肖特基二极管常见型号(肖特基二极管常见型号与参数)

肖特基二极管常见型号极参数

肖特基二极管种类繁多、封装多样、型号齐全，正向电流5A的肖特基二极管常用型号有：

1）电流5A封装TO-27肖特基二极管型号

SBR560L（电压60V压降0.5V）、SR520（电压20V压降0.55V）、SR530（电压30V压降0.55V）、SR540（电压40V压降0.55V）、SR550（电压50V压降0.7V）、SR560（电压60V压降0.7V）、SR580（电压80V压降0.85V）、SR5100（电压100V压降0.85V）、SR5150（电压150V压降0.92V）、SR5200（电压200V压降0.95V）、SR540L（电压40V压降0.47V）、SR560L（电压60V压降0.55V）、SR580L（电压80V压降0.75V）、SR5100L（电压100V压降0.75V）、SR5100L（电压100V压降0.75V）、SR5150L（电压150V压降0.85V）、SR5200L（电压200V压降0.85V）、SR5250（电压250V压降0.95V）、TSR540L（电压40V压降0.45V）、TSR560L（电压60V压降0.5V）、TSR5100L（电压100V压降0.65V）、TSR5200L（电压200V压降0.85V）、TSR5300L（电压300V压降0.9V）、TSS54LA（电压40V压降0.45V）、TSS510LA（电压100V压降0.65V）

……

2）电流5A封装DO-214AC肖特基二极管型号

SS52A（电压20V压降0.55V）、SS53A（电压30V压降0.55V）、SS54A（电压40V压降0.55V）、SS55A（电压50V压降0.7V）、SS56A（电压60V压降0.7V）、SS58A（电压80V压降0.85V）、SS510A（电压100V压降0.85V）、SS515A（电压150V压降0.92V）、SS520A（电压200V压降0.95V）、SS52A-Q（电压20V压降0.55V）、SS53A-Q（电压30V压降0.55V）、SS54A-Q（电压40V压降0.55V）、SS55A-Q（电压50V压降0.7V）、SS56A-Q（电压60V压降0.7V）、SS58A-Q（电压80V压降0.85V）、SS510A-Q（电压100V压降0.85V）、SS515A-Q（电压150V压降0.92V）、SS520A-Q（电压200V压降0.95V）、SS510LA（电压100V压降0.75V）……

3）电流5A封装SMAF肖特基二极管型号

SS54F（电压40V压降0.55V）、SS56F（电压60V压降0.7V）、SS510F（电压100V压降0.85V）、SS515F（电压150V压降0.95V）、SS520F（电压200V压降0.95V）、SS54F-Q（电压40V压降0.55V）、SS56F-Q（电压60V压降0.7V）、SS510F-Q（电压100V压降0.85V）、SS515F-Q（电压150V压降0.95V）、SS520F-Q（电压200V压降0.95V）、SS54LF（电压40V压降0.45V）……

4）电流5A封装DO-214AA肖特基二极管型号

SS52B（电压20V压降0.55V）、SS53B（电压30V压降0.55V）、SS54B（电压40V压降0.55V）、SS55B（电压50V压降0.7V）、SS56B（电压60V压降0.7V）、SS58B（电压80V压降0.85V）、SS510B（电压100V压降0.85V）、SS515B（电压150V压降0.92V）、SS520B（电压200V压降0.95V）、SS54LB（电压40V压降0.47V）、SS56LB（电压60V压降0.55V）、SS510LB（电压100V压降0.75V）、SS515LB（电压150V压降0.85V）、SS520LB（电压200V压降0.85V）、TSS52L（电压20V压降0.45V）、TSS53L（电压30V压降0.45V）、TSS54L（电压40V压降0.45V）、TSS55L（电压50V压降0.5V）、TSS56L（电压60V压降0.5V）、TSS57L（电压70V压降0.58V）、TSS58L（电压80V压降0.58V）、TSS59L（电压90V压降0.65V）、TSS510L（电压100V压降0.65V）……

