电容噪声，因此肖特基二极管成为RF电路的首选。

恢复时间

二极管表现出一个实质性的反向恢复现象，其中从正向偏压过渡到反向偏压状态的过程涉及一个短暂的电流通过器件的反向方向，在显著高于稳态漏电流的水平。

受影响的器件通常根据该恢复周期的时间持续时间进行分类或描述，例如“快速恢复”或“超快速恢复”，并进一步根据恢复过程中通过器件的电流波形的特征形状进行分类或描述，例如“软恢复”。

以 onsemi NSR0340HT1G （https://www.digikey.cn/zh/products/detail/onsemi/NSR0340HT1G/1981491?utm_medium=social&utm_source=wechat&utm_campaign=wechatsocial）举例，数据手册

(https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/nsr0340h-d.pdf?utm_medium=social&utm_source=wechat&utm_campaign=wechatsocial）中的恢复时间：

肖特基二极管常用于高效率电源和直流-直流电压转换器电路内，得益于其效率高且恢复时间短。

肖特基二极管电源上的应用！

肖特基二极管的另外一个重要特性是非常快的开关速度。从打开状态切换为关闭状态时，标准二极管需要花费一定时间来消除耗尽层的电荷，与之不同的是，肖特基二极管的金属-半导体结没有相关的耗尽层。

与硅结二极管相比，肖特基二极管的峰值反向电压额定值受到限制。因此它们通常限定用于低压开关模式电源。onsemi的 

1N5822RLG(https://www.digikey.cn/zh/products/detail/on-semiconductor/1N5822RLG/1N5822RLGOSCT-ND/807335?utm_medium=social&utm_source=wechat&utm_campaign=wechatsocial峰值反向电压(PRV)额定值高达40V，最大正向电流为3A。它可应用于开关模式电源的多个领域（图4）。

肖特基二极管可用于保护稳压器电路，防止在输入端意外施加反极性。本例中的二极管D1正是用于此用途。该二极管在此应用中的主要优势是正向压降较低。肖特基二极管（本例中的D2）另一个更重要的功能是，在开关关闭时提供返回路径，让电流流过电感器L1。D2必须是使用较短的低电感连线连接的快速二极管，才能实现这项功能。在低电压电源的这项应用中，肖特基二极管具有极佳的性能。

肖特基二极管还可应用于RF设计，它们的快速开关、低正向压降、低电容特性使其非常适用于检测器和采样保持开关。

总结

肖特基二极管的优缺点都非常明显。肖特基二极管有着低正向电压,高速开关,低噪声,低功耗的优势，我们常常可以在电压箝位，开关模式电源，电池供电器件等应用中看到他的身影。另一方面，肖特基二极管的缺点也很显著，漏电流大，反向电压较低，我们一定要在设计中格外小心。

更多有关二极管技术文章，请点击以下链接，也欢迎大家在文末留言讨论。

肖特基二极管与齐纳二极管在整流应用上，可否互相替代

PIN二极管-他们能处理多少功率?

二极管概述

二极管正向电压的重要性

TVS管和齐纳二极管有什么区别

小编的话

作为一种低功耗、超高速半导体器件，肖特基二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路。正如文章所言，虽然我们在相关系统电路设计中常常会用到肖特基二极管，但对一些关键参数和特性可能还没有给予足够的重视。您对文章中例举的这些关键参数有哪些理解？您对肖特基二极管的应用有哪些经验和疑问？欢迎留言，分享交流！

肖特基二极管型号怎么看

今天我们来说下,肖特基二极管的常见型号与作用,包括具体的参数。肖特基二极管的压降要比普通的二极管低很多,所以自身功耗小,效率很高；反向恢复时间极短,所以适宜工作在高频率状态下；目前常见的肖特基最高结温为150℃-175℃(结温越高表示产品抗温特性越好) 。

肖特基二极管的压降要比普通的二极管低很多,所以自身功耗小,效率很高；反向恢复时间极短,所以适宜工作在高频率状态下；目前常见的肖特基最高结温为150℃-175℃(结温越高表示产品抗温特性越好)。

