mosfet型号(mosfet型号及参数)

mosfet中文名称

ArrowSolution为艾睿电子(ArrowElectronics)致力于在物联网(AIoT)、工控技术、储能/新能源和汽车电子等领域为中国客户简化和加速开发设计流程，提供广泛技术解决方案的平台。

我们这里当然不是说规格书在挖坑，规格书的数据都是用仪器一个个测出来的，是刚正不阿的存在！

BVDSS 

这个参数太明显了，明显到你不想看它都能跳进你的眼里，因为它无论在电流命名的规则还是Ron命名的规则里都会出现在型号里。但是你知道它的测试条件吗？首先看看艾睿代理的几家MOSFET正规大厂家的规格书：

英飞凌 

ST 

onsemi 

ID

关于这个参数，我很想保持沉默，因为我觉得，规格书上的这个标称参数，对于实际应用来说，几乎没有什么参考意义。

RDS(ON)  

大家都知道MOSFET完全导通之后相当于一个电阻，它在工作中并非一成不变的量。例如，某厂家标称为380mΩ的器件，在规格书的标称值中如下标识：

Vth

很多人其实不太关注开启电压Vth的值，在规格书中一般看到：

开关时间（td(on)，tr，td(off)，tf）

规格书中给出的这组数据在系统应用中可以说是最没有什么参考意义的了，但是有一点，就是横向对比的时候，可以粗略对比一下两个MOS的开关速度。但是如果测试条件不同，也没有什么意义。

结电容（Crss，Coss，Ciss）

这3个参数，有点常识的人都知道要看后面的曲线，不能看表格里面的数值，因为表格中的数值是某个VDS下的值，并没有任何实用价值。

雪崩能量VAR

雪崩的测试电路通常有两种：

所以，规格书是我们选型及应用的一把双刃剑，用好了就能帮我们披荆斩棘，用不好可能会让我们走很多弯路，甚至选错料，不要掉进规格书的“坑”，要学会利用好这把利器。

♥点击?名片，关注我♥

 往期推荐·

 1、看完别再说你不懂稳压二极管

  2、关于稳压二极管，你知道这一点吗？

  3、稳压二极管给MCU供电，这坑能踩吗？

mosfet选型参数对照表

不是广告，性能差没有关系！关键是市场上有没有类似产品？可以替代那种型号？查看原帖>>

mosfet型号与频率

MOSFET也叫做绝缘栅型场效应管，分为：N沟道增强型管，N沟道耗尽型管；P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。【特点】N沟道增强型管：删源间需要加一定正向电压才能管子才能开启，有一个开启电压Ugs；电流随栅源间正向电压增大而增大，转移特性曲线在第一象限，和三极管类似。N沟道耗尽型管：漏源之间存在导电沟道，无需加删压就能导电，开启电压Ugs（off）为负值，电流随正向电压增大而增大，转移特性曲线在一、四象限。P沟道增强型管：删源间需要加一定反向电压才能管子才能开启，电流随反向电压增大而增大，转移特性曲线与N沟道增强型相反，在第四象限。P沟道耗尽型管：与N沟道耗尽型类似，漏源之间存在导电沟道，无需加删压就能导电，开启电压Ugs（off）为正值，随反向电压增大而增大。转移特性曲线在二、三象限。

mosfet型号及参数

IRFP260M和H20R1203是两种不同型号的功率场效应管（MOSFET），它们有一些区别，并且一般情况下不能直接代换使用。以下是它们之间的一些区别：

厂家和生产商不同：IRFP260M是由国际整流器公司（InternationalRectifier，现在是InfineonTechnologies）生产的MOSFET，而H20R1203是由华为工业公司生产的。

规格和参数不同：它们的参数如最大漏源电压（Vds）、最大漏源电流（Id）、静态电阻（Rds(on)）和功率等级等可能不同，这些参数对于特定电路的设计和工作条件至关重要。

