p沟道mos管型号(p沟道mos管型号大全)

p沟道mos管型号大全

场效应管分类型号简介封装DISCRETEMOSFET2N700060V,0.115ATO-92DISCRETEMOSFET2N700260V,0.2ASOT-23DISCRETEMOSFETIRF510A100V,5.6ATO-220DISCRETEMOSFETIRF520A100V,9.2ATO-220DISCRETEMOSFETIRF530A100V,14ATO-220DISCRETEMOSFETIRF540A100V,28ATO-220DISCRETEMOSFETIRF610A200V,3.3ATO-220DISCRETEMOSFETIRF620A200V,5ATO-220DISCRETEMOSFETIRF630A200V,9ATO-220DISCRETEMOSFETIRF634A250V,8.1ATO-220DISCRETEMOSFETIRF640A200V,18ATO-220DISCRETEMOSFETIRF644A250V,14ATO-220DISCRETEMOSFETIRF650A200V,28ATO-220DISCRETEMOSFETIRF654A250V,21ATO-220DISCRETEMOSFETIRF720A400V,3.3ATO-220DISCRETEMOSFETIRF730A400V,5.5ATO-220DISCRETEMOSFETIRF740A400V,10ATO-220DISCRETEMOSFETIRF750A400V,15ATO-220DISCRETEMOSFETIRF820A500V,2.5ATO-220DISCRETEMOSFETIRF830A500V,4.5ATO-220DISCRETEMOSFETIRF840A500V,8ATO-220DISCRETEMOSFETIRF9520TO-220DISCRETEMOSFETIRF9540TO-220DISCRETEMOSFETIRF9610TO-220DISCRETEMOSFETIRF9620TO-220DISCRETEMOSFETIRFP150A100V,43ATO-3PDISCRETEMOSFETIRFP250A200V,32ATO-3PDISCRETEMOSFETIRFP450A500V,14ATO-3PDISCRETEMOSFETIRFR024A60V,15AD-PAKDISCRETEMOSFETIRFR120A100V,8.4AD-PAKDISCRETEMOSFETIRFR214A250V,2.2AD-PAKDISCRETEMOSFETIRFR220A200V,4.6AD-PAKDISCRETEMOSFETIRFR224A250V,3.8AD-PAKDISCRETEMOSFETIRFR310A400V,1.7AD-PAKDISCRETEMOSFETIRFR9020TFD-PAKDISCRETEMOSFETIRFS540A100V,17ATO-220FDISCRETEMOSFETIRFS630A200V,6.5ATO-220FDISCRETEMOSFETIRFS634A250V,5.8ATO-220FDISCRETEMOSFETIRFS640A200V,9.8ATO-220FDISCRETEMOSFETIRFS644A250V,7.9ATO-220FDISCRETEMOSFETIRFS730A400V,3.9ATO-220FDISCRETEMOSFETIRFS740A400V,5.7ATO-220FDISCRETEMOSFETIRFS830A500V,3.1ATO-220FDISCRETEMOSFETIRFS840A500V,4.6ATO-220FDISCRETEMOSFETIRFS9Z34-60V,12ATO-220FDISCRETEMOSFETIRFSZ24A60V,14ATO-220FDISCRETEMOSFETIRFSZ34A60V,20ATO-220FDISCRETEMOSFETIRFU110A100V,4.7AI-PAKDISCRETEMOSFETIRFU120A100V,8.4AI-PAKDISCRETEMOSFETIRFU220A200V,4.6AI-PAKDISCRETEMOSFETIRFU230A200V,7.5AI-PAKDISCRETEMOSFETIRFU410A500VI-PAKDISCRETEMOSFETIRFU420A500V,2.3AI-PAKDISCRETEMOSFETIRFZ20ATO-220DISCRETEMOSFETIRFZ24A60V,17ATO-220DISCRETEMOSFETIRFZ30TO-220DISCRETEMOSFETIRFZ34A60V,30ATO-220DISCRETEMOSFETIRFZ40TO-220DISCRETEMOSFETIRFZ44A60V,50ATO-220DISCRETEMOSFETIRLS530A100V,10.7A,LogicTO-220FDISCRETEMOSFETIRLSZ14A60V,8A,LogicTO-220FDISCRETEMOSFETIRLZ24A60V,17A,LogicTO-220DISCRETEMOSFETIRLZ44A60V,50A,LogicTO-220DISCRETEMOSFETSFP36N0330V,36ATO-220DISCRETEMOSFETSFP65N0660V,65ATO-220DISCRETEMOSFETSFP9540-100V,17ATO-220DISCRETEMOSFETSFP9634-250V,5ATO-220DISCRETEMOSFETSFP9644-250V,8.6ATO-220DISCRETEMOSFETSFP9Z34-60V,18ATO-220DISCRETEMOSFETSFR9214-250V,1.53AD-PAKDISCRETEMOSFETSFR9224-250V,2.5AD-PAKDISCRETEMOSFETSFR9310-400V,1.5AD-PAKDISCRETEMOSFETSFS9630-200V,4.4ATO-220FDISCRETEMOSFETSFS9634-250V,3.4ATO-220FDISCRETEMOSFETSFU9220-200V,3.1AI-PAKDISCRETEMOSFETSSD200225VN/PDual8SOPDISCRETEMOSFETSSD201920VP-chDual8SOPDISCRETEMOSFETSSD210130VN-chSingle8SOPDISCRETEMOSFETSSH10N80A800V,10ATO-3PDISCRETEMOSFETSSH10N90A900V,10ATO-3PDISCRETEMOSFETSSH5N90A900V,5ATO-3PDISCRETEMOSFETSSH60N10TO-3PDISCRETEMOSFETSSH6N80A800V,6ATO-3PDISCRETEMOSFETSSH70N10A100V,70ATO-3PDISCRETEMOSFETSSH7N90A900V,7ATO-3PDISCRETEMOSFETSSH9N80A800V,9ATO-3PDISCRETEMOSFETSSP10N60A600V,9ATO-220DISCRETEMOSFETSSP1N60A600V,1ATO-220DISCRETEMOSFETSSP2N90A900V,2ATO-220DISCRETEMOSFETSSP35N0330V,35ATO-220DISCRETEMOSFETSSP3N90A900V,3ATO-220DISCRETEMOSFETSSP4N60A600V,4ATO-220DISCRETEMOSFETSSP4N60AS600V,4ATO-220DISCRETEMOSFETSSP4N90AS900V,4.5ATO-220DISCRETEMOSFETSSP5N90A900V,5ATO-220DISCRETEMOSFETSSP60N0660V,60ATO-220DISCRETEMOSFETSSP6N60A600V,6ATO-220DISCRETEMOSFETSSP70N10A100V,55ATO-220DISCRETEMOSFETSSP7N60A600V,7ATO-220DISCRETEMOSFETSSP7N80A800V,7ATO-220DISCRETEMOSFETSSP80N06A60V,80ATO-220DISCRETEMOSFETSSR1N60A600V,0.9AD-PAKDISCRETEMOSFETSSR2N60A600V,1.8AD-PAKDISCRETEMOSFETSSR3055A60V,8AD-PAKDISCRETEMOSFETSSS10N60A600V,5.1ATO-220FDISCRETEMOSFETSSS2N60A600V,1.3ATO-220FDISCRETEMOSFETSSS3N80A800V,2ATO-220FDISCRETEMOSFETSSS3N90A900V,2ATO-220FDISCRETEMOSFETSSS4N60A600V,3.5ATO-220(F/P)DISCRETEMOSFETSSS4N60AS600V,2.3ATO-220(F/P)DISCRETEMOSFETSSS4N60AS600V,2.3ATO-220FDISCRETEMOSFETSSS4N90AS900V,2.8ATO-220FDISCRETEMOSFETSSS5N80A800V,3ATO-220FDISCRETEMOSFETSSS6N60A600V,TO-220(F/P)如有出入请明示，争取完善、正确！

