mos型号(索尼高速cmos型号)

尼康z5cmos型号

KIA1N60H、KIA1N65H等型号。根据查询广东可易亚半导体官网信息显示，mos管内阻较大的型号有KIA1N60H、KIA1N65H、KIA2N60H、KIA2N65H、KIA3N80H、KIA4N60H、KIA4N65H、KND4360A和KND4365A等。

索尼高速cmos型号

MOS管IRFZ24N

型号规格：IRFZ24N

品牌：IR

封装形式：TO-220

环保类别：无铅环保型

安装方式：直插式

包装方式：单件包装

mos管常见型号：

型号电压/电流封装

2N700060V,0.115ATO-92

2N700260V,0.2ASOT-23

IRF510A100V,5.6ATO-220

IRF520A100V,9.2ATO-220

IRF530A100V,14ATO-220

IRF540A100V,28ATO-220

IRF610A200V,3.3ATO-220

IRF620A200V,5ATO-220

IRF630A200V,9ATO-220

IRF634A250V,8.1ATO-220

IRF640A200V,18ATO-220

IRF644A250V,14ATO-220

IRF650A200V,28ATO-220

IRF654A250V,21ATO-220

IRF720A400V,3.3ATO-220

IRF730A400V,5.5ATO-220

IRF740A400V,10ATO-220

IRF750A400V,15ATO-220

IRF820A500V,2.5ATO-220

IRF830A500V,4.5ATO-220

IRF840A500V,8ATO-220

IRFP150A100V,43ATO-3P

IRFP250A200V,32ATO-3P

IRFP450A500V,14ATO-3P

IRFP460A600V20ATO-3P

IRFR024A60V,15AD-PAK

IRFR120A100V,8.4AD-PAK

IRFR214A250V,2.2AD-PAK

IRFR220A200V,4.6AD-PAK

IRFR224A250V,3.8AD-PAK

IRFR310A400V,1.7AD-PAK

扩展资料：

部分电气符号解释：

电器元件符号全注解:

电流表PA电压表PV有功电度表PJ无功电度表PJR频率表PF相位表PPA 

最大需量表(负荷监控仪)PM功率因数表PPF有功功率表PW无功功率表PR 

无功电流表PAR声信号HA光信号HS指示灯HL红色灯HR绿色灯HG黄色灯HY 

蓝色灯HB白色灯HW连接片XB插头XP插座XS端子板XT电线,电缆,母线W

直流母线WB插接式(馈电)母线WIB电力分支线WP照明分支线WL 

应急照明分支线WE电力干线WPM照明干线WLM应急照明干线WEM

滑触线WT合闸小母线WCL控制小母线WC信号小母线WS闪光小母线WF 

事故音响小母线WFS预告音响小母线WPS电压小母线WV事故照明小母线WELM

尼康z50cmos型号

海飞乐技术-200V-120A，-200V106A，-200V-90A，-200V-68A，-200V-53A，-200V-48A，-200V-32A，-200V-10A的P沟道MOS，-200V-30A，-200V-26A，-200V-24A，海飞乐技术-200V-16A，-150V-44A的P沟道MOS，-150V-36A，-150V-22A，-150V-15A，-150V-10A。海飞乐技术-250V-120A，-250V106A，-250V-90A，-250V-68A，-250V-53A，-250V-48A，-250V-32A，-250V-10A的P沟道MOS，-250V-30A，-250V-26A，-250V-24A。海飞乐技术封装-100V-210A，-100V-195A，-100V170A的P沟道MOS，-100V-150A，-100V-140A，-100V-110A，-100V-100A，海飞乐技术-100V-90A，-100V-80A，-100V-76A，-100V-70A，-100V-60A，-100V-55A，-100V-52A，-100V-50A，-100V-40A的P沟道MOS，-100V-36A，-100V-30A，-100V-26A，-100V-20A，-100V-18A的P沟道MOS。

a7m4cmos型号

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储能行业的发展每年都在增长，尤其是在俄乌冲突的影响下，海外民众为解决用电需求，开始购入户用储能等产品，在欧洲的海外市场爆发尤为显著。因此企业出海，肯定要做好自身产品，自然少不了好的MOS管作为电路研发的基础。

对于储能产品，电池管理系统也是其中重要一部分，究竟有哪一些款式的MOS管是比较常用于电池管理系统呢？

对于国外的FDBL86066低压MOS型号在国内能否找到比较好的代换型号呢？其实是已经有的，毕竟电池在国内已经发展比较前沿的情况下，自然有属于自己的供应链。

带着疑问我们来看看FHL170N1F4A这一款国产低压MOS管的型号参数究竟是为何说能够常代换FDBL86066用于电池管理系统BMS。

首先FHL170N1F4A型号MOS管，是由国内已经专注研发20年的MOS管厂家生产。它良好的制作工艺与参数性能能给电池管理系统BMS做更好的适配，MOS起充放电保护功能。