5）电流5A封装SMBF肖特基二极管型号

SS52BF（电压20V压降0.55V）、SS53BF（电压30V压降0.55V）、SS54BF（电压40V压降0.55V）、SS55BF（电压50V压降0.7V）、SS56BF（电压60V压降0.7V）、SS58BF（电压80V压降0.85V）、SS510BF（电压100V压降0.85V）、SS515BF（电压150V压降0.92V）、SS520BF（电压200V压降0.95V）……

6）电流5A封装SMB-W肖特基二极管型号

SS52B-W（电压20V压降0.55V）、SS53B-W（电压30V压降0.55V）、SS54B-W（电压40V压降0.55V）、SS55B-W（电压50V压降0.7V）、SS56B-W（电压60V压降0.7V）、SS58B-W（电压80V压降0.85V）、SS510B-W（电压100V压降0.85V）、SS515B-W（电压150V压降0.92V）、SS520B-W（电压200V压降0.95V）……

7）电流5A封装DO-214AB肖特基二极管型号

SS52（电压20V压降0.55V）、SS53（电压30V压降0.55V）、SS54（电压40V压降0.55V）、SS55（电压50V压降0.7V）、SS56（电压60V压降0.7V）、SS58（电压80V压降0.85V）、SS510（电压100V压降0.85V）、SS515（电压150V压降0.92V）、SS520（电压200V压降0.95V）、SS52-Q（电压20V压降0.55V）、SS53-Q（电压30V压降0.55V）、SS54-Q（电压40V压降0.55V）、SS55-Q（电压50V压降0.7V）、SS56-Q（电压60V压降0.7V）、SS58-Q（电压80V压降0.85V）、SS510-Q（电压100V压降0.85V）、SS515-Q（电压150V压降0.92V）、SS520-Q（电压200V压降0.95V）、SS54L（电压40V压降0.47V）、SS56L（电压60V压降0.55V）、SS510L（电压100V压降0.75V）、SS515L（电压150V压降0.85V）、SS520L（电压200V压降0.85V）、SS510L（电压100V压降0.75V）、TSS52L（电压20V压降0.45V）、TSS53L（电压30V压降0.45V）、TSS54L（电压40V压降0.45V）、TSS55L（电压50V压降0.5V）、TSS56L（电压60V压降0.5V）、TSS57L（电压70V压降0.58V）、TSS58L（电压80V压降0.58V）、TSS59L（电压90V压降0.65V）、TSS510L（电压100V压降0.65V）、TSS530L（电压300V压降0.9V）……

具体参数详情，详见东沃电子肖特基二极管产品手册！

5A肖特基二极管SS52BF~SS520BF

肖特基二极管常见型号与参数图片

1、1安培,封装;DO-411N5819、电流;1A、压降;0.55V、电压;40VSR160、电流;1A、压降;0.7V、电压;60VSR1100、电流;1A、压降;0.85V、电压;100V2、2安培,封装;DO-15SR240、电流;2A、压降0.55V、电压;40vSR260、电流;2A、压降0.7V、电压;60vSR2100、电流;2A、压降0.85V、电压;100v3、3安培,封装;DO-27SR340电流;3A、压降0.55V、电压;40vSR360、电流;3A、压降0.7V、电压;60vSR3100、电流;3A、压降0.85V、电压;100v4、5安培,封装DO-27SR540电流;5A、压降0.55V、电压;40vSR560、电流;5A、压降0.7V、电压;60vSR5100、电流;5A、压降0.85V、电压;100v5、1安培,贴片封装;DO-214ACSS14、电流;1A、压降;0.55V、电压;40VSS16、电流;1A、压降;0.7V、电压;60VSS18、电流;1A、压降;0.85V、电压;80Vss110、电流;1A、压降;0.85V、电压;100V6、2安培,贴片封装;DO-214ACSS24、电流;2A、压降;0.55V、电压;40VSS26、电流;2A、压降;0.7V、电压;60VSS28、电流;2A、压降;0.85V、电压;80VSS210、电流;2A、压降;0.85V、电压;100V7、3安培,贴片封装;DO-214ACSS34、电流;3A、压降;0.55V、电压;40VSS36、电流;3A、压降;0.7V、电压;60VSS38、电流;3A、压降;0.85V、电压;80VSS310、电流;3A、压降;0.85V、电压;100V8、5安培,贴片封装;DO-214ACSS54、电流;5A、压降;0.55V、电压;40VSS56、电流;5A、压降;0.7V、电压;60VSS58、电流;5A、压降;0.85V、电压;80VSS510、电流;5A、压降;0.85V、电压;100V

