锗管型号(锗管型号有哪些)

锗管缺点

数值在中间的永远都是基极b

锗管电压是多少

搦管（nuòguǎn）是一个汉词，有握笔，执笔为文；谓吹奏管乐器的意思。

锗管有哪些

Φ245管的公称直径就是245mm。

锗管ube

锗三极管现在很难买到。建议你从二三十年前的老式收音机、录音机、扩音机内拆得。锗管大都是金属壳封装。塑封的很少。那时最常见的锗管有：3AG1、3AG10（锗高频三极管），3AX21、3AX31（锗低频管），以上都是PNP管。

由于采用锗材料生产NPN管工艺上较难，故NPN型的锗三极管很少，常用的是3BX31。尤其是NPN型的锗高频管可以说是寥若晨星。

锗管图片

这是只锗管，具体参数待查。

锗管优点

万用表的使用方法

万用表使用的注意事项

（1）在使用万用表之前，应先进行“机械调零”，即在没有被测电量时，使万用表指针指在零电压或零电流的位置上。（2）在使用万用表过程中，不能用手去接触表笔的金属部分，这样一方面可以保证测量的准确，另一方面也可以保证人身安全。（3）在测量某一电量时，不能在测量的同时换档，尤其是在测量高电压或大电流时，更应注意。否则，会使万用表毁坏。如需换挡，应先断开表笔，换挡后再去测量。（4）万用表在使用时，必须水平放置，以免造成误差。同时，还要注意到避免外界磁场对万用表的影响。（5）万用表使用完毕，应将转换开关置于交流电压的最大挡。如果长期不使用，还应将万用表内部的电池取出来，以免电池腐蚀表内其它器件。

①、估测微波法级电容容量的大小：可凭经验或参照相同容量的标准电容，根据指针摆动的最大幅度来判定。所参照的电容不必耐压值也一样，只要容量相同即可，例如估测一个100μF/250V的电容可用一个100μF/25V的电容来参照，只要它们指针摆动最大幅度一样，即可断定容量一样。

②、估测皮法级电容容量大小：要用R×10kΩ档，但只能测到1000pF以上的电容。对1000pF或稍大一点的电容，只要表针稍有摆动，即可认为容量够了。

③、测电容是否漏电：对一千微法以上的电容，可先用R×10Ω档将其快速充电，并初步估测电容容量，然后改到R×1kΩ档继续测一会儿，这时指针不应回返，而应停在或十分接近∞处，否则就是有漏电现象。对一些几十微法以下的定时或振荡电容（比如彩电开关电源的振荡电容），对其漏电特性要求非常高，只要稍有漏电就不能用，这时可在R×1kΩ档充完电后再改用R×10kΩ档继续测量，同样表针应停在∞处而不应回返。

3、在路测二极管、三极管、稳压管好坏：因为在实际电路中，三极管的偏置电阻或二极管、稳压管的周边电阻一般都比较大，大都在几百几千欧姆以上，这样，我们就可以用万用表的R×10Ω或R×1Ω档来在路测量PN结的好坏。在路测量时，用R×10Ω档测PN结应有较明显的正反向特性（如果正反向电阻相差不太明显，可改用R×1Ω档来测），一般正向电阻在R×10Ω档测时表针应指示在200Ω左右，在R×1Ω档测时表针应指示在30Ω左右（根据不同表型可能略有出入）。如果测量结果正向阻值太大或反向阻值太小，都说明这个PN结有问题，这个管子也就有问题了。这种方法对于维修时特别有效，可以非常快速地找出坏管，甚至可以测出尚未完全坏掉但特性变坏的管子。比如当你用小阻值档测量某个PN结正向电阻过大，如果你把它焊下来用常用的R×1kΩ档再测，可能还是正常的，其实这个管子的特性已经变坏了，不能正常工作或不稳定了。