MOS管的替代代换核心要关注参数性能，究竟FHL170N1F4A国产场效应管为什么说能比较好的代换国外FDBL86066型号参数在电池管理系统BMS中使用？

来看看飞虹这款FHL170N1F4A的具体产品参数，具有172A、100V的电流、电压，RDS(on)=4.0mΩ(MAX)@VGS=10V，RDS(on)=3.2mΩ(TYP)@VGS=10V，最高栅源电压@VGS=±20V。

FHL170N1F4A是一款N沟道增强型场效应晶体管，FHL系列产品采用TOLL-8L封装外形，其封装产品具有小体积、低封装内阻、低寄生电感、低热阻等特点。

这款产品还具体参数值为：Vgs（±V）：20；VGS（th）：2.0-4.0V；ID（A）：172A；BVdss（V）：100V。

最大脉冲漏极电流（IDM）：480（A）、静态导通电阻（typ）：3.2mΩ、反向传输电容：33pF。

在国产化的场效应管代换使用过程中，飞虹国产型号：FHL170N1F4A型号参数来代换FDBL86066型号，其具备以下特点：

1、低导通内阻：支持更小的阻抗和更大的峰值电流。

2、100%EAS测试

3、100%DVDS热阻测试（更低的热阻，带来优异的温升表现）

4、100%Rg测试

5、工业级的可靠性能：封装电感小，带来出色的EMI特性和可靠性。

更适配工业级，因此更广泛使用在电动自行车、电动摩托车、电动观光车、锂电保护、通信电源等高功率密度应用场景；mos管品牌替代型号：FDBL86066。

100V、172A的MOS管代换使用，选对型号很重要。飞虹半导体的MOS管已经广泛应用于电源电路、智能家居、新能源电子领域：如汽车电子、电瓶车、智能音响、家用电器、LED照明、充电器、电脑电源等行业，为国内的电子产品厂家提供了优质的产品以及配套服务。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹半导体”即可找到我们，免费试样热线：400-831-6077。

尼康z8cmos型号

MOS管，即金属（Metal）—氧化物（Oxide）—半导体（Semiconductor）场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件。

和普通双极型晶体管相比，MOS管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势，在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越普遍的应用。

┃Mosfet管的种类及结构

MOS管是FET的一种（另一种为JFET结型场效应管），主要有两种结构形式：N沟道型和P沟道型；又根据场效应原理的不同，分为耗尽型（当栅压为零时有较大漏极电流）和增强型（当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流）两种。因此，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。

每一个MOS管都提供有三个电极：Gate栅极（表示为“G”）、Source源极（表示为“S”）、Drain漏极（表示为“D”）。接线时，对于N沟道的电源输入为D，输出为S；P沟道的电源输入为S，输出为D；且增强型、耗尽型的接法基本一样。

图表2 MOS管内部结构图

从结构图可发现，N沟道型场效应管的源极和漏极接在N型半导体上，而P沟道型场效应管的源极和漏极则接在P型半导体上。场效应管输出电流由输入的电压（或称场电压）控制，其输入的电流极小或没有电流输入，使得该器件有很高的输入阻抗，这也是MOS管被称为场效应管的重要原因。

N沟道增强型MOS管在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极（漏极D、源极S）；在源极和漏极之间的SiO2绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G；P型半导体称为衬底，用符号B表示。由于栅极与其它电极之间是相互绝缘的，所以NMOS又被称为绝缘栅型场效应管。

当栅极G和源极S之间不加任何电压，即VGS=0时，由于漏极和源极两个N+型区之间隔有P型衬底，相当于两个背靠背连接的PN结，它们之间的电阻高达1012Ω，即D、S之间不具备导电的沟道，所以无论在漏、源极之间加何种极性的电压，都不会产生漏极电流ID。

图表3 N沟道增强型MOS管结构示意图

当将衬底B与源极S短接，在栅极G和源极S之间加正电压，即VGS＞0时，如图表3（a）所示，则在栅极与衬底之间产生一个由栅极指向衬底的电场。在这个电场的作用下，P衬底表面附近的空穴受到排斥将向下方运动，电子受电场的吸引向衬底表面运动，与衬底表面的空穴复合，形成了一层耗尽层。

