可控硅的型号(可控硅的型号及命名)

可控硅的型号是不是看开头的就可以了

可控硅中频电源装置简称中频炉，是利用可控硅的开关特性把50Hz的工频电流变换成中频电流的一种电源装置，主要是在感应熔炼，感应加热，感应淬火等领域中广泛应用。

基本构成部分是指一套设备，能正常运行必须具有的组成部分。

变压器给设备提供需要的电能的装置。变压器根据冷却介质的不同可以分成干式变压器和油冷变压器两种。

在中频炉行业我们推荐用特种油冷式整流变压器，这种变压器不管是过载能力还是抗干扰性都远远好于普通变压器。

铁芯的材质直接影响磁通量，常见的铁芯材质有硅钢片（有取向/无取向），非晶带材；

现在有铝芯线包，铜芯线包，铜包铝线包。线包的材质直接影响变压器发热量；

B级允许工作温度是130℃，H级允许工作温度是180℃

中频电源不管是什么类型的都是有整流/逆变两部分组成的。

整流部分的作用是把我们生活中用的50HZ的交流电变成一个脉动的直流电的过程。根据整流脉冲数的不同可以分成6脉整流，12脉整流，24脉整流等。在整流以后会在正极上串接一个平波电抗器。逆变部分的作用，是把整流产生的直流电转变成一个中频交流电。

电容柜的作用，是给感应线圈提供无功功率补偿的装置，可以简单的理解为电容的多少直接影响设备功率的大小。

需要注意的是，并联设备电容只有谐振电容（电热电容）一种，串联设备除了谐振电容（电热电容）以外还有滤波电容。这也可以作为判断设备是并联设备还是串联设备的一个标准。

炉体是系统中的做功的部分，按照炉壳材质的不同分为钢壳和铝壳两种。

铝壳炉结构相对简单，只有感应圈和炉体两部分组成，因为结构的不稳定性，现在铸协严禁使用。所以我们的讲解以钢壳炉为主。

炉体的主要工作部件由三部分组成，1感应圈（由水冷却的铜管绕制成）

2坩埚（通常由炉衬材料捣制而成）

3炉料（各种金属或非金属材料）

感应电炉的基本原理是属于空气芯变压器的一种类型，感应圈相当于变压器的初级线圈，坩埚内的各种炉料相当于变压器的次级线圈，当在初级线圈中通过中频电流（200-8000HZ）就在电磁场的作用下，产生磁力线切割次级线圈（炉料），致使炉料产生感应电动势，并在垂直于感应圈轴向的表面引起感应电流，从而使炉料本身发热将炉料融化。

冷却系统是一套中频炉系统中必不可少的组成部分，也是非常重要的组成部分，可以说冷却系统的好坏直接决定了设备的故障率。

现在比较常用的冷却方式有三种，传统的水池冷却，开放式冷却塔，闭式冷却塔。

水池冷却，需要占用很大的空间，并且冷却水水质差容易结垢，现在已经基本没有使用的。

开放式冷却塔，冷却量大，造价低，占地面积适中，现在有些大吨位（10吨以上）的炉体还在使用。因为冷取水水质存在问题，不建议电源柜使用。

闭式冷却塔，具有的优点，循环水完全处于封闭状态，隔绝外部环境的影响，水质能够保证且耗水量少。占地面积小，冷却量大，是现在普遍使用的一种冷却方式。

液压站和炉体油缸两部分，组成倾炉系统。用液压倾炉具有稳定性突出，可以随意位置停留等优点。这是整个中频炉系统中必不可少的组成部分。

1）油泵必须用齿轮泵，齿轮泵具有工作压力稳定，噪音小的优点；

2）必须配备油冷器器件（水冷最好，小型液压站可以用风冷）；

3）进油口，回油口必须有滤清器，清除冷却介质中的杂质；

4）箱体，油管等必须经过酸洗磷化处理。

变压器到电源柜的连接，如果在条件允许的情况下优先使用铜排/铝排连接。次要选择可以用多股最大不超过185mm²的铜芯电缆，不推荐使用铝芯电缆，特别是距离超过20米的时候，严禁使用铝电缆。