一、1安培,封装：DO-41

1N5819、电流；1A、压降；0.55V、电压；40V

SR160、电流；1A、压降；0.7V、电压；60V

SR1100、电流；1A、压降；0.85V、电压；100V

二、2安培,封装：DO-15

SR240、电流；2A、压降0.55V、电压；40v

SR260、电流；2A、压降0.7V、电压；60v

SR2100、电流；2A、压降0.85V、电压；100v

三、3安培,封装：DO-27

SR340电流；3A、压降0.55V、电压；40v

SR360、电流；3A、压降0.7V、电压；60v

SR3100、电流；3A、压降0.85V、电压；100v

四、5安培,封装：DO-27

SR540电流；5A、压降0.55V、电压；40v

SR560、电流；5A、压降0.7V、电压；60v

SR5100、电流；5A、压降0.85V、电压；100v

五、1安培,贴片封装：DO-214AC

SS14、电流；1A、压降；0.55V、电压；40V

SS16、电流；1A、压降；0.7V、电压；60V

SS18、电流；1A、压降；0.85V、电压；80V

ss110、电流；1A、压降；0.85V、电压；100V

六、2安培,贴片封装；DO-214AC

SS24、电流；2A、压降；0.55V、电压；40V

SS26、电流；2A、压降；0.7V、电压；60V

SS28、电流；2A、压降；0.85V、电压；80V

SS210、电流；2A、压降；0.85V、电压；100V

七、3安培,贴片封装：DO-214AC

SS34、电流；3A、压降；0.55V、电压；40V

SS36、电流；3A、压降；0.7V、电压；60V

SS38、电流；3A、压降；0.85V、电压；80V

SS310、电流；3A、压降；0.85V、电压；100V

八、5安培,贴片封装：DO-214AC

SS54、电流；5A、压降；0.55V、电压；40V

SS56、电流；5A、压降；0.7V、电压；60V

SS58、电流；5A、压降；0.85V、电压；80V

SS510、电流；5A、压降；0.85V、电压；100V

更多文章

肖特基二极管型号及参数

导读： 二极管（Diode）算是半导体家族中的分立元器件中最简单的一类，其最明显的性质就是它的单向导电特性，就是说电流只能从一边过去，却不能从另一边过来(从正极流向负极)。本文从二极管的分类、命名方法，到常用二极管的特点及选用。也是模拟电路基础的，第一课内容。

一、基础知识

1、二极管的分类

二极管的种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）；按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。

根据二极管的不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、肖特基二极管、发光二极管等。

（注：上图取自 采芯网）

2、二极管的型号命名方法

（1）按照国产半导体器件型号命名方法：二极管的型号命名由五个部分组成：主称、材料与极性、类别、序号和规格号（同一类产品的档次）。

（2）日本半导体器件命名型号由以下5部分组成：

第一部分：用数字表示半导体器件有效数目和类型；“1”表示二极管，“2”表示三极管。

第二部分：用“S”表示已在日本电子工业协会登记的半导体器件；

第三部分：用字母表示该器件使用材料、极性和类型；

第四部分：表示该器件在日本电子工业协会的登记号；

第五部分：表示同一型号的改进型产品。

3、几种常见二极管特点

（1）整流二极管

将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管，因结电容大，故工作频率低。

通常，IF在1安以上的二极管采用金属壳封装，以利于散热；IF在1安以下的采用全塑料封装。

（2）开关二极管

在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，其特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。

开关二极管有接触型，平面型和扩散台面型几种，一般IF＜500毫安的硅开关二极管，多采用全密封环氧树脂，陶瓷片状封装。

（3）稳压二极管

稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，因为它能在电路中起稳压作用，故称为稳压二极管。

它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的。

（4）变容二极管

变容二极管是利用PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被广泛地用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路中。

变容二极管主要是通过结构设计及工艺等一系列途径来突出电容与电压的非线性关系，并提高Q值以适合应用。

（5）TVS二极管

TVS二极管（TransientVoltageSuppresser瞬态电压抑制器）是和被保护电路并联的，当瞬态电压超过电路的正常工作电压时，二极管发生雪崩，为瞬态电流提供通路，使内部电路免遭超额电压的击穿或超额电流的过热烧毁。

由于TVS二极管的结面积较大，使得它具有泄放瞬态大电流的优点，具有理想的保护作用。

二、二极管的参数选择

（1）额定正向工作电流

额定正向工作电流指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。

（2）最大浪涌电流

最大浪涌电流，是允许流过的过量正向电流，它不是正常电流，而是瞬间电流。其值通常是额定正向工作电流的20倍左右。

（3）最高反向工作电压

加在二极管两端的反向工作电压高到一定值时，管子将会击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电值。例如，lN4001二极管反向耐压为50V，lN4007的反向耐压为1000V。