如果进一步提高VGS电压，使VGS达到某一电压VT时，P衬底表面层中空穴全部被排斥和耗尽，而自由电子大量地被吸引到表面层，由量变到质变，使表面层变成了自由电子为多子的N型层，称为“反型层”，如图表3（b）所示。

反型层将漏极D和源极S两个N+型区相连通，构成了漏、源极之间的N型导电沟道。把开始形成导电沟道所需的VGS值称为阈值电压或开启电压，用VGS（th）表示。显然，只有VGS＞VGS（th）时才有沟道，而且VGS越大，沟道越厚，沟道的导通电阻越小，导电能力越强；“增强型”一词也由此得来。

图表4 耗尽层与反型层产生的结构示意图

在VGS＞VGS（th）的条件下，如果在漏极D和源极S之间加上正电压VDS，导电沟道就会有电流流通。漏极电流由漏区流向源区，因为沟道有一定的电阻，所以沿着沟道产生电压降，使沟道各点的电位沿沟道由漏区到源区逐渐减小，靠近漏区一端的电压VGD最小，其值为VGD=VGS－VDS，相应的沟道最薄；靠近源区一端的电压最大，等于VGS，相应的沟道最厚。

这样就使得沟道厚度不再是均匀的，整个沟道呈倾斜状。随着VDS的增大，靠近漏区一端的沟道越来越薄。

当VDS增大到某一临界值，使VGD≤VGS（th）时，漏端的沟道消失，只剩下耗尽层，把这种情况称为沟道“预夹断”，如图表4（a）所示。继续增大VDS[即VDS＞VGS－VGS（th）]，夹断点向源极方向移动，如图表4（b）所示。

尽管夹断点在移动，但沟道区（源极S到夹断点）的电压降保持不变，仍等于VGS－VGS（th）。因此，VDS多余部分电压[VDS－（VGS－VGS（th））]全部降到夹断区上，在夹断区内形成较强的电场。这时电子沿沟道从源极流向夹断区，当电子到达夹断区边缘时，受夹断区强电场的作用，会很快的漂移到漏极。

图表5 预夹断及夹断区形成示意图

2、P沟道增强型场效应管原理

P沟道增强型MOS管因在N型衬底中生成P型反型层而得名，其通过光刻、扩散的方法或其他手段，在N型衬底（基片）上制作出两个掺杂的P区，分别引出电极（源极S和漏极D），同时在漏极与源极之间的SiO2绝缘层上制作金属栅极G。其结构和工作原理与N沟道MOS管类似；只是使用的栅-源和漏-源电压极性与N沟道MOS管相反。

在正常工作时，P沟道增强型MOS管的衬底必须与源极相连，而漏极对源极的电压VDS应为负值，以保证两个P区与衬底之间的PN结均为反偏，同时为了在衬底顶表面附近形成导电沟道，栅极对源极的电压也应为负。

图表6 P沟道增强型MOS管的结构示意图

当VDS=0时。在栅源之间加负电压比，由于绝缘层的存在，故没有电流，但是金属栅极被补充电而聚集负电荷，N型半导体中的多子电子被负电荷排斥向体内运动，表面留下带正电的离子，形成耗尽层。

随着G、S间负电压的增加，耗尽层加宽，当VDS增大到一定值时，衬底中的空穴（少子）被栅极中的负电荷吸引到表面，在耗尽层和绝缘层之间形成一个P型薄层，称反型层，如图表6（2）所示。

这个反型层就构成漏源之间的导电沟道，这时的VGS称为开启电压VGS（th），达到VGS（th）后再增加，衬底表面感应的空穴越多，反型层加宽，而耗尽层的宽度却不再变化，这样我们可以用VGS的大小控制导电沟道的宽度。

图表7 P沟道增强型MOS管耗尽层及反型层形成示意图

当VDS≠0时。导电沟道形成以后，D、S间加负向电压时，那么在源极与漏极之间将有漏极电流ID流通，而且ID随VDS而增，ID沿沟道产生的压降使沟道上各点与栅极间的电压不再相等，该电压削弱了栅极中负电荷电场的作用，使沟道从漏极到源极逐渐变窄，如图表7（1）所示。

当VDS增大到使VGD=VGS（即VDS=VGS-VGS（TH）），沟道在漏极附近出现预夹断，如图表7（2）所示。再继续增大VDS，夹断区只是稍有加长，而沟道电流基本上保持预夹断时的数值，其原因是当出现预夹断时再继续增大VDS，VDS的多余部分就全部加在漏极附近的夹断区上，故形成的漏极电流ID近似与VDS无关。