肖特基二极管常见型号图片

**5100和sr5100都是5a/100v的肖特基二极管，只是生产厂家不同罢了，参数没什么太大区别，可以相互代替。**5100可代替的型号很多，例如：sr5a0、sr510等。也可以用参数稍大的来代替，如：**10100、sr10100、sr10a0等。二极管1n5408为3a/1000v普通整流二极管，不可以用以代替肖特基二极管或快恢复二极管。

肖特基二极管常见型号列表

今天我们来说下,肖特基二极管的常见型号与作用,包括具体的参数。肖特基二极管的压降要比普通的二极管低很多,所以自身功耗小,效率很高；反向恢复时间极短,所以适宜工作在高频率状态下；目前常见的肖特基最高结温为150℃-175℃(结温越高表示产品抗温特性越好) 。

肖特基二极管的压降要比普通的二极管低很多,所以自身功耗小,效率很高；反向恢复时间极短,所以适宜工作在高频率状态下；目前常见的肖特基最高结温为150℃-175℃(结温越高表示产品抗温特性越好)。

一、1安培,封装：DO-41

1N5819、电流；1A、压降；0.55V、电压；40V

SR160、电流；1A、压降；0.7V、电压；60V

SR1100、电流；1A、压降；0.85V、电压；100V

二、2安培,封装：DO-15

SR240、电流；2A、压降0.55V、电压；40v

SR260、电流；2A、压降0.7V、电压；60v

SR2100、电流；2A、压降0.85V、电压；100v

三、3安培,封装：DO-27

SR340电流；3A、压降0.55V、电压；40v

SR360、电流；3A、压降0.7V、电压；60v

SR3100、电流；3A、压降0.85V、电压；100v

四、5安培,封装：DO-27

SR540电流；5A、压降0.55V、电压；40v

SR560、电流；5A、压降0.7V、电压；60v

SR5100、电流；5A、压降0.85V、电压；100v

五、1安培,贴片封装：DO-214AC

SS14、电流；1A、压降；0.55V、电压；40V

SS16、电流；1A、压降；0.7V、电压；60V

SS18、电流；1A、压降；0.85V、电压；80V

ss110、电流；1A、压降；0.85V、电压；100V

六、2安培,贴片封装；DO-214AC

SS24、电流；2A、压降；0.55V、电压；40V

SS26、电流；2A、压降；0.7V、电压；60V

SS28、电流；2A、压降；0.85V、电压；80V

SS210、电流；2A、压降；0.85V、电压；100V

七、3安培,贴片封装：DO-214AC

SS34、电流；3A、压降；0.55V、电压；40V

SS36、电流；3A、压降；0.7V、电压；60V

SS38、电流；3A、压降；0.85V、电压；80V

SS310、电流；3A、压降；0.85V、电压；100V

八、5安培,贴片封装：DO-214AC

SS54、电流；5A、压降；0.55V、电压；40V

SS56、电流；5A、压降；0.7V、电压；60V

SS58、电流；5A、压降；0.85V、电压；80V

SS510、电流；5A、压降；0.85V、电压；100V

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肖特基二极管型号对照表

导读： 二极管（Diode）算是半导体家族中的分立元器件中最简单的一类，其最明显的性质就是它的单向导电特性，就是说电流只能从一边过去，却不能从另一边过来(从正极流向负极)。本文从二极管的分类、命名方法，到常用二极管的特点及选用。也是模拟电路基础的，第一课内容。