4、测电阻：重要的是要选好量程，当指针指示于1/3～2/3满量程时测量精度最高，读数最准确。要注意的是，在用R×10k电阻档测兆欧级的大阻值电阻时，不可将手指捏在电阻两端，这样人体电阻会使测量结果偏小。

5、测稳压二极管：我们通常所用到的稳压管的稳压值一般都大于1.5V，而指针表的R×1k以下的电阻档是用表内的1.5V电池供电的，这样，用R×1k以下的电阻档测量稳压管就如同测二极管一样，具有完全的单向导电性。但指针表的R×10k档是用9V或15V电池供电的，在用R×10k测稳压值小于9V或15V的稳压管时，反向阻值就不会是∞，而是有一定阻值，但这个阻值还是要大大高于稳压管的正向阻值的。如此，我们就可以初步估测出稳压管的好坏。但是，好的稳压管还要有个准确的稳压值，业余条件下怎么估测出这个稳压值呢？不难，再去找一块指针表来就可以了。方法是：先将一块表置于R×10k档，其黑、红表笔分别接在稳压管的阴极和阳极，这时就模拟出稳压管的实际工作状态，再取另一块表置于电压档V×10V或V×50V（根据稳压值）上，将红、黑表笔分别搭接到刚才那块表的的黑、红表笔上，这时测出的电压值就基本上是这个稳压管的稳压值。说“基本上”，是因为第一块表对稳压管的偏置电流相对正常使用时的偏置电流稍小些，所以测出的稳压值会稍偏大一点，但基本相差不大。这个方法只可估测稳压值小于指针表高压电池电压的稳压管。如果稳压管的稳压值太高，就只能用外加电源的方法来测量了（这样看来，我们在选用指针表时，选用高压电池电压为15V的要比9V的更适用些）。

6、测三极管：通常我们要用R×1kΩ档，不管是NPN管还是PNP管，不管是小功率、中功率、大功率管，测其be结cb结都应呈现与二极管完全相同的单向导电性，反向电阻无穷大，其正向电阻大约在10K左右。为进一步估测管子特性的好坏，必要时还应变换电阻档位进行多次测量，方法是：置R×10Ω档测PN结正向导通电阻都在大约200Ω左右；置R×1Ω档测PN结正向导通电阻都在大约30Ω左右，（以上为47型表测得数据，其它型号表大概略有不同，可多试测几个好管总结一下，做到心中有数）如果读数偏大太多，可以断定管子的特性不好。还可将表置于R×10kΩ再测，耐压再低的管子（基本上三极管的耐压都在30V以上），其cb结反向电阻也应在∞，但其be结的反向电阻可能会有些，表针会稍有偏转（一般不会超过满量程的1/3，根据管子的耐压不同而不同）。同样，在用R×10kΩ档测ec间(对NPN管）或ce间（对PNP管）的电阻时，表针可能略有偏转，但这不表示管子是坏的。但在用R×1kΩ以下档测ce或ec间电阻时，表头指示应为无穷大，否则管子就是有问题。应该说明一点的是，以上测量是针对硅管而言的，对锗管不适用。不过现在锗管也很少见了。另外，所说的“反向”是针对PN结而言，对NPN管和PNP管方向实际上是不同的。

用万用表准确判断三极管的引脚的b、c、e极性方法：

现在常见的三极管大部分是塑封的，如何准确判断三极管的三只引脚哪个是b、c、e？三极管的b极很容易测出来，但怎么断定哪个是c哪个是e？

这里推荐三种方法：

第一种方法：对于有测三极管hFE插孔的指针表，先测出b极后，将三极管随意插到插孔中去（当然b极是可以插准确的），测一下hFE值，然后再将管子倒过来再测一遍，测得hFE值比较大的一次，各管脚插入的位置是正确的。