p沟道mos管型号电路

海飞乐技术-200V-120A，-200V106A，-200V-90A，-200V-68A，-200V-53A，-200V-48A，-200V-32A，-200V-10A的P沟道MOS，-200V-30A，-200V-26A，-200V-24A，海飞乐技术-200V-16A，-150V-44A的P沟道MOS，-150V-36A，-150V-22A，-150V-15A，-150V-10A。海飞乐技术-250V-120A，-250V106A，-250V-90A，-250V-68A，-250V-53A，-250V-48A，-250V-32A，-250V-10A的P沟道MOS，-250V-30A，-250V-26A，-250V-24A。海飞乐技术封装-100V-210A，-100V-195A，-100V170A的P沟道MOS，-100V-150A，-100V-140A，-100V-110A，-100V-100A，海飞乐技术-100V-90A，-100V-80A，-100V-76A，-100V-70A，-100V-60A，-100V-55A，-100V-52A，-100V-50A，-100V-40A的P沟道MOS，-100V-36A，-100V-30A，-100V-26A，-100V-20A，-100V-18A的P沟道MOS。

p沟道mos管型号参数

80P06P是P沟道MOS场效应管。主要参数是60V/80A。80P06P有两种封装形式，型号分别是：SPP80P06P封装形式是，直插TO-220封装。SPB80P06P封装形式是，贴片焊接TO-263封装。

p沟道mos管型号对照表

海飞乐技术-200V-120A，-200V106A，-200V-90A，-200V-68A，-200V-53A，-200V-48A，-200V-32A，-200V-10A的P沟道MOS，-200V-30A，-200V-26A，-200V-24A，海飞乐技术-200V-16A，-150V-44A的P沟道MOS，-150V-36A，-150V-22A，-150V-15A，-150V-10A。海飞乐技术-250V-120A，-250V106A，-250V-90A，-250V-68A，-250V-53A，-250V-48A，-250V-32A，-250V-10A的P沟道MOS，-250V-30A，-250V-26A，-250V-24A。海飞乐技术封装-100V-210A，-100V-195A，-100V170A的P沟道MOS，-100V-150A，-100V-140A，-100V-110A，-100V-100A，海飞乐技术-100V-90A，-100V-80A，-100V-76A，-100V-70A，-100V-60A，-100V-55A，-100V-52A，-100V-50A，-100V-40A的P沟道MOS，-100V-36A，-100V-30A，-100V-26A，-100V-20A，-100V-18A的P沟道MOS。

p沟道mos管工作原理图

和N沟道MOSFET产品相比，P沟道MOSFET产品需求远小，但在某些应用领域，P沟道MOSFET因其本身的电性特点，有其不可替代性，目前可提供士兰-30~-150V，-3~-46A的P沟道MOSFET等解决方案，封装主要有SOP-8、TO-252、PDFN33等系列。

SVT03110PL3

特点

SVT03110PL3-30V p沟道增强型mos管采用PDFN-8-3*3封装，提供了超低的导通电阻和栅极电容，漏源电压-30V，漏极电流-46A，RDs(on)(典型值))=7.0mΩ@Vcs=10V，典型应用于移动电源、吸尘器、笔记本电脑、充电器等领域。

极限参数（Tc=25°C)

电气参数（Tc=25°C)

SVT03380PSA

SVT03380PSA-30V p-mos管采用SOP-8封装，具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量，是-6.5A、-30VP沟道增强型场效应管，RDs(on)(典型值))=38mΩ@Vcs=10V，典型应用于POS机、打印机、TV、电动工具、储能等领域。

极限参数（Tc=25°C)

电气参数（Tc=25°C)

SVT10500PD

SVT10500PD100v耐压p-mos管采用TO-252封装，漏源电压：-100V，漏极电流：-30A，RDS(on)(典型值)=35mΩ@VGS=10V，典型应用于报警器、储能、电动工具等。

极限参数（Tc=25°C)

电气参数（Tc=25°C)

SVGP15161PL3A

SVGP15161PL3A150VP沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用PDFN-8-3*3封装，漏源电压：-150V，漏极电流：-9A，RDS(on)(典型值)=130mΩ@VGS=10V，典型应用于5G电源、通讯电源、通讯设备等。

极限参数（Tc=25°C)

电气参数（Tc=25°C)