一、基础知识

1、二极管的分类

二极管的种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）；按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。

根据二极管的不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、肖特基二极管、发光二极管等。

（注：上图取自 采芯网）

2、二极管的型号命名方法

（1）按照国产半导体器件型号命名方法：二极管的型号命名由五个部分组成：主称、材料与极性、类别、序号和规格号（同一类产品的档次）。

（2）日本半导体器件命名型号由以下5部分组成：

第一部分：用数字表示半导体器件有效数目和类型；“1”表示二极管，“2”表示三极管。

第二部分：用“S”表示已在日本电子工业协会登记的半导体器件；

第三部分：用字母表示该器件使用材料、极性和类型；

第四部分：表示该器件在日本电子工业协会的登记号；

第五部分：表示同一型号的改进型产品。

3、几种常见二极管特点

（1）整流二极管

将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管，因结电容大，故工作频率低。

通常，IF在1安以上的二极管采用金属壳封装，以利于散热；IF在1安以下的采用全塑料封装。

（2）开关二极管

在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，其特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。

开关二极管有接触型，平面型和扩散台面型几种，一般IF＜500毫安的硅开关二极管，多采用全密封环氧树脂，陶瓷片状封装。

（3）稳压二极管

稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，因为它能在电路中起稳压作用，故称为稳压二极管。

它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的。

（4）变容二极管

变容二极管是利用PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被广泛地用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路中。

变容二极管主要是通过结构设计及工艺等一系列途径来突出电容与电压的非线性关系，并提高Q值以适合应用。

（5）TVS二极管

TVS二极管（TransientVoltageSuppresser瞬态电压抑制器）是和被保护电路并联的，当瞬态电压超过电路的正常工作电压时，二极管发生雪崩，为瞬态电流提供通路，使内部电路免遭超额电压的击穿或超额电流的过热烧毁。

由于TVS二极管的结面积较大，使得它具有泄放瞬态大电流的优点，具有理想的保护作用。

二、二极管的参数选择

（1）额定正向工作电流

额定正向工作电流指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。

（2）最大浪涌电流

最大浪涌电流，是允许流过的过量正向电流，它不是正常电流，而是瞬间电流。其值通常是额定正向工作电流的20倍左右。

（3）最高反向工作电压

加在二极管两端的反向工作电压高到一定值时，管子将会击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电值。例如，lN4001二极管反向耐压为50V，lN4007的反向耐压为1000V。

（4）反向电流

反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。

反向电流与温度密切相关，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。

硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。

（5）反向恢复时间

从正向电压变成反向电压时，电流一般不能瞬时截止，要延迟一点点时间，这个时间就是反向恢复时间。它直接影响二极管的开关速度。

（6）最大功率

最大功率就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流。这个极限参数对稳压二极管等显得特别。

（7）频率特性

由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。

2、不同二极管的选用

（1）检波二极管

检波二极管一般可选用点接触型锗二极管，选用时，应根据电路的具体要求来选择工作频率高、反向电流小、正向电流足够大的检波二极管。

（2）整流二极管

整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中。选用整流二极管时，主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。

（3）稳压二极管

稳压二极管一般用在稳压电源中作为基准电压源或用在过电压保护电路中作为保护二极管。选用的稳压二极管，应满足应用电路中主要参数的要求。稳压二极管的稳定电压值应与应用电路的基准电压值相同，稳压二极管的最大稳定电流应高于应用电路的最大负载电流50％左右。

（4）开关二极管

开关二极管主要应用于收录机、电视机、影碟机等家用电器及电子设备有开关电路、检波电路、高频脉冲整流电路等。

中速开关电路和检波电路，可以选用2AK系列普通开关二极管。高速开关电路可以选用RLS系列、1SS系列、1N系列、2CK系列的高速开关二极管。

要根据应用电路的主要参数（如正向电流、最高反向电压、反向恢复时间等）来选择开关二极管的具体型号。

（5）变容二极管

选用变容二极管时，应着重考虑其工作频率、最高反向工作电压、最大正向电流和零偏压结电容等参数是否符合应用电路的要求，应选用结电容变化大、高Q值、反向漏电流小的变容二极管。