（4）反向电流

反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。

反向电流与温度密切相关，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。

硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。

（5）反向恢复时间

从正向电压变成反向电压时，电流一般不能瞬时截止，要延迟一点点时间，这个时间就是反向恢复时间。它直接影响二极管的开关速度。

（6）最大功率

最大功率就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流。这个极限参数对稳压二极管等显得特别。

（7）频率特性

由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。

2、不同二极管的选用

（1）检波二极管

检波二极管一般可选用点接触型锗二极管，选用时，应根据电路的具体要求来选择工作频率高、反向电流小、正向电流足够大的检波二极管。

（2）整流二极管

整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中。选用整流二极管时，主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。

（3）稳压二极管

稳压二极管一般用在稳压电源中作为基准电压源或用在过电压保护电路中作为保护二极管。选用的稳压二极管，应满足应用电路中主要参数的要求。稳压二极管的稳定电压值应与应用电路的基准电压值相同，稳压二极管的最大稳定电流应高于应用电路的最大负载电流50％左右。

（4）开关二极管

开关二极管主要应用于收录机、电视机、影碟机等家用电器及电子设备有开关电路、检波电路、高频脉冲整流电路等。

中速开关电路和检波电路，可以选用2AK系列普通开关二极管。高速开关电路可以选用RLS系列、1SS系列、1N系列、2CK系列的高速开关二极管。

要根据应用电路的主要参数（如正向电流、最高反向电压、反向恢复时间等）来选择开关二极管的具体型号。

（5）变容二极管

选用变容二极管时，应着重考虑其工作频率、最高反向工作电压、最大正向电流和零偏压结电容等参数是否符合应用电路的要求，应选用结电容变化大、高Q值、反向漏电流小的变容二极管。

3、TVS二极管选型

（1）最小击穿电压VBR和击穿电流IR。VBR是TVS最小的击穿电压，在25℃时，低于这个电压TVS是不会产生雪崩的。当TVS流过规定的1mA电流（IR）时，加于TVS两极的电压为其最小击穿电压VBR。按TVS的VBR与标准值的离散程度，可把VBR分为5％和10％两种。对于5％的VBR来说，VWM=0.85VBR；对于10％的VBR来说，VWM=0.81VBR。为了满足IEC61000-4-2国际标准，TVS二极管必须达到可以处理最小8kV（接触）和15kV（空气）的ESD冲击，部份半导体厂商在自己的产品上使用了更高的抗冲击标准。对于某些有特殊要求的可携设备应用，设计者可以依需要挑选元件。

（2）最大反向漏电流ID和额定反向切断电压VWM。VWM是二极管在正常状态时可承受的电压，此电压应大于或等于被保护电路的正常工作电压，否则二极管会不断截止回路电压；但它又需要尽量与被保护回路的正常工作电压接近，这样才不会在TVS工作以前使整个回路面对过压威胁。当这个额定反向切断电压VWM加于TVS的两极间时它处于反向切断状态，流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流ID。

（3）最大钳位电压VC和最大峰值脉冲电流IPP。当持续时间为20ms的脉冲峰值电流IPP流过TVS时，在其两端出现的最大峰值电压为VC。VC、IPP反映了TVS的突波抑制能力。VC与VBR之比称为钳位因子，一般在1.2~1.4之间。VC是二极管在截止状态提供的电压，也就是在ESD冲击状态时通过TVS的电压，它不能大于被保护回路的可承受极限电压，否则元件面临被损伤的危险。

（4）Pppm额定脉冲功率，这是基于最大截止电压和此时的峰值脉冲电流。对于手持设备，一般来说500W的TVS就足够了。最大峰值脉冲功耗PM是TVS能承受的最大峰值脉冲功耗值。在特定的最大钳位电压下，功耗PM越大，其突波电流的承受能力越大。在特定的功耗PM下，钳位电压VC越低，其突波电流的承受能力越大。另外，峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。而且，TVS所能承受的瞬态脉冲是不重覆的，元件规定的脉冲重覆频率（持续时间与间歇时间之比）为0.01％。如果电路内出现重覆性脉冲，应考虑脉冲功率的累积，有可能损坏TVS。