SVGP15751PL3

特点

SVGP15751PL3p型mos管采用DFN-8-3*3封装，具有开关速度快、低栅极电荷、低反向传输电容等特点，是-3A、-150VP沟道增强型场效应管，RDS(on)(典型值)=665mΩ@VGS=10V，广泛应用于5G电源、通讯电源、通讯设备等不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

极限参数（Tc=25°C)

电气参数（Tc=25°C)

典型特性曲线

典型测试电路

MOSFET是最基础的电子器件，具有高频、电压驱动、抗击穿性好等特点，被广泛应用于汽车电子、电源管理、通信设备、工业设备、照明、便携式产品、消费类电子与计算机3C产品等领域，更多P沟道MOSFET及N沟道MOSFE产品选型或MOSFET进口替代手册、参数等资料请向士兰微代理骊微电子申请。>>

mos管p沟道n沟道区别

IRFP250N、FQP27P06和IRFB4310Z等。

1、IRFP250N：这是一款N沟道MOS场效应晶体管，具有低导通电阻、高开关速度、抗电磁干扰等特点，在冷焊机中应用广泛。

2、FQP27P06：这是一款P沟道MOS场效应晶体管，具有低导通电阻、高续流能力、反向击穿电压高等性能，可适用于较大功率的冷焊机。

3、IRFB4310Z：这是一款N沟道MOS场效应晶体管，具有高开关速度、低导通电阻、低热阻等特点，适合用于高频和高速应用。

p沟道mos管应用电路

先讲讲MOS/CMOS集成电路MOS集成电路特点：制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单，集成度高、抗干扰能力强，特别适合于大规模集成电路。MOS集成电路包括:NMOS管组成的NMOS电路、PMOS管组成的PMOS电路及由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。PMOS门电路与NMOS电路的原理完全相同，只是电源极性相反而已。数字电路中MOS集成电路所使用的MOS管均为增强型管子，负载常用MOS管作为有源负载，这样不仅节省了硅片面积，而且简化了工艺利于大规模集成。常用的符号如图1所示。N沟MOS晶体管金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS集成电路。

由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压（栅源电压为零）时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

