igbt的型号(igbt的型号和参数)

igbt的型号怎样标注的

H后边的数表示该IGBT的额定工作电流（A），如上述型号15表示额定工作电流为15A；R后边三位数字＊10表示该IGBT的最大关断电压（V），如上述120表示最大关断电压为1200V；最后一位是设计序号2，与元件的参数无关。可以换成H20R1202IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管。H20R1202、H20R1203的区别是设计序号不同。IGBT管是有MOS管（场效应管）和双极型达林顿管结合而成。普通的场效应管仅需微弱的驱动电压即可工作，但工作在高电压和大电流状态时，因为内阻较大，管子发热很快，难以长时间在高电压和大电流状态下工作。大功率的达林顿管虽然可以在高电压和大电流状态下长时间工作，但需要较大的驱动电流。将场效应管做为推动管，大功率达林顿管作为输出管。这样两者优点有机的结合成现在的IGBT管，功率达1000W以上。1、替换管的代用参数大些比小的好对于功率在2000W以下的电磁炉可选用最大电流为20A或25A的IGBT管，如25Q101等；对于功率等于或大于2000W的电磁炉应选用最大电流为40A的IGBT管，如GT40T301等。如果一时没有大电流IGBT管，可用两只小电流的IGBT管并联(两只管的c、e、G极分别连在一起)代用。2、注意内部是否含阻尼二极管在最高耐压、最大电流符合要求时，内含阻尼管的IGBT管可以代换不含阻尼二极管的IGBT管；若用不含阻尼二极管的IGBT管代换含阻尼二极管的IGBT管时，应在新换管的c、e极间加焊一只快恢复二极管。

igbt的型号FF300R17KE4含义

IGBT是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

igbt的型号大全

FGA25N120参数为25A1200VFGA15N12015A1200VFGA20N12020A1200v！！！功率不同而已！25N120是最通用的IGBT！

igbt的型号和参数看哪个

H20R1203可以使用电磁炉IGBT管FGA25N120进行替换。

IGBT管的性能不能光看它的电流与反压。还有饱和压降、频率响应都是重要指标。就后俩参数来讲，H20R1203优于FGA25N120。但差别不大。

所以FGA25N120是正品的话，一般都可以代换H20R1203。FGA25N120为内带阻尼管的场效应管。一般IGBT有三个电极,分别称为栅极G、集电极C及发射极E。

扩展资料：

在截止状态下的IGBT，正向电压由J2结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT的某些应用范围。

IGBT的转移特性是指输出漏极电流Id与栅源电压Ugs之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th)时，IGBT处于关断状态。

在IGBT导通后的大部分漏极电流范围内，Id与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。

动态特性又称开关特性，IGBT的开关特性分为两大部分：一是开关速度，主要指标是开关过程中各部分时间；另一个是开关过程中的损耗。

IGBT的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT处于导通态时，由于它的PNP晶体管为宽基区晶体管，所以其B值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET的电流成为IGBT总电流的主要部分。

参考资料来源：百度百科——IGBT

IGBT的型号说明

IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由BJT(双极结型晶体三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。

简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点，如驱动功率小和饱和压降低等。

┃IGBT的基本原理

IGBT是以GTR为主导元件，MOSFET为驱动元件的达林顿结构的复合器件。其外部有三个电极，分别为G-栅极，C-集电极，E-发射极。

在IGBT使用过程中，可以通过控制其集-射极电压UCE和栅-射极电压UGE的大小，从而实现对IGBT导通/关断/阻断状态的控制。

1）当IGBT栅-射极加上加0或负电压时，MOSFET内沟道消失，IGBT呈关断状态。

2）当集-射极电压UCE＜0时，J3的PN结处于反偏，IGBT呈反向阻断状态。

3）当集-射极电压UCE＞0时，分两种情况：

①若栅-射极电压UGE＜Uth，沟道不能形成，IGBT呈正向阻断状态。

②若栅-射极电压UGE＞Uth，栅极沟道形成，IGBT呈导通状态（正常工作）。此时，空穴从P+区注入到N基区进行电导调制，减少N基区电阻RN的值，使IGBT通态压降降低。

1）具有非常低的导通压降与优秀的导通电流密度.所以可以使用更小尺寸的器件从而降低成本。

2）因为栅极结构使用MOS管的同类设计,所以驱动功率非常小,驱动电路也很简单.与可控硅/BJT这些电流控制型器件来比,在高压与高电流应用场景,IGBT非常易于控制。