（5）电容器量C。电容器量C是由TVS雪崩结截面决定的，是在特定的1MHz频率下测得的。C的大小与TVS管的电流承受能力成正比，C太大将使讯号衰减。因此，C是数据介面电路选用TVS的重要参数。电容器对于数据/讯号频率越高的回路，二极管的电容器对电路的干扰越大，形成噪音或衰减讯号强度，因此需要根据回路的特性来决定所选元件的电容器范围。高频回路一般选择电容器应尽量小（如SAC（500W，50pF，±10%）、LCE（1.5KW，100pF）、低电容器TVS），而对电容器要求不高的回路电容器选择可高于40pF。

4、肖特基二极管与普通二极管的区别

硅管的初始导通压降是0.5V左右，正常导通压降是0.7V左右，在接近极限电流情况下导通压降是1V左右；锗管的初始导通压降是0.2V左右，正常导通压降是0.3V左右，在接近极限电流情况下导通压降是0.4V左右，肖特基二极管的初始导通压降是0.4V左右，正常导通压降是0.5V左右，在接近极限电流情况下导通压降是0.8V左右。

两种二极管都是单向导电，可用于整流场合。区别是普通硅二极管的耐压可以做得较高，但是它的恢复速度低，只能用在低频的整流上，如果是高频的就会因为无法快速恢复而发生反向漏电，最后导致管子严重发热烧毁;肖特基二极管的耐压能常较低，但是它的恢复速度快，可以用在高频场合，故开关电源采用此种二极管作为整流输出用，尽管如此，开关电源上的整流管温度还是很高的。

快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下)，工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V)，反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(SchottkyBarrierDiode)，具有正向压降低(0.4--0.5V)、反向恢复时间很短(10-40纳秒)，而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。这两种管子通常用于开关电源。肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~!前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~!电气特性当然都是二极管阿~!快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。

4、肖特基二极管与快恢复二极管的区别

肖特基二极管：

反向耐压值较低(一般小于150V)，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。

其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的

PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。

快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的

扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.

目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 

快恢复二极管FRD（FastRecoveryDiode）是近年来问世的新型半导体器件，具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快恢复二极管SRD（SuperfastRecovery Diode），则是在快恢复二极管基础上发展而成的，其反向恢复时间trr值已接近于肖特基二极管的指标。它们可广泛用于开关电源、脉宽调制器（PWM）、不间断电源（UPS）、交流电动机变频调速（VVVF）、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。

肖特基二极管：反向耐压值较低(一般小于150V)，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 

快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.快恢复二极管FRD（FastRecoveryDiode）是近年来问世的新型半导体器件，具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快恢复二极管SRD（SuperfastRecoveryDiode），则是在快恢复二极管基础上发展而成的，其反向恢复时间trr值已接近于肖特基二极管的指标。它们可广泛用于开关电源、脉宽调制器（PWM）、不间断电源（UPS）、交流电动机变频调速（VVVF）、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。

5、TVS二极管与ESD防护二极管的区别

TVS瞬态电压抑制

这里不论TV是如何产生的,比如直接或者间接的雷击,静电放电,大容量的负载投切等因素导致的浪涌.电压从几伏到几十千伏甚至更高. 

ESD静电放电保护 

其中主要应用是HBM 和 MM,简单说,就是人或者设备对器件放电(静电),但是器件不能损坏. 

典型的HBMCLASS1C模型规定一个充电1000V-2000V的100pF的电容通过一个1500欧姆的电阻对器件放电. 

MM模型要比人体模型能量大一些.电容是200pF,电压大概在200-400之间,不过没有串联电阻了. 

典型的人体模型放电,峰值电流小于0.75A,时间150ns 

典型的机器模型放电,峰值电流小于8A,时间5ns 

典型的雷击浪涌(电力线入线处使用的TVS)峰值电流3000A,时间20us

TVS二极管和ESD防护二极管原理是一样的,但根据功率和封装来分就不一样. 