NMOS集成电路是N沟道MOS电路，NMOS集成电路的输入阻抗很高，基本上不需要吸收电流，因此，CMOS与NMOS集成电路连接时不必考虑电流的负载问题。NMOS集成电路大多采用单组正电源供电，并且以5V为多。CMOS集成电路只要选用与NMOS集成电路相同的电源，就可与NMOS集成电路直接连接。不过，从NMOS到CMOS直接连接时，由于NMOS输出的高电平低于CMOS集成电路的输入高电平，因而需要使用一个（电位）上拉电阻R，R的取值一般选用2～100KΩ。N沟道增强型MOS管的结构在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极d和源极s。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。它的栅极与其它电极间是绝缘的。图(a)、(b)分别是它的结构示意图和代表符号。代表符号中的箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。P沟道增强型MOS管的箭头方向与上述相反，如图(c)所示。N沟道增强型MOS管的工作原理（1）vGS对iD及沟道的控制作用①vGS=0的情况从图1(a)可以看出，增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。当栅——源电压vGS=0时，即使加上漏——源电压vDS，而且不论vDS的极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，漏——源极间没有导电沟道，所以这时漏极电流iD≈0。②vGS>0的情况若vGS＞0，则栅极和衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个电场。电场方向垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场。这个电场能排斥空穴而吸引电子。排斥空穴：使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥，剩下不能移动的受主离子(负离子)，形成耗尽层。吸引电子：将P型衬底中的电子（少子）被吸引到衬底表面。（2）导电沟道的形成：当vGS数值较小，吸引电子的能力不强时，漏——源极之间仍无导电沟道出现，如图1(b)所示。vGS增加时，吸引到P衬底表面层的电子就增多，当vGS达到某一数值时，这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层，且与两个N+区相连通，在漏——源极间形成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反，故又称为反型层，如图1(c)所示。vGS越大，作用于半导体表面的电场就越强，吸引到P衬底表面的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。开始形成沟道时的栅——源极电压称为开启电压，用VT表示。上面讨论的N沟道MOS管在vGS＜VT时，不能形成导电沟道，管子处于截止状态。只有当vGS≥VT时，才有沟道形成。这种必须在vGS≥VT时才能形成导电沟道的MOS管称为增强型MOS管。沟道形成以后，在漏——源极间加上正向电压vDS，就有漏极电流产生。vDS对iD的影响如图(a)所示，当vGS>VT且为一确定值时，漏——源电压vDS对导电沟道及电流iD的影响与结型场效应管相似。漏极电流iD沿沟道产生的电压降使沟道内各点与栅极间的电压不再相等，靠近源极一端的电压最大，这里沟道最厚，而漏极一端电压最小，其值为VGD=vGS－vDS，因而这里沟道最薄。但当vDS较小（vDS随着vDS的增大，靠近漏极的沟道越来越薄，当vDS增加到使VGD=vGS－vDS=VT(或vDS=vGS－VT)时，沟道在漏极一端出现预夹断，如图2(b)所示。再继续增大vDS，夹断点将向源极方向移动，如图2(c)所示。由于vDS的增加部分几乎全部降落在夹断区，故iD几乎不随vDS增大而增加，管子进入饱和区，iD几乎仅由vGS决定。N沟道增强型MOS管的特性曲线、电流方程及参数（1）特性曲线和电流方程1）输出特性曲线N沟道增强型MOS管的输出特性曲线如图1(a)所示。与结型场效应管一样,其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分。2）转移特性曲线转移特性曲线如图1(b)所示,由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区),此时iD几乎不随vDS而变化,即不同的vDS所对应的转移特性曲线几乎是重合的,所以可用vDS大于某一数值(vDS＞vGS-VT)后的一条转移特性曲线代替饱和区的所有转移特性曲线。3）iD与vGS的近似关系与结型场效应管相类似。在饱和区内,iD与vGS的近似关系式为式中IDO是vGS=2VT时的漏极电流iD。（2）参数MOS管的主要参数与结型场效应管基本相同，只是增强型MOS管中不用夹断电压VP，而用开启电压VT表征管子的特性。N沟道耗尽型MOS管的基本结构（1）结构：N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似。（2）区别：耗尽型MOS管在vGS=0时，漏——源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。（3）原因：制造N沟道耗尽型MOS管时，在SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子)，如图1(a)所示，因此即使vGS=0时，在这些正离子产生的电场作用下，漏——源极间的P型衬底表面也能感应生成N沟道(称为初始沟道)，只要加上正向电压vDS，就有电流iD。如果加上正的vGS，栅极与N沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的电子，沟道加宽，沟道电阻变小，iD增大。反之vGS为负时，沟道中感应的电子减少，沟道变窄，沟道电阻变大，iD减小。当vGS负向增加到某一数值时，导电沟道消失，iD趋于零，管子截止，故称为耗尽型。沟道消失时的栅－源电压称为夹断电压，仍用VP表示。与N沟道结型场效应管相同，N沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP也为负值，但是，前者只能在vGS0，VP（4）电流方程：在饱和区内，耗尽型MOS管的电流方程与结型场效应管的电流方程相同，即：各种场效应管特性比较　P沟MOS晶体管金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，柵极上加有足够的正电压(源极接地)时，柵极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后，多数已为NMOS电路所取代。只是,因PMOS电路工艺简单,价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。如图5所示的CMOS-PMOS接口电路采用两种电源供电。采用直接接口方式，一般CMOS的电源电压选择在10～12V就能满足PMOS对输入电平的要求。MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路。各种场效应管特性比较

p沟道mos管型号大全23

A1SHB场效应管，型号是SI2035，A1SHB是P沟道场效应管，可代换型号如下：212T、212S、A1、H1SP、016H、016X、SO16Y、M21、PJ2301、PJ2305、XP152A、Si2301、Si2305、AO3401。

最大集电极耗散功率Pcm不小于原用管；最大集电结反向击穿电压Vcb0不小于原管；最高工作频率f(振荡频率fT)不小于原管。丝印为A1SHB的贴片三极管，不是一般的双极型三极管，而是现在常用的P沟道MOS三极管，该管的型号为SI2301，其采用SOT-23封装，耐压值为20V，Id为2.3A。

扩展资料：

当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。

参考资料来源：百度百科-三极管