3、TVS二极管选型

（1）最小击穿电压VBR和击穿电流IR。VBR是TVS最小的击穿电压，在25℃时，低于这个电压TVS是不会产生雪崩的。当TVS流过规定的1mA电流（IR）时，加于TVS两极的电压为其最小击穿电压VBR。按TVS的VBR与标准值的离散程度，可把VBR分为5％和10％两种。对于5％的VBR来说，VWM=0.85VBR；对于10％的VBR来说，VWM=0.81VBR。为了满足IEC61000-4-2国际标准，TVS二极管必须达到可以处理最小8kV（接触）和15kV（空气）的ESD冲击，部份半导体厂商在自己的产品上使用了更高的抗冲击标准。对于某些有特殊要求的可携设备应用，设计者可以依需要挑选元件。

（2）最大反向漏电流ID和额定反向切断电压VWM。VWM是二极管在正常状态时可承受的电压，此电压应大于或等于被保护电路的正常工作电压，否则二极管会不断截止回路电压；但它又需要尽量与被保护回路的正常工作电压接近，这样才不会在TVS工作以前使整个回路面对过压威胁。当这个额定反向切断电压VWM加于TVS的两极间时它处于反向切断状态，流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流ID。

（3）最大钳位电压VC和最大峰值脉冲电流IPP。当持续时间为20ms的脉冲峰值电流IPP流过TVS时，在其两端出现的最大峰值电压为VC。VC、IPP反映了TVS的突波抑制能力。VC与VBR之比称为钳位因子，一般在1.2~1.4之间。VC是二极管在截止状态提供的电压，也就是在ESD冲击状态时通过TVS的电压，它不能大于被保护回路的可承受极限电压，否则元件面临被损伤的危险。

（4）Pppm额定脉冲功率，这是基于最大截止电压和此时的峰值脉冲电流。对于手持设备，一般来说500W的TVS就足够了。最大峰值脉冲功耗PM是TVS能承受的最大峰值脉冲功耗值。在特定的最大钳位电压下，功耗PM越大，其突波电流的承受能力越大。在特定的功耗PM下，钳位电压VC越低，其突波电流的承受能力越大。另外，峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。而且，TVS所能承受的瞬态脉冲是不重覆的，元件规定的脉冲重覆频率（持续时间与间歇时间之比）为0.01％。如果电路内出现重覆性脉冲，应考虑脉冲功率的累积，有可能损坏TVS。

（5）电容器量C。电容器量C是由TVS雪崩结截面决定的，是在特定的1MHz频率下测得的。C的大小与TVS管的电流承受能力成正比，C太大将使讯号衰减。因此，C是数据介面电路选用TVS的重要参数。电容器对于数据/讯号频率越高的回路，二极管的电容器对电路的干扰越大，形成噪音或衰减讯号强度，因此需要根据回路的特性来决定所选元件的电容器范围。高频回路一般选择电容器应尽量小（如SAC（500W，50pF，±10%）、LCE（1.5KW，100pF）、低电容器TVS），而对电容器要求不高的回路电容器选择可高于40pF。

4、肖特基二极管与普通二极管的区别

硅管的初始导通压降是0.5V左右，正常导通压降是0.7V左右，在接近极限电流情况下导通压降是1V左右；锗管的初始导通压降是0.2V左右，正常导通压降是0.3V左右，在接近极限电流情况下导通压降是0.4V左右，肖特基二极管的初始导通压降是0.4V左右，正常导通压降是0.5V左右，在接近极限电流情况下导通压降是0.8V左右。