第二种方法：对无hFE测量插孔的表，或管子太大不方便插入插孔的，可以用这种方法：对NPN管，先测出b极（管子是NPN还是PNP以及其b脚都很容易测出，是吧？），将表置于R×1kΩ档，将红表笔接假设的e极（注意拿红表笔的手不要碰到表笔尖或管脚），黑表笔接假设的c极，同时用手指捏住表笔尖及这个管脚，将管子拿起来，用你的舌尖舔一下b极，看表头指针应有一定的偏转，如果你各表笔接得正确，指针偏转会大些，如果接得不对，指针偏转会小些，差别是很明显的。由此就可判定管子的c、e极。对PNP管，要将黑表笔接假设的e极（手不要碰到笔尖或管脚），红表笔接假设的c极，同时用手指捏住表笔尖及这个管脚，然后用舌尖舔一下b极，如果各表笔接得正确，表头指针会偏转得比较大。当然测量时表笔要交换一下测两次，比较读数后才能最后判定。这个方法适用于所有外形的三极管，方便实用。根据表针的偏转幅度，还可以估计出管子的放大能力，当然这是凭经验的。

第三种方法：先判定管子的NPN或PNP类型及其b极后，将表置于R×10kΩ档，对NPN管，黑表笔接e极，红表笔接c极时，表针可能会有一定偏转，对PNP管，黑表笔接c极，红表笔接e极时，表针可能会有一定的偏转，反过来都不会有偏转。由此也可以判定三极管的c、e极。不过对于高耐压的管子，这个方法就不适用了。对于常见的进口型号的大功率塑封管，其c极基本都是在中间（我还没见过b在中间的）。中、小功率管有的b极可能在中间。比如常用的9014三极管及其系列的其它型号三极管、2SC1815、2N5401、2N5551等三极管，其b极有的在就中间。当然它们也有c极在中间的。所以在维修更换三极管时，尤其是这些小功率三极管，不可拿来就按原样直接安上，一定要先测一下。

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锗管的ubeq

"晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件"

在电子元件家族中，三极管属于半导体主动元件中的分立元件。

广义上，三极管有多种，常见如下图所示。

狭义上，三极管指双极型三极管，是最基础最通用的三极管。

本文所述的是狭义三极管，它有很多别称:

三极管的发明

晶体三极管出现之前是真空电子三极管在电子电路中以放大、开关功能控制电流。

真空电子管存在笨重、耗能、反应慢等缺点。

二战时，军事上急切需要一种稳定可靠、快速灵敏的电信号放大元件，研究成果在二战结束后获得。

早期，由于锗晶体较易获得，主要研制应用的是锗晶体三极管。硅晶体出现后，由于硅管生产工艺很高效，锗管逐渐被淘汰。

经半个世纪的发展，三极管种类繁多，形貌各异。　　

小功率三极管一般为塑料包封；

大功率三极管一般为金属铁壳包封。

三极管核心结构

核心是“PN”结

是两个背对背的PN结

可以是NPN组合，也或以是PNP组合

由于硅NPN型是当下三极管的主流，以下内容主要以硅NPN型三极管为例！

NPN型三极管结构示意图

硅NPN型三极管的制造流程

管芯结构切面图

工艺结构特点：

发射区高掺杂：为了便于发射结发射电子，发射区半导体掺浓度高于基区的掺杂浓度，且发射结的面积较小;

基区尺度很薄:3~30μm，掺杂浓度低;