电源柜到电容柜的连接，优先推荐用铜排连接，次要选择水电缆连接。

不建议用普通电缆连接电容柜到炉体，水冷电缆部分建议长度不超过6米，多余部分可以用铜排连接，次级选用铜管连接。

系统选装部分是指不影响整套系统的基本功能，但是在特定条件下能够起到重要作用的系统组成部分。

在突然停电的情况下，炉体温度很高，需要循环水持续降温，这时候应急电源就能起到作用了。

炉衬顶出装置作为炉体的一个选装配套部分，可以有效的加快拆炉速度，这在实际应用中也是一个很有用的组成机构。

可控硅（晶闸管）中频电源的基本工作原理，就是通过一个三相桥式整流电路，把50Hz的工频交流电流整流成直流,再经过一个滤波器(直流电抗器)进行滤波,最后经逆变器将直流变为单相中频交流以供给负载,所以这种逆变器实际上是一只“交流—直流—交流”变换器，其基本原理如下图所示：

上面照片中所示白色圆片即为可控硅（晶闸管）。

下面我们把各个部分的简单原理介绍一下，

可控硅中频电源的基本工作原理，就是通过一个三相桥式整流电路，把50Hz的工频交流电流整流成直流。

1）整流电路。从电路图可以看出有六只可控硅组成的，这种电路叫三相全控整流桥，俗称六脉整流。工作原理就是按一定的规律安排相应的可控硅在合适的时候开通和关断，最终实现把三相交流电变成直流电。

2）滤波。由于整流出来的电压波动较大，所以需要在电路里串接一个较大的电感使其电流比较平缓，能使波动较大的电压变得较平缓。这就是所谓的滤波。这个电感通常叫电抗器。电抗器的特性就是保持电流不能突变。通过滤波后较平滑的直流电提供给逆变电路。串联设备用电容器滤波，取得较平缓的电压。

3） 逆变。逆变电路就是把直流电变成较高频率的交流电以供给负载，所以这种逆变器实际上是一个“交流—直流—交流”变换器,其基本线路如图，

4 ）串联谐振，从图中可以看出是两种电路，补偿电容器和感应圈串联的简单的说法就是串联谐振，通常说的串联设备就是指的这一种。

5） 并联谐振。补偿电容器和感应圈并联的叫并联谐振，通常说的设备默认的就是并联。

三相桥式全控整流电路共有六个桥臂，在每一个时刻必须2个桥臂同时工作,才能够成通路，六个桥臂的工作顺序如下图所示，

现假定在时刻t1-t2(t1-t2的时间间隔为60°电角度，既相当于一个周波的1/6)此时SCR1和SCR6同时工作(上图(a)中涂黑的SCR)，输出电压即为VAB。

到时刻t2-t3可控硅SCR2因受脉冲触发而导通，而SCR6则受BC反电压而关闭,将电流换给了SCR2，这时SCR1和SCR2同时工作，输出电压即为VAC。

到时刻t3-t4,SCR3因受脉冲触发而导通，SCR1受到VAB的反电压而关闭，将电流换给了SCR3，SCR2和SCR3同时工作，输出电压为VBC。

据此到时刻t4-t5,t5-t6,t6-t1分别为SCR3和SCR4, SCR4和SCR5, SCR5和SCR6同时工作，加到负载上的输出电压分别为VAB，VAC，VBC,这样既把一个三相交流进行了全波整流。

无论是感应加热或是感应熔炼，负载的功率因数都是很低的，也就是感应的Q值很高,在感应熔炼炉来说Q值一般在10-14之间,对感应加热来说,则根椐偶合程度Q值为5-9之间。

什么是Q值？Q值是指线圈的感抗和线圈的电阻之比，也就是炉子的无功功率和有功功率之比。

举例来说，250Kg的感应熔炼炉，其需要的有功功率为160kw。假定Q值为10，则其无功功率为1600kfar，这样大的无功功率，很显然不能有电网供给，那样电网的容量将非常庞大而不经济,因此,必须用能提供无功功率的电容器进行补偿，这个原理就象一般工厂里补偿功率因数一样。