图表8 P沟道增强型MOS管预夹断及夹断区形成示意图

3、N沟道耗尽型场效应管原理

N沟道耗尽型MOS管的结构与增强型MOS管结构类似，只有一点不同，就是N沟道耗尽型MOS管在栅极电压VGS=0时，沟道已经存在。这是因为N沟道是在制造过程中采用离子注入法预先在D、S之间衬底的表面、栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子，该沟道亦称为初始沟道。

当VGS＝0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道，所以只要有漏源电压，就有漏极电流存在；当VGS＞0时，将使ID进一步增加；VGS＜0时，随着VGS的减小，漏极电流逐渐减小，直至ID＝0。对应ID＝0的VGS称为夹断电压或阈值电压，用符号VGS（off）或Up表示。

由于耗尽型MOSFET在VGS=0时，漏源之间的沟道已经存在，所以只要加上VDS，就有ID流通。如果增加正向栅压VGS，栅极与衬底之间的电场将使沟道中感应更多的电子，沟道变厚，沟道的电导增大。

如果在栅极加负电压（即VGS＜0），就会在相对应的衬底表面感应出正电荷，这些正电荷抵消N沟道中的电子，从而在衬底表面产生一个耗尽层，使沟道变窄，沟道电导减小。当负栅压增大到某一电压VGS（off）时，耗尽区扩展到整个沟道，沟道完全被夹断（耗尽），这时即使VDS仍存在，也不会产生漏极电流，即ID=0。

图表9 N沟道耗尽型MOS管结构（左）及转移特性（右）示意图

4、P沟道耗尽型场效应管原理

P沟道耗尽型MOS管的工作原理与N沟道耗尽型MOS管完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性也不同。

5、耗尽型与增强型MOS管的区别

耗尽型与增强型的主要区别在于耗尽型MOS管在G端（Gate）不加电压时有导电沟道存在，而增强型MOS管只有在开启后，才会出现导电沟道；两者的控制方式也不一样，耗尽型MOS管的VGS（栅极电压）可以用正、零、负电压控制导通，而增强型MOS管必须使得VGS>VGS（th）（栅极阈值电压）才行。

┃ Mosfet管的重要特性

1、导通特性

导通的意义是作为开关，相当于开关闭合。NMOS的特性，VGS大于一定的值就会导通，适用于源极接地时的情况（低端驱动），只需栅极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的特性是，VGS小于一定的值就会导通，适用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。

2、损失特性

不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，电流就会被电阻消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧至几十毫欧左右，选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。

3、寄生电容驱动特性

跟双极性晶体管相比，MOS管需要GS电压高于一定的值才能导通，而且还要求较快的导通速度。在MOS管的结构中可以看到，在GS、GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，理论上就是对电容的充放电。

图表10  4种MOS管特性比较示意图

4、寄生二极管

漏极和源极之间有一个寄生二极管，即“体二极管”，在驱动感性负载（如马达、继电器）应用中，主要用于保护回路。不过体二极管只在单个MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。

图表11 寄生二极管位置示意图

5、不同耐压MOS管特点

不同耐压的MOS管，其导通电阻中各部分电阻比例分布不同。如耐压30V的MOS管，其外延层电阻仅为总导通电阻的29%，耐压600V的MOS管的外延层电阻则是总导通电阻的96.5%。

图表12 不同耐压MOS管特点一览表

┃Mosfet管热门型号汇总

END

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型号电压/电流封装　　2N700060V,0.115ATO-922N700260V,0.2ASOT-23IRF510A100V,5.6ATO-220IRF520A100V,9.2ATO-220IRF530A100V,14ATO-220IRF540A100V,28ATO-220IRF610A200V,3.3ATO-220IRF620A200V,5ATO-220IRF630A200V,9ATO-220IRF634A250V,8.1ATO-220IRF640A200V,18ATO-220IRF644A250V,14ATO-220IRF650A200V,28ATO-220IRF654A250V,21ATO-220IRF720A400V,3.3ATO-220IRF730A400V,5.5ATO-220IRF740A400V,10ATO-220IRF750A400V,15ATO-220IRF820A500V,2.5ATO-220IRF830A500V,4.5ATO-220IRF840A500V,8ATO-220IRFP150A100V,43ATO-3PIRFP250A200V,32ATO-3PIRFP450A500V,14ATO-3PIRFR024A60V,15AD-PAKIRFR120A100V,8.4AD-PAKIRFR214A250V,2.2AD-PAKIRFR220A200V,4.6AD-PAKIRFR224A250V,3.8AD-PAKIRFR310A400V,1.7AD-PAK