3）与BJT相比具有更好的电流传导能力.在正向与反向隔离方面参数也更优秀。

2、不足之处

1）开关速度低于功率MOSFET,但是高于BJT.因为是少数载流子器件,集电极电流残余导致关断速度较慢。

2）因为内部的PNPN型可控硅结构,有一定概率会锁死。

┃ IGBT产业链

IGBT是技术成熟的器件，产业链的各个环节都相对稳定。

IGBT核心技术为IGBT芯片的设计和制造以及IGBT模块的设计、制造和测试。行业壁垒非常高，包括对人才和设备的要求也极高。

行业认证周期长，车规级认证周期长达2~3年，定点企业先发优势明显。

IGBT制造属于资本密集型行业，一条年产25万片的8寸晶圆线投资额超20亿元。

IGBT产业链图谱及代表公司：

┃IGBT热门型号汇总

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IGBT的型号中kt3和kt4可以混着装吗

来源：icspec

IGBT

专栏

IGBT

当前的新能源车的模块系统由很多部分组成，如电池、VCU、BSM、电机等，但是这些都是发展比较成熟的产品，国内外的模块厂商已经开发了很多，但是有一个模块需要引起行业内的重视，那就是电机驱动部分，则是电机驱动部分最核心的元件IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor绝缘栅双极型晶体管芯片）。

IGBT的概念

IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由BJT(双极结型晶体三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。

简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点，如驱动功率小和饱和压降低等。

IGBT的基本原理

IGBT是以GTR为主导元件，MOSFET为驱动元件的达林顿结构的复合器件。其外部有三个电极，分别为G-栅极，C-集电极，E-发射极。

在IGBT使用过程中，可以通过控制其集-射极电压UCE和栅-射极电压UGE的大小，从而实现对IGBT导通/关断/阻断状态的控制。

1）当IGBT栅-射极加上加0或负电压时，MOSFET内沟道消失，IGBT呈关断状态。

2）当集-射极电压UCE＜0时，J3的PN结处于反偏，IGBT呈反向阻断状态。

3）当集-射极电压UCE＞0时，分两种情况：

①若栅-射极电压UGE＜Uth，沟道不能形成，IGBT呈正向阻断状态。

②若栅-射极电压UGE＞Uth，栅极沟道形成，IGBT呈导通状态（正常工作）。此时，空穴从P+区注入到N基区进行电导调制，减少N基区电阻RN的值，使IGBT通态压降降低。

IGBT的主要特点

1）具有非常低的导通压降与优秀的导通电流密度.所以可以使用更小尺寸的器件从而降低成本。

2）因为栅极结构使用MOS管的同类设计,所以驱动功率非常小,驱动电路也很简单.与可控硅/BJT这些电流控制型器件来比,在高压与高电流应用场景,IGBT非常易于控制。

3）与BJT相比具有更好的电流传导能力.在正向与反向隔离方面参数也更优秀。

2、不足之处

1）开关速度低于功率MOSFET,但是高于BJT.因为是少数载流子器件,集电极电流残余导致关断速度较慢。

2）因为内部的PNPN型可控硅结构,有一定概率会锁死。

IGBT产业链

IGBT是技术成熟的器件，产业链的各个环节都相对稳定。

IGBT核心技术为IGBT芯片的设计和制造以及IGBT模块的设计、制造和测试。行业壁垒非常高，包括对人才和设备的要求也极高。

行业认证周期长，车规级认证周期长达2~3年，定点企业先发优势明显。

IGBT制造属于资本密集型行业，一条年产25万片的8寸晶圆线投资额超20亿元。

IGBT产业链图谱及代表公司：

IGBT热门型号汇总

IGBT专栏

IGBT的型号命名有哪些?

电磁炉加热系统中IGBT管的主要参数宜大不宜小，具体要求有：1、采用半桥电路IGBT器件耐压应选600V-1000V，如选用准谐振电路结构IGBT器件耐压应为1200V；2、2000W以下的电磁炉可选用最大电流为20A—25A的IGBT管，2000W或2000W以上的电磁炉可选用最大电流为40A的IGBT管；3、好的雪崩击穿特性，低饱和压降，低导通损耗，饱和电流可以较小；4、需选用快速IGBT，其工作频率应在20khz以上；5、最好内置快恢复二极管。目前国内市场电磁炉常用IGBT主要是Infineon、Fairchild和Toshiba等国外厂商的产品

IGBT的型号怎么看

电磁炉常用的IGBT管型号及参数如下：

1、G40N60D150表示电磁炉用IGBT管，型号为G40N60D，最高耐压为1500V，额定电流为40A。

2、G40N120D150表示电磁炉用IGBT管，型号为G40N120D，最高耐压为1500V，额定电流为40A。

3、G60N60D180表示电磁炉用IGBT管，型号为G60N60D，最高耐压为1800V，额定电流为60A。

4、G60N120D180表示电磁炉用IGBT管，型号为G60N120D，最高耐压为1800V，额定电流为60A。