无功功率的补偿方法有二种，一种是补偿电容器和炉子串联，叫作串联补偿；补偿电容器和炉子并联的叫做并联补偿。

针对二种不同的补偿方法,可以有两中不同的逆变线路，一种叫作串联逆变器，一种叫作并联逆变器。

中频炉系统的基本参数是指能直观反应出设备运行情况好坏的数据，一般通过设备上配备的各种显示仪表直观显示出来。

1）进线电压，反应进线是否正常，是否缺相等问题；

2）直流电压反应整流以后的直流电压数值，通过直流电压的数值可以判断一个设备功率因数的情况；

3）中频电压/中频电流反应逆变部分的工作情况，这两个数据可以反应设备的Q值；

4）中频频率，反应L/C谐振频率；

5）功率，反应设备运行功率，一般现在的设备都是用功率模块采集数据以后用触摸屏显示。

2）变压器额定电流计算，I=S/1.732*U，I----欲求额定电流，S----变压器额定容量，U----欲求电流那一侧（一次、二次）额定电压

3）变压器额定容量取值，新式变压器容量递增一般采用R10系列，R10系列计算方法就是10开

1）直流电压=1.35*进线电压，

2）直流电流=P/直流电压P指设备功率，

3）进线电流≈直流电流*0.816，

4）进线连接材料，参照载流量表选择。

1、可控硅SCR，是一套中频炉设备中的核心元器件。所选用可控硅性能的好坏将直接影响设备的性能。

1）KP型普通可控硅，一般用在整流上；

2）KK型快速可控硅，一般用在逆变上；

3）KF型非对称可控硅，是近些年研究出来的一种新型可控硅，在串联逆变设备上。

一般所说可控硅型号KK1800A/1600V，在这里面包含了三个内容，KK是可控硅的种类，1800A是额定电流值，1600V是额定电压值；

1）额定电压

在设备中电容可以分成吸收电容，滤波电容，谐振电容三种，

1）吸收电容主要是用在阻容吸收保护电路中，一般吸收电容型号表示方法，容量/耐压值，如2μF/4KV表示容量是2μF，耐压值是4000V。

2）滤波电容是串联谐振电源中，提供稳定电压源的部分。滤波电容型号表示方法，耐压值—容量，如1.2-5000表示耐压值是1200V，容量是5000μF

3）谐振电容提供无功补偿，谐振电容型号的表示方法，耐压值-补偿无功功率数-频率，如3.0-6000-0.5S表示耐压值是3000V，能提供的无功功率数是6000Kvar，额定频率是500HZ。

电感的介绍，

电感，可以简单的理解成把导电材料绕制在一起，就形成一个电感。

电感的单位：H（亨），常用单位μH（微亨）mH（豪亨）

电感的两个特性，1）通直阻交，2）阻碍电流的变化；在中频炉设备中电感的应用非常广泛，电抗器是电感，环流线圈是电感，感应圈也是电感。其中电抗器的和换流电感都是运用电感阻碍电流过快变化的特性，使电流变的平滑，防止电流突变损坏元器件。

可控硅的型号选用

按一机部IBI144一75的规定，普通型可控硅称为KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅闸流管》。普通可控硅的型号采用如下格式标注:额定速态平均屯成系列共分为14个，如表1一5所示。正反向重复蜂值屯压级别规定1000V以下的管子每100V为一级，1000V以上的等子每200V为一级。取电压教除以100做为级别标志，如表1-6所示。通态平均电压组别依电压大小分为9组，用宇毋表示，如表1一所示。例如.KP500-12D表示的是通态平均电流为500A,额定(正反向重复峰值)电压为1200V，管压降(通态平均电压)为0.6---0.7V的普通型可控硅.综上所述，小结如下:(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三个电极，用硅半导体材料制成的管芯由PNPN四层组成(2)可控硅由关断转为导通必须同时具备两个条件:(1〕受正向阳极电压;(2)受正向门极电压。(3)可控硅导通后，当阳极电流小干维持电流In时.可控硅关断。(4)可控硅的特性主要是:1.阳极伏安特性曲线，2.门极伏安特性区。(5)应在额定参数范围内使用可控硅。选择可控硅主要确定两个参致:

可控硅的型号怎么看

可控硅

可控硅(SiliconControlledRectifier)简称SCR,是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。

可控硅的分类

可控硅有多种分类方法。

（1）按关断、导通及控制方式分类：可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅（GTO）、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。

（2）按引脚和极性分类：可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。

（3）按封装形式分类：可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中，金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。

（4）按电流容量分类：可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三种。通常，大功率可控硅多采用金属壳封装，而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。

（5）按关断速度分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（快速）可控硅。

（6）过零触发-一般是调功，即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发，必须是过零点才触发，导通可控硅。

（7）非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过改变正弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。

单向可控硅的结构

单向可控硅，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。

以硅单晶为基本材料的四层三端器件,起始于1957年，因为它的特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T，又因为晶闸管最初的在静止整流方面，所以又被称之为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。

在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称"死硅")更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。

可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此功率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。

可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。

可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。

可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。

双向可控硅的结构

双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。双向可控硅元件主要用于交流控制电路，如温度控制、灯光控制、防爆交流开关以及直流电机调速和换向等电路。

从外表上看，双向可控硅和普通可控硅很相似，也有三个电极。但是，它除了其中一个电极G仍叫做控制极外，另外两个电极通常却不再叫做阳极和阴极，而统称为主电极Tl和T2。它的符号也和普通可控硅不同，是把两个可控硅反接在一起画成的，如下图所示。