ESD防护二极管和TVS比较的话,要看用在那些用途上,像ESD主要是用来防静电,防静电就要求电容值低,一般是1--3.5PF之间为最好.而TVS就做不到这一点,TVS的电容值比较高。

肖特基二极管型号对照表

：点击↑"电源联盟"订阅高可靠电源行业第一自媒体

肖特基二极管与其他二极管的区别

问:普通硅二极管与肖特基二极管的异同？

答：两种二极管都是单向导电，可用于整流场合。

区别是普通硅二极管的耐压可以做得较高，但是它的恢复速度低，只能用在低频的整流上，如果是高频的就会因为无法快速恢复而发生反向漏电，最后导致管子严重发热烧毁；肖特基二极管的耐压能常较低，但是它的恢复速度快，可以用在高频场合，故开关电源采用此种二极管作为整流输出用，尽管如此，开关电源上的整流管温度还是很高的。

快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。

肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(SchottkyBarrierDiode），具有正向压降低（0.4--0.5V）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。

这两种管子通常用于开关电源。

肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~！

前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~！电气特性当然都是二极管阿~！

快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.

问:肖特基二极管与普通二极管从外观上如何区分？

注意：是从外观上如何区别？肖特基二极管与普通二极管标识有何区别？

答：除了型号，外形上一般没什么区别，但可以测量正向压降进行区别，直接用数字万用表测（小电流）普通二极管在0.5V以上，肖特基二极管在0.3V以下，大电流时普通二极管在0.8V左右，肖特基二极管在0.5V以下；SR350就是表示3A50V。另肖特基二极管耐压一般在100V以下，没有150V以上的。

问:多种二极管的检测方法是怎样的？

答：（一）普通二极管的检测（包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管）

是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。

1．极性的判别 将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，对调两表笔，再测出一个结果。两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。

2．单负导电性能的检测及好坏的判断 通常，锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。

若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。

3．反向击穿电压的检测 二极管反向击穿电压（耐压值）可以用晶体管直流参数测试表测量。其方法是：测量二极管时，应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态，再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内，负极插入测试表的“e”插孔，然后按下“V（BR）”键，测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。

也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接，将二极管的正极与兆欧表的负极相连，同时用万用表（置于合适的直流电压档）监测二极管两端的电压。如图4-71所示，摇动兆欧表手柄（应由慢逐渐加快），待二极管两端电压稳定而不再上升时，此电压值即是二极管的反向击穿电压。

（二）稳压二极管的检测

1．正、负电极的判别 从外形上看，金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形，负极一端为半圆面形。塑封稳压二极管管体上印有彩色标记的一端为负极，另一端为正极。对标志不清楚的稳压二极管，也可以用万用表判别其极性，测量的方法与普通二极管相同，即用万用表R×1k档，将两表笔分别接稳压二极管的两个电极，测出一个结果后，再对调两表笔进行测量。在两次测量结果中，阻值较小那一次，黑表笔接的是稳压二极管的正极，红表笔接的是稳压二极管的负极。

若测得稳压二极管的正、反向电阻均很小或均为无穷大，则说明该二极管已击穿或开路损坏。

2．稳压值的测量 用0~30V连续可调直流电源，对于13V以下的稳压二极管，可将稳压电源的输出电压调至15V，将电源正极串接1只1.5kΩ限流电阻后与被测稳压二极管的负极相连接，电源负极与稳压二极管的正极相接，再用万用表测量稳压二极管两端的电压值，所测的读数即为稳压二极管的稳压值。若稳压二极管的稳压值高于15V，则应将稳压电源调至20V以上。

也可用低于1000V的兆欧表为稳压二极管提供测试电源。其方法是：将兆欧表正端与稳压二极管的负极相接，兆欧表的负端与稳压二极管的正极相接后，按规定匀速摇动兆欧表手柄，同时用万用表监测稳压二极管两端电压值（万用表的电压档应视稳定电压值的大小而定），待万用表的指示电压指示稳定时，此电压值便是稳压二极管的稳定电压值。

若测量稳压二极管的稳定电压值忽高忽低，则说明该二极管的性不稳定。

（三）肖特基二极管的检测

二端型肖特基二极管可以用万用表R×1档测量。正常时，其正向电阻值（黑表笔接正极）为2.5~3.5Ω，投向电阻值为无穷大。若测得正、反电阻值均为无穷大或均接近0，则说明该二极管已开路或击穿损坏。

三端型肖特基二极管应先测出其公共端，判别出共阴对管，还是共阳对管，然后再分别测量两个二极管的正、反向电阻值。

高可靠电源行业第一自媒体