两种二极管都是单向导电，可用于整流场合。区别是普通硅二极管的耐压可以做得较高，但是它的恢复速度低，只能用在低频的整流上，如果是高频的就会因为无法快速恢复而发生反向漏电，最后导致管子严重发热烧毁;肖特基二极管的耐压能常较低，但是它的恢复速度快，可以用在高频场合，故开关电源采用此种二极管作为整流输出用，尽管如此，开关电源上的整流管温度还是很高的。

快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下)，工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V)，反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(SchottkyBarrierDiode)，具有正向压降低(0.4--0.5V)、反向恢复时间很短(10-40纳秒)，而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。这两种管子通常用于开关电源。肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~!前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~!电气特性当然都是二极管阿~!快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。

4、肖特基二极管与快恢复二极管的区别

肖特基二极管：

反向耐压值较低(一般小于150V)，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。

其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的

PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。

快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的

扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.

目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 

快恢复二极管FRD（FastRecoveryDiode）是近年来问世的新型半导体器件，具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快恢复二极管SRD（SuperfastRecovery Diode），则是在快恢复二极管基础上发展而成的，其反向恢复时间trr值已接近于肖特基二极管的指标。它们可广泛用于开关电源、脉宽调制器（PWM）、不间断电源（UPS）、交流电动机变频调速（VVVF）、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。

肖特基二极管：反向耐压值较低(一般小于150V)，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 

快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.快恢复二极管FRD（FastRecoveryDiode）是近年来问世的新型半导体器件，具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快恢复二极管SRD（SuperfastRecoveryDiode），则是在快恢复二极管基础上发展而成的，其反向恢复时间trr值已接近于肖特基二极管的指标。它们可广泛用于开关电源、脉宽调制器（PWM）、不间断电源（UPS）、交流电动机变频调速（VVVF）、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。

5、TVS二极管与ESD防护二极管的区别

TVS瞬态电压抑制

这里不论TV是如何产生的,比如直接或者间接的雷击,静电放电,大容量的负载投切等因素导致的浪涌.电压从几伏到几十千伏甚至更高. 

ESD静电放电保护 

其中主要应用是HBM 和 MM,简单说,就是人或者设备对器件放电(静电),但是器件不能损坏. 

典型的HBMCLASS1C模型规定一个充电1000V-2000V的100pF的电容通过一个1500欧姆的电阻对器件放电. 

MM模型要比人体模型能量大一些.电容是200pF,电压大概在200-400之间,不过没有串联电阻了. 

典型的人体模型放电,峰值电流小于0.75A,时间150ns 

典型的机器模型放电,峰值电流小于8A,时间5ns 

典型的雷击浪涌(电力线入线处使用的TVS)峰值电流3000A,时间20us

TVS二极管和ESD防护二极管原理是一样的,但根据功率和封装来分就不一样. 

ESD防护二极管和TVS比较的话,要看用在那些用途上,像ESD主要是用来防静电,防静电就要求电容值低,一般是1--3.5PF之间为最好.而TVS就做不到这一点,TVS的电容值比较高。

肖特基二极管常见型号与参数

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二极管是电路中经常用的一种电子元器件看，它的英文名称是Diode,又称晶体二极管，是用P型和N型半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子元器件。它具有单向导电性能，即给二极管阳极加上正向电压时，二极管导通。当给阳极和阴极加上反向电压时，二极管截止。因此，二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开。

二极管引脚是有正负极性区分的，A（Anode）表示正极，K（Cathode，C的发音为[K])表示负极,在负极的方向会有丝印标记，称为阴极线。二极管的种类非常多，常见的有以下几种，看看有没有你不认识呢？

1．整流二极管

整流二极管英文名称为Rectifierdiode，它是一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件，是电子行业中应用最普遍的一种二极管，整流二极管1N系列的比较多，比如1N4001-1N4007。整流二极管有SMT和THT两种封装形式，SMT封装常见的有SMA、SMB、SMC和SOD123等。整流二极管的原理图和PCB库封装（SMA）如下图所示。