封装不同：IRFP260M和H20R1203的封装类型可能不同，如TO-247、TO-220等。不同的封装可能影响散热和安装方式。

性能差异：由于来自不同的生产商和不同的系列，它们的性能和特性也可能不同，如响应时间、开关速度等。

因此，除非你对电路设计非常了解，并且确定两种MOSFET的规格和性能完全符合你的需求，一般情况下是不建议直接代换使用的。如果需要更换MOSFET，最好根据具体电路要求，选择相同或相近规格的替代型号，或者咨询专业电子工程师以获得正确的替代建议。不正确的替代可能会导致电路故障或性能下降。

mosfet enh

大功率开关管型号有如下：

1、MOSFET：IRF3710、IRF540、IRF640、IRFP460、IRFP4468、IRFB7434等。

2、IGBT：IRG4PC50U、IRG4BC20U、IRG4BC30U、IRG4BC40U、IRG4BC50U、IRG4BC60U等。

3、绝缘栅双极晶体管（IGBT）：FGC60N60、FGC40N60、FGC25N120、FGC25N60等。

4、可控硅（SCR）：MCR100、TIC106、TIC126、TIC226、TIC236等。

5、三极管：2N3055、MJ15003、MJ15024、TIP31C、TIP41C等。大功率开关管是一种用于控制高功率电路的半导体器件，具有高电压、高电流、高速度和高灵敏度等特点。

mosfet类型

俗话说“人无远虑必有近忧”，对于电子设计工程师，在项目开始之前，器件选型之初，就要做好充分考虑，选择最适合自己需要的器件，才能保证项目的成功。

功率MOSFET恐怕是工程师们最常用的器件之一了，但你知道吗？关于MOSFET的器件选型要考虑方方面面的因素，小到选N型还是P型、封装类型，大到MOSFET的耐压、导通电阻等，不同的应用需求千变万化，下面这篇文章总结了MOSFET器件选型的10步法则，相信看完你会大有收获。

功率MOSFET有两种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道MOSFET选择的型号多，成本低；P沟道MOSFET选择的型号较少，成本高。

如果功率MOSFET的S极连接端的电压不是系统的参考地，N沟道就需要浮地供电电源驱动、变压器驱动或自举驱动，驱动电路复杂；P沟道可以直接驱动，驱动简单。

需要考虑N沟道和P沟道的应用主要有：

（1）笔记本电脑、台式机和服务器等使用的给CPU和系统散热的风扇，打印机进纸系统电机驱动，吸尘器、空气净化器、电风扇等家电的电机控制电路，这些系统使用全桥电路结构，每个桥臂上管可以使用P管，也可以使用N管。

（2）通信系统48V输入系统的热插拨MOSFET放在高端，可以使用P管，也可以使用N管。

（3）笔记本电脑输入回路串联的、起防反接和负载开关作用的二个背靠背的功率MOSFET，使用N沟道需要控制芯片内部集成驱动的充电泵，使用P沟道可以直接驱动。

功率MOSFET的沟道类型确定后，第二步就要确定封装，封装选取原则有：

（1）温升和热设计是选取封装最基本的要求

不同的封装尺寸具有不同的热阻和耗散功率，除了考虑系统的散热条件和环境温度，如是否有风冷、散热器的形状和大小限制、环境是否封闭等因素，基本原则就是在保证功率MOSFET的温升和系统效率的前提下，选取参数和封装更通用的功率MOSFET。

有时候由于其他条件的限制，需要使用多个MOSFET并联的方式来解决散热的问题，如在PFC应用、电动汽车电机控制器、通信系统的模块电源次级同步整流等应用中，都会选取多管并联的方式。

如果不能采用多管并联，除了选取性能更优异的功率MOSFET，另外可以采用更大尺寸的封装或新型封装，例如在一些AC/DC电源中将TO220改成TO247封装；在一些通信系统的电源中，采用DFN8*8的新型封装。

（2）系统的尺寸限制

有些电子系统受制于PCB的尺寸和内部的高度，如通信系统的模块电源由于高度的限制通常采用DFN5*6、DFN3*3的封装；在有些ACDC的电源中，使用超薄设计或由于外壳的限制，装配时TO220封装的功率MOSFET管脚直接插到根部，高度的限制不能使用TO247的封装。