它的型号，在我国一般用“3CTS”或“KS”表示；国外的资料也有用“TRIAC”来表示的。双向可控硅的规格、型号、外形以及电极引脚排列依生产厂家不同而有所不同，但其电极引脚多数是按T1、T2、G的顾序从左至右排列(观察时，电极引脚向下，面对标有字符的一面)。

单、双向可控硅检测

（1）单、双向可控硅的判别

　　先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。

（2）可控硅的检测方法

　　将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。然后瞬时断开A极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。

对于1~6A双向可控硅，红笔接T1极，黑笔同时接G、T2极，在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极，指针应指示为几十至一百多欧（视可控硅电流大小、厂家不同而异）。然后将两笔对调，重复上述步骤测一次，指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧，则表明可控硅良好，且触发电压（或电流）小。

若保持接通A极或T2极时断开G极，指针立即退回∞位置，则说明可控硅触发电流太大或损坏。可按图2方法进一步测量，对于单向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K灯仍不熄灭，否则说明可控硅损坏。

对于双向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K，灯应不熄灭。然后将电池反接，重复上述步骤，均应是同一结果，才说明是好的。否则说明该器件已损坏。

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可控硅的型号什么意思

BT136、137、及138参数一样：如图所示：

600V反向重复峰值电压VRRM：600V通态平均电流IT：4A通态不重复浪涌电流ITSM：40A最高结温Tjm：110℃贮存温度。

BT138是双向可控硅，在两旁供给一点的电流（不管电流方向）左边和之间两个引脚就导通了（有一定的压降）。

可控硅BT137600E可以代替BT136600E。品名=8A四象限双向可控硅(TRIACs)。型号=BT137-600E。电流=8.0（A）。电压=600（V）。结温=125（℃）。封装形式=TO-220。管脚排列=T1-T2-G。

扩展资料：

以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,起始于1957年，因为它的特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T，又因为晶闸管最初的在静止整流方面，所以又被称之为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。

在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称"死硅")更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。

可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此功率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称

可控硅的型号大全

MAC97A61A400VTO-92BCR1AM1A600VTO-92BT136-6004A600VTO-220BT136-8004A800VTO-220BT137-6008A600VTO-220BT138-80012A800VTO-220BT139-80016A800VTO-220BTA140-80025A800VTO-220

可控硅的型号及命名

B为硅材料，T为大功率晶闸管，169为登记序号。其它的晶闸管的意义识别也是有方法的：国产晶闸管的型号命名（JB1144-75部颁发标准）主要由四部分组成，各部分的含义见下表：1、第一部分用字母“K”表示主称为晶闸管。2、第二部分用字母表示晶闸管的类别。3、第三部分用数字表示晶闸管的额定通态电流值。4、第四部分用数字表示重复峰值电压级数。拓展资料：选用可控硅的额定电压时，应参考实际工作条件下的峰值电压的大小，并留出一定的余量。1、选用可控硅的额定电流时，除了考虑通过元件的平均电流外，还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。2、使用可控硅之前，应该用万用表检查可控硅是否良好。发现有短路或断路现象时，应立即更换。3、严禁用兆欧表（即摇表）检查元件的绝缘情况。4、电流为5A以上的可控硅要装散热器，并且保证所规定的冷却条件。为保证散热器与可控硅管心接触良好，它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂，以帮于良好的散热。5、按规定对主电路中的可控硅采用过压及过流保护装置。6、要防止可控硅控制极的正向过载和反向击穿。

双向可控硅型号

1、BT169D是0.5A、600v的单向可控硅三极管

2、参数

触发电流为0.5mA。

控制方式 ：单向  极数：  三极  

封装材料：塑料封装  封装外形：  平底形  

关断速度：普通  散热功能： 不带散热片  

功率特性：小功率  频率特性：  中频  

额定正向平均电流1（A）  控制极触发电压600（V）  

控制极触发电流0.5（mA）  正向重复峰值电压600（V）  

反向阻断峰值电压600（V）

3、引脚位置

管脚排列是KGA，方向向下

扩展资料

可控硅的主要参数有：

1、额定通态平均电流IT在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。

2、正向阻断峰值电压VPF在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。

3、反向阻断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。

4、触发电压VGT在规定的环境温度下，阳极---阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。

5、维持电流IH在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。

参考资料来源：百度百科-可控硅

可控硅的型号有哪些

普通可控硅KP50A-100A/2500V快速可控硅KK50A-100A/2500V双向可控硅KS50A-100A/2500V