2．稳压二极管

稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。在电源电路中经常用到稳压二极管，它与普通二极管在电路中的连接方法不同，负极接电路的高电势，正极接地或低电势点。

3．肖特基二极管

肖特基二极管具有正向导通压降低、恢复时间快、低接电容、低噪音、高电流密度等优点，在高速开关电路中有广泛的应用。肖特基二极管的原理图和PCB库如下图所示。

4．开关二极管

开关二极管是专门设计制造的一类二极管，用于在电路上“开”、“关”。与普通二极管相比，其由导通转变为截止或由截止变为导通的时间较短。半导体二极管的导通相当于一个闭合开关，截止时等效于开启(断开)，因此二极管可用作开关，常用型号1N4148开关二极管。PN结导通由于半导体二极管具有单向传导的性质，在正偏压下PN结导通，在导通状态下的电阻非常小，大约是几十到几百欧；而在反向偏压下，PN结的电阻很大，一般硅二极管在10欧姆以上，而锗管也有几十千欧到几百千欧。通过这种特性，二极管可以在电路中对电流进行控制，从而成为一种理想的电子开关。

开关二极管也有SMT和THT两种封装方式，常用的原理图和PCB封装如下图所示。

快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。

快恢复二极管的外形和普通二极管相同，原理图和PCB库的参照整流二极管。

6．变容二极管

发光二级管家族THT和SMT封装的种类很多，插针的按照长正短负区分极性，贴片标有阴极线，原理图和PCB封装如下图所示。

雪崩二极管的英文名称为Avalanchediode，它是利用半导体结构中载流子的碰撞电离和渡越时间两种物理效应而产生负阻的固体微波器件。当反向电压增大到一定数值时，PN结被反向击穿，载流子倍增就像雪崩一样，反向电流突然快速增加。雪崩二极管用于在特定反向偏置电压下经历雪崩击穿，从而阻止电流集中到某一点，通常做为安全阀使用，用于控制系统压力和保护电路系统。

雪崩二极管通常在高压电路中使用，对安装的空间要求不高，因此多数是插针的封装形式，原理图、PCB封装和普通二极管相同。

光电二极管又称光敏二极管，英文名称为Photo-Diode，光电二极管是在反向电压作用之下工作的，在一般照度的光线照射下，所产生的电流叫光电流。如果在外电路上接上负载，负载上就获得了电信号，而且这个电信号随着光的变化而相应变化。

光电二极管在电路中一般处于反向工作状态，在没有光照时，反向电阻很大，反向电流被称为暗电流，此时暗电流小，相当于断路；当光照射在PN结上时，光子打在PN附近，使PN结附近产生光生电子和光生空穴对，他们在PN结处的内电场作用下做定向运动，形成光电流，光的照射强度越大，光电流就越大。因此，光电二极管在不受光照射时处于截止状态，在受光照射时处于导通状态，在电路中经常做为一个开关器件使用。如果正接了，那就和普通二极管功能一样了。

光电二极管和发光二极管外形很像，只不过前者是被动接受光源导通电路，后者是主动发出光源，因此光电二极管的发光方向是向内的，代表是外部照时进来的光源，原理图库和发光二极管有点不同，其原理图和PCB库如下图所示。

触发二极管又称双向触发二极管，英文名称为DiodeACswitch,简写为DIAC，触发二极管实际上是一种电压控制元件，一般的它们都有一个触发电压，当两端电压低于这个触发电压的时候，二极管是开路状态，当电压达到触发电压的时候，二极管瞬间导通，将电压输出。

双向二极管的正反两个方向都有稳压作用，就如同两个稳压二极管反向串连，它的两端不论正反哪个反向达到了稳定电压（既其中一个稳压极管）的反向击穿电压都可以使得其两端的电压基本保持不变（在其允许的电流范围内），因此正常情况下触发二极管是双向都不导通的。