集电结面积大：集电区与发射区为同一性质的掺杂半导体，但集电区的掺杂浓度要低，面积要大，便于收集电子。

三极管不是两个PN结的间单拼凑，两个二极管是组成不了一个三极管的！

工艺结构在半导体产业相当重要，PN结不同材料成份、尺寸、排布、掺杂浓度和几何结构，能制成各样各样的元件，包括IC。

三极管电路符号

三极管电流控制原理示意图

三极管基本电路

外加电压使发射结正向偏置，集电结反向偏置。

集/基/射电流关系：

IE = IB +IC 

IC = β * IB

如果IB=0,那么IE=IC=0

三极管特性曲线

输入特性曲线

集-射极电压UCE为某特定值时，基极电流IB与基-射电压UBE的关系曲线。

UBER是三极管启动的临界电压，它会受集射极电压大小的影响，正常工作时，NPN硅管启动电压约为0.6V；

UBEBER时，三极管高绝缘，UBE>UBER时，三极管才会启动；

UCE增大，特性曲线右移，但当UCE>1.0V后，特性曲线几乎不再移动。

输出特性曲线

基极电流IB一定时，集极IC与集-射电压UCE之间的关系曲线，是一组曲线。

当IB=0时,IC→0,称为三极管处于截止状态，相当于开关断开;

当IB>0时,IB轻微的变化,会在IC上以几十甚至百多倍放大表现出来;

当IB很大时，IC变得很大，不能继续随IB的增大而增大，三极管失去放大功能，表现为开关导通。

三极管核心功能：

放大功能：小电流微量变化，在大电流上放大表现出来。 

开关功能：以小电流控制大电流的通断。

三极管的放大功能

IC = β * IB （其中β≈10~400）

例：当基极通电流IB=50μA时,集极电流:

IC=βIB=120*50μA=6000μA

微弱变化的电信号通过三极管放大成波幅度很大的电信号，如下图所示：

所以，三极管放大的是信号波幅，三极管并不能放大系统的能量。

能放大多少？

哪要看三极管的放大倍数β值了！

首先β由三极管的材料和工艺结构决定：

如硅三极管β值常用范围为：30~200

锗三极管β值常用范围为：30~100

β值越大，漏电流越大，β值过大的三极管性能不稳定。

其次β会受信号频率和电流大小影响： 

信号频率在某一范围内，β值接近一常数，当频率越过某一数值后，β值会明显减少。

β值随集电极电流IC的变化而变化，IC为mA级别时β值较小。一般地，小功率管的放大倍数比大功率管的大。

三极管主要性能参数

三极管性能参数较多，有直流、交流和极限参数之分：

类型

参数项

符号

意义

直流参数

共射直流放大系数

β

无交变信号输入，共射电路集基电流的比值。β=IC/IB

共基直流放大系数

α

无交变信号输入，共基极电路集射的比值。

集-射

反向电流

ICEO

基极开路，集-射极间反向电流，又称漏电流、穿透电流。

集极

反向电流

ICBO

射极开路时，集电结反向电流（漏电流）

ICEO=βICBO

交流参数

共射交流放大系数

β

共射电路，集基电流变化量比值：β=ΔIC/ΔIB

共基交流放大系数

α

共基电路，集射电流变化量比值：α=ΔIC/ΔIE

共射截止频率

ƒβ

β因频率升高3dB对应的频率

共基截止频率

ƒα

α因频率升高而下降3dB对应的频率

特征频率

ƒT

频率升高，β下降到1时对应的频率。

极限参数

集极最大电流

ICM

集极允许通过的最大电流。

集极最大功率

PCM

实际功率过大，三极管会烧坏。

集-射极击穿电压

UCEO

基极开路时，集-射极耐电压值。

温度对三极管性能的影响

温度几乎影响三极管所有的参数，其中对以下三个参数影响最大。 

（1）对放大倍数β的影响：

在基极输入电流IB不变的情况下，集极电流IC会因温度上升而急剧增大。 

（2）对反向饱和电流（漏电流）ICEO的影响：

 ICEO是由少数载流子漂移运动形成的，它与环境温度关系很大，ICEO随温度上升会急剧增加。温度上升10℃，ICEO将增加一倍。

虽然常温下硅管的漏电流ICEO很小，但温度升高后，漏电流会高达几百微安以上。 

（3）对发射结电压UBE的影响：

温度上升1℃，UBE将下降约2.2mV。 

温度上升，β、IC将增大，UCE将下降，在电路设计时应考虑采取相应的措施，如远离热源、散热等,克服温度对三极管性能的影响。

三极管的分类

分类角度

种类

说明

从技术工艺

按材料

硅三极管0.6V

锗三极管0.3V

一般地：

锗管为PNP型

硅管为NPN型

按结构

PNP型

NPN型

按制造工艺

平面型

合金型

扩散型

高频管多为扩散型

低频管多为合金型

从性能

按频率

低频管

中频管 3~30(MHZ)