有些超薄设计直接将器件管脚折弯平放，这种设计生产工序会变复杂。

在大容量的锂电池保护板的设计中，由于尺寸限制极为苛刻，现在大多使用芯片级的CSP封装，尽可能的提高散热性能，同时保证最小的尺寸。

（3）成本控制

早期很多电子系统使用插件封装，这几年由于人工成本增加，很多公司开始改用贴片封装，虽然贴片的焊接成本比插件高，但是贴片焊接的自动化程度高，总体成本仍然可以控制在合理的范围。在台式机主板、板卡等一些对成本极其敏感的应用中，通常采用DPAK封装的功率MOSFET，因为这种封装的成本低。

因此在选择功率MOSFET的封装时，要结合自己公司的风格和产品的特点，综合考虑上面因素。

很多时候工程师关心RDSON，是因为RDSON和导通损耗直接相关，RDSON越小，功率MOSFET的导通损耗越小、效率越高、温升越低。

同样的，工程师尽可能沿用以前项目中或物料库中现有的元件，对于RDSON的真正的选取方法并没有太多的考虑。当选用的功率MOSFET的温升太低，出于成本的考虑，会改用RDSON大一些的元件；当功率MOSFET的温升太高、系统的效率偏低，就会改用RDSON小一些的元件，或通过优化外部的驱动电路，改进散热的方式等来进行调整。

如果是一个全新的项目，没有以前的项目可循，那么如何选取功率MOSFET的RDSON？这里介绍一个方法给大家：功耗分配法。

当设计一个电源系统的时候，已知条件有：输入电压范围、输出电压/输出电流、效率、工作频率、驱动电压，当然还有其他的技术指标和功率MOSFET相关的主要是这些参数。步骤如下：

（1）根据输入电压范围、输出电压/输出电流、效率，计算系统的最大损耗。

（2）功率回路的杂散损耗，非功率回路元件的静态损耗，IC的静态损耗以及驱动损耗，做大致的估算，经验值可以占总损耗的10%～15%。

如果功率回路有电流取样电阻，计算电流取样电阻的功耗。总损耗减去上面的这些损耗，剩下部分就是功率器件、变压器或电感的功率损耗。

将剩下的功率损耗按一定的比例分配到功率器件和变压器或电感中，不确定的话，按元件数目平均分配，这样就得到每个MOSFET的功率损耗。

（3）将MOSFET的功率损耗，按一定的比例分配给开关损耗和导通损耗，不确定的话，平均分配开关损耗和导通损耗。

（4）由MOSFET导通损耗和流过的有效值电流，计算最大允许的导通电阻，这个电阻是MOSFET在最高工作结温的RDSON。

数据表中功率MOSFET的RDSON标注有确定的测试条件，在不同的定义的条件下具有不同的值，测试的温度为：TJ=25℃，RDSON具有正温度系数，因此根据MOSFET最高的工作结温和RDSON温度系数，由上述RDSON计算值，得到25℃温度下对应的RDSON。

（5）由25℃的RDSON来选取型号合适的功率MOSFET，根据MOSFET的RDSON实际参数，向下或向上修整。

通过以上步骤，就初步选定功率MOSFET的型号和RDSON参数。

免责声明：本文转自网络，版权归原作者所有，如涉及作品版权问题，请及时与我们联系，谢谢！

mosfet选型表

10N60：N沟道MOSFET功率，10A600V。10N60是耐压600V,电流10A的N沟道场效应管。13N50是耐压500V，电流13A的N沟道场效应管。只要你的实际应用电压不超过400V，就可以代换。电流不用考虑了。场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型和金属-氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。1.场效应管cs8n60用10n60型号管子代换。2.场效应管cs8n60参数：8n60，7.5A，600V，RDS=1.2欧。10n60参数：10A，600V，RDS=0.73欧。