触发二极管的引脚没有正负极性的区分，原理图的种类比较多，一般都是两个二极管集成在一起的，触发二极管的原理图和PCB库如下图所示。

静电放电的英文全称为Electro-StaticDischarge，简称ESD，ESD二极管是一种具有两个电极的半导体器件，当加在两极间的电压达到一定值时，在其间产生电场使电子移动而形成电流。当ESD二极管的两只引脚之间加有交变电压时，则其集电极和发射结之间的电容量就会发生变化；如果此时给该二极管加上反向偏置电压或输入一个低电平的信号脉冲，则它的输出端将会出现很大的电流。这就是所谓的“漏极开路”现象（简称“开路”）。

ESD二极管和TVS二极管都是电路保护器件，工作原理是一样的，但功率和封装是不一样的，ESD二极管主要是用来防静电，防静电就要求电容值低，一般是1-3.5PF之间为最好；而TVS二极管就做不到这一点，TVS二极管的电容值比较高。静电放电二极管常用的是3个引脚的，ESD二极管的正负接在电源引脚，公共端接在被保护引脚上起到释放静电的作用。ESD二极管的原理图和PCB封装库如下图所示。

阻尼二极管又称隧道二极管、穿隧效应二极管、穿隧二极管、透纳二极管，英文名称为TunnelDiode，它是一种可以高速切换的半导体二极管，其切换速度可到达微波频率的范围，其原理是利用量子穿隧效应。它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。江崎二极管是采用砷化镓（GaAs）和锑化镓（GaSb）等材料混合制成的半导体二极管，其优点是开关特性好，速度快、工作频率高；缺点是热稳定性较差。一般应用于某些开关电路或高频振荡等电路中。

15．PIN二极管

PIN二极管英文名称为Pindiode，是一种在光通信中普遍使用的光电二极管。它是在P区和N区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造出来的一种晶体二极管。PIN中的I是"本征"意义的英文略语。当其工作频率超过100MHz时，由于少数载流子的存贮效应和"本征"层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变。在零偏置或直流反向偏置时，"本征"区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入"本征"区，而使"本征"区呈现出低阻抗状态。因此，可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中。

PIN二极管作为一种特种微波半导体元件，广泛应用于微波和射频电路的设计中，具有许多优良的特点，例如：开关速度快、可控功率大、损耗低、反向击穿电压高等。另外，PIN二极管无论被正向或者反向偏置均可得到类似于短路与开路。因而，PIN二极管已经成为各种电子设备中的重要组成部分。

频率倍增用二极管英文名称为Frequencydoubleddiode，对二极管的频率倍增作用而言，有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃（即急变）二极管的频率倍增。频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器，可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同，但电抗器的构造却能承受大功率。阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管，从导通切换到关闭时的反向恢复时间TRR短，因此，其特长是急速地变成关闭的转移时间显著的短。如果对阶跃二极管施加正弦波，那么，因TT（转移时间）短，所以输出波形急骤地被夹断，故能产生很多高频谐波。

阶跃二极管一种特殊的变容管，又称为阶跃恢复二极管或电荷存储二极管,简称阶跃管，英文名称为Step-RecovaryDiode，它具有高度非线性的电抗，应用于倍频器时代独有的特点，利用其反向恢复电流的快速突变中所包含的丰富谐波，可获得高效率的高次倍频，它是微波领域中优良的倍频元件。

旋转二极管主要用于无刷励磁电机，它实际上就是一个整流二极管，在工作的时候跟着发动机一起旋转，所以被称为旋转二极管。旋转二极管的作用就是把励磁机的交流电压整流为直流电压，通过发动机的大轴，把这个直流电压加到发电机的励磁线圈上，然后通过励磁屏的调整来获得一个理想的励磁电流。

3、硬件越老越吃香，确实没错！

4、这么挤，几层板？看看大神设计的逻辑电平测试笔

肖特基和快恢复二极管区别

一个从业十多年的有追求的硬件工程师，我的追求：知其然并知其所以然。代表作有《硬件工程师炼成之路笔记》，《硬件工程师炼成之路器件篇》

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