高频管30~500 (MHZ)

超高频管 >500MHZ

按功率

小功率PCM 

中功率0.5CM

大功率PCM >1w

功率越大体积越大，散热要求越高。

功能

用途

放大管   开关管

高反压管 光电管

带阻尼管 数字管

从封装外形

按封装材料

金属封装 玻璃封装

陶瓷封装 塑料封装

薄膜封装

塑料封装为主流

金属封装成本较高

按封装形式

引线式TO

贴片式SOT

贴片式正逐步取代引线式。

三极管命名标识

不同的国家/地区对三极管型号命名方式不同。还有很多厂家使用自己的命名方式。

中国大陆三极管命名方式

3

D

D

12

X

2：二极管

3：三极管

A：PNP锗

B：NPN锗

C：PNP硅

D：NPN硅

X：低频小功率

 G：高频小功率

 D：低频大功率

 A：高频大功率

序号

规格号

例：3DD12X NPN型低频大功率硅三极管

日本三极管型号命名方式

2

S

D

13

B

0：光电管

1：二极管

2：三极管

注册标识

A：PNP高频管

 B：PNP低频管

 C：NPN高频管

 D：NPN低频管

电子协会登记顺序

改进型号

例：2SC1895 高频NPN型三极管

美国电子工业协会（EIA）三极管命名方式

JANS

2

N

2904

A

JANTX：特军级

JANTXV：超特军

JANS：宇航级

（无）：非军用品

1：二极管

2：三极管

“n”：n个PN   结元件

EIA注册标识

EIA登记顺序号

不同档别

例：JANS2N2904 宇航级三极管

欧洲三极管命名方式

B

C

208

A

A：锗管

B：硅管

C：低频小功率

D：低频大功率

F：高频小功率

L：高频大功率

登记顺序号

β的档别

例：BC208A 硅材料低频小功率三极管

三极管封装及管脚排列方式

关于封装：

三极管设计额定功率越大，其体积就越大，又由于封装技术的不断更新发展，所以三极管有多种多样的封装形式。

当前，塑料封装是三极管的主流封装形式，其中“TO”和“SOT”形式封装最为常见。

关于管脚排列：

不同品牌、不同封装的三极管管脚定义不完全一样的，一般地，有以上规律：

规律一：对中大功率三极管，集电极明显较粗大甚至以大面积金属电极相连，多处于基极和发射极之间；

规律二：对贴片三极管，面向标识时，左为基极，右为发射极，集电极在另一边；

基极—B   集电极—C   发射极—E

三极管的选用原则

考虑三极管的性能极限，按“2/3”安全原则选择合适的性能参数。:

集极电流IC:

IC  2/3* ICM

ICM集极最大允许电流

当IC>ICM时，三极管β值减小，失去放大功能。

 集极功率PW:

PW  PCM

 PCM集极最大允许功率。

当PW>PCM三极管将烧坏。

集-射反向电压UCE:

UCE 2/3 * UBVCEO

UBVCEO基极开路时,集-射反向击穿电压

集/射极间电压UCE>UBVCEO时，三极管产生很大的集电极电流击穿,造成永久性损坏。

工作频率ƒ：

ƒ = 15% * ƒT

ƒT—特征频率

随着工作频率的升高，三极管的放大能力将会下降，对应于β=1时的频率ƒT叫作三极管的特征频率。

此外，还应考虑体积成本，优先选用贴片式三极管。

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